KR100560244B1 - 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 - Google Patents
탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 박막 공정이나 후막 공정에서 사용되는 페이스트나 슬러리에 포함된 유기물을 사용하지 않고 대면적화가 가능한 전계 방출 어레이를 제조할 수 있는 장점이 있다.
Description
도 1은 몰리브덴(Mo)을 이용한 전계 방출 소자 및 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 모식도이다.
도 2는 유기물을 포함한 페이스트를 사용한 전계 방출 소자의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 제조 방법에 따라 제조된 전계 방출 소자의 모식도이다.
도 4는 표면처리 후 코팅된 탄소나노튜브의 전자현미경 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1...하부기판/전극층 2...페이스트
3...탄소나노튜브 4...코팅부
본 발명은 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 표면처리 또는 코팅하고 이를 전극에 부착하여 전계 방출 어레이로 제조하는 방법에 관한 것이다. 탄소나노구조체는 형태에 따라 탄소나노튜브(carbon nano tube), 탄소나노혼(carbon nano horn), 탄소나노섬유(carbon nano fiber)등으로 나눌 수 있다. 특히 탄소나노튜브는 우수한 기계적 강도, 열전도도, 전기전도도 및 화학적 안정성으로 인하여 에너지, 환경 및 전자소재 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 합성 및 응용부분 등 여러가지 면에서 탄소나노구조체와 비슷한 구조와 특성을 지니는 나노와이어는 결정구조 내부에 탄소원자 대신 Si, Ge, 3 내지 5족 원소의 합금(GaAs, GaP, InAs/P) 또는 2 내지 6족 원소의 합금(ZnS, ZnSe, CdS, CdSe) 물질을 포함한다. 이러한 나노와이어는 그 제조시에 첨가하는 도핑물질(dopant)에 따라 여러 가지 전기적 특성을 갖도록 선택적으로 제조할 수 있다.
전자소재 분야에서는 탄소나노구조체 또는 나노와이어가 수천 이상의 어스펙트비(=길이/직경, aspect ratio)를 갖는 특성을 이용하여 전계 방출 어레이 제조 분야에도 응용이 가능하다.
기존의 전계 방출원으로 사용되는 규소(Si) 또는 몰리브덴(Mo) 팁 대신 탄소나노구조체(도 1 참조)를 사용하면, 일함수(work function)가 향상되고 구동전압이 낮아지며 잔류가스와의 화학결합이 감소하여 소자의 내구성이 향상되므로, 에미터의 동작 수명이 증가하고 고밀도의 전자방출이 가능하기 때문에 고휘도 디스플레이에 사용할 수 있다는 장점이 있다.
이러한 탄소나노구조체를 전계 방출 소자에 적용하는 방법은 크게 두 가지로 나눌 수 있는데 화학기상 증착법을 이용하는 박막(thin film) 공정과 스크린 프린팅을 이용하는 후막(thick film) 공정을 들 수 있다.
박막공정은 유리기판 위에 탄소나노구조체를 직접 성장시키는 방법으로서, 열화학 기상증착법(thermal chemical vapor deposition)법, PE-CVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법 및 고주파 플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma CVD) 등이 있다. 상기 방법들은 촉매 금속층을 증착시킨 성장기판 상에 탄소나노구조체를 성장시켜 전계 방출 어레이로 사용하는 방법이다.
한국 특허공개공보 제2001-0091389호는 탄소공급원인 탄화수소 기체를 그물 형태의 촉매망에 통과시켜 저온에서 탄화수소기체를 일차적으로 분해하고 분해된 탄화수소 기체를 촉매금속 위에서 직접 성장시켜 탄소나노구조체를 제조하는 방법으로서, 유리나 실리콘으로 이루어진 기판 상부에 열화학 기상증착법을 통해 저온에서 순수 탄소나노구조체를 수직으로 배향시키는 방법을 제시하고 있다. 이러한 박막 공정은 대형화가 어렵다는 점 이외에 기판 온도의 불균일성, 기판의 변형, 탄소나노구조체의 길이 제어 문제 및 탄소나노구조체의 결함 등 여러가지 문제점을 지니고 있는 것으로 알려져 있다.
한편, 후막공정은 페이스트 또는 슬러리를 이용하는 방법으로서 한국 특허공개공보 제2000-0061757호에서는 전극이 형성된 후면 플레이트상에 포토레지스팅 물질을 도포한 후 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광, 현상시켜 패턴화 한다. 그 후, 탄소나노구조체, 바인더, 분산제를 포함하는 카본 슬러리 조성물을 상기 포토레지스트막에 도포하여 카본 막을 형성시킨 다음 에칭하여 포토레지스트를 노출시킨 다음, 노출된 포토레지스트를 스트리핑하여 전계 방출 디스플레이용 탄소 전계 방출원을 제조하는 방법을 개시하고 있다.
도 2는 상기와 같은 방법에 의해 제조된 탄소나노구조체 전계 방출원을 모식적으로 나타낸 그림이다. 도 2에 의하면, 하부기판(1) 상에 탄소나노구조체(3)가 페이스트 층(2)을 매개로 하여 하부기판(1)의 전극 상부에 부착되어 있다.
한국 특허공개공보 제2000-0020870호는 대면적의 균일한 평면 에미터를 제공할 수 있는 방법을 개시하고 있는데 그라파이트, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐에테르 유도체, 폴리비닐피롤리돈 분산제, 실란, 콜로이드성 실리카인 바인더 및 물을 사용하는 방법을 제시하고 있다. 상기 방법은 분산제 및 바인더에 의한 전자 방출 저해를 최소화하면서 캐소드에 대한 우수한 부착력, 용이한 패터닝 작업, 간단한 제조 설비 요구 등의 장점을 가진 전계 방출 소자 형성용 조성물을 개시하고 있다.
그러나 상기와 같은 후막 공정은 사용되는 유기물에 의한 잔류물질 문제가 발생하여 전체적인 공정효율을 저하시키게 된다. 이러한 문제를 극복하기 위한 방법으로 한국 특허공개공보 제2001-0109538호는 잔류 유기물을 감소시키기 위해서 암모늄 퍼옥시디설페이트((NH4)2S2O8), 과염소산(NH4ClO
4) 또는 탄화수소(CnH2n+1(10≤n≤15))와 옥살산암모늄의 혼합물과 같은 산소 이중결합 구조의 열분해 촉진제를 사용하는 방법을 개시하고 있다. 상기 촉진제의 사용으로 유기 물을 제거하는 공정의 운전 온도가 낮아지기는 하였지만 유기물 사용을 근본적으로 회피하지는 못하였다.
한국 특허공개공보 제2001-0017543호에서는 전기영동과 전기화학적 중합방법을 혼합한 방법을 개시하고 있는데, 고분자 전구체와 탄소나노구조체를 혼합하여 용액 중에 잘 분산시킨 후 전기 에너지를 인가하는 전기화학 중합법을 이용하여 탄소나노구조체 에미터를 제조하는 방법을 제시하고 있다. 상기 방법은 전극 위에 고분자와 탄소나노구조체의 복합체 막을 형성시키고, 일부 탄소나노구조체를 정렬시켜 전장을 인가하였을 때 전자방출원의 역할을 하도록 제조하여 유기물 사용을 최소화하였다.
이외에도 한국 특허공개공보 제2002-0039998호는 탄소나노구조체 말단을 티올기(-SH)로 개질시킨 후 금속 박막층에 자기 조립시켜 단분자막을 형성한 후 이를 백라이트에 응용하는 시스템을 개시하고 있는데, 티올기와 유리기판과의 접착력 문제로 인하여 실제 공정에서는 실용적이지 못한 것으로 알려졌다.
기존의 박막과 후막공정의 문제점을 요약하면 다음과 같다. 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 경우 박막공정은 기판 상부에 직접 성장시킴으로서 공정이 단순해지는 장점이 있으나, 이를 응용한 디스플레이 크기가 대형화되면 문제점이 발생한다. 특히, 성장시 유리기판의 온도 불균일성과 변형문제, 길이제어 문제, 그리고 결함 및 금속 전극 성장시의 온도에 의한 박리 현상 등이 주요한 문제점으로 제시되고 있다. 한편, 수 내지 수십 ㎛의 전도성 금속(Ag, Mo, W, Mo/Mn)을 페이스트화 또는 슬러리화하여 사용하는 후막 공정은 대면적 전계 방출 어레이로의 응용이 용 이한 장점이 있는 반면, 공정이 복잡하고 진공상태에서 페이스트에 포함된 유기물로부터의 가스 방출로 인해 디스플레이 공정상 중요한 진공 확보가 어려운 문제점이 있다.
슐트(Schulte) 등은 본 발명의 기술분야와 관련된 논문(Chemical Physics Letters, 370 (2003) 820-824)에서 탄소나노구조체를 고분자와 함께 복합체로 제조할 때의 문제점과 해결책을 제시하였다. 고분자인 에폭시와 탄소나노구조체를 그냥 혼합하였을 때에는 화학적으로 상호 연결되지 않기 때문에 탄소나노구조체가 고분자와 부착하지 않고 그대로 빠져 나오는 문제점을 아민 처리를 통해 해결하였다. 이는 아민 처리를 통해 탄소나노구조체와 에폭시의 화학적인 결합력을 증가시키는 방법이지만 탄소나노구조체가 직선형태를 가지고 있기 때문에 물리적인 효과를 기대하기는 힘든 것으로 지적되고 있다.
따라서 불필요한 가스발생 등으로 공정효율을 저하시키는 유기물을 사용하지 않으면서, 대면적의 전자방출 어레이를 제조하고 복합체로의 응용시 물리적인 효과를 증대시킬 수 있는 효과적인 방법이 필요하다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단부를 코팅한 후 상기 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 전극층에 접합시킨 전계 방출 어레이를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 가스발생을 유발하는 유기물을 사용하지 않고 대면적의 전계 방출 어레이를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 전극층 및 한쪽 말단이 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어층을 포함하고, 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 코팅된 말단과 전극층이 접합된 전계방출 어레이를 제공한다.
본 발명의 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은
(1) 성장기판 상에 촉매를 사용하여 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 형성시키는 단계;
(2) 상기 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단을 코팅하는 단계;
(3) 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 상기 성장기판으로부터 분리하는 단계;
(4) 상기 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 금속 전극 상부에 배치시키는 단계;
(5) 상기 전극 상부에 배치된 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 코팅된 말단을 금속 전극과 접합시키는 단계를 포함하는, 상기 전계 방출 어레이의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이의 제조방법에서, (1) 단계에서 사용하는 촉매는 Li, K, Mg, Ca, Sc, Y, La, Ac, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As 및 Sb으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상 의 금속 또는 합금, 그리고 이들의 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 염화물, 황산화합물, 질산화합물 또는 그 혼합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이의 제조방법에서, (1) 단계에서 사용하는 성장기판은 유리, 탄소계, 실리콘계, 금속계, 고분자계 재료 및 그의 복합체로 구성된 군에서 선택된 하나인 것이 바람직하다.
나노와이어를 제조하는 경우에는 상기의 촉매를 사용하고 일반적으로 화학기상증착법을 통하여 Au, Pd, B, ZnO, Ga2O3, Si, Ge, Si 및 Ge의 합금, 3 내지 5족 원소(GaAs, GaP, InAs/P) 또는 2 내지 6족 원소(ZnS, ZnSe, CdS, CdSe)를 포함한 나노와이어를 제조할 수 있다. 또한 나노와이어에 상기 이외의 불순물을 첨가하여 제조하거나 다중셀 구조이면서 전도성이 향상된 것을 제조할 수 있다.
본 발명의 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이의 제조방법에서, (1) 단계에서 형성된 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 길이는 0.1 내지 100㎛이고 직경은 1 내지 100nm인 것이 바람직하다.
(2) 단계의 코팅공정 전에 부가적으로 표면처리를 실시할 수 있으며, 또한 코팅공정 이후에 부가적으로 표면처리 또는 코팅공정을 1회 이상 복합적으로 실시할 수 있다.
상기 표면처리시 사용되는 표면처리제는 오존, 암모니아, 질소산화물, HCN, 황산화물, 염소, 이산화염소, 이산화탄소, 염산, 질산, 불산, 인산, 황산, 과산화수소, 과망간산칼륨, 요오드산칼륨, 피리딘 및 황화수소로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이의 제조방법에서, (2)단계의 코팅시 전극의 재료와 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명은 한쪽 말단이 표면처리 또는 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 전극층에 접합하여 제조된 전계방출 어레이에 관한 것이다.
상기 탄소나노구조체를 이용한 전계 방출 어레이를 제조하는 방법에 있어서, 상기 (1) 단계에서 탄소나노구조체를 성장시키기 위해서 사용되는 금속 촉매는 원소주기율표 1족의 Li 및 K, 2족의 Mg 및 Ca, 3족의 Sc, Y, La 및 Ac, 4족의 Ti, Zr 및 Hf, 5족의 V, Nb 및 Ta, 6족의 Cr, Mo 및 W, 7족의 Mn, 8족의 Ru 및 Os, 9족의 Co, Rh 및 Ir, 10족의 Ni, Pd 및 Pt, 11족의 Cu, 13족의 B, Al, Ga 및 In, 14족의 Si, Ge 및 Sn, 15족의 P, As 및 Sb으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 또는 이들의 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 염화물, 황산화합물, 질산화합물 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 한다.
(1) 단계에서 금속 촉매를 이용하여 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 형성시키는 방법으로는 아크방전법, 레이저법, 열분해법, PE-CVD(plasma enhanced CVD)법, 극초단파 화학기상 증착법(microwave CVD) 또는 유동화법 등과 같이 잘 알려진 탄소나노구조체 또는 나노와이어 제작 방법을 채택할 수 있다.
탄소나노구조체 또는 나노와이어 제조시 사용되는 성장기판은 유리, 탄소, 실리콘, 금속, 고분자 또는 그의 복합체 재료로 된 것을 이용할 수 있다.
성장기판 상에서 성장되는 탄소나노구조체는 단층, 이중층 또는 다층일 수 있으며 모두 본 발명에 사용 가능하다. 나노와이어는 층상구조 또는 원기둥 구조일 수 있다. 또한 성장된 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 길이는 0.1 내지 100㎛, 직경은 1 내지 100nm인 것이 바람직하다.
(2) 단계에서는 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단을 금속(Li, K, Mg, Ca, Sc, Y, La, Ac, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb, Ag, Al, Au, Fe , Pt), 합금, 및 이들의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물 및 염화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 코팅한다. 이때 코팅법으로서는 스퍼터링법, 진공증착법, 유동화법, CVD법, 원자층 증착법(atomic layer deposition), 이온교환법, 구 산소반응 또는 환원반응을 이용할 수 있으며, 상기 반응들을 통해 금속을 포함한 이온을 금속으로 석출시키거나 전기화학적으로 도금할 수 있다. 도 4는 탄소나노구조체의 한쪽 말단을 상기 코팅제로 코팅한 샘플의 전자 현미경 사진이다.
(2) 단계의 코팅 공정 전에 부가적으로 표면처리를 실시할 수 있으며, 코팅공정 이후에 부가적으로 표면처리 및 코팅을 1회 이상 복합적으로 실시할 수 있다.
상기 표면처리제는 오존, 질소산화물(NOx), 암모니아, 시안화수소(HCN), 황산화물(SOx), 염소, 이산화탄소, 염산, 질산, 불산, 인산, 황산, 과산화수소, 과망간산칼륨, 이산화염소, 요오드산칼륨, 피리딘 및 황화수소로 구성된 군에서 선택된 하나 이상을 조합한 액체나 그 희석액을 포함한다. 상기 용액을 이용하여 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 초음파 처리하거나 또는 50 내지 300℃로 가열한다. 상기 표면처리제를 액상으로 사용하지 않고 기상으로 챔버 내에서 탄소나노구조체 또는 나노와이어와 반응시키면 탄소나노구조체나 나노와이어에 기능기가 부착된다.
상기 표면처리제를 사용하여 얻을 수 있는 기능기는 니트로기 (-NO2), 술폰기(-SO3H), 알데히드기(-CHO), 카르복실기(-COOH), 카르보닐기(-CO), 에테르기(-C-O-C-), 페놀성 수산기(-OH), 시안기(-CN), 티올기(-SH) 또는 포스핀기(-P≡) 등이 있다.
(3) 단계에서 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 성장기판으로부터 분리하는 방법은 건식법과 습식법이 있다. 건식법은 기판으로부터 기계적으로 분리하는 방법, 레이저로 중간부를 절단하는 방법 등이 있으며, 습식법으로는 초음파를 이용한 분리법 등이 있다.
(4) 단계에서 한쪽 끝이 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 기판의 소정 부위에 배치시키는 방법은 다음과 같다. 분리된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 계면활성제를 이용하여 액상에 고르게 분산시키고 기판의 전극 위에 도포시킨 후 건조시키는 방법, 체(sieve) 위에 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 올려 놓고 진동시키면서 기판위에 분사하여 배치시키는 방법, 기판 전극에 전하를 충전시켜 발생하는 정전기를 이용한 도장 방법, 유리기판과 전극 상부와의 접착력 차이를 이용한 스프레이법, 융제를 포함한 미량의 접착성분을 포토레지스트를 이용하여 기판에 부착한 후 표면처리된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 기판 상부에 배치하는 방법이 있다.
(5) 단계에서 접합시 전기로, 플라즈마, CVD, 고주파가열기, 이온빔 또는 초소형 유도가열방식 히팅롤을 사용하여 가열할 수 있다. 공기 중 또는 불활성 분위기에서 100 내지 1500℃의 온도로 1분 내지 15시간의 열처리를 하면 전극과 탄소나노구조체나 나노와이어 코팅부의 접합이 가능하다. 전극과 탄소나노구조체나 나노와이어 코팅부의 재료가 동일할 경우, 접합결함을 최소로 줄일 수 있다.
이외에도 복사기의 원리를 이용한 방법이 있는데 코팅 또는 표면처리된 탄소나노구조체나 나노와이어를 복사기의 토너 역할을 하도록 하여 탄소나노구조체나 나노와이어를 부착할 수 있다. 드럼표면에 일정한 패턴을 갖도록 전하를 배치시킨 후, 강렬한 섬광을 비추면 패턴부분 이외로부터 반사된 부분은 중화되어 전하를 잃게 되고 패턴에 해당되는 부분, 즉 드럼의 전하 유지 부분의 강력한 양전하에 의해서 탄소나노구조체 또는 나노와이어가 기판상부의 전극에 부착된다.
도 3은 상기 단계와 같이, 성장된 탄소나노구조체를 코팅하고 전극 위에 부착하여 제작된 전계방출소자의 모식도이다.
이후 전류공급원을 부착하여 전계방출디스플레이(FED: Field Emmision Display), 액정 디스플레이(LCD), 형광 램프 및 원자력 현미경(AFM) 등의 전자 방출원으로 사용 가능하며, 그밖에 센서, 이차 전지 및 연료 전지 등에 응용도 가능하다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예
실리콘 성장기판 위에 니켈을 5W로 20 내지 30 분간 스퍼터링법으로 증착시켜 나노 입자 박막을 형성시켰다. 상기 성장기판을 열화학기상증착 장치 내에 장착하고 700℃에서 C2H2 및 Ar을 1:2의 부피비로 공급하고 5 Torr에서 40분간 탄소나노구조체를 성장시켰다. 그 후, 수직 정렬된 탄소나노구조체를 Ag 스퍼터를 이용하여 10 ~ 500nm 두께로 Ag 코팅하였다. 이를 기계적인 방법으로 분리한 후, Ag 전극이 패턴화되어 있는 유기 하부기판에 탄소나노구조체를 분산시켰다. Ag 코팅된 탄소나노구조체를 전극에 배치시킨 후, 불활성 분위기의 전기로에서 550℃로 30분간 열처리하였다. 상기의 처리 과정을 통하여 한쪽 부분이 Ag 코팅된 탄소나노구조체와 하부기판의 전극 부분이 강하게 결합되어 부착되었다. 상기 전극 이외의 부분에 위치한 탄소나노구조체는 하부기판과 결합이 약하기 때문에 물리적인 방법으로 제거가 가능하였다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 일부분을 금속 또는 합금을 사용하여 코팅함으로써 박막 또는 후막 공정시에 사용되는 유기물 함유 페이스트나 슬러리를 사용하지 않는다. 따라서 진공 상태에서 유기물에서 방출되는 탄소나 산소를 제거할 수 있으므로 고진공 유지가 용이하며 공정이 단순화 된다. 또한 페이스트에 높이에 해당되는 부분을 제거함으로써 스페이서(spacer) 높이를 낮출 수 있고 단위면적당 전계 방출원으로 사용되는 탄소나노구조체의 수와 어스펙트비가 증가하는 동시에 그 조절이 가능하여 탄소나노구조체 사용량을 최소화할 수 있다. 그리고 전극과 탄소나노구조체 사이의 접합력 증가로 전력소모가 줄어들며 대면적 디스플레이로의 적용이 용이하다.
Claims (8)
- 삭제
- (1) 성장기판 상에 촉매를 사용하여 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 형성시키는 단계;(2) 상기 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단을 코팅하는 단계;(3) 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 상기 성장기판으로부터 분리하는 단계;(4) 상기 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 금속 전극 상부에 배치시키는 단계;(5) 상기 전극 상부에 배치된 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 코팅된 말단을 금속전극과 접합시키는 단계를 포함하는, 전계 방출 어레이의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계의 코팅 처리 전에 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 표면 처리하거나, 코팅 처리 후에 표면 처리하고 다시 코팅하는 단계를 더 포함하는 전계 방출 어레이의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,(1) 단계에서 사용하는 촉매는 Li, K, Mg, Ca, Sc, Y, La, Ac, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As 및 Sb으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 복합체, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 염화물, 황산화합물, 질산화합물 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계에서 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단을 금속, 합금, 및 이들의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물 및 염화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 코팅하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,표면처리제는 오존, 질소산화물(NOx), 암모니아, 시안화수소(HCN), 황산화물(SOx), 염소, 이산화탄소, 염산, 질산, 불산, 인산, 황산, 과산화수소, 과망간산칼륨, 이산화염소, 요오드산칼륨, 피리딘 및 황화수소로 구성된 군에서 선택된 하나 이상을 조합한 액체나 그 희석액인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계의 코팅시 전극의 재료와 동일한 코팅제를 사용하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 전극층 및 한쪽 말단이 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어층을 포함하고, 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 코팅된 말단과 전극층이 접합된, 제 2 항의 방법에 의해 제조된 전계방출 어레이.
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