KR0135461B1 - 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로 - Google Patents
높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로Info
- Publication number
- KR0135461B1 KR0135461B1 KR1019940038792A KR19940038792A KR0135461B1 KR 0135461 B1 KR0135461 B1 KR 0135461B1 KR 1019940038792 A KR1019940038792 A KR 1019940038792A KR 19940038792 A KR19940038792 A KR 19940038792A KR 0135461 B1 KR0135461 B1 KR 0135461B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- output
- amplifier
- circuit
- inverting terminal
- amplifying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
본 발명은 예컨대 실리콘 압력센서등과 같이 출력 임피던스가 높은 회로 또는 장치로부터 출력되는 미세한 신호를 소정레벨의 작정신호로 증폭하여 출력할 수 있도록 된 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로에 관한 것으로, 그 내부에 반전단자를 통한 궤환저항을 구비함과 더불어 비반전단자가 장치의 두 입력단자 가운데 그 일측에 접속된 제1연산증폭수단과; 입력전원을 소정 비율로 분압하여 상기 제1연산증폭수단의 비단전단자로 인가함으로써 이 제1연산증폭수단의 이득 특성을 보정하는 이득 특성 보정수단; 및 상기 제1연산증폭수단의 출력전위를 반전단자로, 상기 입력단자의 나머지 일측 단자로 인가되는 전위를 비반전단자로 각각 입력받아 이 두단자를 통해 인가되는 신호를 증폭하여 출력하는 제2연산증폭수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
Description
제1도는 본 발명의 1 실시예에 따른 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로의 내부구성을 나타낸 회로구성도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
P : 브리지 타입 실리콘 압력센서A1 : 제 1 증폭기
A2 : 제 2 증폭기1 : 저항 분압 회로
R1 - R7 : 저항C : 캐패시터
본 발명은 증폭회로에 관한 것으로, 특히 예컨대 실리콘 압력센서등과 같이 출력 임피던스가 높은 회로로부터 출력되는 미세한 신호를 소정레벨의 적정 신호로 증폭하여 출력할 수 있도록 된 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로에 관한 것이다.
출력 임피던스(output impedence)가 높은 회로로부터 출력되는 전기적 신호를 증폭하기 위해서는 임피던스 매칭을 감안하여 입력 임피던스가 충분히 큰 증폭회로를 사용하여야 한다.
예컨대 브리지 타입 실리콘 압력센서의 경우에는 외부로부터 작용하는 압력에 대하여 그 내부에 브리지 회로를 형성하고 있는 저항의 저항성분이 변화됨으로써 가해진 압력에 상응하는 전기적 신호를 출력하도록 되어 있는 바, 상기한 브리지 회로를 구성하고 있는 저항의 저항값은 상당히 크기 때문에 이 압력센서 자체의 출력 임피던스 역시 상당히 높게 마련이다.
따라서, 일반적으로 사용되는 증폭회로를 이용하여 증폭을 하게 되면 임피던스 매칭이 이루어지지 않는 이유로 사용자가 원하는 증폭효과를 얻을 수 없게 되는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 사실을 감안하여 창출된 것으로서, 출력 임피던스가 높은 회로로부터 출력되는 미세한 신호를 적정 레벨의 소정신호로 증폭하여 출력할 수 있도록 된 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로는, 입력전원을 소정 비율로 분압하여 출력하는 전압 분압회로, 상기 전압 분압회로에서 출력되는 전원은 반전 단자로 인가받고, 압력 센서의 출력을 비반전 단자로 입력받는 제 1 증폭기, 상기 제 1 증폭기의 출력전위를 반전단자로, 상기 압력 센서의 출력을 비반전 단자로 각각 입력받아 이 두 단자를 통해 인가되는 신호를 증폭하여 출력하는 제 2 증폭기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기한 구성으로 된 본 발명에 의하면 예컨대 실리콘 압력센서 등과 같이 출력 임피던스가 높은 회로로부터 출력되는 미세한 신호를 사용자가 원하는 적정 레벨의 소정 신호로 증폭하여 출력할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
제1도는 본 발명의 1 실시예에 따른 높은 입력 임피던스를 갖는 중폭회로의 내부 구성을 나타낸 회로구성도로, 도면에서 참조부호 P 는 외부로부터 작용되는 물리적인 압력을 소정 전기적 신호롤 변환하여 출력하는 브리지 타입 실리콘 압력센서이고, A1 과 A2 는 이 압력센서(P)로부터 출력되는 신호를 각각 자체의 비반전 단자(+)로 입력받아 이를 소정 레벨로 증폭하는 제 1, 제 2 증폭기이다.
참조번호 1은 이 증폭기(A1,A2)의 반전 단자(-)로 인가되는 전압을 소정 레벨로 분압하는 저항 분압회로로서, 이 저항 분압회로(1)는 저항 R3과 함께 상기 제1 증폭기(A1)의 이득특성(gain)을 보정하기 위한 보정회로이다.
또한, 참조부호 R5와 R6 및 R6 과 R7은 각각 제 1, 제 2 증폭기(A1,A2)의 이득을 조정하기 위한 저항이고, C는 상기 제 2 증폭기(2)로부터 출력되는 신호내에 포함되어 있는 고주파 성분을 바이패스시키기 위한 고주파 캐패시터이다.
이어 상기한 구성으로 된 장치의 동작을 설명한다.
상기 브리지 타입 실리콘 압력센서(P)의 출력단자(a, b)로부터 외부압력에 상응하는 미세한 전압신호가 출력되게 되면, 이 신호는 각각 제 1, 제 2 증폭기(A1,A2)의 비반전단자(+)로 입력되게 된다.
한편 제 1 증폭기(A1)은 앞서 설명한 바와 같이, 저항 분압회로(1)에 의해 분압된 입력전원을 그 비반전 단자(-)로 입력받게 되는 바, 이때, 이 제 1 증폭기(A1)의 출력전압 Vc는가 된다.
또한, 상기 제 2 증폭기(A2)의 그 반전단자(-)에는 상기 제 1 증폭기(A1)의 출력신호(Vc)가, 비반전단자(+)로는 상기 실리콘 압력센서(P)의 출력전위(Vb)를 각각 입력받게 되는 바, 따라서 이 제 2 증폭기(A2)의 출력전압(Vout)은
가 된다.
즉, 상기 실시예에 의하면 R6 과 R7의 저항값을 조정함으로써, 실리콘 압력센서(P)로부터 출력되는 미세 전압신호에 대하여 적정한 이득 특성을 갖는 증폭회로를 실현할 수 있게 된다.
한편 상기 증폭회로는 그 입력 임피던스가 상당히 크기 때문에 내부의 저항값을 적절히 조정하게 되면 상기 실리콘 압력센서(P)의 높은 출력 임피던스에 대하여 큰 어려움없이 임피던스 매칭을 이룰 수있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형실시할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 출력 임피던스가 높은 회로 또는 장치로부터 출력되는 미세한 신호에 대하여 이를 소정레벨의 적정한 신호로 증폭하여 출력할 수 있도록 된 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로를 실현할 수 있게 된다.
Claims (1)
- 입력전원을 소정 비율로 분압하여 출력하는 전압 분압회로(1), 상기 전압 분압회로(1)에서 출력되는 전원은 반전 단자(-)로 인가받고, 압력센서(P)의 출력을 비반전 단자(+)로 입력받는 제 1 증폭기(A1),상기 제 1 증폭기(A1)의 출력전위를 반전단자(-)로, 상기 압력 센서(P)의 출력을 비반전 단자(+)로 각각 입력받아 이 두 단자를 통해 인가되는 신호를 증폭하여 출력하는 제 2 증폭기(A2)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038792A KR0135461B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038792A KR0135461B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960027252A KR960027252A (ko) | 1996-07-22 |
| KR0135461B1 true KR0135461B1 (ko) | 1998-05-15 |
Family
ID=19405018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940038792A Expired - Fee Related KR0135461B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0135461B1 (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940038792A patent/KR0135461B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960027252A (ko) | 1996-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1995027332A1 (en) | Fixed and adjustable bandwidth translinear input amplifier | |
| JPS626722Y2 (ko) | ||
| US2618711A (en) | Phase inverter amplifier | |
| KR0135461B1 (ko) | 높은 입력 임피던스를 갖는 증폭회로 | |
| JPH0634246B2 (ja) | 時定数可変形の微分器 | |
| JP3179838B2 (ja) | ノイズ検出回路 | |
| KR940000264B1 (ko) | 이득 조정회로 | |
| US5621350A (en) | Circuit for amplifying a weak dircet voltage signal | |
| KR880004159Y1 (ko) | 브리지 앰프를 사용한 두신호 증폭회로 | |
| JPS5942899B2 (ja) | 制御信号発生回路 | |
| JPS6340904Y2 (ko) | ||
| JPS58213568A (ja) | ビデオ・クランプ補正回路 | |
| JPH0614499Y2 (ja) | 電子ボリユ−ムバツフア回路 | |
| JPH0552677A (ja) | ホイートストンブリツジ型ロードセルの励振回路 | |
| JPH08313575A (ja) | 方形波−電圧変換回路 | |
| KR950001085Y1 (ko) | 아날로그/디지탈 측정장치 | |
| JPH0567930A (ja) | 電圧増幅回路 | |
| JPS5926673Y2 (ja) | ノイズ除去回路 | |
| JPH04172804A (ja) | 増幅装置 | |
| JPH0495406A (ja) | 差仂増巾回路 | |
| JPS5922409A (ja) | 増幅器 | |
| JPH04116421U (ja) | 平衡直流増幅器 | |
| JPH033407B2 (ko) | ||
| JPH04330816A (ja) | 振幅制限回路 | |
| JPH03241904A (ja) | 定電流出力アンプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19941229 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19941229 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19970530 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19971031 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19980114 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19980114 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20011010 |