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KR100593814B1 - 반도체 다이본딩용 점착테이프 - Google Patents

반도체 다이본딩용 점착테이프 Download PDF

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KR100593814B1
KR100593814B1 KR1020050118238A KR20050118238A KR100593814B1 KR 100593814 B1 KR100593814 B1 KR 100593814B1 KR 1020050118238 A KR1020050118238 A KR 1020050118238A KR 20050118238 A KR20050118238 A KR 20050118238A KR 100593814 B1 KR100593814 B1 KR 100593814B1
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KR
South Korea
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film
adhesive
die
bonding
delete delete
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Application number
KR1020050118238A
Other languages
English (en)
Inventor
안용국
심창훈
황교성
Original Assignee
에이스 인더스트리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to TW095145272A priority patent/TWI338030B/zh
Priority to CN2006101621419A priority patent/CN1978571B/zh
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Abstract

본 발명은 별도의 링프레임 부착용 점착테이프가 필요 없고, 다이접착시 경화시간이 짧으며, 중요하게는 접착필름과 기재상의 점착제층 사이의 저분자 화합물의 이동 및 확산을 원천적으로 차단시켜 다이픽업시에 우수한 픽업성능을 얻을 수 있도록 하고, 특히 박형 및 대형 다이의 픽업시 기재상의 점착제층과 다이를 탑재한 접착필름을 쉽게 분리할 수 있도록 한 반도체 다이본딩용 점착테이프에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 다이본딩용 점착테이프는 기재 및 기재 표면에 형성된 점착제층을 포함하며, 상기 점착제층 위에 다이본딩용 접착필름을 부착한 형태의 코어필름을 접합하는 형태를 가지며 웨이퍼에 마운팅된 상태로 다이싱후 다이픽업을 거쳐 직접 다이접착을 수행하게끔 제조될 수 있다.
박형 다이, 접착필름, 코어필름, 에폭시 수지, 자외선경화형 저분자화합물, 다이픽업, 점착테이프, 다이싱

Description

반도체 다이본딩용 점착테이프{Die bonding adhesive tape}
도 1a 및 도 1b는 종래의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정의 일실시예를 설명하기 위한 도면,
도 2a 및 도 2b는 도 1b에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면,
도 3a 내지 도 3c는 종래의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 4a 및 도 4b는 도 3c에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면,
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면,
도 6a 및 도 6b는 도 5c에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
1: 접착제층,
2: 기재,
3: 링프레임 부착용 점착테이프,
4: 다이(칩),
5: 링프레임,
6: 접착제층이 부착된 다이,
7: 접착제층으로 접착된 다이,
8: 접착필름,
9: 이형필름,
10: 점착제층,
11: 접착필름이 부착된 다이,
12: 접착필름으로 접착된 다이,
13: 코어필름
본 발명은 반도체 다이본딩용 점착테이프에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정 상의 작업효율을 향상시키고 작업시간을 단축시킬 수 있도록 한 반도체 다이본딩용 점착테이프에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서 웨이퍼는 큰 직경을 갖는 크기에서 다이싱을 통해 작은 칩들로 분리되고, 이후에 세정, 건조, 익스펜딩과 픽업 단계를 거쳐 리드프레임과의 접착 단계가 이어지게 된다. 그런데, 상기 다이싱 단계 수행 중에 일어날 수 있는 칩의 비산을 막기 위해 점착테이프가 부착되어 사용되어지고 있는바, 이러한 점착테이프는 다이싱 단계부터 건조 단계까지 칩을 강력하게 잡아 둘 정도의 큰 접착력을 가져야 하는 반면에 픽업 단계에서는 그 접착력이 현저하게 감소되어 칩이 안전하게 다이접착 단계로 이동될 수 있을 정도의 낮은 접착력을 갖는 것이 요구된다.
한편, 다이접착 단계로 이동된 칩들은 다이접착 단계에서 액상의 에폭시 접착제를 이용하여 리드프레임에 접착되게 된다. 그런데, 고밀도와 고집적이 요구되는 CSP(Chip Scale Packing)나 BGA(Ball Grid Array)와 같은 패키지에서는 리드프레임 위에 접착된 다이 위에 다시 다이와 다이를 서로 접착시켜 4층 이상 쌓게 되는 소위 적층 기술이 적용되기 때문에 액상의 에폭시 접착제를 사용할 경우 균일한 도포가 어려워 접착제가 넘쳐 흐르거나 불충분한 양으로 인해 만족할 만한 접착을 얻기가 어려워진다. 따라서 다이를 고층으로 접착시키기 위해서 접착제와 접착방법에 대한 개선의 요구가 있다.
상기 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼의 이면에 접착층을 미리 형성한 다음 다이싱 단계에서 강력한 웨이퍼 고정기능을 수행하고 이후 다이픽업 단계를 거쳐 다이접착시에는 별도의 접착제 도포과정이 없이 직접 다이접착을 수행 할 수 있는 다이본딩용 점착테이프가 예를 들어, 대한민국특허 공개공보10-2004-0030979(이하 '선행기술1'이라 한다) 및 대한민국특허 공개공보 10-2004-0029939(이하 '선행기술2'라 한다)에 제안되어 있다.
도 1a 및 도 1b는 선행기술1의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1b에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 먼저 선행기술1의 점착테이프는 도 1a에 도시한 바와 같이, 기재(2)와 그 위에 놓이는 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 아크릴산 에스테르 공중합체, 범용 광중합성 저분자화합물, 광중합개시제로 구성된 조성물로 이루어진 접착제층(1)으로 구성되어 있다. 나아가, 이러한 접착제층(1) 상부 테두리에는 도 1b에 도시한 바와 같이, 접착제층(1)을 기재(2)에 고정시키는 링프레임(5)을 접착체층(1)에 부착시키는 링프레임 부착용 점착테이프(4)가 적층되게 된다.
한편, 이러한 접착제층(1)은 웨이퍼 다이싱을 할 때 도 2a에 도시한 바와 같이 웨이퍼 고정기능을 수행하다가 다이싱 공정이 끝난 후 자외선에 노출되었을 때 그 성분 중에서 자외선 경화형 점착성분이 경화되어 기재(2)와의 접착력이 저하된 다. 따라서 픽업 단계에서의 다이픽업시 도 2b에 도시한 바와 같이 접착제층(1)이 다이(칩)(4)와 함께 기재(2)로부터 분리되고, 이후 접착제층이 부착된 다이(칩)(6)는 리드프레임(미도시)에 곧 바로 올려지고 가열되어 접착제층(1)에 함유되어 있는 에폭시 수지가 경화되면서 접착력을 발휘하여 도 2b에 도시한 바와 같이 접착제층으로 접착된 다이(7)가 생성되게 된다.
도 3a 내지 도 3c는 선행기술2의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3c에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 선행기술2의 점착테이프는 도 3a에 도시한 바와 같이 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 아크릴산 에스테르 공중합체, 충진제를 함유하는 조성물로 제조된 접착필름(8)과 이를 분리 가능하게 지지하는 이형필름(9)으로 이루어진 필름 구성체 이형필름(9)을 제거한 후에 도 3b에 도시한 바와 같이 기재(2)와 그 위에 놓이는, 아크릴산 에스테르 공중합체, 범용 광중합성 저분자화합물, 광중합개시제를 함유하는 점착제층(10)을 포함하여 이루어진 기재 구성체의 점착제층(10) 위에 도 3c에 도시한 바와 같이 접착필름(8)이 적층되어 이루어진다.
한편, 이러한 점착테이프는 도 4a에 도시한 바와 같이 다이싱을 할 때 고정기능을 수행하다가 다이싱이 끝난 후 자외선에 노출되었을 때 기재(2)상의 점착제층(10)이 경화되어 접착필름(8)과의 접착력이 저하되고, 다이픽업시 도 4b에 도시한 바와 같이 접착필름이 부착된 다이(11)가 기재(2)의 경화된 점착제층(10)으로부터 분리되어 이후 리드프레임에 곧 바로 올려지고 가열되어 접착필름(8)에 함유되 어 있는 에폭시 수지가 경화되면서 접착력을 발휘하여 접착필름으로 접착된 다이(12)가 생성되게 된다. 도 4b에서 참조번호 5는 링프레임을 나타낸다.
상기한 선행기술1 및 선행기술2로 공개된 다이본딩용 점착테이프들은 각각 접착제층과 접착필름을 이미 웨이퍼 수준에서 이면에 미리 형성하는 방법을 사용하여 웨이퍼 다이싱후 별도의 다이접착을 위한 에폭시접착제의 도포공정이 필요없이 직접 다이접착을 가능하게 한다는 공통점을 가지고 있다.
그러나 선행기술1에 따르면, 기재(2) 위에 자외선경화형 점착성분과 에폭시 수지 조성물이 1액형으로 혼합되어 있기 때문에 자외선조사공정 외에 별도의 에폭시 수지 경화공정이 30분 이상 요구되고 있으며, 또한 웨이퍼 다이싱 단계에서 링프레임을 고정시키기 위한 별도의 점착테이프(3)가 추가로 마련되어 점착제층의 둘레에 부착이 되어야 하는 제조방법상의 추가 공정이 필요하다. 그리고 자외선 조사후 기재(2)로부터 다이를 탑재한 접착제층을 분리하는 다이픽업 단계에서 접착제층의 미경화된 에폭시 수지 조성물의 접착력으로 인해 기재(2)로부터의 원활한 분리에 어려움이 따르고 있으며, 이는 특히 고집적 및 고밀도를 위한 메모리반도체용 IC칩의 경우 다이의 두께가 더욱 얇아지고 크기는 더욱 커지고 있는 이른바 박형 및 대형 다이를 픽업하기에는 더욱 불가능한 수준이다.
한편 선행기술2에 따르면, 기재(2) 상의 자외선경화형 점착제층 위에 접착필름을 부착하여 다이싱이 끝난 후 자외선의 조사에 의해 접착제층과 점착제층이 분리되어 다이를 픽업한 후 직접 다이접착이 이루어지고 있지만, 자외선의 조사 전에 점착제층(10)의 자외선 경화형 저분자 화합물들이 접착제층(8)으로 상당부분 이동 및 확산하여 실제 자외선 조사 시에는 접착력이 현저히 저하되지 않는 단점이 있다. 특히 다이의 크기가 가로 10㎜ x 세로 10㎜ 이상이 되고 또한 다이의 두께가 75㎛ 이하가 되는 경우 다이에 접착된 접착필름과 기재 위에 놓인 점착제층 사이의 접착력이 현저히 감소되지 않아 다이픽업시에 어려움이 따르고 있으며, 무리하게 다이픽업을 시도할 경우 픽업압력에 의해 다이가 파괴되는 심각한 현상까지 발생하고 있다. 그리고 이러한 현상은 선행기술1에서도 마찬가지로 발생하는바, 이러한 이유들로 인하여 선행기술1 및 선행기술2로 제안된 점착테이프들은 박형 및 대형 다이를 픽업하기에는 많은 한계를 가지고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 별도의 링프레임 부착용 점착테이프가 필요 없고, 다이접착시 경화시간이 짧으며, 중요하게는 접착필름과 기재상의 점착제층 사이의 저분자 화합물의 이동 및 확산을 원천적으로 차단시켜 다이픽업시에 우수한 픽업성능을 얻을 수 있도록 하고, 특히 박형 및 대형 다이의 픽업시 기재상의 점착제층과 다이를 탑재한 접착필름을 쉽게 분리할 수 있도록 한 반도체 다이본딩용 점착테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다이본딩용 점착테이프는 기재 및 기재 표면에 형성된 점착제층을 포함하며, 상기 점착제층 위에 다이본딩용 접착필름을 부착한 형태의 코어필름을 접합하는 형태를 가지며 웨이퍼에 마운팅된 상태로 다이싱후 다이픽업을 거쳐 직접 다이접착을 수행하게끔 제조될 수 있다.
전술한 구성에서, 점착테이프의 기재로서는 자외선이 투과되는 투명한 필름이 사용될 수 있는바, 이러한 투명필름의 예로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 공중합체 필름, 폴리우레탄 필름이 포함될 수 있으며, 또한 이들의 가교필름 및 복합가공필름도 사용된다. 그리고 이들 필름의 적층이어도 무방하다.
다음으로 기재상의 점착제층은 자외선경화형 성분을 포함하지 않으며, 아크릴계, 폴리에스테르계, 우레탄계, 실리콘계, 고무계 기타 범용의 점착제가 점착성분으로 사용될 수 있으나 본 발명에서는 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 기재의 표면장력은 바람직하게는 40 dyne/㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 55 dyne/㎝ 이상, 특히 바람직하게는 75 dyne/㎝ 이상일 수 있는데, 이것에 의해 기재상의 점착제층은 기재 상에서 우수한 접착력을 발휘하게 된다. 그리고 이러한 표면장력이 높은 기재는 기재 표면에 코로나 표면처리를 하여 얻을 수 있다. 기재의 두께는 30~250㎛, 바람직하게는 50~200㎛, 특히 바람직하게는 70~150㎛가 될 수 있다.
한편, 본 발명의 점착테이프는 상기한 기재 상에 상기 성분으로 된 점착제 조성물을 나이프 코터(knife coater), 그라비아 코터(gravure coater)와 같이 공지의 방법에 따라 도포한 후에 건조시켜 점착제층을 형성하여 얻을 수 있다. 이와 같은 점착제층의 두께는 2~ 30㎛이다.
다음으로, 본 발명의 코어필름은 두께가 5~100㎛인 열가소성필름으로서, 그 재질이 특별히 한정되지 않지만 자외선이 투과되는 투명한 필름이어야 하며, 양 면 의 표면장력의 차이가 바람직하게는 5 dyne/㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 30 dyne/㎝ 이상, 특히 바람직하게는 70 dyne/㎝ 이상이 될 수 있다. 또한, 접착필름에 부착되는 코어필름의 면은 표면장력이 25~40 dyne/㎝가 바람직하고, 기재상의 점착제층에 부착되는 코어필름의 면은 표면장력이 45~110 dyne/㎝정도 되는 것이 바람직하다. 점착제층에 부착되는 코어필름 면의 표면장력을 높이기 위해 코로나 표면처리를 할 수 있다. 또한 이러한 목적을 위하여 공압출의 공법을 통해 생산된 코어필름을 사용할 수도 있는바, 이렇게 생산된 코어필름은 양 면이 서로 현저히 다른 층을 갖게끔 구성되어 있다. 그리고 코어필름 양 면의 이러한 표면장력의 차이는 다이픽업시 다이를 탑재한 접착필름을 코어필름의 표면장력이 낮은 면으로부터 분리하는 기본적인 역할을 할 수 있다. 그러나 접착필름에 부착되는 코어필름면의 표면장력이 너무 낮을 경우에는 다이싱 과정에서 접착필름과 코어필름의 접착력이 저하되어 다이가 접착필름과 함께 코어필름으로부터 비산될 가능성이 있기 때문에 적절한 표면장력을 유지해야 하고, 이를 위해서는 접착필름을 구성하는 성분 중에 접착력을 가진 성분을 조성물로 함유하여 구성할 수 있다. 이러한 조성물로는 택(tack)성을 가진 저분자 점착성분으로 특별히 한정되지 않는바, 예를 들면 자외선경화형 저분자화합물, 석유계 로진 계통의 저분자 화합물, 분자량 1,000~8,000범위의 액상 에폭시 수지 및 아크릴 수지, 반응성 고무 화합물 등이 있을 수 있다.
본 발명의 접착필름은 그 구성성분 중에 자외선경화형 저분자화합물을 함유하고 있어서 자외선 조사 전에는 코어필름과 충분한 접착력을 유지 할 수 있는바, 이러한 접착력은 바람직하게는 5~150gf/25㎜가 될 수 있고, 더욱 바람직하게는 30~100gf/25㎜가 될 수 있다. 그리고 다이픽업시 자외선조사를 한 후에는 접착력이 현저히 저하되어 다이와 접합된 접착필름을 코어필름으로부터 용이하게 분리할 수 있고, 이 때의 접착력은 바람직하게 50gf/25㎜ 이하가 될 수 있고, 더욱 바람직하게는 30gf/25㎜ 이하가 될 수 있다.
반면에 기재상의 점착제층과 접합하는 코어필름 면의 접착력은 바람직하게는 150~800gf/25㎜가 될 수 있고, 더욱 바람직하게는 200~500gf/25㎜가 될 수 있다. 나아가 점착제층과 접합하는 코어필름 면의 접착력은 높을수록 좋지만, 다이접착 공정이 완료된 후 링프레임에서 기재를 쉽게 박리시키기 위해서는 적절한 접착력이 요구된다.
다음으로, 본 발명의 접착필름은 고분자량의 아크릴 공중합체와 부타디엔 공중합체, 그리고 열경화성 수지를 주성분으로 포함하며 자외선경화형 저분자화합물 그리고 광개시제를 포함하는 접착필름이다. 여기에서, 아크릴 공중합체의 분자량은 100만 이상이며, 더욱 바람직하게는 200~300만이 될 수 있다. 이러한 고분자량의 아크릴 공중합체는 접착필름을 제조하는 데 있어 연성을 부여하며 필름으로 형성할 수 있다. 이러한 아크릴 공중합체로서는 예를 들면, 아크릴산 에스테르나 메타크릴산 에스테르 및 아크릴로니트릴 등의 공중합체인 아크릴고무가 있을 수 있다. 본 발명에서는 상기 아크릴 공중합체에 부타디엔 공중합체를 유기필러로서 혼합하여 사용되며, 저온에 있어서의 가요성의 향상 및 저탄성률화에 효과가 있으며 이는 다이접착시 압착을 가하는 과정에서 박형 및 대형 다이에 발생할 수 있는 응력을 최소화하는데 효과가 있다. 본 발명의 접착필름은 상기 형성된 필름층이 열경화성 수 지를 포함하는 필름이거나 상기 열경화성 수지가 에폭시 수지를 주성분으로 하는 접착필름이 될 수 있다. 나아가, 본 발명의 접착필름에 사용되는 에폭시 수지는 경화되어서 접착력을 나타내는 것이면 특별히 제한은 없다. 경화반응을 위해서 관능기는 2관능기 이상이어야 하며 분자량이 바람직하게는 8000미만인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 특히 노볼락형 에폭시 수지는 내열성이 뛰어나 바람직하다.
본 발명의 접착필름에 있어서 사용하는 경화제는 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용이 가능하다. 특별히 내열성이 뛰어나다는 점에서 노볼락형 페놀수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 에폭시 수지의 경화반응을 촉진하기 위하여 경화촉진제를 사용 할 수 있다. 예를 들면 이미다졸 화합물류, 아민류가 사용 가능하다.
본 발명에서는 상기 설명한 바와 같은 성분들로 접착필름을 제조하고 이를 기재상의 점착제층과 직접 접합하는 것이 아니라 양 면의 표면장력이 서로 다른 코어필름을 사용하여 기재상의 점착제층과 접합한다. 이러한 코어필름과 접합된 접착필름은 실제 공정상에서 다이싱시에는 다이의 비산이 일어나지 않도록 적절한 접착력을 유지하며, 기재상의 점착제층은 코어필름과의 높은 접착력으로 코어필름과 그 위에 접합된 접착필름을 지지하게 된다. 그리고 다이싱공정후 다이 픽업시에는 자외선 조사에 의해 접착필름 내의 자외선경화형 저분자화합물이 경화되고 이로 인해 접착필름과 코어필름의 접착력이 현저하게 저하되면서 다이가 픽업되는 압력에 의 해 다이가 부착된 접착필름을 코어필름으로부터 쉽게 박리할 수가 있고 이는 박형 및 대형 다이에 있어서도 용이하게 적용 될 수 있다.
<발명의 실시의 형태>
이하에 본 발명의 다이본딩용 점착테이프의 다양한 실시예를 이를 구성하는 접착필름의 제조방법과 함께 상세히 설명한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다이본딩용 점착테이프를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 6a 및 도 6b는 도 5c에 도시한 다이본딩용 점착테이프를 사용하여 다이접착을 이루는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 먼저 도 5a에서 참조번호 8은 접착필름으로서 고분자량의 아크릴 공중합체와 부타디엔 공중합체, 그리고 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제를 주성분으로 포함하고, 자외선경화형 저분자 화합물 그리고 광개시제를 함유할 수 있다. 여기에서, 아크릴 공중합체의 분자량은 100만 이상이며, 더욱 바람직하게는 200~300만이 될 수 있다. 이러한 고분자량의 아크릴 공중합체는 접착필름을 제조하는데 있어 연성을 부여하여 필름의 기본 바탕수지를 형성하는데, 예를 들면 아크릴산 에스테르나 메타크릴산 에스테르 및 아크릴로니트릴 등의 공중합체인 아크릴고무로 구현될 수가 있다.
한편, 아크릴 공중합체의 Tg를 올리기 위해 히드록실기 또는 카르복실기와 같은 기능성기를 가진 올리고머, 예를 들면 올리고에스테르 아크릴레이트나 폴리에스터 아크릴레이트 등을 배합할 수 있으며, 경화제로서 톨루엔 디이소시아네이트를 사용할 수도 있다. 그리고 상기 올리고머는 아크릴 공중합체의 100중량부에 대해 통상 1~30중량부가 사용되며, 바람직하게는 5~15중량부가 사용된다. 또한 톨루엔 디이소시아네이트는 상기 올리고머의 합계 100중량부에 대해 통상 0.1~15중량부가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 2~8중량부가 사용될 수 있다. 부타디엔 공중합체는 예를 들어 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 스티렌 부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴 부타디엔로 구현될 수 있으며, 폴리부타디엔이 단독으로 사용 될 수도 있는바, 이러한 부타디엔 공중합체는 저온에 있어서의 가요성의 향상 및 저탄성률화를 위해 유기필러로서 혼합되는데, 0.1~50중량부, 바람직하게는 1~20중량부, 최적으로는 5~10중량부가 사용될 수 있다. 이는 다이접착시 압착을 가하는 과정에서 박형 및 대형 다이에 발생할 수 있는 응력을 최소화하는데 효과가 있다. 그러나 50중량부를 넘게 되면 접착필름의 연성이 지나치게 부여되어 다이접착시 변형이 일어나기 쉽고 반대로 1중량부 이하로 혼합되면 저탄성률화의 효과가 없다.
에폭시 수지는 경화되어서 접착력을 나타내는 것이면 특별히 제한은 없다. 경화반응을 위해서 관능기는 2관능기 이상이어야 하며 분자량이 바람직하게는 8000미만인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 특히 노볼락형 에폭시 수지는 내열성이 뛰어나 더욱 바람직하다.
접착필름을 제조하기 위한 접착제 조성물 혼합비율에 있어서 아크릴 공중합체와 부타디엔 공중합체의 합계 100중량부에 대해 에폭시 수지는 통상 5~80중량부가 사용되며, 바람직하게는 10~50중량부가 사용된다. 그런데, 에폭시 수지가 80중량부 이상 사용이 되면 접착필름을 형성할 때 취성이 강하게 되어 필름파괴현상이 나타나며, 반면에 5중량부 이하로 사용이 되면 에폭시 수지의 접착성능의 효과가 나타나지 않는다.
경화제는 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용이 가능하다. 특별히 내열성이 뛰어나다는 점에서 노볼락형 페놀수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 경화제로 사용되는 페놀수지는 에폭시 수지 100중량부에 대해 통상 10~50중량부가 사용되며, 바람직하게는 20~40중량부가 최적으로 사용된다. 나아가, 상기 에폭시수지의 경화반응을 촉진하기 위하여 경화촉진제, 예를 들면 이미다졸 화합물류이나 아민류가 사용될 수 있다. 상기 경화촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 합계 100중량부에 대해 통상 0.1~10중량부가 사용되며, 바람직하게는 1~5중량부가 사용된다. 그런데, 경화촉진제가 10중량부 이상 사용되면 접착필름의 제조과정에서 이미 에폭시 수지의 경화반응이 지나치게 촉진되어 취성이 나타나 접착필름으로 사용할 수가 없고, 반면에 1중량부 이하로 사용되면 에폭시 수지의 경화반응의 속도가 느려 다이압착시 접착필름의 추가적 경화시간이 필요하게 된다.
다음으로, 자외선경화형 저분자화합물은, 적어도 하나의 이중결합을 분자 내에 가지고 있다. 그 예로서는 일본공개특허공보 No.60(1985)-196956과 No.60(1985)-223139에서 공개된 저분자량 화합물들이 널리 사용되며, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트과 같은 아크릴레이트화합물을 포함한다. 이러한 자외선경화형 저분자화합물은 접착필름을 제조하기 위한 접착제조성물의 합계 100중량부에 대해 통 상 0.5~50중량부가 사용되며, 바람직하게는 1~30중량부, 더욱 바람직하게는 5~15중량부가 사용된다. 자외선경화형 저분자화합물은 자외선의 조사시에만 반응이 일어나 경화가 시작되므로 접착필름의 제조과정이나 다이싱공정에서는 접착필름이 점착물성을 갖는 효과를 줄 수 있고, 다이픽업을 위해 자외선의 조사가 이루어질 때는 충분히 경화되어 접착필름과 코어필름의 접착력을 현저히 감소시켜 다이픽업성능을 향상시킨다. 상기 자외선경화형 저분자화합물은 50중량부 이상 사용되면 지나치게 가요성이 증가하여 접착필름의 물성을 저하시키며, 0.5중량부 이하로 사용이 되면 자외선 조사시에 경화가 일어나지 않는다.
나아가, 상기의 자외선경화형 저분자화합물의 경화를 촉진하기 위하여 광개시제를 사용 할 수 있는바, 이러한 광개시제로는, 예를 들어 벤조페논, 아세토페논, 디벤질, 디아세틸, 디페닐 설피드, 아조비스이소부티로니트릴 등이 있을 수 있다. 상기와 같은 광개시제는 자외선경화형 저분자화합물의 합계 100중량부에 대해 통상적으로 0.5~15중량부, 바람직하게는 1.0~10중량부, 더욱 바람직하게는 1.5~4중량부의 비율로 사용된다.
지금까지 설명한 상기 접착제조성물을 접착필름으로 제조하기 위해서는 용매를 추가하여 니스형태로 만들어야 하고, 별도의 기재가 필요하며, 나아가 그 기재 위에 도포하여 건조하는 과정이 필요하다.
도 5a에서 참조번호 13은 코어필름으로서, 양 면의 표면장력이 서로 다른 코어필름으로 될 수 있으며, 이를 위해 한 면을 코로나 표면처리하거나 또는 공압출하여 서로 다른 층을 양면에 형성할 수 있다. 이러한 코어필름(13)은 접착필름(8) 을 제조하기 위한 기재로서 사용되며, 따라서 코어필름(13)의 코로나 표면처리가 되어 있는 면의 반대면 상에 접착제 혼합액을 도포하고 건조하여 코어필름(13)과 접착된 접착필름(8)을 형성하게 되는데, 여기에서 상기 접착제 혼합액은 상기 접착제 조성물에 용매를 첨가하여 교반 혼합하고, 진공 탈기한 후 코어필름에 도포된다. 상기 용매로는 에틸 아세테이트와 톨루엔, 그리고 메틸에틸키톤을 적절히 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 건조온도는 70~130℃가 바람직하며, 그 건조시간은 60~300sec가 바람직하다. 건조온도가 너무 높거나 건조시간이 지나치게 길면 접착제 혼합액에 함유된 에폭시 수지의 경화반응이 지나치게 촉진되어 건조 후 얻어진 필름상의 취성이 증가하게 되고, 이렇게 취성이 증가하면 접착필름(8)의 접착성능이 저하되며, 특히 코어필름(13) 상에서 접착필름(8)의 파괴가 일어날 수 있다.
상기와 같이 얻어진 접착필름(8)은 코어필름(13)을 기재로 사용하고 표면장력이 낮은 방향의 표면 위에 접착제조성물이 필름 상으로 형성된 형태이다. 상기의 접착필름(8)의 두께는 바람직하게 5~80㎛가 될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 10~40㎛가 될 수 있다.
한편, 코어필름(13)은 그 두께가 5~100㎛로서, 특별히 열가소성필름으로 한정되지는 않지만 자외선이 투과되는 투명한 필름이어야 하며, 양 면의 표면장력의 차이가 바람직하게는 5 dyne/㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 30 dyne/㎝ 이상, 특히 바람직하게는 70 dyne/㎝ 이상이 될 수 있다. 또한, 접착필름(8)에 부착되는 코어필름(13)의 면의 표면장력은 바람직하게는 25~40 dyne/㎝가 될 수 있으며, 기재상의 점착제층에 부착되는 코어필름(13) 면의 표면장력은 바람직하게는 45~110 dyne/ ㎝ 정도로 될 수 있다. 그리고 점착제층에 부착되는 코어필름(13) 면의 표면장력을 높이기 위해 그 면에 대해 코로나 표면처리를 할 수 있다. 또한 이러한 목적을 위하여 공압출의 공법을 통해 생산된 코어필름을 사용 할 수 있는데, 이렇게 생산된 코어필름(13)은 양 면이 서로 현저히 다른 층을 갖게끔 구성되어 있다. 그리고 코어필름 양 면의 이러한 표면장력의 차이는 다이픽업시 다이를 탑재한 접착필름(8)을 코어필름(13)의 표면장력이 낮은 면으로부터 분리하는 기본적인 역할을 할 수 있다. 그러나 접착필름(8)에 부착되는 코어필름(13) 면의 표면장력이 너무 낮을 경우는 다이싱 과정에서 접착필름(8)과 코어필름(13)의 접착력이 저하되어 다이가 접착필름(8)과 함께 코어필름(13)으로부터 비산될 가능성이 있기 때문에 적절한 표면장력을 유지해야 하고, 이를 위해 접착필름(8)을 구성하는 성분 중에 접착력을 가진 성분을 조성물로 함유시킬 수 있다. 그러한 조성물로는 택(tack)성을 가진 저분자 점착성분으로 특별히 한정되지 않는바, 예를 들어 자외선경화형 저분자화합물, 석유계 로진 계통의 저분자 화합물, 분자량 1,000~8,000범위의 액상 에폭시 수지 및 아크릴 수지 또는 반응성 고무 화합물이 사용될 수 있다.
본 발명에서는 접착필름(8)의 구성성분 중에 자외선경화형 저분자화합물이 함유되어 있어 자외선 조사 전에는 코어필름(13)과의 사이에서 충분한 접착력을 유지할 수 있는데, 이러한 접착력은 바람직하게는 5~150gf/25㎜가 될 수 있고, 더욱 바람직하게는 30~100gf/25mm가 될 수 있다.
그리고 다이픽업시 자외선조사를 한 후에는 접착력이 현저히 저하되어 다이와 접합된 접착필름(8)을 코어필름(13)으로부터 용이하게 분리할 수 있고, 이때의 접착력은 바람직하게 50gf/25㎜ 이하가 될 수 있고, 더욱 바람직하게는 30gf/25㎜ 이하가 될 수 있으며, 특히 바람직하게는 1gf/25㎜ 이하가 될 수 있다. 한편, 75㎛ 이하의 박형 다이에서는 다이픽업시 다이를 탑재한 접착필름(8)과 기재와의 접착력이 현저히 낮아야만 한다. 접착력이 50gf/25㎜ 이상이 되면 다이를 픽업하는 압력에 의해 다이가 쉽게 휘어지는 현상이 발생하거나 심한 경우에는 다이가 파괴되는 현상이 발생한다. 특히 박형을 유지하면서 다이의 크기가 가로 10㎜ x 세로 10㎜ 이상이 되면 상기의 불량현상은 더욱 심하게 발생하게 된다.
본 발명에서는 코어필름(13)을 사용하여 접착력을 증가시키는 원인이 되는 기재상의 점착제층의 저분자화합물의 이동과 확산을 원천적으로 차단하고, 접착필름(8)의 구성성분 중에 자외선경화형 저분자화합물들을 사용하여 자외선 조사시 코어필름(13)과의 접착력을 현저하게 감소시켜 용이하게 분리할 수 있게 한다. 이는 75㎛ 이하의 박형 및 10㎜ x 10㎜ 이상의 대형 다이의 픽업시 발생하는 종래의 문제점을 극복할 수가 있고, 박형 및 대형 다이에서뿐만 아니라 75㎛ 이상 그리고 10㎜ x 10㎜ 이하의 범용 다이를 픽업하는데 있어서도 충분히 사용될 수 있다. 따라서 본 발명의 다이본딩용 점착테이프는 반드시 박형 및 대형 다이에만 한정하지는 않는다.
도 5b에서, 참조번호 2는 점착테이프의 기재를 나타내는데, 자외선이 투과되는 투명한 필름으로 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 공중합체 필름, 폴리우레탄 필름이 단독으로 사용되거나 또는 이들을 서로 복합 가공한 압출필름으로 구혀될 수 있다. 동시에 기재의 표면은 표면장력을 높이기 위하여 코로나 표면처리를 할 수 있다.
도 5b에서 참조번호 10은 점착제층을 나타내는데, 아크릴계 범용 점착제로 구현될 수 있으며, 이를 기재(2) 위에 도포하고 건조하여 점착제층(10)이 형성된 점착테이프가 제조된다. 기재(2) 상의 점착제층(10)과 접합하는 코어필름(13) 면의 접착력은 바람직하게 150~800gf/25㎜가 될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 200~500gf/25㎜가 될 수 있다. 점착제층(10)과 접합하는 코어필름(13) 면의 접착력은 높을수록 좋지만 다이접착 공정이 완료된 후 링프레임에서 기재(2)를 쉽게 박리시키기 위해서는 적절한 접착력이 요구된다. 그리고 상기와 같이 제조된 점착테이프와 접착필름(8)을 롤 접합하여 도 5c와 같은 형태의 다이본딩용 점착테이프가 완성된다. 상기와 같이 완성된 다이본딩용 점착테이프는 도 6a에서 보듯이 다이싱용 링프레임(5)에 고정된 후 웨이퍼 다이싱을 위해 20~80℃의 조건에서 웨이퍼 이면에 마운팅된다.
마운팅후 웨이퍼는 다이본딩용 점착테이프와 함께 개별 다이로 다이싱이 이루어지고, 이후 다이픽업을 위해 상기와 같이 얻어진 다이와 부착된 점착테이프에 자외선을 조사한다. 본 발명에 있어서 사용할 수 있는 자외선은 중심파장이 약 365㎚이고, 통상 조도(照度)는 2~500㎽/㎠ 범위, 조사시간은 0.1~150sec의 범위에서 설정된다. 상기와 같이 자외선조사 후 개별 다이는 픽업을 거쳐 도면 6b에 도시한 바와 같이 접착필름(8)만이 부착된 다이(11)가 생성되고, 곧 바로 접착필름으로 접착된 다이(12)가 생성되게 된다.
<실시예>
이하 본 발명은 실시예를 참고하여 더욱 상세하게 설명한다. 하기 설명에서, "부"라는 용어는 중량부를 지칭한다. 하기의 측정에서 사용된 인장강도 측정기와 자외선 조사기, 점착력 측정기에 관한 사항은 각각의 측정결과부분에 첨부하여 표기하기로 한다.
[제조예 1] 다이본딩 접착제 층의 제조1
다이본딩 접착층의 조성은 에폭시 수지와 페놀 수지, 아크릴계 점착액으로 구성된다. 여기에 아크릴계 경화제 및 에폭시 수지의 경화를 위한 경화촉진제를 첨가한다. 에폭시 수지와 페놀 수지를 5 : 3의 비율로 혼합하여 30분간 교반한 후 상기 교반액과 아크릴계 점착제를 15 : 45의 비율로 혼합하여 3시간 교반한다. 이후에 아크릴계 경화제 및 에폭시 경화 촉진제를 넣고 30분간 추가로 교반하여 다이본딩 접착필름1을 수득한다. 하기 조성표1 이하에 나타나 있는 부가 설명과 같이 각각의 조성성분들은 일정비율 유기용매에 희석하여 사용하도록 한다.
[제조예 2] 다이본딩 접착필름의 제조2
다이본딩 접착필름은 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하며 이후에 접착력의 상승을 위해 자외선 경화형 저분자 화합물을 넣은 후 30분간 교반하여 다이본딩 접착필름2를 수득한다.
[제조예 3] 다이본딩 접착필름의 제조3
다이본딩 접착필름은 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 제조하며 이후에 자외선 경화를 위하여 광개시제를 넣은 후 30분간 교반하여 다이본딩 접착필름3을 수득한다.
[제조예 4] 다이본딩 접착필름의 제조4
다이본딩 접착필름은 상기 제조예 3과 동일한 방법으로 제조하며 이후에 자외선조사에 의한 경화도를 높이기 위해 광개시제를 더 많은 양 첨가한다. 이후 30분간 교반하여 다이본딩 접착필름4를 수득한다.
상기의 제조예 1 내지 제조예 4의 교반액을 두께 40㎛의 캐스트폴리프로필렌 필름을 기재로 필름의 코로나(Corona) 무처리면에 두께 20㎛로 도포하여 접착제층을 형성한다. 이후에 접착제층 상부에 두께 40㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층하여 접착제층을 보호하도록 한다.
[조성표1] 제조예 1 내지 4의 조성표(중량부)
조성성분 제조예 1 제조예 2 제조예 3 제조예 4
에폭시 수지 33.7 26.5 24 22.9
페놀수지 20.2 15.9 14.4 13.7
아크릴계 점착제 40.4 31.8 28.8 27.5
아크릴계 경화제 5.4 4.3 3.8 3.7
부타디엔 공중합체 0 0 5.0 10.0
광개시제 0 0 9.6 13.7
자외선 경화형 저분자 화합물 0 21.2 19.2 18.3
에폭시 경화 촉진제 0.3 0.3 0.2 0.2
상기 조성표1에 있어서 에폭시 수지는 크레졸 노볼락(Cresol Novolak)계열 에폭시수지이고, 그 연화점은 68~72℃이며, 당량은 200~212인데, 메틸에틸케톤을 용매로 하여 농도 50%의 용액으로 제조하여 사용한다. 페놀 수지는 상기 에폭시 수지와 동일계열이고, 마찬가지로 50% 농도의 용액을 제조하여 사용한다.
아크릴 공중합체는 분자량 100만의 것을 사용한다. 상기 페놀 수지 및 에폭시 수지와 아크릴 공중합체의 경화를 위해 톨루엔디이소시아네이트를 사용한다. 부타디엔 공중합체는 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체이며 분자량은 40만이고 아크 릴로니트릴 함량은 35%인 공중합체를 사용한다. 광개시제는 2-하이드록시-2-메틸프로파이오페논을 사용하며, 자외선 경화형 저분자 화합물은 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트이다. 에폭시 경화 촉진제는 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸이며 융점은 105~108℃이다.
[실시예 1] 도포기재(캐스트폴리프로필렌필름)와 다이본딩 접착필름간의 박리력 측정
제조예 1 내지 제조예 4의 다이본딩 접착필름과 그 도포기재이며 동시에 코어필름으로 사용되는 캐스트폴리프로필렌필림간의 박리력을 측정한다. 충분히 넓은 크기로 절단한 점착력이 높은 필름(A)을 점착력 측정기 상부에 고정시키고 다이본딩 접착필름과 그 기재인 캐스트폴리프로필렌 필름을 함께 폭 25㎜로 절단하여 다이본딩 접착필름의 상부가 필름(A)과 맞닿도록 한 후 2kgf의 힘을 주어 적층시킨다. 이후에 속도 300㎜/min으로 캐스트폴리프로필렌필름(코어필름)만을 박리하며 측정한다. 또한 광개시제의 영향을 비교하기 위해 1분간의 자외선 조사후 측정한다. 점착력 측정기는 SHIMPO사 제품으로 최대하중 5.0Kg, 49.03N이다.
[결과표 1] (단위 : gf/25mm)
제조예 1과 제조예 2의 경우 광개시제의 영향을 받지 않기 때문에 자외선 조사를 실시하지 않는다.
시편 자외선 조사 전 자외선 조사 후
제조예 1 1
제조예 2 35
제조예 3 35 2
제조예 4 35 2
위 결과표 1에서는 자외선조사에 따른 다이픽업성능을 판단한다. 자외선 조 사를 통해 접착필름과 코어필름 간의 접착력이 현저하게 감소하는 것을 확인할 수 있고, 이를 통해 박형 및 대형 다이의 다이픽업성능이 향상 될 것을 확인 할 수 있다.
[실시예 2] 다이본딩 접착필름과 웨이퍼간의 접착력 측정
다이본딩 접착필름과 웨이퍼간의 접착력을 측정한다. 상기의 제조예 1 내지 제조예 4를 비교 측정한다. 다이본딩 접착필름의 상부에 비교적 점착력이 우수하고 곡률반경이 적은 점착필름을 적층한 후 60℃로 가열된 웨이퍼에 폭 25㎜로 다이본딩 접착필름을 절단하여 붙이고, 1분간 자외선을 조사한 이후 박리력을 측정한다.
[결과표 2] (단위 : gf/25mm)
시편 자외선 조사 전 박리력 자외선 조사 후 박리력
제조예 1 2 2
제조예 2 54 54
제조예 3 55 81
제조예 4 57 77
위 결과표 2에서는 웨이퍼와 접착필름의 접착력을 판단한다. 자외선조사에 의해 접착필름과 코어필름의 접착력은 현저히 감소하더라도 접착필름과 웨이퍼간의 접착력은 오히려 증가하는 것을 확인 할 수 있다.
[실시예 3] 다이본딩 접착필름의 인장강도 측정
상기의 제조예 1 내지 제조예 4의 다이본딩 접착필름의 인장강도를 측정한다. 측정은 ASTM규격을 따른다. 사용된 기기는 국내 경성시험기 제품이고, 최대하중 50Kg, 490N의 측정 장비이다. 시편의 크기는 폭 10㎜에 표점거리 40㎜이고, 사용된 모든 시편의 두께는 20㎛이다. 수직으로 당겨지며 속도는 300㎜/min으로 한다.
[결과표 3]
시편 인장강도(N/mm2) 최대하중(N)
제조예 1 1.55 0.31
제조예 2 0.50 0.10
제조예 3 1.35 0.27
제조예 4 1.41 0.28
위 결과표 3에서는 접착필름의 기계적물성을 판단한다. 자외선경화형 저분자화합물이 광개시제에 의해 경화되지 않는 상태에서는 접착필름의 인장강도를 감소시키지만, 반대로 광개시제에 의해 경화가 진행되는 경우에는 인장강도를 유지하는 것을 확인할 수 있다.
[실시예 4] 다이본딩 접착필름의 전단강도측정
상기에서 제조된 제조예 1 내지 제조예 4의 다이본딩 접착필름의 전단강도를 측정한다. 전단강도는 상기 경성시험기사의 UTM을 사용한다. 길이150㎜, 폭40㎜로 절단한 두께 200㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트필름의 상부에 25㎜ x 35㎜로 절단한 다이본딩 접착필름을 적층하고 다시 그 상부를 SUS에 접착한 이후 170℃ 가열하여 1초간 압착하고 수직방향으로 당겨 측정한다.
[결과표 4]
시편 전단강도(N)
제조예 1 8.1
제조예 2 6.5
제조예 3 7.2
제조예 4 7.3
위 결과에서는 다이접착시에 초기압착조건에서 압착의 양호유무를 판단한다. 제조예 1 내지 제조예 4는 모두 압착이 양호하다.
[제조예 5] 다이싱 필름의 제조1
두께가 85㎛의 폴리염화비닐필름을 기재로 하여 아크릴계 점착액 100부와 아 크릴계 경화제 8부를 혼합한 후 10㎛의 두께로 도포한다. 78℃의 분위기에서 2분간 건조한 이후 40℃의 분위기에서 48시간 숙성함으로써 다이싱 필름1을 수득한다.
[제조예 6] 다이싱 필름의 제조2
에틸렌바이닐아세테이트수지 50부, 저밀도 폴리에틸렌수지 25부, 폴리프로필렌수지 30부를 혼합하여 두께가 100㎛가 되도록 제조한 필름을 기재로 하여 아크릴계 점착액 100부, 아크릴계 경화제 3부를 교반한 액을 도포한다. 78℃의 분위기에서 2분간 건조한 이후 40℃의 분위기에서 48시간 숙성함으로써 다이싱 필름2를 수득한다.
[제조예 7] 다이싱 필름의 제조3
에틸렌바이닐아세테이트수지 50부, 저밀도 폴리에틸렌수지 25부, 폴리프로필렌수지 30부를 혼합하여 두께가 100㎛가 되도록 제조한 필름을 기재로 하여 아크릴계 공중합체 점착액(a)과 아크릴계 공중합체 점착액(b), 광개시제, 아크릴계 경화제, 자외선 경화형 저분자 화합물을 교반한 교반액을 도포한다. 78℃의 분위기에서 2분간 건조한 이후 40℃의 분위기에서 48시간 숙성함으로써 다이싱 필름3을 수득한다.
상기에서 만들어진 제조예 1 내지 제조예 4의 다이본딩접착층을 제조예 5 내지 제조예 7의 다이싱필름의 상부에 40㎏의 힘으로 적층시킨다. 원형컷팅 및 필름적층장비를 통하여 직경 220㎜의 다이본딩 접착필름이 직경 270㎜의 다이싱필름의 정 가운데 위치하도록 적층한다. 상기의 두 필름은 원형으로 절단되어진다. 상기 적층필름의 표면은 다이본딩 접착필름의 상부에 적층된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 의해 보호된다. 다이본딩 접착필름의 도포 기재인 캐스트폴리프로필렌 필름이 다이싱필름과 맞닿아 적층되도록 한다.
[실시예 5] 다이본딩 접착필름과 다이싱필름상의 직접적층을 통한 박리력 측정(코어필름인 캐스트폴리프로필렌필름은 제거한다.)
상기 제조예 1 내지 제조예 4에서 제조된 다이본딩 접착필름을 상기 제조예 5 내지 제조예 7의 다이싱 필름 상부에 직접 적층시킨다. 이때 다이본딩 접착필름의 도포기재인 캐스트폴리프로필렌필름을 제거하여 두 층이 직접 맞닿도록 한다. 상기와 마찬가지로 다이본딩 접착필름 상부에 곡률반경이 작고 점착력이 높은 점착필름을 적층하고 이를 25㎜로 절단한 후 다이싱 필름을 기재에 고정시키고 상부의 다이본딩 접착층을 300㎜/min의 속도로 박리하여 그 박리력을 측정한다.
[결과 5]
실시예에서 보듯이 기재의 점착제층에 자외선경화형 저분자화합물을 첨가하여 자외선 조사후 자외선경화를 하더라도 점착력이 높아 정상적 박리가 이루어지지 않는다. 이 결과에서는 코어필름의 유무에 따른 다이픽업성능을 판단한다. 코어필름의 부재 시에는 다이본딩 접착필름과 다이싱필름간의 박리가 어렵다고 볼 수 있다.
[실시예 6] 다이싱필름과 캐스트폴리프로필렌필름(코어필름)간 박리력 측정
상기에 제조한 제조예 5 내지 제조예 7의 다이싱필름 상부에 다이본딩 접착필름의 도포기재인 캐스트폴리프로필렌필름(코어필름)을 적층하여 그 박리력을 측정한다. 캐스트폴리프로필렌필름을 폭 25㎜으로 절단하여 제조예 5 내지 제조예 7 의 다이싱필름 상부에 적층하고 이를 300㎜/min의 속도로 박리하며 그 박리력을 측정한다. 이후에 캐스트폴리프로필렌필름 상부에 상기 다이싱필름 3가지를 폭 25㎜로 절단하여 적층하고 마찬가지 방법으로 박리하여 그 값을 측정한다. 각각 수회 측정을 실시하여 그 평균치를 사용하도록 한다. 또한 다이싱필름을 박리할 경우와 캐스트폴리프로필렌필름을 박리 할 경우의 값을 평균 내어 사용하도록 한다. 또한 캐스트폴리프로필렌필름의 코로나처리유무에 따른 측정값의 차이가 있음에 유의하도록 한다.
[결과표 6](단위 : gf/25mm)
시편 필름간 적층 구조 자외선조사여부 박리력
제조예 5 코로나(Corona)처리면 적층 조사안함 218
코로나(Corona)무처리면 적층 조사안함 31
제조예 6 코로나(Corona)처리면 적층 조사안함 224
코로나(Corona)무처리면 적층 조사안함 40
제조예 7 코로나(Corona)처리면 적층 조사안함 167
코로나(Corona)무처리면 적층 조사안함 31
코로나(Corona)처리면 적층 자외선조사 3
코로나(Corona)무처리면 적층 자외선조사 0
위 결과표 6에서는 코어필름의 양면처리에 의한 다이싱필름과의 접착력을 판단한다. 양면의 처리에 따른 접착력의 차이가 있고 제조예 7의 경우는 자외선경화가 이루어져 접착력이 약해짐을 알 수 있다. 따라서 다이싱필름이 기재로서의 역할을 하기 위해서는 코어필름의 표면장력이 높은 코로나처리면에 접합이 되어야 하며 다이싱필름상의 점착제층은 자외선경화형 저분자화합물을 함유하지 않아야 한다.
[실시예 7] 다이싱 및 픽업성능 평가
장비 : NB200
블레이드 : 디스코사(일본)
Sawing 스피드 : 120㎜/sec
블레이드 RPM : 40,000 RPM
Sawing depth : 50㎛(60㎛, 85㎛)
다이 사이즈 : 16 x 10 (5 x 5, 10 x 6, 10 x 6)
Cooling water : 1.2/min
웨이퍼 : 후면이 연마 된 두께 75㎛의 실리콘웨이퍼
[결과표 7] (O:양호, △:보통, X: 불량)
시편 픽업성능 라미네이션상태 칩의 비산여부
(1)제조예 1/제조예 5 O X X
(2)제조예 1/제조예 6 O X X
(3)제조예 1/제조예 7 X X X
(4)제조예 2/제조예 5 △ O O
(5)제조예 2/제조예 6 △ O O
(6)제조예 2/제조예 7 X O O
(7)제조예 3/제조예 5 O O O
(8)제조예 3/제조예 6 O O O
(9)제조예 3/제조예 7 X O O
(10)제조예 4/제조예 5 O O O
(11)제조예 4/제조예 6 O O O
(12)제조예 4/제조예 7 X O O
상기 제조예 7의 다이싱필름은 자외선 경화형 필름으로 픽업시에 코어필름인 캐스트폴리프로필렌필름이 다이싱필름과 박리되어 다이본딩 접착필름에 전달되는 현상이 발생한다. 이는 픽업 불량의 한 유형으로 볼 수 있다.
[종합표 1] 전단력, 인장, 점착력, Pick up성능, 칩의 비산유무 등의 물성표 (O:양호, △:보통, X:불량)(점착력측정단위 : gf/25㎜)
하기 종합표 1에서의 시편번호는 상기 결과표 7 내의 시편번호와 일치한다.
평가항목 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12)
다이본딩 접착필름의 전단력(N) 8.1 6.5 7.1 7.3
다이본딩 접착필름의 인장강도(Kgf/mm2) 1.55 0.50 1.35 1.41
다이본딩 접착필름과 웨이퍼간 접착력 자외선 조사 2 54 81 77
자외선 조사안함 2 54 55 57
다이본딩 접착필름과 코어필름간 점착력 자외선 조사 1 35 4 2
자외선 조사안함 1 36 35 35
픽 업 성능 O O X △ △ X O O X O O X
다이접착시의 다이파손 X △ △ X △ △ O O - O O -
다이의 비산 X X X O O O O O O O O O
상기 종합표 1에 표기된 다이본딩 접착필름의 전단력, 인장강도, 다이본딩 접착필름과 웨이퍼간 접착력, 다이본딩 접착필름과 코어필름간 점착력 등은 상기 다이본딩 접착필름을 다이싱필름과 적층하지 않은 채의 독립된 상태로 측정한다. 위 종합표 1에서 보듯이 코어필름을 사용하고 접착필름에 자외선경화형 저분자화합물을 첨가한 다이본딩용 점착테이프를 제조한 경우 박형 및 대형 다이의 다이픽업시에 접착필름과 기재의 점착제층과의 우수한 박리성능을 보여주었고, 다이접착시 압착에 의한 박형 및 대형 다이의 파손면에 있어서는 부타디엔 공중합체를 투입한 경우 양호한 결과를 보여주었다.
본 발명의 반도체 다이본딩용 점착테이프는 전술한 실시예에 국한되지 않고, 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 반도체 다이본딩용 점착테이프에 따르 면, 코어필름을 사용하고 접착필름에 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 부타디엔 공중합체, 자외선경화형 저분자화합물을 포함하고 첨가한 형태를 갖는데, 코어필름을 사용하고 자외선경화형 저분자화합물을 자외선경화함으로써 박형 및 대형 다이의 픽업시 픽업성능이 향상되고 부타디엔 공중합체를 사용함으로써 박형 및 대형 다이의 접착시 압착에 의한 파손을 발생시키지 않는 우수한 다이본딩용 점착테이프를 얻을 수 있다.

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  18. 반도체 다이싱 및 다이본딩에 사용되는 다이본딩용 점착테이프에 있어서,
    부타디엔 공중합체, 자외선경화형 저분자화합물, 열경화성 에폭시수지를 포함하는 접착필름;
    기재 및
    상기 기재 상에 형성된 점착제층을 포함하며, 상기 점착제층과 상기 접착필름 사이에 공압출 방법으로 제조된 열가소성 코어필름을 삽입하여 픽업시 상기 접착필름과 점착제층의 용이한 박리성을 제공하는 반도체 다이본딩용 점착테이프.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 에폭시수지와 상기 자외선경화형 저분자화합물의 조성물이 분자량이 3~40만인 부타디엔 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 접착필름을 구비한 반도체 다이본딩용 점착테이프.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 열가소성 코어필름은 두께가 5~100㎛를 가지며 상기 접착필름과 상기 점착제층 사이에 삽입되어 픽업시의 접착필름과 점착제층의 용이한 박리성을 제공하기 위해 공압출방법으로 제조가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이본딩용 점착테이프.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 코어필름은 공압출방법으로 제조된 후 양 면의 표면장력 차이를 더욱 크게 하기 위해 한 면을 코로나처리를 하는 것을 특징으로 하는 코어필름을 갖는 반도체 다이본딩용 점착테이프.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017078469A1 (ko) * 2015-11-06 2017-05-11 주식회사 엘지화학 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100642889B1 (ko) * 2005-05-25 2006-11-03 엘에스전선 주식회사 반도체용 접착필름
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
US7561250B2 (en) * 2007-06-19 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
KR101184467B1 (ko) * 2008-01-16 2012-09-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US7982292B2 (en) * 2008-08-25 2011-07-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7851266B2 (en) * 2008-11-26 2010-12-14 Micron Technologies, Inc. Microelectronic device wafers including an in-situ molded adhesive, molds for in-situ molding adhesives on microelectronic device wafers, and methods of molding adhesives on microelectronic device wafers
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
KR101521727B1 (ko) * 2010-07-13 2015-05-19 히타치가세이가부시끼가이샤 다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법
US9786541B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-10 Lintec Corporation Dicing sheet with protective film forming layer and chip fabrication method
JP6272729B2 (ja) * 2014-05-16 2018-01-31 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2016143676A (ja) * 2015-01-29 2016-08-08 リンテック株式会社 ダイボンディングシート
JP2017005160A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
US20170094995A1 (en) 2015-09-21 2017-04-06 Flavorseal Coated packaging products, systems and methods
SG10201509996UA (en) * 2015-12-04 2017-07-28 Rokko Systems Pte Ltd Improved substrate processing and apparatus
CN108359388B (zh) * 2017-01-26 2021-09-14 电化株式会社 固化性组合物
JP7280661B2 (ja) * 2017-12-28 2023-05-24 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
TWI741262B (zh) * 2018-06-04 2021-10-01 美商帕斯馬舍門有限責任公司 切割晶粒附接膜的方法
CN110034221A (zh) * 2018-11-16 2019-07-19 吴裕朝 发光装置封装制程
CN111849365B (zh) * 2019-04-28 2022-02-18 3M创新有限公司 多层uv可固化胶膜
CN110591582A (zh) * 2019-09-20 2019-12-20 上海精珅新材料有限公司 一种uv后易揭离的oled模组制程用的过程膜生产方法及其产品
JP7697818B2 (ja) * 2021-05-19 2025-06-24 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3195236B2 (ja) * 1996-05-30 2001-08-06 株式会社日立製作所 接着フィルムを有する配線テープ，半導体装置及び製造方法
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
US20050224978A1 (en) * 2002-06-24 2005-10-13 Kohichiro Kawate Heat curable adhesive composition, article, semiconductor apparatus and method
DE10235557B4 (de) * 2002-08-03 2004-08-26 Trespaphan Gmbh Etikettenfolie für In-Mould-Verfahren
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US20050227064A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Hwail Jin Dicing die bonding film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017078469A1 (ko) * 2015-11-06 2017-05-11 주식회사 엘지화학 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US10707187B2 (en) 2015-11-06 2020-07-07 Lg Chem, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US10991678B2 (en) 2015-11-06 2021-04-27 Lg Chem, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

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