KR0179404B1 - 세라믹기판과 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (43)
- 기둥형상돌기물을 형성하는 그린시트에 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 뚫는 공정과, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트 조성물에 의해서 메우는 공정과, 상기 그린시트를 최상층으로 하고, 하층을 기판구성용 그린시트로 해서, 상기의 2종의 그린시트를 적층하고, 상기 그린시트적층체를 상기 돌기물형성용 그린시트가 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 그후최상층을 제거하고, 기둥형상돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 기둥형상돌기물을 형성하는 그린시트에 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 뚫는 공정과, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트조성물에 의해서 메우는 공정과, 상기 그린시트를 최상층으로 하고, 하층을 기판구성용 그린시트로 해서, 상기의 2종의 그린시트를 적층하고, 상기 적층체를 공기 중에서 다층체 내부의 유기바인더가 분해·비산하는 온도에서 열처리하고, 그후, 수소 혹은 질소의 혼합가스 분위기 속에서 환원처리를 행하고, 또, 상기 환원열처리완료 적층체를 질소 분위기 속에서 상기 돌기물형성용 그린시트가 소결하지 않는 온도에서 소결시키고, 그후, 최상층을 제거하고, 기둥형상돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 적어도 유기바인더, 가소제를 함유하는 글래스·세라믹으로 이루어진 그린시트를 기판구성용 그린시트로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기판구성용 그린시트의 소결온도에서는 소결하지 않는 무기성분을 주성분으로 하는 그린시트를 기둥형상돌기물형성용 그린시트로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기둥형상돌기물형성용 그린시트를 최상층으로서 1층 또는 복수적층하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기둥형상돌기물형성용 그린시트를 기판구성용 그린시트의 한쪽 면 또는 양면에 적층하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기판구성용 그린시트에 도체페이스트에 의해서 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 무기성분을 주성분으로 하는 그린시트가, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 그린시트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 소성완료세라믹기판의 최상층에 무기성분을 주성분으로 하는 페이스트조성물에 의해서 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 형성하는 층을 패턴인쇄하고, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트조성물에 의해서 메우고, 그후, 상기 구멍형성용 페이스트조성물이 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 상기 구멍형성층을 제거하고, 돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 소성완료세라믹기판이 전기적 회로를 이루는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 소성완료세라믹기판 위에 무기조성물을 페이스트조성물에 의해서 인쇄하고, 상기 페이스트층의 최상층에 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 형성하기 위한 패턴을 인쇄하고, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트조성물에 의해서 메우고, 그후 상기 구멍형성용 페이스트조성물이 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 상기 구멍형성층을 제거하고, 기둥형상돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 기판형성용 무기페이스트층에 전기적 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 소성완료세라믹기판 위에 무기조성물을 페이스트조성물에 의해서 인쇄하고, 또 산화제 2구리를 주성분으로 하는 도체페이스트에 의해서 전기적 패턴을 상기 무기조성페이스트층 위에 형성하고, 상기 공정을 1회 또는 수회반복하고, 상기 무기조성페이스트층과 산화 제2구리페이스트층과의 적층체의 최상층에 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 형성하기 위한 패턴을 인쇄하고, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트에 의해서 메우고, 공기 중에서 상기 구멍메우기 후의 적층체내부의 유기바인더가 분해 비산하는 온도에서 열처리하고, 그후, 수소 흑은 질소의 혼합가스 분위기 속에서 환원처리를 행하고 또, 상기 환원열처리완료 적층체를 질소 분위기 속에서 소결시키고, 그후, 상기 구멍형성용 페이스트조성물이 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 상기 구멍형성용층을 제거하고, 기둥형상돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 기판구성용 그린시트를 소망매수 적층하고, 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 형성하기 위한 패턴을 인쇄하고, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트조성물에 의해서 메우고, 그후 상기 구멍형성용 페이스트조성물이 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 그후, 최상층을 제거하고, 돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 기판구성용 그린시트에 산화제 2구리를 주성분으로 하는 도체페이스트에 의해서 전기적 패턴을 형성하고 상기 그린시트를 소망매수 적층하고, 상기 적층체의 최상층에 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 기판구성용 그린시트에 형성된 비어홀의 직경보다도 큰 직경을 가지는 구멍을 형성하기 위한 패턴을 인쇄하고, 상기 구멍을 돌기물형성용 도체페이스트 조성물에 의해서 메우고, 공기 중에서 상기 구멍메우기 후의 적층체내부의 유기바인더가 분해·비산하는 온도에서 열처리하고, 그후, 수소 혹은 질소의 혼합가스 분위기 속에서 환원처리를 행하고, 또, 상기 환원열처리완료 적층체를 질소 분위기 속에서 소결시키고, 그후 상기 구멍형성용 페이스트조성물이 소결하지 않는 온도에서 소성하고, 상기 구멍형성층을 제거하고, 기둥형상돌기물을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 1회 또는 수회 인쇄하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 기판구성용 그린시트의 한쪽 면 또는 양면에 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 구멍형성용 페이스트조성물이 무기성분을 주성분으로 하고, 그 조성이, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu, CuO2를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 기판 내에 형성된 비어홀의 직경보다도 사이즈가 큰 직경을 가지는 돌기전극형성용 페이스트로 형성된 복수의 소결된 돌기전극을 다른 기판의 실장 면에 가진 것을 특징으로 하는 세라믹기판.
- 제21항에 있어서, 상기 돌기전극을 다른 기판의 실장 면에 그리드형상으로 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 세라믹기판.
- 제21항에 있어서, 전자장치를 기판 위에 1개 또는 복수개 가진 것을 특징으로 하는 세라믹기판.
- 제2항에 있어서, 적어도 유기바인더, 가소제를 함유하는 글래스·세라믹으로 이루어진 그린시트를 기판구성용 그린시트로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 기판구성용 그린시트의 소결온도에서는 소결하지 않는 무기성분을 주성분으로 하는 그린시트를 기둥형상돌기물형성용 그린시트로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 기둥형상돌기물형성용 그린시트를 최상층으로서 1층 또는 복수적층하는 것을특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 기둥형상돌기물형성용 그린시트를 기판구성용 그린시트의 한쪽 면 또는 양면에 적층하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 기판구성용 그린시트에 도체페이스트에 의해서 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 무기성분을 주성분으로 하는 그린시트가, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 그린시트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 1회 또는 수회 인쇄하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제15항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 기판구성용 그린시트의 한쪽 면 또는 양면에 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 구멍형성용 페이스트조성물이 무기성분을 주성분으로 하고, 그 조성이, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu, CuO2를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 1회 또는 수회 인쇄하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 구멍형성용 페이스트조성물이 무기성분을 주성분으로 하고, 그 조성이, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제15항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu, CuO2를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 1회 또는 수회 인쇄하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 구멍형성용 페이스트조성물이 무기성분을 주성분으로 하고, 그 조성이, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, BN 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 돌기물형성용 도체페이스트가 Ag, Ag/Pd, Ag/Pt, Cu를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제15항에 있어서, 구멍형성용 페이스트층을 구멍형성용 페이스트조성물에 의해서 1회 또는 수회 인쇄하는 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
- 제15항에 있어서, 구멍형성용 페이스트조성물이 무기성분을 주성분으로 하고, 그 조성이, Al203, MgO, ZrO2, TiO2, BeO, Bn 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹기판의 제조방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2025005457A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
WO2025005462A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
WO2025005463A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143421A (en) * | 1992-09-17 | 2000-11-07 | Coorstek, Inc. | Electronic components incorporating ceramic-metal composites |
DE4400532C1 (de) * | 1994-01-11 | 1995-03-23 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Flüssigkontakten in Kontaktlöchern |
JPH07221104A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法 |
US5539153A (en) * | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Hewlett-Packard Company | Method of bumping substrates by contained paste deposition |
US6033764A (en) * | 1994-12-16 | 2000-03-07 | Zecal Corp. | Bumped substrate assembly |
US6709749B1 (en) * | 1995-06-06 | 2004-03-23 | Lamina Ceramics, Inc. | Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a substrate |
WO1996039298A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-12 | Sarnoff Corporation | Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a support |
DE19541976A1 (de) * | 1995-11-10 | 1997-05-15 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Elektrische Schaltung |
JP2751912B2 (ja) * | 1996-03-28 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE19634646A1 (de) * | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Pac Tech Gmbh | Verfahren zur selektiven Belotung |
JPH10107440A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック基板及びその製造方法 |
JP3570599B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2004-09-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電素子およびその製造方法 |
US6230963B1 (en) | 1997-01-28 | 2001-05-15 | Eric L. Hertz | Method and apparatus using colored foils for placing conductive preforms |
US6202918B1 (en) | 1997-01-28 | 2001-03-20 | Eric Hertz | Method and apparatus for placing conductive preforms |
US6427903B1 (en) | 1997-02-06 | 2002-08-06 | Speedline Technologies, Inc. | Solder ball placement apparatus |
US6056190A (en) * | 1997-02-06 | 2000-05-02 | Speedline Technologies, Inc. | Solder ball placement apparatus |
US6641030B1 (en) | 1997-02-06 | 2003-11-04 | Speedline Technologies, Inc. | Method and apparatus for placing solder balls on a substrate |
US6162661A (en) * | 1997-05-30 | 2000-12-19 | Tessera, Inc. | Spacer plate solder ball placement fixture and methods therefor |
JP3889856B2 (ja) | 1997-06-30 | 2007-03-07 | 松下電器産業株式会社 | 突起電極付きプリント配線基板の製造方法 |
US5904502A (en) * | 1997-09-04 | 1999-05-18 | International Business Machines Corporation | Multiple 3-dimensional semiconductor device processing method and apparatus |
US5924003A (en) * | 1997-11-14 | 1999-07-13 | Kinetrix, Inc. | Method of manufacturing ball grid arrays for improved testability |
US6117367A (en) * | 1998-02-09 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Pastes for improved substrate dimensional control |
US6300254B1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-10-09 | Tessera, Inc. | Methods of making compliant interfaces and microelectronic packages using same |
US5923955A (en) * | 1998-05-28 | 1999-07-13 | Xerox Corporation | Fine flip chip interconnection |
JP4151136B2 (ja) | 1998-06-15 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 基板および半導体装置とその製造方法 |
DE19842276A1 (de) * | 1998-09-16 | 2000-03-30 | Bosch Gmbh Robert | Paste zum Verschweißen von Keramiken mit Metallen und Verfahren zur Herstellung einer Schweißverbindung |
JP3771099B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2006-04-26 | 松下電器産業株式会社 | グリーンシート及びその製造方法、多層配線基板の製造方法、両面配線基板の製造方法 |
US6376054B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in |
US6047637A (en) * | 1999-06-17 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Method of paste printing using stencil and masking layer |
US6361735B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-03-26 | General Electric Company | Composite ceramic article and method of making |
KR100315751B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2001-12-12 | 송재인 | 저온 소성 세라믹 다층기판 |
JP4795602B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2011-10-19 | 京セラキンセキ株式会社 | 発振器 |
DE10035170B4 (de) * | 2000-07-19 | 2005-11-24 | Siemens Ag | Keramikkörper mit Temperiervorrichtung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung des Keramikkörpers |
US7506438B1 (en) * | 2000-11-14 | 2009-03-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Low profile integrated module interconnects and method of fabrication |
EP1389897A1 (en) * | 2001-04-24 | 2004-02-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Printed circuit board, its manufacturing method, and csp manufacturing methdo |
JP4034073B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2008-01-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
KR20030050396A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 오리온전기 주식회사 | 저온 동시 소성 세라믹 모듈 제조 방법 |
KR20040051961A (ko) * | 2002-12-13 | 2004-06-19 | 삼화전자공업 주식회사 | 태양전지용 기판 및 그 제조방법 |
CN1753840A (zh) * | 2003-02-25 | 2006-03-29 | 肖特股份公司 | 抗菌的硼硅酸盐玻璃 |
US7378049B2 (en) * | 2003-12-08 | 2008-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate and electronic component module using ceramic substrate |
JP3972957B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品を搭載したセラミック基板の製造方法 |
JPWO2006035528A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-15 | 株式会社村田製作所 | スタックモジュール及びその製造方法 |
CN1906715B (zh) * | 2004-12-20 | 2010-06-16 | 株式会社村田制作所 | 层压陶瓷电子元件及其制造方法 |
WO2008004423A1 (fr) * | 2006-06-15 | 2008-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Carte de câblage ayant un conducteur en forme de colonne et son procédé de fabrication |
US7782629B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-24 | Flextronics Ap, Llc | Embedding an electronic component between surfaces of a printed circuit board |
JP4361572B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2009-11-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置及び方法 |
EP2184960B1 (en) * | 2007-09-06 | 2012-08-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Circuit board and method for manufacturing circuit board |
JP4337950B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-09-30 | 株式会社村田製作所 | 回路基板の製造方法 |
US8210424B2 (en) * | 2010-09-16 | 2012-07-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Soldering entities to a monolithic metallic sheet |
WO2015048808A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Wolf Joseph Ambrose | Silver thick film paste hermetically sealed by surface thin film multilayer |
KR102019794B1 (ko) * | 2017-06-29 | 2019-09-09 | 주식회사 디아이티 | 프로브 핀의 내구성 강화를 위한 스페이스 트랜스포머 및 그의 제조 방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4461077A (en) * | 1982-10-04 | 1984-07-24 | General Electric Ceramics, Inc. | Method for preparing ceramic articles having raised, selectively metallized electrical contact points |
JPS61188942A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | はんだ接続体及びその形成方法 |
US5130067A (en) * | 1986-05-02 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Method and means for co-sintering ceramic/metal mlc substrates |
JPH02148789A (ja) * | 1988-03-11 | 1990-06-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子回路基板 |
JPH01293539A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置におけるバンプの形成方法 |
JPH0292936A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Kuraray Co Ltd | 透明樹脂または透明成形品の製造方法 |
JP2680443B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1997-11-19 | 株式会社東芝 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
US5085720A (en) * | 1990-01-18 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies |
WO1991011307A1 (en) * | 1990-01-25 | 1991-08-08 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method of and material for forming thick filmy pattern |
JP2590450B2 (ja) * | 1990-02-05 | 1997-03-12 | 株式会社村田製作所 | バンプ電極の形成方法 |
JP3154713B2 (ja) * | 1990-03-16 | 2001-04-09 | 株式会社リコー | 異方性導電膜およびその製造方法 |
EP0516866A1 (en) * | 1991-05-03 | 1992-12-09 | International Business Machines Corporation | Modular multilayer interwiring structure |
JP3203731B2 (ja) * | 1992-02-05 | 2001-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子基板および実装方法、柱状端子付き基板およびその製造方法 |
JP2601128B2 (ja) * | 1992-05-06 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板 |
EP0613609A1 (en) * | 1992-09-24 | 1994-09-07 | Hughes Aircraft Company | Dielectric vias within multilayer 3-dimensional structures/substrates |
-
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-
1995
- 1995-02-24 US US08/393,732 patent/US5525402A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2025005457A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
WO2025005462A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
WO2025005463A1 (ko) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | (주) 알엔투테크놀로지 | 세라믹 회로 기판, 그 제조방법, 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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