KR100364054B1 - 반도체 기판상의 실리콘 폴리머 절연막 및 그 형성방법 - Google Patents
반도체 기판상의 실리콘 폴리머 절연막 및 그 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
재료 가스 (sccm) | 아르곤(sccm) | 헬륨(sccm) | 반응 가스총유량 | Rt(msec) | 비유전 상수 | |
C.Ex. 1(PM-DMOS) | 100 | 775 | 775 | 1650 | 30 | 3.41 |
C.Ex. 2(PM-DMOS) | 100 | 550 | 550 | 1200 | 41 | 3.41 |
C.Ex. 3(PM-DMOS) | 100 | 430 | 430 | 960 | 51 | 3.40 |
C.Ex. 4(PM-DMOS) | 100 | 310 | 310 | 720 | 68 | 3.35 |
C Ex. 5(PM-DMOS) | 100 | 140 | 140 | 480 | 103 | 3.10 |
C Ex. 6(PM-DMOS) | 100 | 100 | 100 | 300 | 165 | 2.76 |
C Ex. 7(PM-DMOS) | 100 | 70 | 70 | 240 | 206 | 2.64 |
C Ex. 8(PM-DMOS) | 100 | 10 | 10 | 120 | 412 | 2.45 |
Ex. 1 | 100 | 0 | 0 | 100 | 494 | 2.43 |
Ex. 2 | 50 | 0 | 0 | 50 | 988 | 2.55 |
Ex. 3(27MHz) | 50 | 0 | 0 | 50 | 988 | 2.56 |
재료 가스 | 형성시 | 고온 및 고습에서의 1시간 | |
실시예 1 | PM-DMOS | 2.43 | 2.43 |
실시예 2 | DM-DMOS | 2.55 | 2.55 |
실시예 3 | DM-DMOS | 2.56 | 2.56 |
Claims (12)
- 플라즈마 처리에 의해 반도체 기판상에 목적하는(target) 비유전상수를 갖는 실리콘 폴리머 절연막을 형성하는 방법에 있어서,반도체 기판이 배치되어있는 플라즈마 CVD 처리용 반응실 내에 실리콘 함유 탄화수소의 실리콘에 두 개 이하의 알콕시군이 부착되거나 알콕시군이 부착되지 않는 실리콘 함유 탄화수소를 포함하는 재료 가스를 도입하는 단계;상기 재료 가스를 포함하는 반응 가스가 존재하는 상기 반응실 내에서 플라즈마 중합 반응을 활성화시켜, 실리콘 폴리머막을 반도체 기판상에 형성하는 단계; 및,상기 반응실 내에서의 상기 재료 가스의 상주 시간을 실리콘 폴리머막의 비유전 상수가 상기 목적하는 값(target value) 이하로 될 때까지 연장시키기 위해, 상기 반응 가스의 유량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 상주 시간은 상기 비유전 상수를 상기 상주 시간과 상관시킴으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 실리콘 함유 탄화수소 화합물 내에 존재하는 알콕시가 1 내지 3개의 탄소 원자를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘 함유 탄화수소 화합물에 존재하는 탄화수소가 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘 함유 탄화수소 화합물이 1 내지 3개의 실리콘 원자를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘 함유 탄화수소 화합물이 화학식 SiαOα-1R2α-β+2(OCnH2n+1)β을 가지며, 여기서 α는 1 내지 3의 정수, β는 0, 1 또는 2, n은 1 내지 3의 정수, R은 Si에 부착된 C1-6탄화수소인 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 실리콘 함유 탄화수소 화합물이 다음의 화학식으로 표현되는 물질들로 이루어진 화합물군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.,,,,여기서, R1, R2, R3, R4, R5, R6는 독립적으로 CH3, C2H3, C2H5, C3H7또는 C6H5이고, m, n은 1 내지 6의 정수이다
- 제 1항에 있어서,상기 반응 가스의 유량이 상기 실리콘 폴리머막의 비유전 상수가 3.30 미만이 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반응 가스의 상기 상주 시간의 상기 소정값이 상기 반응 가스의 상주 시간과 막의 비유전 상수와의 상관에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반응 가스는, 상기 실리콘 폴리머막에 있어 메탈군과 Si-O-Si 본 구조(bone structure)를 형성하기 위해 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 목적하는 값(target value)은 3.3이하의 비유전상수인 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 상주 시간, Rt는 100msec 이상 인 것을 특징으로 하는 실리콘 폴리머 절연막의 형성방법.여기서, Rt[s] = 9.42x107(Pr·Ts)/(Ps·Tr)rw 2d/F,Pr: 반응실 압력(Pa),Ps: 표준 대기 압력(Pa),Tr: 반응 가스의 평균 온도(K),Ts: 표준 온도 (K),rw: 실리콘 기판의 반지름(m),d: 실리콘 기판과 상위 전극 사이의 공간 (m),F: 반응 가스의 총유량(sccm) 이다.
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KR10-1999-0021184A Expired - Lifetime KR100364054B1 (ko) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 반도체 기판상의 실리콘 폴리머 절연막 및 그 형성방법 |
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WO2010067395A1 (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
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- 1999-06-08 KR KR10-1999-0021184A patent/KR100364054B1/ko not_active Expired - Lifetime
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