[go: up one dir, main page]

JPWO2011093445A1 - 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液 - Google Patents

銅／チタン系多層薄膜用エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2011093445A1
JPWO2011093445A1 JP2011551931A JP2011551931A JPWO2011093445A1 JP WO2011093445 A1 JPWO2011093445 A1 JP WO2011093445A1 JP 2011551931 A JP2011551931 A JP 2011551931A JP 2011551931 A JP2011551931 A JP 2011551931A JP WO2011093445 A1 JPWO2011093445 A1 JP WO2011093445A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
etching solution
thin film
copper
multilayer thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011551931A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5685204B2 (ja
Inventor
智幸 安谷屋
智幸 安谷屋
哲 岡部
哲 岡部
後藤　敏之
敏之 後藤
丸山　岳人
岳人 丸山
小林　和樹
和樹 小林
田中　恵一
恵一 田中
中村　渉
渉 中村
賢一 紀藤
賢一 紀藤
哲憲 田中
哲憲 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Sharp Corp
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc, Sharp Corp filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP2011551931A priority Critical patent/JP5685204B2/ja
Publication of JPWO2011093445A1 publication Critical patent/JPWO2011093445A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5685204B2 publication Critical patent/JP5685204B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
    • H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液及びこれを用いた銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法を提供する。（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤を含み、ｐＨが１．５〜２．５である銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。

Description

本発明は、銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法に関する。とくに、本発明のエッチング液は、チタン層上に銅層が設けられた多層薄膜のエッチングに好適に用いられる。
従来から、フラットパネルディスプレイ等の表示デバイスの配線材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金が一般に使用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び高解像度化に伴い、このようなアルミニウム系の配線材料では、配線抵抗などの特性に起因した信号遅延の問題が発生し、均一な画面表示が困難な傾向にある。
そこで、より抵抗が低い材料である銅や銅を主成分とする配線の採用に向けた検討がなされている。しかし、銅は抵抗が低いという利点を有する一方、ゲート配線で用いる場合はガラス等の基板と銅との密着性が十分ではない、またソース・ドレイン配線で用いる場合はその下地となるシリコン半導体膜への拡散が生じる場合があるといった問題がある。そのため、これを防止するために、ガラス等の基板との密着性が高く、シリコン半導体膜への拡散が生じにくいバリア性をも兼ね備えた金属を配するバリア膜の積層の検討が行われており、当該金属としてチタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）といったチタン系金属が注目されている。
ところで、銅や銅を主成分とする銅合金を含む積層膜は、スパッタ法などの成膜プロセスによりガラス等の基板上に形成し、次いでレジストなどをマスクにしてエッチングするエッチング工程を経て電極パターンとなる。そして、このエッチング工程の方式にはエッチング液を用いる湿式（ウェット）とプラズマ等のエッチングガスを用いる乾式（ドライ）とがある。ここで、湿式（ウェット）において用いられるエッチング液は、（ｉ）高い加工精度、（ｉｉ）エッチング残渣が少ないこと、（ｉｉｉ）エッチングのむらが少ないこと、（ｉｖ）エッチング対象となる銅を含んだ配線材料の金属の溶解に対して、エッチング性能が安定していることなどに加えて、ディスプレイの大型化及び高解像度化に対応するために、（ｖ）エッチング後の配線形状を所定の範囲内とする良好な配線形状を得ることが求められる。より具体的には、図１に示される、銅配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度（テーパー角）が２０〜６０°の順テーパー形状、レジスト端部からレジストと接する配線端部までの距離（トップＣＤロス，ａ×２）が３μｍ以下、レジスト端部から配線の下に設けられるバリア膜と接する配線端部までの距離（ボトムＣＤロス，ｂ×２）が１μｍ以下であり、かつバリア膜テイリング（ｃ）が、ｂ以下であることが求められる。
銅や銅を主成分とする銅合金を含む積層膜のエッチング工程で用いられるエッチング液としては、例えば、中性塩と無機酸と有機酸の中から選ばれる少なくとも一つと過酸化水素、過酸化水素安定剤を含むエッチング溶液（例えば、特許文献１）、過酸化水素、有機酸、フッ素を含むエッチング溶液（例えば、特許文献２）などが提案されている。
しかし、いずれもエッチング後の配線形状が十分に満足いくものではなく、結果としてディスプレイの大型化及び高解像度化に十分対応できない場合があった。
特開２００２−３０２７８０号公報 米国特許第７００８５４８号明細書
本発明のエッチング液を用いてエッチングしたときの、銅層及びチタン層を含む多層薄膜を有する配線断面の模式図である。
本発明は、このような状況下になされたもので、銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液及びこれを用いた銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、エッチング液において、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤という特定の組合せで配合することにより、その目的を達成し得ることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明の要旨は下記のとおりである。
［１］（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤を含み、ｐＨが１．５〜２．５である銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液。
［２］（Ｃ）フッ素イオン供給源が、フッ化アンモニウム及び／又は酸性フッ化アンモニウムである上記１に記載のエッチング液。
［３］（Ｄ）アゾール類が、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールである上記１又は２に記載のエッチング液。
［４］（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシドが、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド及び／又は（ヒドロキシアルキル）トリアルキルアンモニウムヒドロキシドである上記１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
［５］（Ｆ）過酸化水素安定剤が、フェニル尿素及び／又はフェノールスルホン酸である上記１〜４のいずれかに記載のエッチング液。
［６］（Ａ）過酸化水素を４．５〜７．５質量％、（Ｂ）硝酸を３〜６質量％、（Ｃ）フッ素イオン供給源を０．１〜０．５質量％、（Ｄ）アゾール類を０．１〜０．５質量％、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシドを３〜６質量％、（Ｆ）過酸化水素安定剤を０．０１〜０．１質量％を含む上記１〜５のいずれかに記載のエッチング液。
［７］多層薄膜が、チタン層上に銅層が積層したものである上記１〜６のいずれかに記載のエッチング液。
［８］エッチング対象物を上記１〜６のいずれかに記載のエッチング液に接触させることを特徴とする銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法。
［９］多層薄膜が、チタン層上に銅層が積層したものである上記８に記載のエッチング方法。
本発明によれば、銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング工程において、加工精度が高く、エッチング残渣やむらが少なく、バスライフが長く、かつエッチング後の良好な配線形状を得ることでディスプレイの大型化及び高解像度化に対応しうるエッチング液、及びこれを用いた銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法を提供することができる。また、当該エッチング方法により、銅層及びチタン層を含む多層薄膜を有する配線を、一括でエッチングを行うことができるので、高い生産性で得ることができ、かつエッチング後の配線形状を良好とすることができる。
［銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液］
本発明のエッチング液は、銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチングに用いられ、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤を含み、ｐＨが１．５〜２．５であることを特徴とするものである。
《（Ａ）過酸化水素》
本発明のエッチング液で用いられる過酸化水素は酸化剤として銅配線を酸化する機能を有し、該エッチング液中の含有量は、３〜１０質量％が好ましく、４．５〜７．５質量％がより好ましい。過酸化水素の含有量が上記の範囲内であれば、適度なエッチング速度が確保できるので、エッチング量の制御が容易となり、かつ銅配線の局所腐食を生じることがないので好ましい。
《（Ｂ）硝酸》
本発明のエッチング液で用いられる硝酸は、（Ａ）過酸化水素により酸化した銅の溶解に寄与するものであり、該エッチング液中の含有量は、２〜１０質量％が好ましく、３〜６質量％がより好ましい。硝酸の含有量が上記の範囲内であれば、適度なエッチング速度が得られ、かつ良好なエッチング後の配線形状を得ることができる。
また、本発明のエッチング液では、硝酸以外の鉱酸、例えばリン酸、硫酸などを、本発明のエッチング液の効果を阻害しない範囲で用いることもできる。
《（Ｃ）フッ素イオン供給源》
本発明のエッチング液で用いられるフッ素イオン供給源は、チタン系金属からなるバリア膜のエッチングに寄与するものであり、該エッチング液中の含有量は、０．０５〜１質量％が好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましい。フッ素イオン供給源の含有量が上記範囲内であれば、ガラス等の基板の腐食速度が増大することなく、良好なチタン系金属からなるバリア膜のエッチング速度を得ることができる。
フッ素イオン供給源としては、エッチング液中でフッ素イオンを発生するものであれば特に制限はないが、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウムなどが好ましく挙げられ、これらを単独で又は複数を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、低毒性である観点から、フッ化アンモニウム及び／又は酸性フッ化アンモニウムがより好ましい。
《（Ｄ）アゾール類》
本発明のエッチング液で用いられるアゾール類としては、１，２，４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−トリアゾールなどのトリアゾール類；１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールなどのテトラゾール類；１，３−チアゾール、４−メチルチアゾールなどのチアゾール類などが好ましく挙げられる。これらのうち、テトラゾール類が好ましく、なかでも５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールが好ましい。
エッチング液中のアゾール類の含有量は、０．０５〜１質量％が好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましい。アゾール類の含有量が上記範囲内であれば、銅配線のエッチング速度を適度に制御することが可能であり、良好なエッチング後の配線形状を得ることができる。
《（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド》
本発明のエッチング液で用いられる第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、（ヒドロキシアルキル）トリアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましく挙げられる。ここで、アルキル基としては、炭素数１〜８の直鎖状、枝分かれ状、環状のいずれであってもよく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基、各種オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが好ましく挙げられる。これらのアルキル基は同じでも異なっていてもよく、バスライフを長くする観点から、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。すなわち、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドとしてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが、（ヒドロキシアルキル）トリアルキルアンモニウムヒドロキシドとしては（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。また、本発明においては、これらを単独で、又は複数を組み合わせて使用することができる。
エッチング液中の第四級アンモニウムヒドロキシドの含有量は、２〜１０質量％が好ましく、３〜６質量％がより好ましい。第四級アンモニウムヒドロキシドの含有量が上記範囲内であれば、バスライフが十分長いものとなる。
《（Ｆ）過酸化水素安定剤》
本発明のエッチング液は、過酸化水素安定剤を含有する。過酸化水素安定剤としては、通常過酸化水素安定剤として用いられるものであれば制限なく使用することが可能であるが、フェニル尿素、アリル尿素、１，３−ジメチル尿素、チオ尿素などの尿素系過酸化水素安定剤のほか、フェニル酢酸アミド、フェニルエチレングリコール、フェノ−ルスルホン酸などが好ましく挙げられ、なかでもフェニル尿素、フェノールスルホン酸が好ましい。また、本発明においては、これらを単独で、又は複数を組み合わせて使用することができる。
本発明のエッチング液中の（Ｆ）過酸化水素安定剤の含有量は、その添加効果を十分に得る観点から、０．０１〜０．１質量％が好ましい。
《ｐＨ》
本発明のエッチング液は、ｐＨ１．５〜２．５であることを要する。ｐＨ１．５未満であるとエッチング速度が速くなりすぎるため、銅配線の局所腐食が発生し、銅配線にエッチング斑などが形成してしまうことがある。また、ｐＨ２．５よりも大きいと、（Ａ）過酸化水素の安定性が低下し、銅配線のエッチング速度が減少し、バスライフも減少してしまう。
《その他の成分》
本発明のエッチング液は、上記した（Ａ）〜（Ｆ）成分のほか、水、その他エッチング液に通常用いられる各種添加剤をエッチング液の効果を害しない範囲で含む。水としては、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーティクル粒子などが除去されたものが好ましく、特に純水、超純水が好ましい。
［銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法］
本発明のエッチング方法は、銅層及びチタン層を含む多層薄膜をエッチングする方法であり、本発明のエッチング液、すなわち（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤を含み、ｐＨが１．５〜２．５である銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液を用いることを特徴とし、エッチング対象物と本発明のエッチング液とを接触させる工程を有するものである。また、本発明のエッチング方法により、銅層及びチタン層を含む多層薄膜を一括でエッチングを行うことができ、かつエッチング後の良好な配線形状を得ることができる。
本発明のエッチング方法において、エッチング液は、例えば、図１に示されるような、ガラス等の基板上に、チタン系材料からなるバリア膜（チタン層）と銅又は銅を主成分とする材料からなる銅配線（銅層）とを順に積層してなる銅層及びチタン層を含む多層薄膜上に、さらにレジストを塗布し、所望のパターンマスクを露光転写し、現像して所望のレジストパターンを形成したものをエッチング対象物とするものである。ここで、本発明においては、銅層及びチタン層を含む多層薄膜は、図１のようにチタン層の上に銅層が存在する態様をはじめとし、銅層の上にチタン層が存在する態様も含まれる。本発明のエッチング方法においては、図１に示されるようなチタン層の上に銅層が存在するエッチング対象物が、本発明のエッチング液の性能が有効に発揮される観点から、好ましい。また、このような銅層及びチタン層を含む多層薄膜は、フラットパネルディスプレイ等の表示デバイスなどの配線に好ましく用いられるものである。よって、チタン層の上に銅層が存在するエッチング対象物は、利用分野の観点からも、好ましい態様である。
銅配線は、銅又は銅を主成分とする材料により形成されていれば特に制限はなく、当該バリア膜を形成するチタン系材料としては、Ｔｉ（チタン）及びその窒化物であるＴｉＮ（窒化チタン）が挙げられる。
エッチング対象物にエッチング液を接触させる方法には特に制限はなく、例えばエッチング液を滴下（枚葉スピン処理）やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法や、対象物をエッチング液に浸漬させる方法などの湿式（ウェット）エッチング方法を採用することができる。本発明においては、エッチング液を対象物にスプレーして接触させる方法が好ましく採用される。
エッチング液の使用温度としては、１０〜７０℃が好ましく、特に２０〜５０℃が好ましい。エッチング液の温度が１０℃以上であれば、エッチング速度が遅くなりすぎないので、生産効率が著しく低下することがない。一方、７０℃以下の温度であれば、液組成変化を抑制し、エッチング条件を一定に保つことができる。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。
本発明のエッチング方法において、エッチング液に含まれる（Ａ）過酸化水素及び（Ｂ）硝酸は、上記したように各々銅配線の酸化剤として消費され、また（Ｂ）硝酸は、酸化された銅の溶解にも消費されるため、使用するエッチング液中の（Ａ）過酸化水素及び（Ｂ）硝酸の濃度の低下に起因したエッチング液の性能の低下が生じる場合がある。このような場合には、適宜（Ａ）過酸化水素及び（Ｂ）硝酸を同時に、あるいは別々に添加することにより、バスライフを長くすることができる。
次に、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
（エッチング後の銅層及びチタン層を含む多層薄膜の断面の観察）
実施例及び比較例で得られた、エッチングを行った後の銅層及びチタン層を含む多層薄膜試料を切断し、走査型電子顕微鏡（「Ｓ５０００Ｈ形（型番）」；日立製）を用いて観察倍率５００００倍（加速電圧２ｋＶ、加速電流１０μＡ）で観察した。得られたＳＥＭ画像をもとに、図１で示されるテーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）及びバリア膜テイリング（μｍ）を得た。
テーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）及びバリア膜テイリング（μｍ）は、表１に記載の基準範囲内であれば合格として、エッチング液の性能を判断した。なお、表中の初浴とは、エッチング液に銅が未溶解の状態のことであり、金属溶解時とは後述するバスライフの評価におけるエッチング液中の銅の溶解量が許容最大溶解量のときのことである。
（バスライフの評価）
エッチングを行い、テーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）及びバリア膜テイリング（μｍ）のうちいずれかが、表２に示される基準範囲外となる直前のエッチング液中の銅の溶解量を許容最大溶解量とし、バスライフを評価した。
（ガラス腐食の評価）
実施例及び比較例で得られた試料について、腐食部と非腐食部との段差を接触式粗さ計（「ＳＶ−２１００（型番）」；株式会社ミツトヨ製）で測定し腐食速度を求めた。
作製例（銅層及びチタン層を含む多層薄膜の作製）
ガラスを基板とし、チタン（Ｔｉ）をスパッタしチタンからなるバリア膜（チタン層）を形成し、次いで銅を主成分とする材料をスパッタして配線素材を成膜（銅層）、次いでレジストを塗布し、パターンマスクを露光転写後、現像して配線パターンを形成し、チタン層上に銅層が積層した、銅層及びチタン層を含む多層薄膜を作製した。
実施例１〜１０
作製例で得られた銅層及びチタン層を含む多層薄膜を、表２に示されるエッチング液を用いて、３５℃で６０〜１５０秒間エッチングし、エッチング後の銅層及びチタン層を含む多層薄膜試料を得て、このときのエッチング液中の金属溶解量を測定した。得られた試料について、上記の方法により、初浴時のテーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）及びバリア膜テイリング（μｍ）を得た。これらの数値が表１の基準範囲内のときは、さらに作製例で得られた新たな銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチングを行った。得られた試料のテーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）及びバリア膜テイリング（μｍ）が表１の基準範囲内のときは、新たな銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチングを繰り返し、これらの数値のいずれかの値が表１の基準範囲外となった時点で、エッチング処理を終了し、これらの数値が全て基準範囲内であった最後の回に使用したエッチング液中の金属溶解量を測定し、これをエッチング液中の銅の許容最大溶解量とし、バスライフの評価を行った。得られた評価を表２、３に示す。
比較例１〜６
実施例１において、エッチング液を表４に示す配合のものを用いる以外は、実施例１と同様にして、エッチングを行った。得られた銅層及びチタン層を含む多層薄膜のテーパー角、トップＣＤロス（μｍ）、ボトムＣＤロス（μｍ）、バリア膜テイリング（μｍ）、バスライフの評価及びガラス腐食の評価を表４に示す。
本発明のエッチング液を用いた実施例は、エッチング後の配線形状が良好であり、かつバスライフ、ガラス腐食の評価の点でも優れた結果を示した。一方、（Ｅ）及び（Ｆ）成分を含まないエッチング液を用いた比較例１では、ガラス腐食は抑制できるものの、バスライフが５００ｐｐｍと短くなってしまい、実施例における２５００ｐｐｍ以上、３０００ｐｐｍ以上あるいは４０００ｐｐｍ以上という長いバスライフに比べて十分ではなかった。（Ｅ）成分を含まずｐＨが本発明の規定範囲外にあるエッチング液を用いた比較例２では、エッチング速度が速すぎて、エッチング斑が生じてしまい均一なエッチングができず、配線形状も悪く、テーパー角やＣＤロスなどの測定ができなかった。（Ｄ）成分を含まないエッチング液を用いた比較例３では、エッチング速度が速く、配線形状を制御することができず、特にＣＤロスが悪くなってしまった。ｐＨが２．８と本発明の規定範囲外にあるエッチング液を用いた比較例４では、バスライフが短くなってしまった。（Ｅ）成分を含まないエッチング液を用いた比較例５では、比較例２同様にエッチング速度が速すぎて、エッチング斑が生じてしまい均一なエッチングができず、配線形状も悪く、テーパー角やＣＤロスなどの測定ができなかった。また、比較例５と同様に（Ｅ）成分を含まないエッチング液を用いた比較例６では、テーパー角やＣＤロスの値は良好であったもののバスライフが短くなってしまった。
本発明のエッチング液は、銅層及びチタン層を含む多層薄膜、なかでもチタン層上に銅層が積層した多層薄膜のエッチングに好適に用いることができ、当該エッチング液を用いたエッチング方法は、銅層及びチタン層を含む多層薄膜を有する配線を一括でエッチングすることができ、かつエッチング後の配線形状を良好なものとすることができるので、高い生産性を達成することができる。

Claims (9)

  1. （Ａ）過酸化水素、（Ｂ）硝酸、（Ｃ）フッ素イオン供給源、（Ｄ）アゾール類、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシド及び（Ｆ）過酸化水素安定剤を含み、ｐＨが１．５〜２．５である銅層及びチタン層を含む多層薄膜用エッチング液。
  2. （Ｃ）フッ素イオン供給源が、フッ化アンモニウム及び／又は酸性フッ化アンモニウムである請求項１に記載のエッチング液。
  3. （Ｄ）アゾール類が、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールである請求項１又は２に記載のエッチング液。
  4. （Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシドが、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド及び／又は（ヒドロキシアルキル）トリアルキルアンモニウムヒドロキシドである請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
  5. （Ｆ）過酸化水素安定剤が、フェニル尿素及び／又はフェノールスルホン酸である請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング液。
  6. （Ａ）過酸化水素を４．５〜７．５質量％、（Ｂ）硝酸を３〜６質量％、（Ｃ）フッ素イオン供給源を０．１〜０．５質量％、（Ｄ）アゾール類を０．１〜０．５質量％、（Ｅ）第四級アンモニウムヒドロキシドを３〜６質量％、（Ｆ）過酸化水素安定剤を０．０１〜０．１質量％を含む請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液。
  7. 多層薄膜が、チタン層上に銅層が積層したものである請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング液。
  8. エッチング対象物を請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング液に接触させることを特徴とする銅層及びチタン層を含む多層薄膜のエッチング方法。
  9. 多層薄膜が、チタン層上に銅層が積層したものである請求項８に記載のエッチング方法。
JP2011551931A 2010-01-28 2011-01-28 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液 Active JP5685204B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011551931A JP5685204B2 (ja) 2010-01-28 2011-01-28 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010016720 2010-01-28
JP2010016720 2010-01-28
PCT/JP2011/051744 WO2011093445A1 (ja) 2010-01-28 2011-01-28 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液
JP2011551931A JP5685204B2 (ja) 2010-01-28 2011-01-28 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011093445A1 true JPWO2011093445A1 (ja) 2013-06-06
JP5685204B2 JP5685204B2 (ja) 2015-03-18

Family

ID=44319426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011551931A Active JP5685204B2 (ja) 2010-01-28 2011-01-28 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8980121B2 (ja)
JP (1) JP5685204B2 (ja)
KR (1) KR101709925B1 (ja)
CN (1) CN102834547B (ja)
TW (1) TWI518206B (ja)
WO (1) WO2011093445A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013015322A1 (ja) 2011-07-26 2013-01-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅／モリブデン系多層薄膜用エッチング液
JP5920972B2 (ja) * 2011-12-26 2016-05-24 メック株式会社 配線形成方法およびエッチング液
KR101960342B1 (ko) * 2013-02-28 2019-03-21 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법
US9012322B2 (en) 2013-04-05 2015-04-21 Intermolecular, Inc. Selective etching of copper and copper-barrier materials by an aqueous base solution with fluoride addition
JP5692472B1 (ja) * 2013-04-12 2015-04-01 三菱瓦斯化学株式会社 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板
US8916479B1 (en) 2013-06-10 2014-12-23 Intermolecular, Inc. Selective etching of titanium nitride
JP6207248B2 (ja) * 2013-06-17 2017-10-04 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
JP6421751B2 (ja) * 2013-07-05 2018-11-14 富士フイルム和光純薬株式会社 エッチング剤、エッチング方法およびエッチング剤調製液
US9343408B2 (en) 2013-11-08 2016-05-17 Intermolecular, Inc. Method to etch Cu/Ta/TaN selectively using dilute aqueous HF/H2SO4 solution
US9330937B2 (en) 2013-11-13 2016-05-03 Intermolecular, Inc. Etching of semiconductor structures that include titanium-based layers
JP6424559B2 (ja) * 2013-11-22 2018-11-21 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング用組成物及びそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP6180298B2 (ja) * 2013-11-27 2017-08-16 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
WO2015108842A1 (en) * 2014-01-14 2015-07-23 Sachem, Inc. Selective metal/metal oxide etch process
CN106062932B (zh) * 2014-05-02 2019-08-09 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件的清洗液和清洗方法
US20150368557A1 (en) 2014-06-23 2015-12-24 Hyosan Lee Metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same
JP6312317B2 (ja) * 2014-07-29 2018-04-18 株式会社Adeka マスクブランクス除去用組成物及びマスクブランクスの除去方法
JP6494254B2 (ja) * 2014-11-18 2019-04-03 関東化學株式会社 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法
JP6531612B2 (ja) * 2014-11-27 2019-06-19 三菱瓦斯化学株式会社 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法
KR102281188B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-23 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법
JP6337922B2 (ja) * 2015-08-03 2018-06-06 三菱瓦斯化学株式会社 銅層およびチタン層を含む多層薄膜をエッチングするためのエッチング液およびこれを用いたエッチング方法、並びに該エッチング方法を用いて得られた基板
US10920143B2 (en) 2015-08-26 2021-02-16 Adeka Corporation Etching liquid composition and etching method
KR102500812B1 (ko) * 2015-08-26 2023-02-16 가부시키가이샤 아데카 에칭액 조성물 및 에칭 방법
JP6885942B2 (ja) * 2015-11-23 2021-06-16 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化ケイ素と比べてｐ型ドープポリシリコンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
KR102493276B1 (ko) * 2015-12-21 2023-01-30 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 구리 및 몰리브덴을 포함하는 다층박막을 에칭하는 액체 조성물, 및 이것을 이용한 에칭방법, 그리고 표시 디바이스의 제조방법
TWI618817B (zh) * 2015-12-29 2018-03-21 Daxin Materials Corporation 蝕刻液組成物及應用其之蝕刻方法
JP6777420B2 (ja) * 2016-04-21 2020-10-28 関東化学株式会社 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法
KR102055154B1 (ko) 2016-07-29 2019-12-12 후지필름 가부시키가이샤 처리액 및 기판 세정 방법
KR102433304B1 (ko) * 2017-08-11 2022-08-16 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
KR20190027019A (ko) * 2017-09-04 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
JP6793312B2 (ja) * 2017-09-29 2020-12-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
US10756116B2 (en) 2018-03-20 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate having thin film transistors that each include copper gate electrode and oxide semiconductor layer
KR102811310B1 (ko) * 2018-11-20 2025-05-22 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 구리 및 구리합금을 선택적으로 에칭하기 위한 에칭액 및 그것을 이용한 반도체기판의 제조방법
CN111663138B (zh) * 2020-07-08 2024-10-11 江苏和达电子科技有限公司 一种液晶面板含铜叠层薄膜蚀刻液及其应用
KR20230131067A (ko) 2022-03-04 2023-09-12 (주)에이스나노켐 티타늄을 포함하는 금속 적층 복합막질 식각을 위한 조성물
CN115141629B (zh) * 2022-06-15 2023-06-02 湖北兴福电子材料股份有限公司 TiN去除液
CN117144366A (zh) * 2023-10-30 2023-12-01 苏州博洋化学股份有限公司 一种铜蚀刻液及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5127819A (en) * 1974-09-02 1976-03-09 Mitsubishi Gas Chemical Co Do oyobi dogokinyokagakushorieki
JP2000297387A (ja) * 1999-04-09 2000-10-24 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅および銅合金の表面処理剤
JP2002317281A (ja) * 2000-11-28 2002-10-31 Shipley Co Llc 接着性が向上された金属表面のエポキシ樹脂での処理方法
JP2004043850A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チタンまたはチタン合金のエッチング方法
JP2008288575A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Samsung Sdi Co Ltd エッチング液、及びこれを用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法
JP2009191357A (ja) * 2008-01-16 2009-08-27 Mec Kk エッチング液

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68923904T2 (de) * 1988-05-20 1996-03-14 Mitsubishi Gas Chemical Co Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten.
JPH0260189A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄銅箔張回路基板の製造法
JPH05127819A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp ストロークコマンド支援方式
US6361712B1 (en) * 1999-10-15 2002-03-26 Arch Specialty Chemicals, Inc. Composition for selective etching of oxides over metals
US20040161545A1 (en) 2000-11-28 2004-08-19 Shipley Company, L.L.C. Adhesion method
KR100379824B1 (ko) 2000-12-20 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판
JP4687852B2 (ja) * 2001-06-25 2011-05-25 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
KR100415617B1 (ko) 2001-12-06 2004-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5127819A (en) * 1974-09-02 1976-03-09 Mitsubishi Gas Chemical Co Do oyobi dogokinyokagakushorieki
JP2000297387A (ja) * 1999-04-09 2000-10-24 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅および銅合金の表面処理剤
JP2002317281A (ja) * 2000-11-28 2002-10-31 Shipley Co Llc 接着性が向上された金属表面のエポキシ樹脂での処理方法
JP2004043850A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Mitsubishi Gas Chem Co Inc チタンまたはチタン合金のエッチング方法
JP2008288575A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Samsung Sdi Co Ltd エッチング液、及びこれを用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法
JP2009191357A (ja) * 2008-01-16 2009-08-27 Mec Kk エッチング液

Also Published As

Publication number Publication date
TW201134983A (en) 2011-10-16
JP5685204B2 (ja) 2015-03-18
CN102834547A (zh) 2012-12-19
US8980121B2 (en) 2015-03-17
TWI518206B (zh) 2016-01-21
CN102834547B (zh) 2014-08-20
KR101709925B1 (ko) 2017-02-27
WO2011093445A1 (ja) 2011-08-04
KR20120127432A (ko) 2012-11-21
US20130048904A1 (en) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5685204B2 (ja) 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液
TWI615508B (zh) 用於銅基金屬膜的蝕刻劑組合物、液晶顯示器用陣列基板的製造方法及液晶顯示器用陣列基板
JP6777420B2 (ja) 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法
WO2011099624A1 (ja) 銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜用エッチング液
JP5713485B2 (ja) 金属配線用エッチング液組成物
JP6036691B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6657770B2 (ja) 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法
TWI677561B (zh) 用以蝕刻包含銅層與鈦層之多層薄膜的蝕刻液及利用此蝕刻液的蝕刻方法以及利用該蝕刻方法製得之基板
JP5406556B2 (ja) 金属積層膜用エッチング液組成物
TW201518546A (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
CN106011859B (zh) 蚀刻剂组合物、液晶显示器阵列基板及其制造方法
KR20160114360A (ko) 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN106467969B (zh) 显示装置用阵列基板制造方法、蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN105734570B (zh) 蚀刻剂组合物及使用其制造金属接线的方法
KR20170068328A (ko) 식각액 조성물, 및 식각액 조성물을 이용한 식각 방법
TWI662691B (zh) 用於液晶顯示器的陣列基板的製造方法
JP6485587B1 (ja) エッチング液
JP6458913B1 (ja) エッチング液
CN111755461B (zh) 液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物
TWI759450B (zh) 蝕刻液、蝕刻方法、及顯示裝置之製造方法
TWI679307B (zh) 蝕刻劑組合物、液晶顯示器陣列基板製作方法和陣列基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5685204

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250