KR100315839B1 - 활성 에프이티 몸체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 활성 FET 영역을 포함하는 활성 FET 몸체 소자에 있어서,활성 FET 영역은 게이트, 몸체 영역, 상기 게이트와 활성 FET 영역 내에 위치한 상기 몸체 영역 사이의 전기적 접속부를 구비하며,상기 전기적 접속부는 실질적으로 상기 FET 의 폭 전체에 걸쳐 있는활성 FET 몸체 소자.
- 활성 FET 영역을 포함하되, 상기 활성 FET 영역은 게이트, 몸체 영역, 상기 게이트와 상기 활성 FET 영역 내에 위치한 상기 몸체 영역 사이에 전기적 접속부를 구비하며, 상기 전기적 접속부는 실질적으로 상기 FET의 폭 전체에 걸쳐 있는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법에 있어서,반도체 기판, 활성 소자 영역, 격리 영역을 구비하는 구조를 제공하는 단계와,상기 기판 상에 절연 패드 구조를 제공하는 단계와,패드 구조 내에 기판까지 닿는 개구를 규정하여 후속 게이트 접촉부의 모양을 결정하는 단계와,희생 산화물층을 제공하는 단계와,문턱 전압(Vt)을 조절하기 위해 도펀트를 주입하는 단계와,상기 희생 산화물층을 제거하고 게이트 절연체 층을 형성하는 단계와,도핑된 다결정 실리콘 층을 형성하고 상기 도핑된 다결정 실리콘 층을 에칭하여 상기 패드 구조 내의 개구 측벽 상에 도핑된 다결정 실리콘 스페이서를 생성하는 단계와,전도성 장벽 재료, 도핑된 비정질 실리콘, 도핑된 다결정 실리콘으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 부합층을 형성하는 단계와,금속 규화물과 규화물 형성 금속으로 구성된 그룹으로부터 적어도 하나의 재료를 증착(deposit)하되, 상기 재료가 상기 규화물 형성 금속일 때, 상기 규화물형성 금속을 상기 금속과 접촉하고 있는 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘과 반응시켜 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘 상에 금속 규화물을 형성하는 단계와,상기 금속 규화물을 상기 격리 패드 상부에 맞추어 평탄화시키고 상기 도전성 확산 장벽 재료에 의해 경계 지워진 공동을 충진하는 단계와,상기 격리 패드에 의해 보호되지 않은 상기 도핑된 다결정 실리콘, 전도성 확산 장벽 재료, 금속 규화물의 부분을 에칭하는 단계와,상기 격리 패드를 제거하는 단계와,소스 및 드레인 영역을 주입하는 단계를 포함하는활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 부합층이 도핑된 다결정 실리콘을 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 부합층이 상부 층과 하부 층의 두 개의 도핑된 다결정 실리콘 층을 포함하되, 상기 상부층이 상기 하부층보다 더 고도로 도핑된 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 전도체 위에 실리콘 산화물 덮개를 형성하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 실리콘 산화물 덮개를 상기 격리 덮개의 제거에 앞서서 형성하며, CVD 실리콘 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 격리 패드 상부에까지 그것을 평탄화하고 연마하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,무경계 비트 라인 접촉부를 생성하고, 접촉 스터드를 형성하고, 배선 레벨을정의하기 위해 랜딩 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 활성 FET 영역을 포함하되, 상기 활성 FET 영역은 게이트, 몸체 영역, 상기 게이트와 상기 활성 FET 영역 내에 위치한 상기 몸체 영역 사이에 전기적 접속부를 구비하며, 상기 전기적 접속부는 실질적으로 상기 FET 의 폭 전체에 걸쳐 있는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법에 있어서, 상기 방법이반도체 기판, 활성 소자 영역, 격리 영역을 구비하는 구조를 제공하는 단계와,상기 기판 상에 절연 패드 구조를 제공하는 단계와,상기 패드 구조 상에 절연층을 제공하되, 상기 절연층은 그것이 접촉하고 있는 상기 패드 구조의 재료와 다른 재료인 단계와,상기 절연층 및 상기 패드 구조를 통하여 상기 기판에까지 닿는 개구를 정의하여 후속 게이트 접촉부의 모양을 결정하는 단계와,희생 산화물층을 제공하는 단계와,문턱 전압(Vt)을 조절하기 위해 도펀트를 주입하는 단계와,상기 절연 패드 구조의 측벽의 일부를 에칭하여 상기 절연층이 상기 패드 구조에 걸치도록 하는 단계와,상기 희생 산화물층을 제거하는 단계와,게이트 절연체 층을 형성하는 단계와,도핑되지 않은 다결정 실리콘 층을 형성하여 상기 절연 패드 구조 내의 상기 개구를 충진하고 도핑되지 않은 다결정 실리콘 층 내에 공극이 생성되는 단계와,상기 다결정 실리콘 층을 평탄화하고 연마하여 그것을 상기 절연 패드 구조와 동일 평면에 오도록 함으로써 상기 공극을 노출시키는 단계와,상기 공극의 바닥에 위치한 게이트 절연체를 제거하여 그 밑의 상기 기판의 상부 표면을 노출시키는 단계와,실리콘 규화물 형성 금속을 상기 공극의 충진부를 포함하는 상기 구조 위에 형성하는 단계와,상기 금속을 상기 금속과 접촉하고 있는 도핑되지 않은 실리콘과 반응시켜다결정 실리콘 영역 위에 금속 규화물을 형성하는 단계와,비 반응성의 규화물 형성 금속을 선택적으로 제거하는 단계와,상기 다결정 실리콘을 도핑하여 게이트 도전체를 형성하는 단계와,소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 절연 패드 구조의 측벽의 일부를 인산 조성물로 에칭하여 상기 절연층을 상기 구조에 걸쳐지도록 하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 절연 구조를 제거하고 이어서 반응하지 않은 실리콘 규화물 형성 금속을 제거하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 활성 FET 영역을 포함하되, 상기 활성 FET 영역은 게이트, 몸체 영역, 상기 게이트와 상기 활성 FET 영역 내에 위치한 상기 몸체 영역 사이에 전기적 접속부를 구비하며, 상기 전기적 접속부는 실질적으로 상기 FET 의 폭 전체에 걸쳐 있는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법에 있어서,반도체 기판, 활성 소자 영역, 격리 영역을 구비하는 구조를 제공하는 단계와,상기 기판 상에 절연 패드 구조를 제공하는 단계와,상기 패드 구조 상에 절연층을 제공하되, 상기 절연층은 그것이 접촉하고 있는 상기 패드 구조의 재료와 다른 재료인 단계와,상기 기판에까지 닿는 개구를 상기 절연층 및 상기 패드 구조 내에 정의하여 후속 게이트 접촉부의 모양을 결정하는 단계와,희생 산화물층을 제공하는 단계와,문턱 전압(Vt)을 조절하기 위해 도펀트를 주입하는 단계와,상기 절연 패드 구조의 측벽의 일부를 에칭하여 상기 절연층이 상기 패드 구조에 걸치도록 하는 단계와,상기 희생 산화물층을 제거하는 단계와,게이트 절연체 층을 형성하는 단계와,제 1 유형의 불순물로 도핑된 다결정 실리콘 층을 형성하여 상기 절연 패드 구조 내의 상기 개구를 충진하고 상기 다결정 실리콘 층 내에 공극을 생성하는 단계와,상기 다결정 실리콘 층을 평탄화하고 연마하여 그것을 상기 절연 패드 구조와 동일 평면에 오도록 하고 상기 공극을 노출시키는 단계와,상기 공극의 바닥에 위치한 게이트 절연체를 제거하여 상기 기판의 상기 상부 표면을 노출시키는 단계와,상기 제 1 유형과 다른 제 2 유형의 불순물로 약하게 도핑된 얇은 다결정 실리콘 층을 형성하는 단계와,상기 제 1 유형과 다른 제 2 유형의 불순물로 도핑된 제 2 다결정 실리콘 층을 형성하되, 상기 제 1 다결정 실리콘 층의 불순물의 분량이 상기 제 2 다결정 실리콘 층의 그것보다 많은 단계와,상기 다결정 실리콘 층을 평탄화하고 연마하여 그것을 상기 절연 패드 구조와 동일 평면에 오도록 하고 상기 다결정 실리콘 층이 상기 절연 패드 구조의 레벨 아래에 오도록 리세스시키는 단계와,실리콘 규화물 형성 금속을 상기 구조 위에 형성하는 단계와,상기 금속을 상기 금속과 접촉하고 있는 다결정 실리콘과 반응시켜 다결정 실리콘 영역 상에 금속 규화물을 형성하는 단계와,반응하지 않은 규화물 형성 금속을 선택적으로 제거하는 단계와,소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 절연 패드 구조의 측벽의 일부를 인산 조성물로 에칭하여 상기 절연층이 상기 패드 구조에 걸쳐지도록 하는 단계를 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 공극의 측벽에 확산 장벽 층을 제공하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,반응하지 않은 실리콘 규화물 형성 금속을 선택적으로 제거한 다음 실리콘 이산화물층을 형성하는 단계와 그것을 상기 절연 패드 구조의 상부에까지 평탄화하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 절연 패드 구조를 제거하고 이어서 상기 반응하지 않은 실리콘 규화물 형성 금속을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 게이트의 측벽 상에 절연 스페이서를 제공하는 단계를 더 포함하는 활성 FET 몸체 소자 제조 방법.
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JP2000332242A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6221767B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a silicide landing pad |
US6429056B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Dynamic threshold voltage devices with low gate to substrate resistance |
US6555446B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Body contact silicon-on-insulator transistor and method |
US6433371B1 (en) * | 2000-01-29 | 2002-08-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Controlled gate length and gate profile semiconductor device |
US6635552B1 (en) | 2000-06-12 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor constructions |
TW509984B (en) * | 2000-07-24 | 2002-11-11 | United Microelectronics Corp | Manufacture method of metal silicide |
TW501227B (en) * | 2000-08-11 | 2002-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | SOI MOSFET having body contact for preventing floating body effect and method of fabricating the same |
DE10041748A1 (de) * | 2000-08-27 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | SOI-Substrat sowie darin ausgebildete Halbleiterschaltung und dazugehörige Herstellungsverfahren |
US6583460B1 (en) * | 2000-08-29 | 2003-06-24 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a metal to polysilicon contact in oxygen environment |
US6429070B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | DRAM cell constructions, and methods of forming DRAM cells |
US6448131B1 (en) * | 2001-08-14 | 2002-09-10 | International Business Machines Corporation | Method for increasing the capacitance of a trench capacitor |
KR20030070652A (ko) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100483564B1 (ko) * | 2002-05-14 | 2005-04-15 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
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US6803611B2 (en) * | 2003-01-03 | 2004-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Use of indium to define work function of p-type doped polysilicon |
US6964897B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | SOI trench capacitor cell incorporating a low-leakage floating body array transistor |
KR100543004B1 (ko) * | 2003-09-18 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR100574358B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-04-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
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KR100729055B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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KR100729054B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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