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KR100324051B1 - 무전극형광방전램프 - Google Patents

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KR100324051B1
KR100324051B1 KR1019940025231A KR19940025231A KR100324051B1 KR 100324051 B1 KR100324051 B1 KR 100324051B1 KR 1019940025231 A KR1019940025231 A KR 1019940025231A KR 19940025231 A KR19940025231 A KR 19940025231A KR 100324051 B1 KR100324051 B1 KR 100324051B1
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KR
South Korea
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exhaust pipe
lamp
amalgam
indentation
positioning member
Prior art date
Application number
KR1019940025231A
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Inventor
조셉크리스토퍼브로위엑
케네스제임스다운톤
세이드-아므르아메스엘-하맘시
Original Assignee
제이 엘. 차스킨, 버나드 스나이더, 아더엠. 킹
제너럴 일렉트릭 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 제이 엘. 차스킨, 버나드 스나이더, 아더엠. 킹, 제너럴 일렉트릭 캄파니 filed Critical 제이 엘. 차스킨, 버나드 스나이더, 아더엠. 킹
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Abstract

배기관 내에 만입부를 형성하고 램프의 충전 후 램프의 중심에서 떨어져 있는 만입부의 측면에 아말감을 배치하고 유지시키기 위한 도즈 위치 결정 부재를 이용함으로써, 무전극 SEF 램프를 약 4 내지 7 밀리토르의 최적의 범위에 있는 수은 증기압에서 동작시키기 위하여, 무전극 SEF 램프의 배기관 내의 최적의 위치에 아말감이 배치되고 유지된다. 선택적으로, 단일 만입부와 동일한 기능을 수행하지만 더 적은 깊이가 되도록 하기 위하여 배기관의 대향 측면 상에 2개의 만입부를 위치시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 배기관의 단부 처리 후에 배기관 내에 제1 및 제2 만입부 구조가 형성되고, 각 만입부 구조는 하나 또는 두 개의 만입부를 포함한다. 제2 만입부 구조는 배기관의 길이를 따라 제1 만입부 구조로부터 소정 간격을 두고 떨어져 있다. 이러한 방법으로, 아말감은 처음부터 단부 처리 영역으로부터 더 멀리 위치할 수 있으며, 따라서 램프의 수은 감소 또는 응력 균열을 일으킬 수 있는 단부의

Description

무전극 형광 방전 램프
본 발명은 일반적으로 형광 램프에 관한 것으로, 특히 내부의 수은 증기압을 최적으로 제어하기 위하여 솔레노이드 전계 형광 방전 램프 내에 아말감을 정확히 배치하고 유지시키는 것에 관한 것이다. 아말감의 배치와 유지는 램프의 공전을 방해하지 않으며, 더욱이 램프의 동작 동안 램프의 방향과 관계없이 그 배치와 유지가 지속된다.
2537Å 방사를 발생시키고, 형광 램프 내의 형광체 코팅을 여기시키기 위한 최적의 수은 증기압은 수은 온도가 약 40℃일 때 약 6 밀리토르(militorr) 이다. 종래의 관형 형광 램프는 소정 전력 밀도(통상 형광체 단위 면적 당 전력 입력으로 측정되는)로 동작하여 6 밀리토르 또는 그 근방의 수은 증기압(통상 약 4 내지 7밀리 토르의 범위에 있는)에서 램프가 동작하도록 배치된 고정물 내에서 동작한다; 즉, 램프와 고정물은 형광 램프의 최저 온도점이 약 40℃가 되도록 설계된다. 그러나, 무전극 솔레노이드 전계(SEF) 형광 방전 램프를 포함한 콤팩트 형광 램프는 저온점의 온도가 전형적으로 50℃를 넘는 더 높은 전력 밀도에서 동작한다. 그 결과, 수은 증기압은 최적치인 4 내지 7 밀리토르 범위보다 더 높아지고 램프의 발광 출력은 감소하게 된다.
SEF 램프 내의 수은 증기압을 제어하는 한 가지 방법은 온도 조건에 따라 그 양이 변하는 기체 상태의 수은을 흡수할 수 있는 합금을 이용하는 것이다. 수은과 함께 아말감을 형성할 수 있는 합금들이 특히 유용한 것으로 판명되었다. 소정의 온도에서 그러한 아말감의 수은 증기압은 순수한 액체 수은의 수은 증기압보다 낮다.
불행하게도, SEF 램프 내에서 수은 증기압이 최적의 범위에 있도록 하기 위하여 아말감을 정확히 배치하고 유지시키는 것은 어렵다. SEF 램프를 장기간 안정적으로 동작시키기 위해서는, 온도 변화가 최소이면서 비교적 저온인 위치에 아말감이 배치되고 유지되어야 한다. 물론, SEF 램프 내에서 원하는 유익한 효과를 달성하려면, 램프 동작 중뿐만 아니라 램프 공정 및 제조 단계 중에도 아말감이 그 구성과 위치가 유지되어야 한다.
따라서, 램프의 방향에 관계없이 램프의 동작 중뿐만 아니라 램프의 가공 중에도 그 조성과 위치를 유지하며, 최적의 위치에 정확하게 배치되고 적절한 조정의 아말감을 구비한 SEF 램프를 제공하는 것이 바람직하다.
약 4 내지 7 밀리토르의 최적의 범위에 있는 수은 증기압에서 무전극 SEF 램프를 동작시키기 위하여, 램프의 배기관 내에 만입부(indentation, dimple)를 형성하고 램프의 충전 이후에 램프의 중심에서 떨어져 있는 만입부 측면에 아말감을 배치하고 유지시키기 위한 도즈 위치 결정 부재(dose locating member)를 이용함으로써, 아말감은 무전극 SEF 램프의 배기관 내 최적의 위치에 정확하게 배치되고 유지된다. 선택적으로, 단일 만입부와 동일한 기능을 수행하지만 그보다는 덜 깊은 두개의 만입부가 배기관의 대향 측면에 배치될 수 있다.
다른 실시예에서는, 제1 및 제2 만입부 구조가 배기관의 단부 처리(tip-off)이후에 배기관 내에서 형성되며, 각 만입부 구조는 하나 또는 두 개의 만입부를 포함한다. 제2 만입부 구조는 배기관의 길이를 따라 제1 만입부 구조로부터 간격을 두고 떨어져 있다. 이러한 방법으로, 아말감은 처음부터 단부 처리 영역으로부터 떨어져서 위치하며, 이에 따라 아말감의 과잉 가열로 인한 램프의 수은 감소 또는 응력 균열(stress cracks)을 발생시킬 수 있는 단부의칭(quenching) 현상과 같이 배기관의 단부 처리 동안 발생하는 문제들을 피하게 된다. 단부 처리 후, 제2 만입부 구조로 아말감이 밀봉된 배기관의 단부, 즉 배기관의 최저 온도점에 더욱 가까이, 또는 바람직하게는 접촉하여 배치되는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 특징 및 장점들은 첨부된 도면을 참조한 이하의 상세한 설명으로부터 명확하게 될 것이다.
제1도는 전리 가능한 가스형 충전물을 포함하는 엔벨로프(envelope; 12)를 구비한 전형적인 무전극 SEF 형광 방전 램프(10)를 도시한다. 램프(10)에는 공지된방법으로 배기관(20)을 통하여 충전물(fill)이 첨가된다. 일례로 적절한 충전물은 (예를 들어, 크립톤 및/또는 아르곤과 같은) 희귀 기체(rare gas)와 수은 증기 및/또는 카드뮴 증기의 혼합물을 포함한다. 여기 코일(excitation coil; 14)은 엔벨로프(12) 내의 재진입 공동(re-entrant cavity; 16) 내에 위치하며 재진입 공동(16)에서 제거될 수 있다. 예시를 위하여, 램프를 충전시키는 데 이용되는 배기관(20) 주위에 코일(14)이 감겨져 있는 것이 개략적으로 도시되어 있다. 그러나, 원하는 바에 따라서, 코일이 배기관로부터 공간을 두고 분리되어 절연 재료의 코어 주위에 감겨지거나, 단독으로 배치될 수도 있다. 엔벨로프(12)의 내부 표면은 널리 공지된 방법에 따라 적절한 형광체(18)로 코팅된다. 엔벨로프(12)는, 반대편 단부에 에디슨 형과 같은 표준적인 램프 베이스(19)를 구비하고 무선 주파수 전원 (도시되지 않음)을 포함하는 베이스 조립체 (base assembly; 17)의 일 단부에 결합된다. 제1도에는, "베이스하향(base-down)" 또는 "꼭대기부 상향(crown-up)" 상태에 있는 엔벨로프(12)가 도시되어 있다.
동작 중에, 무선 주파수 전원 (도시되지 않음)을 여기시킨 결과로서 코일 (14) 내에 전류가 흐른다. 그 결과, 엔벨로프(12) 내에 무선 주파수 자계가 형성되어 엔벨로프 내부에 포함된 가스형 충전물을 전리시키고 여기시켜서, 환형 방전 (23)을 일으키고 따라서 자외 방사선을 방출하게 된다. 형광체(18)는 자외 방사선을 흡수하여 그 결과 가시 방사선을 방출한다.
본 발명에 따르면, 적절히 구성된 아말감은 SEF 램프 내의 특정 아말감에 대하여 최적의 위치에 정확히 배치되고 유지되며, 램프 방향에 관계없이 램프의 동작중 뿐만 아니라 램프 가공 중에도 아말감은 그 구성과 위치를 유지한다. 각각의 아말감은 약 6 밀리토르의 수은 증기압을 제공하는 고유의 최적 동작 온도 범위를 가진다.
예시적 아말감은 비스무트(bismuth)와 인듐의 화합물을 포함한다. 다른 예시적 아말감은 순수한 인듐을 포함한다. 또 다른 예시적 아말감은 본 명세서에 참고로 인용된 1981년 4월 14일자로 특허가 허여되고 통상적으로 양도된 J. M. 앤더슨 및 P. D. 존슨의 미합중국 특허 제4,262,231호에 기재된 바와 같이 납, 비스무트, 및 주석의 화합물을 포함한다. 또 다른 아말감은 아연, 또는 아연, 인듐, 및 주석의 화합물을 포함할 수 있다.
제2a도는 배기관(20)을 통해 램프가 충전물로 채워지기 전에 꼭대기부 하향 상태에 있는 SEF 램프를 도시한다. 만입부(22)는 배기관(20)의 단부 처리 영역(24)쪽으로 배치된다. 단부 처리 영역은 밀봉된 배기관의 꼭대기에 있는 영역, 또는 배기관을 통하여 램프를 진공으로 만들고 충전시킨 후에 배기관의 단부를 형성하도록 단부 처리된 영역이다.
램프는 공지된 방법으로 배기관(20)을 통하여 배기 및 충전된다. 그 다음, 제2b도에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 유리구를 포함하는, 적절한 크기와 형태의 도즈 위치 결정 부재(30)가 단부 처리 영역에서 개구를 통해 배기관(20) 내로 삽입된다. 만입부(22)의 존재 및 도즈 위치 결정 부재(30)의 크기와 형태에 의하여, 도즈 위치 결정 부재는 재진입 공동(16) 반대편의 만입부 측면 상에 존재하게 된다. 그 다음, 아말감(32)이 단부 처리 영역(24)의 개구를 통하여 배기관(20)로삽입된다. 만입부(22)와 도즈 위치 결정 부재(30)의 결합에 의해 재진입 공동(16) 반대편의 만입부(22) 측면 상의 소정의 위치에 아말감이 배치되고 유지된다. 즉, 아말감(32)의 위치는 램프 동작 동안 수은 증기압이 약 4 내지 7 밀리토르의 최적 범위의 값에 접근하도록 선택된다. 마지막으로, 제2b도에 도시된 바와 같이, 배기관은 아말감(32) 바로 위의 위치에서 단부 처리된다.
제3도는 제2도의 만입부 구조의 다른 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 두 개의 만입부(22a 및 22b)는 배기관(20)의 대향 측면 상에 서로 바로 맞은 편에 배치된다. 만입부(22a 및 22b) 각각은 제2도의 만입부(22)보다 덜 깊게 하는 것이 바람직하지만, 두 만입부가 함께 제2도의 만입부와 동일한 기능을 수행한다. 2개의 만입부를 사용하여 보다 깊은 단일 만입부의 기능을 수행하는 것은, 만입부 형성 동안 유리관 상에 더 적은 응력이 가해지게 되고, 더욱이 유리 튜브 상의 응력의 균형을 이룰 수 있으므로 어떤 램프들에 있어서는 바람직하다.
제4a도 내지 제4c도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 SEF 램프 내에서의 아말감의 배치 및 유지를 도시한다. 제1 만입부(40)는 제2도의 만입부(22) (또는 제3도의 만입부(22a 및 22b))보다 재진입 공동(16)에 더 가까운 위치에서 배기관(20')에 형성된다. 그 다음, 램프는 공지된 방법에 의하여 배기관(20')를 통하여 배기 및 충전된다. 일 실시예에서의 유리구를 포함하는, 적절한 크기와 형태의 도즈 위치 결정 부재(30)는 단부 처리 영역의 개구를 통하여 배기관(20')로 삽입된다. 제1 만입부(40)의 존재 및 도즈 위치 결정 부재(30)의 크기와 형태에 의해 도즈 위치 결정부재(30)가 재진입 공동(16) 반대편의 만입부 측면 상에 존재하게 된다. 그 다음, 아말감(32)이 단부 처리 영역의 개구를 통하여 배기관(20')로 삽입된다. 제1 만입부(40) 및 도즈 위치 결정 부재(30)의 결합으로 인해 아말감이 배기관 내의 제1의 소정 위치 (즉, 재진입 공동(16) 반대편의 제1 만입부(40) 측면 상)에 배치된다. 그 다음에, 제4b도에 도시된 바와 같이, 배기관은 아말감(32)과 배기관의 단부 사이에 공간이 존재하도록 아말감(32) 위의 위치에서 단부 처리된다. 제1의 소정 위치 (즉, 아말감(32)의 위치)는, 아말감의 과잉 가열로 인한 램프의 수은 감소 및 응력 균열을 유발할 수 있는 단부의칭 현상과 같이 배기관의 단부 처리 동안에 발생할 수 있는 문제들을 피하기 위하여 아말감과 배기관의 단부 처리 영역 사이에 충분한 거리가 존재하도록 선택된다. 그 다음, 제4c도에 도시된 바와 같이 SEF 램프를 거꾸로 하여 꼭대기부 상향 또는 베이스 하향 상태로 함으로써, 제2 만입부(42)를 배기관(20')에서 도즈 위치 결정 부재(30)의 바로 위에 형성시킨다. 유리하게도, 두 개의 만입부 구조 (두 만입부 구조 각각은 하나 또는 두 개의 만입부를 포함할 수 있다)를 이용함으로써 배기관의 단부와 아말감이 밀접히 접촉하므로, 배기관 내의 최저 온 위치 또는 그에 매우 근접한 위치에 아말감이 배치될 수 있게 하는 한편, 만일 그렇지 않다면 상기한 바와 같이 단부 처리 동안 아말감의 과잉 가열로 인해 발생될 수 있는 문제들을 피할 수 있다.
도즈 위치 결정 부재(30)는 바람직한 일 실시예에서의 유리구를 포함한다. 유리하게도, 유리구를 배기관 내로 굴려 넣음으로써 유리구가 용이하게 배기관 내에 배치될 수 있다. 그러나, 램프 제조의 응용 및 램프 제조 방법에 따라 도즈 위치 결정 부재의 다른 구조들도 바람직할 수 있다.
제5도는 두 개의 만입부 구조(40' 및 42')가 배기관(120')의 대향 측면에 배치되어 있는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 이러한 방법으로, 원한다면 배기관의 길이를 따라 상호 매우 인접하게 배치되도록 두 개의 만입부 구조를 부분적으로 중첩시킬 수 있다. 또한, 만입부 형성 시 유리 배기관 상의 응력을 감소시키고 균형을 이루도록 하나의 만입부 대신 아크 튜브의 양 측면에 만입부들을 배치하는 것이 바람직할 수 있다.
제6도는 두 개의 만입부 구조가 이용되지만 각 만입부 구조가 배기관(220')의 대향 측면에서 서로 바로 맞은 편에 배치된 두 개의 만입부를 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 도시하고 있다. 특히, 도시된 바와 같이 제1 만입부 구조는 만입부(40a' 및 40b')를 포함하고 제2 만입부 구조는 만입부(42a' 및 42b')를 포함한다.
제7도는 단일 만입부 구조가 이용되지만 적어도 하나의 추가 도즈 위치 결정 부재가 아말감의 다른 편 (즉, 배기관의 단부 쪽)에 이용된 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 예시를 위하여, 제7도는 두 개의 추가 도즈 위치 결정 부재(50 및 52)를 도시한다. 추가 도즈 위치 결정 부재(50 및 52)는 도즈 위치 결정 부재(30)와 함께 배기관(60) 내의 아말감(32)의 위치를 유지시키는 기능을 하는 한편, 또 다른 만입부를 추가하기 위하여 꼭대기부 상향 상태로 램프를 거꾸로 하는 단계를 없앤다.
비록 여기에서 본 발명의 바람직한 실시예들이 도시되고 기술되었지만, 그러한 실시예들은 단지 예시를 위하여 제공된 것임이 명백할 것이다. 다양한 변경, 변화 및 대체가 본 발명으로부터 벗어남이 없이 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 오직 첨부된 특허 청구의 범위의 사상과 범위에 의하여 제한되도록 의도한 것이다.
제1도는 전형적인 무전극 솔레노이드 전계(SEF) 형광 방전 램프의 부분 단면도.
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 일 실시예에 따라 SEF 램프 내에 아말감을 배치하고 유지시키기 위하여 단일 만입부 구조 및 도즈 위치 결정 부재를 이용한 것을 도시하는 부분 단면도.
제3도는 제2a도 및 제2b도의 만입부 구조에 대한 다른 실시예를 도시한 부분단면도.
제4a도, 제4b도 및 제4c도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 SEF 램프 내에 아말감을 배치하고 유지시키기 위하여 도즈 위치 결정 부재와 결합된 제1 및 제 2 만입부 구조를 이용한 것을 도시하는 부분 단면도.
제5도는 제4a도, 제4b도 및 제4c도의 제1 및 제2 만입부 구조를 이용한 다른 실시예를 도시하는 부분 단면도.
제6도는 제1 및 제2 만입부 구조를 이용한 또 다른 실시예를 도시하는 부분단면도.
제7도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시하는 부분 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 무전극 솔레노이드 전계 형광 방전 램프
12 : 엔벨로프 14 : 여기 코일
16 : 재진입 공동 18 : 형광체 코팅
19 : 베이스부 20, 20', 120', 220' : 배기관
22, 22a, 22b, 40, 40a', 40b', 42, 42a', 42b' : 만입부
23 : 환형 방전 24 : 단부 처리 영역
30 : 도즈 위치 결정 부재 32 : 아말감
40', 42' : 만입부 구조 50, 52 : 추가 도즈 위치 결정 부재

Claims (14)

  1. 무전극 형광 방전 램프에 있어서,
    전리 가능한 가스형 충전물을 포함하고, 무선 주파수 자재가 인가되면 아크 방전을 유지하여, 그 결과로서 자외 방사선을 방출하기 위한 광 투과성 엔벨로프 - 상기 엔벨로프는 상기 자외 방사선에 의하여 여기되면 가시 방사선을 방출하기 위한 내부의 형광체 코팅부를 가지며, 내부에 재진입 공동이 형성됨 -;
    상기 재진입 공동 내에 설치되며, 무선 주파수 전원에 의하여 여기되면 상기 무선 주파수 자계를 제공하기 위한 여기 코일;
    상기 재진입 공동을 통하여 상기 엔벨로프로 연장되며, 상기 램프를 배기 및 충전시키기 위한 배기관 - 상기 배기관은 상기 램프의 베이스로 연장하는 베이스부를 가짐 -;
    상기 배기관의 상기 베이스부 내에서 상기 재진입 공동으로부터 소정 거리에 형성된 만입부 구조(dimple configuration);
    상기 배기관과의 단부 사이에서 상기 배기관 내의 소정의 위치에 아말감을 유지시키기 위한 도즈 위치 결정 부재 - 상기 엔벨로프 내의 수은 증기압은 램프 동작동안 약 4 내지 7 밀리토르의 범위 내로 유지됨 -; 및
    상기 아말감 및 상기 배기관의 단부 사이에 배치된 추가 도즈 위치 결정 부재
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도즈 위치 결정 부재는 유리구를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 만입부 구조는 상기 배기관의 한 측면에 단일 만입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  4. 제1항에 있어서, 상기 만입부 구조는 상기 배기관의 대향 측면 상에 형성된 두 개의 만입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  5. 제1항에 있어서, 상기 아말감은 인듐; 비스무트와 인듐의 화합물; 납, 비스무트, 및 주석의 화합물; 아연; 및 아연, 인듐, 및 주석의 화합물로 구성된 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 램프.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도즈 위치 결정 부재 및 상기 추가 도즈 위치 결정 부재는 각각 적어도 하나의 유리구를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  7. 무전극 형광 방전 램프에 있어서,
    전리 가능한 가스형 충전물을 포함하고, 무선 주파수 자계가 인가되면 아크 방전을 유지하여, 그 결과로서 자외 방사선을 방출하기 위한 광 투과성 엔벨로프 -상기 엔벨로프는 상기 자외 방사선에 의하여 여기되면 가시 방사선을 방출하기 위한 내부의 형광체 코팅부를 가지며, 내부에 재진입 공동이 형성됨 -;
    상기 재진입 공동 내에 설치되며, 무선 주파수 전원에 의하여 여기되면 상기 무선 주파수 자계를 제공하기 위한 여기 코일;
    상기 재진입 공동을 통하여 상기 엔벨로프로 연장되며, 상기 램프를 배기 및 충전시키기 위한 배기관 - 상기 배기관은 상기 램프의 베이스로 연장되는 베이스부를 가짐 -;
    상기 배기관의 상기 베이스부 내에서 상기 재진입 공동으로부터 소정 거리에 형성된 만입부 구조;
    상기 배기관의 단부 처리(tip-off) 동안, 상기 도즈 위치 결정 부재와 접촉하여 상기 배기관 내의 아말감을 제1의 소정 위치에 유지시키기 위한 도즈 위치 결정부재 - 상기 제1의 소정 위치는 단부 처리 동안 상기 아말감이 기화되지 않도록 상기 아말감과 상기 배기관의 단부 처리 영역 사이에 충분한 거리를 제공함 -; 및
    상기 아말감은 램프 동작 동안 실질적으로 상기 배기관의 단부 처리의 제2의 소정 위치에 유지되고, 상기 엔벨로프 내의 수은 증기압은 램프 동작 동안 약 4 내지 7 밀리토르의 범위로 유지되도록, 상기 배기관의 상기 베이스부 내에서 상기 재진입 공동으로부터 제2 소정 거리에 형성된 제2 만입부 구조
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  8. 제7항에 있어서, 상기 도즈 위치 결정 부재는 유리구를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2의 소정 위치는 상기 배기관이 단부 처리 후 상기 아말감이 상기 배기관의 단부와 접촉하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 램프.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 만입부 구조는 각각 상기 배기관과 동일한 측면에 형성된 단일 만입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 만입부 구조는 각각 상기 배기관의 대향 측면에 형성된 단일 만입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 만입부 구조는 상기 배기관의 길이를 따라 부분적으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 램프.
  13. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 만입부 구조 중 적어도 하나는 상기 배기관의 대향 측면 상에 서로 바로 맞은 편에 형성된 두 개의 만입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  14. 제7항에 있어서, 상기 아말감은 일듐; 비스무트와 인듐의 화합물; 납, 비스무트, 및 주석의 화합물; 아연; 및 아연, 인듐 및 주석의 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 램프.
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