KR100257158B1 - 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100257158B1 KR100257158B1 KR1019970030434A KR19970030434A KR100257158B1 KR 100257158 B1 KR100257158 B1 KR 100257158B1 KR 1019970030434 A KR1019970030434 A KR 1019970030434A KR 19970030434 A KR19970030434 A KR 19970030434A KR 100257158 B1 KR100257158 B1 KR 100257158B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- film transistor
- amorphous silicon
- silicon layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 36
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6757—Thin-film transistors [TFT] characterised by the structure of the channel, e.g. transverse or longitudinal shape or doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
- H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
- H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다.
게시된 본 발명은, 게이트 전극이 구비된 하부 기판과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 증착된 게이트 절연층과, 상기 게이트 전극의 소정 부분을 포함하는 게이트 절연층 상부에 형성되는 활성층과, 상기 활성층의 일측과 오버랩되는 소오스와, 상기 채널층의 다층과 오버랩되는 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 활성층은 미세 결정질 실리콘(μc-Si)과 염소가 함유된 비정질 실리콘(a-Si : H(:Cl)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 액정 표시 소자의 박막 트랜지스터(TFT-LCD) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 박막 트랜지스터의 채널 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 소자는 텔레비젼 또는 그래픽 디스플레이 등의 표시소자로서 활발히 사용된다. 그중, 특히 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자는 고속 응답성을 지니고, 높은 화소 개수를 갖는데 알맞으며, 디스플레이 화면의 고 화질화, 대형화, 컬러 화면화 등을 실현하는 것으로서 기대되어, 개발 연구가 진전되고 있다.
이 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자에서, 투명 절연 기판상에 게이트 라인과 드레인 라인 형성되고, 게이트 라인과 드레인 라인이 교차하는 점에는 다이오드나 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자와 화소 전극이 각각 배치, 설계된다.
화소 전극은 스위칭 소자에 의하여 구동이 독립적으로 제어되므로, 화소전극의 고속 구동이 가능하고, 또 고 화소수화나 대 면적화가 가능하다.
여기서, 스위칭 소자로는 급준한 온, 오프 특성을 지니는 박막 트랜지스터가 주로 이용된다.
이러한, 박막 트랜지스터의 전형적인 일 예가 제1도에 도시되어 있다.
제1도를 참조하여 설명하면, 하부 기판(10)상부에 게이트 전극(11)을 형성한후, 게이트 전극(11)을 포함한 기판(10)상에 게이트 절연층(12)을 증착한다.
이어, 활성층으로서, 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si: H, 13)을 게이트 절연층(12)의 상부 전면에 걸쳐 증착한다. 그리고 나서, 수소화된 비정질 실리콘층 상부에 에치 스톱퍼용 절연막을 증착하고, 하부 게이트 전극(11)의 소정 부분을 포함하는 위치에만 존재하도록 패터닝하여, 에치 스톱퍼(14)를 형성한다.
그 후, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층(n+ a-Si : H)을 적층하고, 박막 트랜지스터의 영역을 한정하기 위하여, 도핑된 비정질 실리콘층(n+ a-Si : H,(15)) 및 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si : H,(13))을 패터닝하여, 오믹 접촉층(15)을 형성한다.
다음으로 전체 상부에 소오스/드레인용 금속막을 소정 두께로 증착한 다음, 예정된 전그그이 형태로 소정 부분 패터닝한다. 이때, 에치 스톱퍼(14)가 노출되도록 패턴된 금속막(16) 및 도핑된 비정질 실리콘층(a-Si : H(15))을 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성한다.
그러나, 상술한 바와 같이, 수소화된 비정질 실리콘(이하 a-Si:H)막을 활성층으로 이용할 경우 다음과 같은 문제점이 발생된다.
상기한 수소화된 비정질 실리콘막은 전계 효과 이동도가 비교적 낮고, 광 전기 전도도가 높기 때문에, 백 라이드 조명하에서 광누설 전류가 발생된다. 즉, 광 조사가 이루어지면, 누설 전류가 흐르게 되어, 많은 양의 누설 전류가 발생하게 되는 것이다.
이러한, 낮은 전계 효과 이동도 특성을 방지하기 위하여, 종래의 다른 방법으로 채널층을 미세 결정질 실리콘(μc-Si)으로 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나, 상기한 방법은 전계 효과 이동도는 개선되나, 오프 전류(off-current)가 심하게 발생된다.
이를 방지하고자, 종래의 또 다른 방식으로는, 자기 정렬(Self-Alignment)된 형태의 박막 트랜지스터가 제안되었다.
이 구조는 제2도에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(21)이 형성된 하부 기판(20) 상부에 게이트 절연층(22)을 표면이 평탄하도록 형성한다. 이어서, 평탄화된 게이트 절연층(22) 상부에 상기 게이트 전극(21)을 포함하도록 패널층(23), 바람직하게는 비정질 실리콘층으로 형성한다. 그리고나서, 채널층(23) 상부의 소정 부분에 에치 스톱퍼(25)를 형성하고, 에치 스톱퍼(24) 양 측에 불순물을 주입하여, 오믹 접촉층(25)을 형성한 다음, 이 오믹 접촉층(25)과 콘택되도록 소오스/드레인 전극(26)을 형성한다.
그러나, 상술한 방법은 오프 전류는 방지되나, 백 라이트 조사시, 불투명한 게이트 전극에 의하여 차폐되지 않은 부분에서 광 누설 전류가 발생한다는 또 다른 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전계 효과 이동도를 증가시키고, 오프 누설 전류를 감소시킴과 동시에 백 라이트 조명시 광누설 전류를 감소시키는 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 상기한 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것이다.
제1도는 종래의 기술에 따른 역스테거형 박막 트랜지스터의 단면도.
제2도는 종래의 기술에 따른 완전 자기 정렬형 박막 트랜지스터의 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 단면도.
제4a도는 박막 트랜지스터의 채널층으로 수소화된 비정질 실리콘막을 사용하였을 때의 누설 전류량을 도시한 그래프.
제4b도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 누설 전류량을 도시한 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20, 30 : 하부 기판 11, 21, 31 : 게이트 전극
12, 22, 32 : 게이트 절연막 13, 23, 33 : 활성층
14, 24, 34 : 에치 스토퍼층 15, 25, 35 : 오믹 접촉층
16, 26, 36 : 소오스/드레인 전극 33A : 채널층
상기와 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 게이트 전극이 구비된 하부기판과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 증착된 게이트 절연층과, 상기 게이트 전극의 소정 부분을 포함하는 게이트 절연층 상부에 형성되는 활성층과, 상기 활성층의 일측과 오버랩되는 소오스와, 상기 채널층의 다층과 오버랩되는 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 활성층은 미세 결정질 실리콘(μc-Si)과, 염소가 함유된 비정질 실리콘(a-Si : H(:Cl))이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 게이트 전극이 구비된 하부 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연층 상에 활성층을 형성하는 공정과, 활성층 양 측에 소오스, 드레인을 형성하는 공정을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 공정은, 미세 결정질 실리콘층을 형성하는 공정 및 상기 미세 결정질 실리콘층 상에 염소(Cl)를 포함한 수소화된 비정질 실리콘층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터의 채널층을 전계 효가 이동도가 높은 미세 결정질 실리콘층(μc-Si)과, 광 및 암 전기전도도를 낮추는 특성을 지닌 염소가 함유된 비정질 실리콘층(a-Si : H(:Cl))의 이중 구조로 형성하여, 박막 트랜지스터의 오프 누설 전류를 감소시키고, 백 라이트에 대한 광 누설 전류를 감소시킬 수 있다.
[실시예]
이하 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부된 도면 제3도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 단면도이고, 제4a도는 채널층으로 수소화된 비정질 실리콘막을 사용하였을때의 누설 전류량을 도시한 그래프이고, 제4b도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 누설 전류량을 도시한 그래프이다.
본 발명에 따른 역스테거형 박막 트랜지스터를 제3도를 참조하여 설명하면, 하부 기판(30)상부에 형성된 게이트 전극(31)을 공지의 방식으로 형성한 후, 게이트 전극(31)이 형성된 하부 기판(30) 상부에 게이트 절연층(32), 예를 들어, 실리콘 옥사이드(SiO2)와 옥시 나이트라이드(SiON) 및 실리콘 나이트 라이드(SiNx)의 적층막으로 형성한다.
이어, 게이트 절연층(32) 상부에 본 발명에 따른 채널층(330)을 형성한다. 여기서, 본 발명에 따른 채널층(330)은, 전계 효과 이동도를 증대시킬 수 있는 미세 결정질 실리콘층(μc-Si, 33A)과, 광 및 암 전기 전도도를 낮추는 특성을 지닌 염소가 함유된 비정질 실리콘층(a-Si : H(Cl) :33B)이 순차적을 적층된다.
이때, 염소를 포함한 비정질 실리콘층(a-Si : H(Cl) : 33B)은 SiH2Cl2/SiH4, SiHCl3/SiH4가스 및 SiCl4/SiH4가스와 같은 염소(Cl)가 포함된 혼합 기체를 포함하는 가스 중 선택된 어느 하나의 혼합 가스를 사용하여, 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD)법을 형성함이 바람직하다.
이어서, 게이트 전극(31)을 포함하는 채널층(330) 상부 소정 부분에 공지의 방식에 따라, 에치 스톱퍼층(34)을 형성한다. 그 후에, 하부 기판(30) 결과물 상에 오믹 접촉층(35)으로서, 도핑된 비정질 실리콘층(n+ a-Si : H) 또는 도핑된 미세 결정질 실리콘층(n+ μc-Si)을 형성하고, 박막 트랜지스터의 영역을 한정하기 위하여 오믹 접촉층(35)과, 채널층(330)을 패터닝한다.
다음으로, 전체 상부에 소오스/드레인용 금속막을 소정 두께로 증착한 다음, 예정된 전극의 형태로 소정 부분 패터닝된다. 이때, 에치 스토퍼층(34)이 노출되도록 금속막(36) 및 오믹 접촉층(35)을 소정 부분 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성함으로서, 박막 트랜지스터가 완성된다.
본 실시예에서는, 미세 결정질 실리콘층(μc-Si : 33A)이 활성층에서 채널층 역할을 하여, 박막 트랜지스터의 전계효과 이동도가 한층 더 개선된다.
또한, 광 누설 전류는 채널층 상부에 관계되므로, 수소화된 비정질 실리콘층보다 광 및 암 전기전도도가 낮은, 염소(Cl)가 함유된 비정질 실리콘층(a-Si : H(Cl))을 사용하므로 광 누설 전류를 감소시키게 된다.
또, 상기 염소(Cl)이 함유된 비정질 실리콘층(a-Si : H(Cl))은 염소(Cl)의 함유량에 따라, 수소의 양이 변화되어, 활성층의 전기 전도도를 낮추는 역할을 한다.
제4a도 및 4b도는 각각 종래의 수소화된 비정질 실리콘으로 활성층으로 형성한 경우의 박막트랜지스터와, 본 발명의 따른 이중구조의 활성층을 갖는 박막트랜지스터의 암 및 빛 조사시의 전류 전압 특성을 비교한 그래프이다.
암인 상태(Light Intensity =0)에서의 오프 누설전류를 비교하여 보면, 종래의 박막 트랜지스터에 비하여 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 오프 누설전류가 1/100 정도 작게 나타난다. 이는 비정질 실리콘층이 염소(Cl)를 포함하므로써 전기 전도도가 낮아지기 때문이다. 또한 광이 조사된 상태(light Intensity 〉 0)에서의 광누설 전류를 비교하여 보면, 종래의 경우에 비하여 1/10 정도 작게 나타난다. 즉, 백라이트 조명시의 광 누설전류를 대폭 감소시킬 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명의 박막트랜지스터의 제조 방법은 활성층 형성 공정에 있어서, 채널층으로서 미세 결정질 실리콘을 증착하고 미세 결정질 상부에 비정질 실리콘층을 증착하여 이중 구조의 활성층을 형성한다. 따라서 채널층의 전계효과 이동도를 향상시킬 수 있으며, 채널층 상부의 염소가 함유된 비정질 실리콘층을 사용하여 오프 누설전류 및 광 누설전류를 감소시킬 수 있다.
또한, TFT-LCD 적용시 누설 전류의 감소로 인하여 화면의 깜박거림(fliker)을 방지하므로써, 화면의 질을 향상시킬 수 있으며 고 품질의 TFT-LCD의 제작에 이용할 수 있다.
Claims (6)
- 게이트 전극이 구비된 하부기판과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 증착된 게이트 절연층과, 상기 게이트 전극의 소정 부분을 포함하는 게이트 절연층 상부에 형성되는 활성층과, 상기 활성층의 일측과 오버랩되는 소오스와, 상기 채널층의 다층과 오버랩되는 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 활성층은 미세 결정질 실리콘(μc-Si)과, 염소가 함유된 비정질 실리콘(a-Si : H(:Cl))이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 미세 결정질 실리콘층은 활성층내의 채널층으로 동작되어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 염소를 포함한 비정질 실리콘층의 염소의 양에 따라 비정질 실리콘층 내의 수소량을 변화시켜 전기 전도도를 낮추는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 게이트 전극이 구비된 하부 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연층 상에 활성층을 형성하는 공정과, 활성층 양 측에 소오스, 드레인을 형성하는 공정을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 공정은, 미세 결정질 실리콘층을 형성하는 공정 및 상기 미세 결정질 실리콘층 상에 염소(Cl)를 포함한 수소화된 비정질 실리콘층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 염소를 포함한 비정질 실리콘층은 플라즈마 인가 화학 기상 증착(PECVD)법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 염소를 포함한 비정질 실리콘층은 SiH2Cl2/SiH4, 가스, SiHCl3/SiH4가스 및, SiCl4/SiH4가스와 같은 염소(Cl)를 포함하는 가스중 선택되는 하나의 가스를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970030434A KR100257158B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| TW087110034A TW376588B (en) | 1997-06-30 | 1998-06-22 | Thin film transistor |
| JP18343898A JPH11121761A (ja) | 1997-06-30 | 1998-06-30 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970030434A KR100257158B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990006212A KR19990006212A (ko) | 1999-01-25 |
| KR100257158B1 true KR100257158B1 (ko) | 2000-05-15 |
Family
ID=19513100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970030434A Expired - Lifetime KR100257158B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121761A (ko) |
| KR (1) | KR100257158B1 (ko) |
| TW (1) | TW376588B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101484297B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 표시장치의 제작방법 |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848557B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101090252B1 (ko) | 2004-09-24 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
| JP5364293B2 (ja) | 2007-06-01 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法およびプラズマｃｖｄ装置 |
| JP5331389B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US8921858B2 (en) | 2007-06-29 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9176353B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8334537B2 (en) * | 2007-07-06 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7998800B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7738050B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
| TWI521292B (zh) * | 2007-07-20 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| TWI456663B (zh) * | 2007-07-20 | 2014-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置之製造方法 |
| JP2009049384A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7897971B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7633089B2 (en) | 2007-07-26 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device provided with the same |
| US8330887B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US8786793B2 (en) | 2007-07-27 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP5395382B2 (ja) | 2007-08-07 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
| US9054206B2 (en) | 2007-08-17 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2009071289A (ja) | 2007-08-17 | 2009-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP5058909B2 (ja) | 2007-08-17 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜トランジスタの作製方法 |
| US8101444B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8349671B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing thin film transistor and display device |
| JP5395384B2 (ja) | 2007-09-07 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP5503857B2 (ja) | 2007-09-14 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP5371341B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2013-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動方式の表示装置 |
| US20090090915A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same |
| JP5311957B2 (ja) | 2007-10-23 | 2013-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| JP5311955B2 (ja) | 2007-11-01 | 2013-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US8591650B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming crystalline semiconductor film, method for manufacturing thin film transistor, and method for manufacturing display device |
| KR101523353B1 (ko) | 2007-12-03 | 2015-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막트랜지스터 및 반도체 장치 |
| TWI481029B (zh) * | 2007-12-03 | 2015-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US8187956B2 (en) | 2007-12-03 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film |
| JP5395415B2 (ja) | 2007-12-03 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| US7910929B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5527966B2 (ja) | 2007-12-28 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ |
| JP5235454B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP5538641B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ |
| US8247315B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| US7821012B2 (en) * | 2008-03-18 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
| US8039842B2 (en) * | 2008-05-22 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and display device including thin film transistor |
| US8227278B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing thin film transistor and display device |
| KR20100067612A (ko) | 2008-12-11 | 2010-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 |
| WO2010067698A1 (en) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and display device |
| KR101064402B1 (ko) * | 2009-01-12 | 2011-09-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| US8258025B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and thin film transistor |
| US9177761B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus, method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5096437B2 (ja) | 2009-09-28 | 2012-12-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101763126B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8598586B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP5709579B2 (ja) | 2010-03-02 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 微結晶半導体膜の作製方法 |
| JP2011216864A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Canon Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| TWI512981B (zh) | 2010-04-27 | 2015-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 微晶半導體膜的製造方法及半導體裝置的製造方法 |
| US8704230B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9230826B2 (en) | 2010-08-26 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI538218B (zh) | 2010-09-14 | 2016-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 薄膜電晶體 |
-
1997
- 1997-06-30 KR KR1019970030434A patent/KR100257158B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-22 TW TW087110034A patent/TW376588B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-30 JP JP18343898A patent/JPH11121761A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101484297B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 표시장치의 제작방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW376588B (en) | 1999-12-11 |
| KR19990006212A (ko) | 1999-01-25 |
| JPH11121761A (ja) | 1999-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100257158B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| TWI749565B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
| US5913113A (en) | Method for fabricating a thin film transistor of a liquid crystal display device | |
| KR101675114B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US6180438B1 (en) | Thin film transistors and electronic devices comprising such | |
| JPH06326312A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| US6124153A (en) | Method for manufacturing a polysilicon TFT with a variable thickness gate oxide | |
| KR100272272B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| JPH08160464A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US5970325A (en) | Thin-film switching device having chlorine-containing active region and methods of fabrication therefor | |
| JPH08116067A (ja) | 半導体装置，表示装置，表示装置の製造方法 | |
| JPH09321305A (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| US6057182A (en) | Hydrogenation of polysilicon thin film transistors | |
| TW560001B (en) | Method of forming reflective liquid crystal display and driving circuit | |
| KR100539583B1 (ko) | 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터제조 방법 | |
| KR100241809B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20040050768A (ko) | 구동회로 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| CN114823912B (zh) | 薄膜晶体管、其制作方法及显示面板 | |
| KR100195253B1 (ko) | 다결정실리콘-박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100494705B1 (ko) | 액정표시소자의 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR100290777B1 (ko) | 액정표시소자에서의 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPH09153621A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法と、それを用いた液晶表示装置 | |
| KR100926099B1 (ko) | 액정표시패널의 제조 방법 | |
| KR100790934B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR100328848B1 (ko) | 박막트랜지스터의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19970630 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19970828 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19970630 Comment text: Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19991129 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20000228 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20000229 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20021227 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20031217 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20041216 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060104 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070126 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080110 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090119 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100127 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101216 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20111229 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130107 Year of fee payment: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130107 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140116 Year of fee payment: 15 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140116 Start annual number: 15 End annual number: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 16 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150116 Start annual number: 16 End annual number: 16 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160115 Start annual number: 17 End annual number: 17 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 18 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170119 Start annual number: 18 End annual number: 18 |
|
| PC1801 | Expiration of term |