KR102556329B1 - 반도체 기판을 지지하는 진공척 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- -1 regions Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
도 2는 도 1에 도시된 진공척을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 진공 노즐을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 진공척이 반도체 기판을 진공 흡착하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
34 : 진공홀 100 : 진공척
110 : 제1 진공척 112, 122 : 척 진공홀
120 : 제2 진공척 124 : 관통홀
130 : 진공 노즐 132 : 수직 이동축
134 : 진공 패드 140 : 구동부
150 : 진공 라인
Claims (8)
- 기판의 중앙 부위에 대응하는 제1 진공척;
상기 제1 진공척의 주위에 배치되며 상기 기판의 가장자리 부위들에 각각 대응하는 복수의 제2 진공척;
상기 제2 진공척들의 상부면에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척들을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되고 상기 기판의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 노즐; 및
상기 기판을 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 고정시키기 위해 상기 진공 노즐들을 사선 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함하되,
상기 진공 노즐들은 상기 제2 진공척들의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 제1 진공척의 중심 지점을 향해 기울어진 사선 방향으로 배치되고,
상기 기판은 아래로 볼록하게 휘어지는 휨이 발생된 상태로 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 놓여지며,
상기 제1 진공척이 상기 기판의 중앙 부위를 진공 흡착한 후, 상기 구동부는 상기 진공 노즐들이 상기 기판의 가장자리 부위들을 각각 진공 흡착하고 상기 기판의 가장자리 부위들이 상기 제2 진공척들 상에 접촉되도록 상기 진공 노즐들을 승강시키며, 이어서 상기 제2 진공척들이 상기 기판의 가장자리 부위들을 진공 흡착하고,
상기 제2 진공척들에 의해 상기 기판의 가장자리 부위들이 진공 흡착된 후 상기 진공 노즐들은 상기 기판의 가장자리 부위들에 대한 진공 흡착 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척. - 제1항에 있어서,
상기 진공 노즐들 각각은,
상기 기판을 흡착하기 위한 진공이 제공되는 진공홀을 구비하고 상기 기판의 하부면에 접촉되어 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공 패드; 및
상기 진공 패드의 하부면에 결합되어 상기 기판에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척을 관통하여 배치되며 상기 진공홀과 연통되어 진공을 상기 진공홀에 제공하기 위한 진공 유로를 구비하고 상기 구동부에 결합되어 사선 방향으로 이동 가능한 수직 이동축을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척. - 제2항에 있어서,
상기 진공 패드는 탄성 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척. - 제1항에 있어서,
상기 구동부는 상기 진공 노즐들에 대응하여 복수로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 지지하는 진공척. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 진공척과 상기 제2 진공척들 각각은 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공이 제공되는 복수의 척 진공홀을 구비하는 것을 특징으로 반도체 기판을 지지하는 진공척. - 삭제
- 복수의 반도체 패키지들로 이루어진 반도체 기판을 지지하기 위한 진공척; 및
상기 진공척 상의 상기 반도체 기판을 절단하여 상기 복수의 반도체 패키지들을 개별화하기 위한 절단 블레이드를 포함하되,
상기 진공척은,
상기 반도체 기판의 중앙 부위에 대응하는 제1 진공척과,
상기 제1 진공척의 주위에 배치되며 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들에 각각 대응하는 복수의 제2 진공척과,
상기 제2 진공척들의 상부면에 대해 사선 방향으로 상기 제2 진공척들을 관통하여 배치되며 사선 방향으로 이동 가능하게 구비되고 상기 반도체 기판의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 노즐과,
상기 반도체 기판을 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 고정시키기 위해 상기 진공 노즐들을 사선 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함하되,
상기 진공 노즐들은 상기 제2 진공척들의 하부면으로부터 상부면으로 갈수록 상기 제1 진공척의 중심 지점을 향해 기울어진 사선 방향으로 배치되고,
상기 반도체 기판은 아래로 볼록하게 휘어지는 휨이 발생된 상태로 상기 제1 및 제2 진공척들 상에 놓여지며,
상기 제1 진공척이 상기 반도체 기판의 중앙 부위를 진공 흡착한 후, 상기 구동부는 상기 진공 노즐들이 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들을 각각 진공 흡착하고 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들이 상기 제2 진공척들 상에 접촉되도록 상기 진공 노즐들을 승강시키며, 이어서 상기 제2 진공척들이 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들을 진공 흡착하고,
상기 제2 진공척들에 의해 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들이 진공 흡착된 후 상기 진공 노즐들은 상기 반도체 기판의 가장자리 부위들에 대한 진공 흡착 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 절단 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160171508A KR102556329B1 (ko) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 반도체 기판을 지지하는 진공척 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160171508A KR102556329B1 (ko) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 반도체 기판을 지지하는 진공척 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180069381A KR20180069381A (ko) | 2018-06-25 |
KR102556329B1 true KR102556329B1 (ko) | 2023-07-17 |
Family
ID=62806298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160171508A Active KR102556329B1 (ko) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 반도체 기판을 지지하는 진공척 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102556329B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102177473B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2020-11-13 | 태산하이텍주식회사 | 공작 기계용 유니버셜 베드 |
CN109704064A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-03 | 东莞记忆存储科技有限公司 | 一种用于全自动切割机片翘曲产品的抓取机构及其使用方法 |
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JP2016085439A (ja) | 2014-05-08 | 2016-05-19 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070109572A (ko) | 2006-05-12 | 2007-11-15 | 삼성전자주식회사 | 기판 파지 장치 및 이를 갖는 노광 장치 |
JP2014179355A (ja) * | 2011-07-04 | 2014-09-25 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の剥離方法及びその装置 |
-
2016
- 2016-12-15 KR KR1020160171508A patent/KR102556329B1/ko active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180069381A (ko) | 2018-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20161215 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210930 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20161215 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230703 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
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