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KR100610762B1 - 패턴 형성 방법 - Google Patents

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KR100610762B1
KR100610762B1 KR1020040041436A KR20040041436A KR100610762B1 KR 100610762 B1 KR100610762 B1 KR 100610762B1 KR 1020040041436 A KR1020040041436 A KR 1020040041436A KR 20040041436 A KR20040041436 A KR 20040041436A KR 100610762 B1 KR100610762 B1 KR 100610762B1
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Abstract

패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막(first organic polymer layer)을 형성하고, 상기 제 1 유기 폴리머막 상에 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 가지는 제 2 유기 폴리머막(second organic polymer layer)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막(silicon containing polymer layer)을 형성한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막은 상기 제 2 유기 폴리머막보다 얇은 두께로 도포할 수도 있고, 두꺼운 실리콘 함유 폴리머막을 도포한 후 에치백할 수도 있다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 산화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하여 패턴을 형성한다.

Description

패턴 형성 방법{METHOD OF FORMING A PATTERN}
도 1a 내지 도 1c는 상기 특허에 개시된 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 5a 및 도 6 내지 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 패턴 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 3b 내지 도 5b 및 도 6 내지 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 패턴 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로써, 더 구체적으로 감광성 유기 폴리머를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라, 기판에 형성되는 패턴의 크기가 작아지고, 복잡한 구조의 패턴의 형성이 요구된다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서 사진식각기술(photo lithography)이 사용되는데, 크기가 작고 복잡한 구조의 포토레지스트 패턴(photo resist pattern)을 형성할 때, 원하는 형상의 포토레지스트 패턴이 형성되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
원하는 형상의 포토레지스트를 형성하는 방법이 다양하게 소개되고 있는데, 대한민국특허 등록번호 10-396193호 및 미합중국특허번호 6,670,106호는 비감광성 유기막을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법을 개시하고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 상기 특허에 개시된 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 하부막(21)이 형성된 기판 상에 포지티브 포토레지스트막을 형성하고, 노광 및 현상하여 하부막이 노출된 개구부(25)를 가지는 포토레지스트 패턴(22)을 형성한다.
도 1b를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(22) 상에 상기 개구부(25)를 채우는 비감광성 유기막(26)을 형성하고 산소플라즈마를 이용하여 상기 비감광성 유기막(26)을 상기 포토레지스트 패턴(22)이 노출될 때까지 에치백한다. 이 때, 상기 비감광성 유기막(26)이 상기 개구부(25)를 채울 때 상기 포토레지스트 패턴(22) 상에 거의 형성되지 않도록 상기 개구부(25)는 0.9㎛ 이상의 고단차로 형성한다.
도 1c를 참조하면, 상기 기판의 전면을 노광하고 알칼리 수용액으로 현상하여 상기 포토레지스트 패턴(22)을 제거한다. 결과적으로, 상기 기판 상에는 상기 비감광성 유기막 패턴(26)이 형성된다.
상기 참조문헌에 의하면, 포지티브 포토레지스트막을 이용하여 상기 감광성 유기막 패턴(26)과 같은 패턴을 형성하는 경우 회절광에 의해 경사진 패턴이 형성되는 문제가 발생하고, 이 문제는 비감광성 유기막(26)을 이용함으로써 해결할 수 있다고 기술하고 있다.
그러나, 도 2a에 도시된 것과 같이 하부막(21a)이 형성된 기판 상에 개구부(25a)를 가지는 포토레지스트 패턴(22a)을 형성할 때, 포토레지스트 패턴(22a)의 하단으로 갈 수록 상기 개구부(25a)의 폭이 줄어드는 문제가 발생할 수 있다. 이로 인하여 도 2b에 도시된 것과 같이 비감광성 유기막 패턴(26a)과 하부막(21a)의 접촉면적이 줄어들게되고, 알칼리 용액을 이용하여 상기 감광막을 제거하는 동안 상기 비감광성 유기막 패턴(26a)이 쓰러지거나 떨어지는 문제를 발생할 수 있다. 이러한 문제는 비감광성 유기막 패턴(26a)의 선폭이 작은 경우 더 심각해질 것이다. 특히, 미세패턴을 형성하기 위하여 높은 해상도를 가지는 단파장의 노광광을 사용하게되는데, 초점심도의 허용치(DOF; Depth of Focus)는 노광광의 파장에 짧을 수록 낮아진다. 따라서, 단파장의 빛을 사용하는 경우 상기 개구부(25a)의 폭이 줄어드는 문제는 더욱 가중되어 허용할 수 있는 공정상 오초점(Defocus) 마진이 줄어들게된다.
오초점 마진을 높이기 위해 얇은 포토레지스트막을 형성하는 것을 고려해볼 수도 있을 것이다. 그러나, 포토레지스트막이 얇아지는 경우 상기 비감광성 유기막 패턴(26a)의 두께도 얇아진다. 이는 상기 하부막(21a)을 식각하는 동안 상기 비감광성 유기막 패턴이 충분한 식각마스크를 제공하지 못하여 그 아래의 하부막(21a)이 제거되는 심각한 문제를 유발할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 공정상 오초점 마진을 높일 수 있는 얇은 포토레지스트막을 이용하여 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 하부막을 식각하는 동안 충분한 식각마스크를 제공할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또다른 기술적 과제는 얇은 포토레지스트막을 이용하여 이미지를 전사하여 오초점 마진을 높일 수 있고, 두꺼운 식각마스크를 이용하여 하부막을 식각할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 이중 유기 폴리머막(dual organic polymer layer)을 이용한 패턴 형성방법을 제공한다. 이 방법은 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막(first organic polymer layer)을 형성하고, 상기 제 1 유기 폴리머막 상에 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 가지는 제 2 유기 폴리머막(second organic polymer layer)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막(silicon containing polymer layer)을 형성한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막은 상기 제 2 유기 폴리머막보다 얇은 두께로 도포할 수도 있고, 두꺼운 실리콘 함유 폴리머막을 도포한 후 에치백할 수도 있다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 산화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하여 패턴을 형성한다.
이하 본발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하 도록 한다. 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 3a 내지 도 5a 및 도 6 내지 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 패턴 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(50) 상에 하부막(52)을 형성하고, 상기 하부막(52) 상에 제 1 유기 폴리머막(54) 및 제 2 유기 폴리머막(56)을 차례로 형성한다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 반사방지막(ARC;Anti-Reflection coating)의 역할과 식각마스크의 역할을 하는 막으로서, 식각될 하부막(52)의 두께 및 종류에 따라 가변적으로 형성할 수 있다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 두꺼운 하부막(52)을 식각하는 동안 충분한 식각마스크를 제공하기 위하여 두껍게 형성할 수 있다. 본 발명은 종래기술과 달리 식각마스크가 두꺼워져도 공정상 오초점 허용치(Defocus margin)이 줄어들지 않는 것이 특징이다. 예컨대, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 0.5 내지 3㎛의 두께의 포토레지스트막으로 형성할 수 있다.
상기 제 2 유기 폴리머막(56)은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 제 2 유기 폴리머막(56)은 레티클의 이미지가 전사되는 막으로서 공정상 오초점 허용 치를 높이기 위하여 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 제 2 유기 폴리머막(56)은 포토레지스트막으로 형성할 수 있고, 두께은 0.1 내지 0.5㎛ 정도의 얇은 두께로 형성할 수 있다. 상기 제 2 유기 폴리머막(56)은 노광광의 파장을 고려하여 그 두께를 가변적으로 조절할 수도 있다.
도 4a를 참조하면, 상기 제 2 유기 폴리머막(56)을 패터닝하여 상기 제 1 유기 폴리머막(54)이 노출된 개구부를 가지는 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p)을 형성한다. 상기 제 2 유기 폴리머막(56)은 사진식각 공정을 적용하여 패터닝할 수 있다.
예컨대, 0.2㎛의 ArF 포토레지스트막을 코팅하고 90℃에서 90초간 소프트 베이크를 실시한다. 상기 포토레지스트막은 파장 193㎚의 빛으로 노광하고 100℃에서 90초간 노광후 베이크(post exposure bake)를 실시한 후, 2.38％의 TMAH로 60초간 현상함으로써 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p)을 형성할 수 있다.
계속해서 도 4a를 참조하면, 상기 제 2 유기 폴리머막(56)이 형성된 기판의 전면에 실리콘 함유 폴리머막(58)을 형성한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p)이 덮일 정도의 두께로 균일하게 도포한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 아래 화학식과 같이 실리콘을 함유하는 반응기를 가지는 반복단위를 적어도 하나 포함하는 물질로 형성할 수 있다.
Figure 112004024528931-pat00001
Figure 112004024528931-pat00002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서 Me는 메틸기를 표시한다. 그러나, 실리콘 함유 폴리머막의 작용기는 메틸기에 한정되지 않고, 독립적으로 수소 또는 다른 작용기를 포함하는 알킬기가 될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)을 에치백하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p)을 노출시킨다. 그 결과, 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p) 상의 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)이 제거되고, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝 상에 형성되게 된다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 플루오르카본계의 플라즈마를 이용하여 에치백할 수 있다. 예컨대 5 sccm 내지 800 sccm의 CF4를 베이스로 Ar, CHF3, C4F6, C2F6 및 N2 를 각각 0 내지 200 sccm 공급하여 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)을 에치백할 수 있다.
도 6을 참조하면, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 이방성 에슁한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)의 실리콘과 산소가 결합하여 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 산화막 글래스(oxide glass)로 경화된다. 따라서, 산소 플라즈마를 이용한 이방성 에슁에서 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 에슁 마스크 역할을 한다. 그 결과, 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p) 및 그 하부의 상기 제 1 유기 폴리머막(54)이 제거되어 상기 하부막(52)이 노출된 오프닝(60)이 형성된다. 이 때, 산소 플라즈마 발생시 불활성 가스 플라즈마 또는 질소 플라즈마가 더 부가될 수도 있다. 예컨대, 1 내지 100 mL/min 의 O2를 베이스로 Ar, N2 및 HBr를 각각 0 내지 500 mL/min 공급하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(56p) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 에슁할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 식각마스크로 사용하여 상기 오프닝(60)에 노출된 하부막(52)을 식각하여 기판(50)이 노출된 오프닝(62)를 갖는 하부막 패턴(52p)을 형성한다. 이 때, 상기 하부막(52)이 실리콘산화막인 경우 상기 하부막(52)을 식각하는 동안 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)의 산화막 글래스가 함께 제거될 수도 있다. 그러나, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 두껍게 형성할 수 있기 때문에 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 상기 하부막(52)을 식각하는 동안 식각 배리어 역할을 충분히 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 제거한다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 알칼리 용액과 같은 일반적인 포토레지스트 스트립 용액을 이용하여 습식 제거할 수 있다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)이 제거되지 않았더라도 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 습식 제거함으로써 상기 하부막 패턴(52p) 상의 폴리머막은 모두 제거될 수 있다.
도 3b 내지 도 5b 및 도 6 내지 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 패턴 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 3b를 참조하면, 기판(50) 상에 하부막(52)을 형성하고, 상기 하부막(52) 상에 제 1 유기 폴리머막(54) 및 제 2 유기 폴리머막(66)을 차례로 형성한다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 반사방지막(ARC;Anti-Reflection coating)의 역할과 식각마스크의 역할을 하는 막으로서, 식각될 하부막(52)의 두께 및 종류에 따라 가변적으로 형성할 수 있다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 두꺼운 하부막(52)을 식각하는 동안 충분한 식각마스크를 제공하기 위하여 두껍게 형성할 수 있다. 본 발명은 종래기술과 달리 식각마스크가 두꺼워져도 공정상 오초점 허용치(Defocus margin)이 줄어들지 않는 것이 특징이다. 예컨대, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 0.5 내지 3㎛의 두께의 포토레지스트막으로 형성할 수 있다.
상기 제 2 유기 폴리머막(66)은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 제 2 유기 폴리머막(66)은 레티클의 이미지가 전사되는 막으로서 공정상 오초점 허용치를 높이기 위하여 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 제 2 유기 폴리머막(66)은 포토레지스트막으로 형성할 수 있고, 두께은 0.1 내지 0.5㎛ 정도의 얇은 두께로 형성할 수 있다. 상기 제 2 유기 폴리머막(66)은 노광광의 파장을 고려 하여 그 두께를 가변적으로 조절할 수도 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 제 2 유기 폴리머막(66)을 패터닝하여 상기 제 1 유기 폴리머막(54)이 노출된 개구부를 가지는 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)을 형성한다. 상기 제 2 유기 폴리머막(66)은 사진식각 공정을 적용하여 패터닝할 수 있다.
예컨대, 0.2㎛의 ArF 포토레지스트막을 코팅하고 90℃에서 90초간 소프트 베이크를 실시한다. 상기 포토레지스트막은 파장 193㎚의 빛으로 노광하고 100℃에서 90초간 노광후 베이크(post exposure bake)를 실시한 후, 2.38％의 TMAH로 60초간 현상함으로써 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)을 형성할 수 있다.
계속해서 도 4a를 참조하면, 상기 제 2 유기 폴리머막(66)이 형성된 기판의 전면에 실리콘 함유 폴리머막(58)을 형성한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 상기 r 개구부를 2/3 만큼 채울정도로 얇게 도포한다. 즉, 상기 제 2 유기 폴리머막(66) 상에는 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)이 도포되지 않도록 한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 아래 화학식과 같이 실리콘을 함유하는 반응기를 가지는 반복단위를 적어도 하나 포함하는 물질로 형성할 수 있다.
Figure 112004024528931-pat00003
Figure 112004024528931-pat00004
상기 화학식 1 및 화학식 2에서 Me는 메틸기를 표시한다. 그러나, 실리콘 함유 폴리머막의 작용기는 메틸기에 한정되지 않고, 독립적으로 수소 또는 다른 작용기를 포함하는 알킬기가 될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)을 에치백하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)을 노출시킨다. 그 결과, 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p) 상의 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)이 제거되고, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝 상에 형성되게 된다.
도 6을 참조하면, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 이방성 에슁한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)의 실리콘과 산소가 결합하여 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 산화막 글래스(oxide glass; 58r)로 경화된다. 따라서, 산소 플라즈마를 이용한 이방성 에슁에서 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)은 에슁 마스크 역할을 한다. 그 결과, 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p) 및 그 하부의 상기 제 1 유기 폴리머막(54)이 제거되어 상기 하부막(52)이 노출된 오프닝(60)이 형성된다. 이 때, 산소 플라즈마 발생시 불활성 가스 플라즈마 또는 질소 플라즈마가 더 부가될 수도 있다. 예컨대, 1 내지 100 mL/min 의 O2를 베이스로 Ar, N2 및 HBr를 각각 0 내지 500 mL/min 공급하여 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 에슁할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 실리콘 함유 폴리머막(58) 및 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 식각마스크로 사용하여 상기 오프닝(60)에 노출된 하부막(52)을 식각하여 기판(50)이 노출된 오프닝(62)를 갖는 하부막 패턴(52p)을 형성한다. 이 때, 상기 하부막(52)이 실리콘산화막인 경우 상기 하부막(52)을 식각하는 동안 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)의 산화막 글래스(58r)가 함께 제거될 수도 있다. 그러나, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 두껍게 형성할 수 있기 때문에 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 상기 하부막(52)을 식각하는 동안 식각 배리어 역할을 충분히 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 제거한다. 상기 제 1 유기 폴리머막(54)은 알칼리 용액과 같은 일반적인 포토레지스트 스트립 용액을 이용하여 습식 제거할 수 있다. 상기 실리콘 함유 폴리머막(58)이 제거되지 않았더라도 상기 제 1 유기 폴리머막(54)을 습식 제거함으로써 상기 하부막 패턴(52p) 상의 폴리머막은 모두 제거될 수 있다.
제 1 실시예 및 제 2 실시예에서, 상기 하부막 패턴(52p)은 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)이 역전사된다. 즉, 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)은 상기 하부막 패턴(52p)의 오프닝으로 전사되고, 상기 제 2 유기 폴리머막 패턴(66p)의 오프닝은 상기 하부막 패턴(52p)의 오프닝으로 전사된다. 따라서, 하부막의 식각 면적이 넓은 공정에 본 발명을 적용하는 경우, 노광 영역의 면적을 줄일 수 있기 때문에 더욱 효과적이다.
상술한 것과 같이 본 발명에 따르면, 두꺼운 식각마스크와 얇은 이미지 전사층으로 이용되는 이중 유기 폴리머막을 제공함으로써, 식각 배리어의 기능을 저하시키지 않으면서 오초점 마진을 높일 수 있다.

Claims (23)

  1. 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막(first organic polymer layer)을 형성하는 단계;
    상기 제 1 유기 폴리머막 상에 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 가지는 제 2 유기 폴리머막(second organic polymer layer)을 형성하는 단계;
    상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막(silicon containing polymer layer)을 형성하는 단계;
    산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 산화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁하는 단계; 및
    상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기막인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 상기 제 2 유기 폴리머막보다 얇은 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막을 형성하는 단계는,
    상기 오프닝 및 상기 제 2 유기 폴리머막을 덮는 실리콘 함유 폴리머막을 도포하는 단계;및
    상기 실리콘 함유 폴리머막을 에치백하여 상기 제 2 유기 폴리머막을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 플루오르카본계 플라즈마로 에치백하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 폴리머막 및 상기 제 2 유기 폴리머막을 에슁하는 단계에서,
    불활성 가스 플라즈마 또는 질소 플라즈마를 더 부가하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 유기 폴리머막은 상기 제 1 유기 폴리머막보다 얇은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00005
    상기 식에서 Me는 메틸기를 나타낸다.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00006
    상기 식에서 Me는 메틸기를 표시한다.
  10. 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막 및 감광성 제 2 유기 폴리머막을 차례로 도포하는 단계;
    사진식각공정을 적용하여 상기 제 2 유기 폴리머막을 패터닝하여 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 갖는 제 2 유기 폴리머 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 2 유기 폴리머 패턴 및 상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막을 도포하는 단계;
    상기 실리콘 함유 폴리머막을 에치백하여 상기 제 1 유기 폴리머막을 덮고 상기 제 2 유기 폴리머 패턴을 노출시키는 단계;
    산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 경화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머 패턴 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁하는 단계;및
    상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 폴리머막은 비감광성 유기 폴리머막이고,
    상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기 폴리머막인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 유기막 및 상기 제 2 유기막은 감광성 유기 폴리머막인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00007
    상기 식에서 Me는 메틸기를 표시한다.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00008
    상기 식에서 Me는 메틸기를 표시한다.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 플루오르카본계 플라즈마를 이용하여 에치백 하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 유기 폴리머 패턴 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁하는 단계에서,
    불활성 가스 플라즈마 또는 질소 플라즈마를 더 부가하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 유기 폴리머막은 상기 제 1 유기 폴리머막보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  18. 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막 및 감광성 제 2 유기 폴리머막을 차례로 도포하는 단계;
    사진식각공정을 적용하여 상기 제 2 유기 폴리머막을 패터닝하여 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 갖는 제 2 유기 폴리머 패턴을 형성하는 단계;
    상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막을 상기 제 2 유기 폴리머 패턴보 다 얇게 도포하는 단계;
    상기 실리콘 함유 폴리머막을 에치백하여 상기 제 1 유기 폴리머막을 덮고 상기 제 2 유기 폴리머 패턴을 노출시키는 단계;
    산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 경화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머 패턴 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁하는 단계;및
    상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 폴리머막은 비감광성 유기 폴리머막이고,
    상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기 폴리머막인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 유기막 및 상기 제 2 유기막은 감광성 유기 폴리머막인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00009
    상기 식에서 Me는 메틸기를 표시한다.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 폴리머막은 다음 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
    Figure 112004024528931-pat00010
    상기 식에서 Me는 메틸기를 표시한다.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 2 유기 폴리머 패턴 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁하는 단계에서,
    불활성 가스 플라즈마 또는 질소 플라즈마를 더 부가하는 것을 특징으로 하 는 패턴 형성 방법.
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