KR100525655B1 - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그것에 의해제조된 디바이스 - Google Patents
리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그것에 의해제조된 디바이스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100525655B1 KR100525655B1 KR10-2003-0037873A KR20030037873A KR100525655B1 KR 100525655 B1 KR100525655 B1 KR 100525655B1 KR 20030037873 A KR20030037873 A KR 20030037873A KR 100525655 B1 KR100525655 B1 KR 100525655B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- rim
- collision
- objective table
- substrate
- protection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N nickel titanium Chemical compound [Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni] HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- - 방사선투영빔을 제공하는 방사선시스템;- 소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 제1대물테이블;- 기판을 잡아주는 제2대물테이블;- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 투영빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 있어서,적어도 하나의 상기 대물테이블 또는 상기 투영장치의 여타의 내부 부품들을 충돌로 인한 손상으로부터 보호하기 위한 충돌보호장치를 포함하고,상기 충돌보호장치는,적어도 하나의 상기 대물테이블상에 제공되는 림을 포함하고, 상기 림은 각각의 대물테이블의 적어도 하나의 에지 너머로 돌출되어, 그것으로의 상대운동을 위하여 적어도 하나의 댐퍼에 의하여 상기 각각의 대물테이블에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 충돌보호장치는 적어도 하나의 대물테이블의 있을 수 있는 충돌에너지의 흡수를 위한 범퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제2항에 있어서,상기 범퍼는 어떠한 충돌에너지를 흡수하기 위한 수퍼-탄성 또는 형상기억 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제3항에 있어서,상기 합금은 니켈 티타늄 합금인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 범퍼는 적어도 하나의 상기 대물테이블에 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제5항에 있어서,상기 범퍼는 상기 하나의 대물테이블의 외측 경계의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제6항에 있어서,상기 범퍼는 상기 하나의 대물테이블보다 큰 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 상기 대물테이블은 플래너 모터에 의하여 위치될 수 있고, 상기 충돌보호장치의 적어도 일부분은 상기 플래너 모터의 고정부와 이동부 사이에 위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 상기 대물테이블은 플래너 모터에 의하여 위치설정될 수 있고, 상기 충돌보호장치는 상기 플래너 모터의 고정부의 경계를 따라 위치설정될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 삭제
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 충돌보호장치는,적어도 하나의 상기 대물테이블상에 제공되는 림으로서, 각각의 테이블의 이동방향에 평행한 평면에서 각각의 테이블의 에지 너머로 돌출되어 있는 상기 림;상기 림의 제1측면을 상기 각각의 테이블의 제1측면에 연결시키는 2개의 댐퍼; 및상기 림의 제1측면에 인접한 제2측면을 상기 각각의 테이블에 연결시키는 2개의 연결로드로서, 이동방향에 평행한 평면에서 평행사변형의 두 대향하는 측면을 형성하는 상기 2개의 연결로드를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 충돌보호장치는,적어도 하나의 상기 대물테이블상에 제공되는 림으로서, 각각의 테이블의 이동방향에 평행한 평면에서 각각의 테이블의 에지 너머로 돌출되어 있는 상기 림, 및 상기 림의 각 측면을 상기 각각의 테이블에 연결시키는 각각의 제1 및 제2댐퍼를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제12항에 있어서,상기 각각의 제1댐퍼는 상기 림상의 제1점과 상기 각각의 테이블상의 제2점 사이에 연결되고, 상기 각각의 제2댐퍼는 상기 림상의 제1점과 상기 각각의 테이블상의 제3점 사이에 연결되며, 상기 제1, 제2 및 제3점은 이동방향에 수평한 평면에서 삼각형을 이루는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 림은 수퍼-탄성 또는 형상기억 합금, 특히 니켈 티타늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 댐퍼는 수퍼-탄성 또는 기억합금, 특히 니켈 티타늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- - 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 대물테이블에 제공하는 단계;- 진공챔버에 진공을 제공하는 단계;- 방사선시스템을 사용하여, 방사선의 투영빔을 상기 진공챔버를 통하여 투영시키는 단계;- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;- 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 투영빔을 투영하는 단계를 포함하는 리소그래피 장치를 사용하는 디바이스 제조방법에 있어서,상기 투영빔을 투영하는 단계동안, 상기 대물테이블의 이동 범위는 상기 대물테이블의 충돌 영향을 줄이기 위한, 충돌보호장치에 의하여 제한되며,상기 충돌보호장치는,적어도 하나의 상기 대물테이블상에 제공되는 림을 포함하고, 상기 림은 각각의 대물테이블의 적어도 하나의 에지 너머로 돌출되어, 그것으로의 상대운동을 위하여 적어도 하나의 댐퍼에 의하여 상기 각각의 대물테이블에 연결되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 제16항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02077355.2 | 2002-06-13 | ||
EP02077355 | 2002-06-13 | ||
EP03253057.8 | 2003-05-16 | ||
EP03253057A EP1477852A1 (en) | 2003-05-16 | 2003-05-16 | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040026102A KR20040026102A (ko) | 2004-03-27 |
KR100525655B1 true KR100525655B1 (ko) | 2005-11-02 |
Family
ID=31716849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0037873A Expired - Fee Related KR100525655B1 (ko) | 2002-06-13 | 2003-06-12 | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그것에 의해제조된 디바이스 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6995379B2 (ko) |
EP (1) | EP1372038B1 (ko) |
JP (1) | JP3955555B2 (ko) |
KR (1) | KR100525655B1 (ko) |
CN (1) | CN1327295C (ko) |
DE (1) | DE60302388T2 (ko) |
SG (1) | SG107660A1 (ko) |
TW (1) | TWI251125B (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1477852A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
WO2005024921A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20070164234A1 (en) * | 2004-01-15 | 2007-07-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7184128B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-02-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101576716A (zh) * | 2004-11-25 | 2009-11-11 | 株式会社尼康 | 移动体系统、曝光装置及组件制造方法 |
JP4677267B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 平面ステージ装置及び露光装置 |
US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CA2658483A1 (en) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Xyleco, Inc. | Conversion systems for biomass |
EP2998983B1 (en) * | 2006-12-27 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method |
NL2002888A1 (nl) * | 2008-06-12 | 2009-12-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, composite material and manufacturing method. |
US8796644B2 (en) | 2008-08-18 | 2014-08-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle beam lithography system and target positioning device |
NL2004401A (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, positioning system, and positioning method. |
KR101113136B1 (ko) * | 2009-06-02 | 2012-02-15 | 유한회사 미래시아건설 | 회전식 탄성볼라드 |
NL2010628A (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising an actuator, and method for protecting such actuator. |
CN103019045A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-03 | 清华大学 | 一种具有防撞功能的硅片台 |
CN104238273B (zh) * | 2013-06-19 | 2016-09-28 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工件台安全防护装置 |
CN104343885B (zh) * | 2013-08-09 | 2016-08-24 | 上海微电子装备有限公司 | 高精密磁悬浮主动减震设备 |
WO2015154009A1 (en) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | Evolv Technologies, Inc. | Partitioning for radar systems |
CN105425548A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-03-23 | 哈尔滨工业大学 | 基于人字形线圈排布的动线圈磁浮无线微动台矢量圆弧换台方法及装置 |
CN109690407B (zh) * | 2016-09-13 | 2021-08-13 | Asml荷兰有限公司 | 定位系统和光刻设备 |
DE102017200645A1 (de) * | 2017-01-17 | 2017-12-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung, insbesondere Lithographiesystem |
CN109725495B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 防撞装置及曝光机台 |
CN108345181B (zh) * | 2018-03-29 | 2024-07-23 | 清华大学 | 一种具有二级防撞保护结构的硅片台双台交换系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5977912A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-04 | Nec Home Electronics Ltd | シヨツクアブソ−バ |
JPS6055570A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツド |
US5040431A (en) | 1988-01-22 | 1991-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Movement guiding mechanism |
US5508518A (en) * | 1995-05-03 | 1996-04-16 | International Business Machines Corporation | Lithography tool with vibration isolation |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
CN1244020C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
EP1107067B1 (en) * | 1999-12-01 | 2006-12-27 | ASML Netherlands B.V. | Positioning apparatus and lithographic apparatus comprising the same |
TWI223734B (en) * | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
EP1111469B1 (en) | 1999-12-21 | 2007-10-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a balanced positioning system |
EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
US6476402B1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for pyroelectric emission lithography using patterned emitter |
-
2003
- 2003-06-11 US US10/458,726 patent/US6995379B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 CN CNB031438792A patent/CN1327295C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 TW TW092115841A patent/TWI251125B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-11 SG SG200303388A patent/SG107660A1/en unknown
- 2003-06-11 JP JP2003197463A patent/JP3955555B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-11 EP EP03253693A patent/EP1372038B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 DE DE60302388T patent/DE60302388T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-12 KR KR10-2003-0037873A patent/KR100525655B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040026102A (ko) | 2004-03-27 |
JP3955555B2 (ja) | 2007-08-08 |
EP1372038B1 (en) | 2005-11-23 |
CN1327295C (zh) | 2007-07-18 |
EP1372038A1 (en) | 2003-12-17 |
US20040031932A1 (en) | 2004-02-19 |
SG107660A1 (en) | 2004-12-29 |
DE60302388T2 (de) | 2006-07-27 |
TWI251125B (en) | 2006-03-11 |
JP2004040106A (ja) | 2004-02-05 |
US6995379B2 (en) | 2006-02-07 |
CN1501168A (zh) | 2004-06-02 |
TW200424781A (en) | 2004-11-16 |
DE60302388D1 (de) | 2005-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100525655B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그것에 의해제조된 디바이스 | |
KR100588119B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
KR100522885B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
JP4490875B2 (ja) | リソグラフィ投影装置に使うための平衡位置決めシステム | |
JP5141979B2 (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
EP1477852A1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
KR20040095171A (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스 | |
KR100554254B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 이것에 의해제조된 디바이스 | |
JP2009188053A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP4455491B2 (ja) | 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置 | |
KR100552638B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
US7035056B2 (en) | Piezoelectric actuator and a lithographic apparatus and a device manufacturing method | |
NL2011456A (en) | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices. | |
JP2022515746A (ja) | ダイレクトドライブのレチクル安全ラッチ | |
US7184128B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
WO2024199892A1 (en) | System and method for tailoring chuck stiffness | |
WO2024132409A1 (en) | Reticle handler isolation damper element | |
KR20240135809A (ko) | 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 시스템 | |
WO2024260740A2 (en) | Reticle conditioning for lithography applications | |
WO2024260733A1 (en) | Reticle design for minimizing thermal strain | |
KR20030038461A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20030612 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050509 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20050927 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20051026 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20051027 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080924 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20091022 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101019 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20111014 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121019 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20121019 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131018 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131018 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141017 Year of fee payment: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141017 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151016 Year of fee payment: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151016 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181023 Year of fee payment: 14 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181023 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20210806 |