[go: up one dir, main page]

KR100546491B1 - 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치 - Google Patents

초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100546491B1
KR100546491B1 KR1020010014516A KR20010014516A KR100546491B1 KR 100546491 B1 KR100546491 B1 KR 100546491B1 KR 1020010014516 A KR1020010014516 A KR 1020010014516A KR 20010014516 A KR20010014516 A KR 20010014516A KR 100546491 B1 KR100546491 B1 KR 100546491B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amplifier
output
phase
impedance
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1020010014516A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020074630A (ko
Inventor
김범만
양영구
이재혁
우영윤
Original Assignee
학교법인 포항공과대학교
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19707188&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100546491(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 학교법인 포항공과대학교 filed Critical 학교법인 포항공과대학교
Priority to KR1020010014516A priority Critical patent/KR100546491B1/ko
Priority to US10/076,636 priority patent/US6617929B2/en
Publication of KR20020074630A publication Critical patent/KR20020074630A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100546491B1 publication Critical patent/KR100546491B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/04Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
    • H03F1/06Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
    • H03F1/07Doherty-type amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • H03F3/604Combinations of several amplifiers using FET's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치에 관한 것으로, 병렬로 연결한 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기의 최종 출력에 쿼터 웨이브 트랜스포머를 연결하여 도허티 동작이 일어나게 하는 초고주파 도허티 증폭기에 있어서, 캐리어 증폭기 및 피킹 증폭기의 출력에 고주파 출력 정합을 이루는 로드 정합 회로가 연결되고, 로드 정합 회로의 후단에 위상 튜닝 성분이 연결되어, 고출력에서 정합을 바꾸지 않아 그 특성을 유지하도록 하고 낮은 출력에서는 위상에 따라 효율이나 선형성이 최적화되게 정합을 조절할 수 있는 이점이 있다.

Description

초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치{FULL OUTPUT MATCHING APPARATUS OF THE MICROWAVE DOHERTY AMPLIFIER}
도 1은 종래 제 1 실시예에 따른 출력 정합 장치가 적용된 초고주파 도허티 증폭기의 구성도,
도 2는 종래 제 2 실시예에 따른 출력 정합 장치가 적용된 초고주파 도허티 증폭기의 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 출력 정합 장치가 적용된 초고주파 도허티 증폭기의 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 출력 정합 장치의 상세 회로도,
도 5는 도 4에 도시된 출력 정합 부분에서 삽입하는 위상 튜닝 성분의 위상이 0°에서 180°까지 변할 때의 로드 임피던스(도 5a)와 출력 임피던스(도 5b)의 예,
도 6은 본 발명에 따른 출력 정합 장치를 적용한 초고주파 도허티 증폭기의 실험 측정 데이터.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 캐리어 증폭기 20 : 피킹 증폭기
111,112 : 입력 정합 회로 121,122 : 로드 정합 회로
131,132,151 : 임피던스 라인 141,142 : 쿼터 웨이브 트랜스포머
본 발명은 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도허티 증폭기의 일반적인 고주파 출력 정합 후에 추가적인 위상 튜닝 성분을 삽입하여 초고주파 대역에서 완전한 출력 정합을 이루도록 한 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치에 관한 것이다.
주지와 같이, 고효율 증폭기의 한 종류인 초고주파 도허티 증폭기는 순수한 저항성 출력 정합만 가능하다고 알려져 왔다.
이러한 도허티 증폭기는 쿼터 웨이브 트랜스포머(Quarter wave transformer)(λ/4 라인)를 사용하여 캐리어(Carrier) 증폭기와 피킹(Peaking) 증폭기를 병렬로 연결하는 방식으로 전력 레벨에 따라 피킹 증폭기가 로드에 공급하는 전류의 양으로 캐리어 증폭기의 로드 라인 임피던스를 조절하여 효율을 높이는 방식이다.
초고주파 도허티 증폭기는 초기에 고출력 LF 또는 MF 진공관을 이용한 방송장치의 AM 전송기(Transmitter)로 사용되었다. 그 후 솔리드-스테이트(Solid-State) 고출력 전송기에 사용하기 위한 여러 가지 제안들이 있었다. 그 중 하나가 도 1에 보인 방식이다.
도 1의 초고주파 도허티 증폭기는 캐리어 증폭기(10) 및 피킹 증폭기(20)의 출력 정합시에 쿼터 웨이브 트랜스포머(31∼39)를 사용하여 임피던스를 변환시키는 방식이다. 이러한 출력 정합 방식은 실수부의 임피던스 정합(Resistive matching)만이 가능하다.
도 2에 보인 종래 실시예에서는 캐리어 증폭기(10) 및 피킹 증폭기(20)의 출력부에 바로 션트(Shunt)로 허수부 로드 임피던스(Shunt reactive load impedance; 41,42)를 달고 마이크로웨이브 도허티 네트웍(50)을 연결하는 방식으로서, 이 또한 모든 경우의 정합을 다 포함하지는 못하며 션트의 허수부 로드 임피던스(41,42)가 도허티 증폭기의 효율 개선 특성을 악화시킬수 있는 문제점이 있었다(도 2의 미설명 부호 60은 쿼드레처 하이브리드 네트웍, 71 및 72는 입력 정합 네트웍, 81 및 82는 세컨드 하모닉 튜닝 네트웍).
따라서, 솔리드-스테이트 초고주파 도허티 증폭기의 효율 개선 특성을 그대로 유지하면서 실수부(Real part)와 허수부(Imaginary part)를 포함한 완전 정합 장치의 개발이 절실한 요구 과제로 부각되는 실정이다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점 및 요구 과제를 해결하기 위하여 제안한 것으로, 그 목적하는 바는 고주파 출력 정합 후에 특성 임피던스와 같은 임피던스의 라인을 삽입하여 이를 위상 튜닝 성분으로 사용하는 도허티 증폭기의 출력 정합 장치를 제공함으로써, 고출력에서 정합을 바꾸지 않아 그 특성을 유지하도록 하고 낮은 출력에서는 위상에 따라 효율이나 선형성이 최적화되게 정합을 조절할 수 있도록 하는 데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치는, 병렬로 연결한 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기의 최종 출력에 쿼터 웨이브 트랜스포머를 연결하여 도허티 동작이 일어나게 하는 초고주파 도허티 증폭기에 있어서, 상기 캐리어 증폭기의 출력에 연결되어 고주파 출력 정합을 이루는 제 1 로드 정합 회로와, 상기 피킹 증폭기의 출력에 연결되어 고주파 출력 정합을 이루는 제 2 로드 정합 회로와, 상기 제 1 로드 정합 회로의 후단에 연결되어 높은 전력 레벨에서 낮은 전력 레벨로 변화할 때에 상기 캐리어 증폭기의 로드 임피던스를 변조시키는 제 1 위상 튜닝 성분과, 상기 제 2 로드 정합 회로의 후단에 연결되어 낮은 전력 레벨에서 상기 피킹 증폭기가 높은 출력 임피던스를 갖도록 하는 제 2 위상 튜닝 성분을 포함한다.
본 발명의 실시예로는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 실시예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 보다 잘 이해할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 출력 정합 장치가 적용된 초고주파 도허티 증폭기의 구성도이다.
이에 나타낸 바와 같이 본 발명의 출력 정합 장치는, 캐리어 증폭기(10) 및 피킹 증폭기(20)의 전단에 각각 입력 정합 회로(111,112)를 연결하며, 임의의 임피던스
Figure 112001006262393-pat00001
가 되도록 로드 정합 회로(121,122)를 각각 캐리어 증폭기(10)와 피킹 증폭기(20)의 출력부에 연결하고, 캐리어 증폭기(10)의 로드 정합 회로(121) 후단에는 앵글이
Figure 112001006262393-pat00002
인 임피던스 라인(131)을 연결하며, 피킹 증폭기(20)의 로드 정합 회로(122) 후단에는 앵글이
Figure 112001006262393-pat00003
인 임피던스 라인(132)을 연결한다.
캐리어 증폭기(10)와 피킹 증폭기(20)의 최종 출력에는 쿼터 웨이브 트랜스 포머(141,142)를 연결하여 도허티 동작이 일어나게 한다.
쿼터 웨이브 트랜스포머(141,142)를 포함한
Figure 112001006262393-pat00004
Figure 112001006262393-pat00005
의 양 경로간 위상 차이를 보상하기 위하여 피킹 증폭기(20)의 입력 정합 회로(112) 이전에 앵글 90°+
Figure 112001006262393-pat00006
-
Figure 112001006262393-pat00007
의 임피던스 라인(151)을 삽입·연결한다.
도 4a는
Figure 112001006262393-pat00008
를 구하는 방법을 설명하기 위한 회로도이고, 도 4b는
Figure 112001006262393-pat00009
를 구하는 방법을 설명하기 위한 회로도이다.
도 4a에서 캐리어 증폭기(10)의 출력 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00010
)를 등가 회로로 표현하기 위하여 션트로 연결된 출력 저항(
Figure 112001006262393-pat00011
)과 캐패시터(
Figure 112001006262393-pat00012
)을 사용하였다(도 4a의 A). 이 경우 최적 전력점으로 정합하기 위하여 일반적으로 로드 저항은 트랜지스터의 I/V 관계에 의하여
Figure 112001006262393-pat00013
로 구해지고, 허수부는 출력 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00014
)의 켤레 복소수(Complex conjugate)의 허수부로 정합하게 된다.
따라서, 캐패시터(
Figure 112001006262393-pat00015
)을 포함하고 로드 쪽을 바라본 보상된 로드 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00016
)는 적절한 캐패시터(
Figure 112001006262393-pat00017
)값과 최종 로드 임피던스
Figure 112001006262393-pat00018
에 대하여 실수값을 가지게 된다. 이때 고출력에서 캐리어 증폭기(10)의 최종 로드 임피던스는
Figure 112001006262393-pat00019
가 되므로
Figure 112001006262393-pat00020
의 특성 임피던스를 갖는 위상 튜닝 성분에 의하여 보상된 로드 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00021
)는 변화하지 않게 된다.
그러나, 매우 낮은 전력 레벨에서 캐리어 증폭기(10)의 최종 출력 로드 임피던스는 도허티 동작에 의하여
Figure 112001006262393-pat00022
가 되므로 이때의 보상된 로드 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00023
) 는 위상 튜닝 성분 위상(
Figure 112001006262393-pat00024
)의 변화에 따라서 고출력일 때의 보상된 로드 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00025
)를 중심으로 원을 형성하게 된다. 이 특성은 도 5a에서 상기 설명한 원의 한 예로서 잘 나타나고 있다.
여기서 높은 임피던스로 실수가 되는 임피던스 지점이 되도록 하는 앵글을 선택하면 된다. 도 5a에서는 약 40∼60°의 앵글을 가질 때 보상된 로드 임피던스가 최대가 되며 순수한 실수에 근접하게 됨을 알 수 있다.
비슷한 방법으로 도 4b에서 위상 튜닝 성분을 포함한 피킹 증폭기(20)의 최종 출력 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00026
)는 매우 낮은 전력 레벨에서 위상 성분
Figure 112001006262393-pat00027
의 변화에 따라 크게 원을 그리게 된다. 매우 낮은 전력 레벨에서 출력 임피던스(
Figure 112001006262393-pat00028
)는 오픈이 되어야 함으로 순수하게 실수의 저항 성분만을 가지며 큰 값이 되도록 하는
Figure 112001006262393-pat00029
를 선택하면 된다. 이 특성은 도 5b에서 상기 설명한 원의 한 예로서 잘 나타난다. 도 5b에서 역시 약 40∼60°의 앵글을 가질 때 피킹 증폭기(20)의 최종 출력 임피던스는 매우 큰 실수값을 갖는다는 것을 알 수 있다.
상기 설명한 대로 1.4㎓ 대역에서 동작하는 초고주파 도허티 증폭기를 설계하여 제작한 후 그 특성을 측정하였다. 실험에서의 도허티 증폭기는 캐리어 증폭기로 클래스 AB를 사용하고 피킹 증폭기로 클래스 C 증폭기를 사용하였다.
도 6은 이러한 실험 측정 데이터로서 도 6a는 CW 신호를 입력하였을 때 출력 레벨에 따른 효율(Power-Added Efficiency; PAE)의 변화 곡선으로서 일반적인 클래 스 AB 증폭기의 효율과 비교하였다. 당업자라면 누구라도 본 발명의 출력 정합 장치를 적용한 도허티 증폭기의 우수한 효율을 알 수 있을 것이다. 도 6b는 이 때의 선형성 특성을 보기 위하여 클래스 AB 증폭기와 본 발명 도허티 증폭기의 스펙트럼을 비교한 그림이다. IS-95 포워드-링크(Forward-Link) CDMA 신호를 입력하였을 때 약 32dBm 출력 전력에서 885㎑ 오프셋 지점에서 약 5.7㏈ 개선된 ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio) 특성을 확인할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명은, 고주파 출력 정합 후에 특성 임피던스와 같은 임피던스의 라인을 삽입하여 이를 위상 튜닝 성분으로 사용함으로써, 고출력에서 정합을 바꾸지 않아 그 특성을 유지하도록 하고 낮은 출력에서는 위상에 따라 효율이나 선형성이 최적화되게 정합을 조절할 수 있는 효과가 있다.
특히, 본 발명의 출력 정합 장치는 기존 또는 차세대 이동 통신의 기지국용 전력 증폭기에 응용하였을 때에 고효율화와 선형화를 동시에 이루어 높은 경제성과 신뢰성을 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 병렬로 연결한 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기의 최종 출력에 쿼터 웨이브 트랜스포머를 연결하여 도허티 동작이 일어나게 하는 초고주파 도허티 증폭기에 있어서:
    상기 캐리어 증폭기의 출력에 연결되어 고주파 출력 정합을 이루는 제 1 로드 정합 회로와,
    상기 피킹 증폭기의 출력에 연결되어 고주파 출력 정합을 이루는 제 2 로드 정합 회로와,
    상기 제 1 로드 정합 회로의 후단에 연결되어 높은 전력 레벨에서 낮은 전력 레벨로 변화할 때에 상기 캐리어 증폭기의 로드 임피던스를 변조시키는 제 1 위상 튜닝 성분과,
    상기 제 2 로드 정합 회로의 후단에 연결되어 낮은 전력 레벨에서 상기 피킹 증폭기가 높은 출력 임피던스를 갖도록 하는 제 2 위상 튜닝 성분을 포함하는 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위상 튜닝 성분은, 상기 제 1 로드 정합 회로의 후단에 소정 위상의 임피던스 라인을 연결하는 것을 특징으로 한 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 위상 튜닝 성분은, 상기 제 2 로드 정합 회로의 후단에 소정 위상의 임피던스 라인을 연결하는 것을 특징으로 한 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위상 튜닝 성분과 상기 쿼터 웨이브 트랜스포머와 상기 제 2 위상 튜닝 성분간의 위상 차이를 보상하기 위하여 그 차만큼의 위상 지연선로를 상기 피킹 증폭기의 전단에 연결하는 것을 특징으로 한 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치.
KR1020010014516A 2001-03-21 2001-03-21 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치 Expired - Lifetime KR100546491B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010014516A KR100546491B1 (ko) 2001-03-21 2001-03-21 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치
US10/076,636 US6617929B2 (en) 2001-03-21 2002-02-19 Full output matching apparatus of a microwave doherty amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010014516A KR100546491B1 (ko) 2001-03-21 2001-03-21 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020074630A KR20020074630A (ko) 2002-10-04
KR100546491B1 true KR100546491B1 (ko) 2006-01-26

Family

ID=19707188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010014516A Expired - Lifetime KR100546491B1 (ko) 2001-03-21 2001-03-21 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6617929B2 (ko)
KR (1) KR100546491B1 (ko)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE516847C2 (sv) * 2000-07-07 2002-03-12 Ericsson Telefon Ab L M Sammansatt förstärkare samt sändare som innefattar en sådan förstärkare
US6791417B2 (en) * 2002-01-28 2004-09-14 Cree Microwave, Inc. N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using selected phase lengths and output impedances
KR100553252B1 (ko) * 2002-02-01 2006-02-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치
DE60332467D1 (en) * 2002-09-17 2010-06-17 Nxp Bv Ers
US6894561B2 (en) * 2002-09-20 2005-05-17 Triquint Semiconductor, Inc. Efficient power control of a power amplifier by periphery switching
JP2006500883A (ja) * 2002-09-20 2006-01-05 トライクウィント セミコンダクター,インコーポレーテッド 複数の出力電力レベルを有する線形電力増幅器
WO2004027983A2 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Triquint Semiconductor, Inc. Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels
JP4209652B2 (ja) * 2002-09-24 2009-01-14 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
KR20050031663A (ko) * 2003-09-30 2005-04-06 광운대학교 산학협력단 도허티 전력 증폭 장치
US7339426B2 (en) * 2004-03-19 2008-03-04 Powerwave Technologies, Inc. High efficiency linear amplifier employing dynamically controlled back off
US7440733B2 (en) * 2004-04-09 2008-10-21 Powerwave Technologies, Inc. Constant gain nonlinear envelope tracking high efficiency linear amplifier
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
JP4715994B2 (ja) * 2004-08-26 2011-07-06 日本電気株式会社 ドハティ増幅器並列運転回路
US7148746B2 (en) * 2004-10-26 2006-12-12 Andrew Corporation High efficiency amplifier
NL1027745C1 (nl) * 2004-12-14 2006-06-16 Bosma Beheersmij B V H O D N M Verliesarme, asymmetrische combinator voor faseverschil systemen en adaptieve RF-versterker omvattende een asymmetrische combinator.
US20100001802A1 (en) * 2005-05-20 2010-01-07 Nxp B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
JP4858952B2 (ja) * 2005-05-23 2012-01-18 株式会社日立国際電気 増幅装置
EP1912328B1 (en) * 2005-08-01 2011-09-21 Mitsubishi Electric Corporation Highly efficient amplifier
US7831221B2 (en) * 2005-12-13 2010-11-09 Andrew Llc Predistortion system and amplifier for addressing group delay modulation
US7382194B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Triquint Semiconductor, Inc. Switched distributed power amplifier
JP4831571B2 (ja) * 2006-05-02 2011-12-07 富士通株式会社 増幅器ユニット及びその故障検出方法
KR100749870B1 (ko) * 2006-06-07 2007-08-17 (주) 와이팜 도허티 전력 증폭 장치
JP4486620B2 (ja) * 2006-06-23 2010-06-23 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ マルチバンドドハティ増幅器
KR100862056B1 (ko) * 2007-08-06 2008-10-14 (주) 와이팜 광대역 전력 증폭 장치
TWI346449B (en) * 2007-08-16 2011-08-01 Ind Tech Res Inst Power amplifier circuit for multi-frequencies and multi-modes and method for operating the same
KR20090071834A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 성균관대학교산학협력단 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기
WO2009131138A1 (ja) * 2008-04-24 2009-10-29 日本電気株式会社 増幅器
KR101021471B1 (ko) * 2008-12-08 2011-03-15 광운대학교 산학협력단 다이나믹 도허티 전력증폭기
KR101091969B1 (ko) * 2009-06-01 2011-12-09 포항공과대학교 산학협력단 전력 증폭 장치
EP2323253A1 (en) * 2009-10-26 2011-05-18 Alcatel Lucent Doherty power amplifiers
CN102130657A (zh) * 2010-09-14 2011-07-20 华为技术有限公司 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站
WO2011137832A2 (zh) * 2011-05-27 2011-11-10 华为技术有限公司 陶赫蒂doherty电路、多路陶赫蒂doherty电路和基站设备
WO2013086658A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Doherty power amplification apparatus and method
US8975955B2 (en) * 2012-12-11 2015-03-10 Alcatel Lucent Analysis of Doherty amplifiers
WO2015037034A1 (ja) * 2013-09-12 2015-03-19 日本電気株式会社 ドハティアンプ及び送信装置
US9071202B2 (en) 2013-10-18 2015-06-30 Alcatel Lucent Doherty amplifier with peak branch RF conditioning
US9503028B2 (en) * 2015-01-30 2016-11-22 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Three-way sequential power amplifier system for wideband RF signal
WO2016203512A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 株式会社日立国際電気 電力増幅器及び無線送信器
CN106571781B (zh) * 2015-10-08 2020-09-25 大唐移动通信设备有限公司 一种Doherty功率放大电路
US9787259B2 (en) * 2015-11-06 2017-10-10 Infineon Technologies Ag Outphasing power amplifier signal splitter using next stage input impedance and multiple biasing
KR102585866B1 (ko) * 2016-06-21 2023-10-06 삼성전기주식회사 공통 게이트 증폭 회로 및 그것을 이용한 전력 증폭기
JP6776709B2 (ja) * 2016-08-04 2020-10-28 富士通株式会社 電力増幅装置、半導体集積回路および電力増幅装置の制御方法
US9966903B1 (en) 2016-12-30 2018-05-08 Nxp Usa, Inc. Doherty architecture for wideband power amplifier design
CN107493076A (zh) * 2017-06-21 2017-12-19 中国电子科技集团公司第五十五研究所 利用拆装式延迟件改善相位均衡的Doherty放大器
US10491165B2 (en) * 2018-03-12 2019-11-26 Psemi Corporation Doherty amplifier with adjustable alpha factor
US11616476B2 (en) * 2020-10-19 2023-03-28 City University Of Hong Kong Power amplifier circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568086A (en) * 1995-05-25 1996-10-22 Motorola, Inc. Linear power amplifier for high efficiency multi-carrier performance
US5786727A (en) * 1996-10-15 1998-07-28 Motorola, Inc. Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor
US6356149B1 (en) * 2000-04-10 2002-03-12 Motorola, Inc. Tunable inductor circuit, phase tuning circuit and applications thereof
US6396341B1 (en) * 2000-12-29 2002-05-28 Ericsson Inc. Class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters

Also Published As

Publication number Publication date
US6617929B2 (en) 2003-09-09
KR20020074630A (ko) 2002-10-04
US20020135425A1 (en) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100546491B1 (ko) 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치
KR100450744B1 (ko) 도허티 증폭기
Hakala et al. A 2.14-GHz Chireix outphasing transmitter
Chen et al. A concurrent dual-band uneven Doherty power amplifier with frequency-dependent input power division
EP2145385B1 (en) N-way doherty distributed power amplifier
US11201591B2 (en) Asymmetric Doherty amplifier circuit with shunt reactances
US8988147B2 (en) Multi-way Doherty amplifier
US7034620B2 (en) RF power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of RF amplifier memory effects
KR101677555B1 (ko) 도허티 증폭기에서 낮은 전력 영역에서의 효율을 향상시키기 위한 장치
US7352239B2 (en) Power amplification apparatus using switching structure in a wireless communication system and method for controlling the same
EP3796553A1 (en) Power amplifiers
KR20060077818A (ko) 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치
WO2005031967A1 (en) Doherty power amplifying apparatus
WO2013033837A1 (en) Radio-frequency circuit having a transcoupling element
WO2020182305A1 (en) Power amplifier arrangement
US10063190B2 (en) Broadband Doherty power amplifier
Lee et al. A CMOS outphasing power amplifier with integrated single-ended Chireix combiner
KR102165176B1 (ko) 도허티 전력 증폭 장치 및 이 장치의 부하 임피던스 변조 방법
Cordero et al. Outphasing class-E/F 2 power amplifier using a quadrature hybrid as non-isolating combiner
CN113659938A (zh) 一种模拟预失真器
CN116647199B (zh) 调谐变压器及包含该调谐变压器的Doherty功率放大器
Kumar et al. A Novel Analog Predistortion Technique for LTE Communication Systems
Ghannouchi et al. Doherty power amplifiers in software radio systems
Xu et al. A high-linearity mmWave Doherty power amplifier for 5G FR2 wireless communications
Sim et al. A 100Watt ultra-broadband power amplifier using silicon LDMOSFETs

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20010321

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20020928

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20030429

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20030918

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20030429

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

Patent event date: 20020928

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20031020

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20030918

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20050929

Appeal identifier: 2003101004132

Request date: 20031020

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20031020

Effective date: 20050929

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20050929

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20031020

Decision date: 20050929

Appeal identifier: 2003101004132

PS0901 Examination by remand of revocation
S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
PS0701 Decision of registration after remand of revocation

Patent event date: 20051018

Patent event code: PS07012S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20051012

Patent event code: PS07011S01I

Comment text: Notice of Trial Decision (Remand of Revocation)

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20060119

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20060120

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090115

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100113

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20101230

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20111226

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20121228

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131230

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20131230

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141223

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151229

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151229

Start annual number: 11

End annual number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161228

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161228

Start annual number: 12

End annual number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171228

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171228

Start annual number: 13

End annual number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181227

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181227

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201230

Start annual number: 16

End annual number: 16

PC1801 Expiration of term

Termination date: 20210921

Termination category: Expiration of duration