JPS645845Y2 - - Google Patents
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- JPS645845Y2 JPS645845Y2 JP6492482U JP6492482U JPS645845Y2 JP S645845 Y2 JPS645845 Y2 JP S645845Y2 JP 6492482 U JP6492482 U JP 6492482U JP 6492482 U JP6492482 U JP 6492482U JP S645845 Y2 JPS645845 Y2 JP S645845Y2
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- resistor
- chamber
- temperature fuse
- case
- filled
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- Expired
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
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- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
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- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は温度ヒユーズ付抵抗器の改良に関する
ものである。
ものである。
抵抗体に過大電流が流れ、その抵抗体が過熱状
態になつた際、抵抗体を回路的に開放し、回路を
熱的に保護するため、抵抗体に温度ヒユーズを直
列に接続し、これらを熱伝導良好なように近接さ
せることが、所謂、温度ヒユーズ付抵抗器として
知られている。
態になつた際、抵抗体を回路的に開放し、回路を
熱的に保護するため、抵抗体に温度ヒユーズを直
列に接続し、これらを熱伝導良好なように近接さ
せることが、所謂、温度ヒユーズ付抵抗器として
知られている。
第１図は従来の温度ヒユーズ付抵抗器を示し、
両面に凹部１a′，１b′を設けたセラミツクス板１
の一方の凹部１a′に抵抗体２a′を、他方の凹部１
b′には温度ヒユーズ２b′をそれぞれ収納し、抵抗
体２a′の端子と温度ヒユーズ２b′との端子とを、
セラミツク板１′を貫通せるボルト３′と該ボルト
３′を締付けるナツト３１′とにより電気的に接続
し、各凹部１a′，１b′には絶縁材４a′，４b′を充
填した構成である。
両面に凹部１a′，１b′を設けたセラミツクス板１
の一方の凹部１a′に抵抗体２a′を、他方の凹部１
b′には温度ヒユーズ２b′をそれぞれ収納し、抵抗
体２a′の端子と温度ヒユーズ２b′との端子とを、
セラミツク板１′を貫通せるボルト３′と該ボルト
３′を締付けるナツト３１′とにより電気的に接続
し、各凹部１a′，１b′には絶縁材４a′，４b′を充
填した構成である。
この温度ヒユーズ抵抗器においては、抵抗体２
a′からの温度ヒユーズ２b′への熱伝達を良好に行
なわせるために、セラミツク板凹部箇所の厚さ
t′を薄くする必要がある。しかしながら、ボル
ト、ナツトが抵抗体からの熱で加熱され、熱応力
を発生するので、上記セラミツク板凹部箇所の厚
さt′を薄くすると、上記熱応力によつて、セラミ
ツク板にクラツクが発生するといつた不都合があ
る。
a′からの温度ヒユーズ２b′への熱伝達を良好に行
なわせるために、セラミツク板凹部箇所の厚さ
t′を薄くする必要がある。しかしながら、ボル
ト、ナツトが抵抗体からの熱で加熱され、熱応力
を発生するので、上記セラミツク板凹部箇所の厚
さt′を薄くすると、上記熱応力によつて、セラミ
ツク板にクラツクが発生するといつた不都合があ
る。
従つて、上記温度ヒユーズ付抵抗器は、温度ヒ
ユーズに対する熱伝達性に劣るかまたはボルト・
ナツトの熱応力によるセラミツク板のクラツク発
生といつた不利がある。
ユーズに対する熱伝達性に劣るかまたはボルト・
ナツトの熱応力によるセラミツク板のクラツク発
生といつた不利がある。
本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗器は上述の不
利を解消し得る構成であり、中間隔壁部により上
下２室に仕切つた無機質絶縁体ケースの各室両端
壁にスリツトを設け、一方の室には抵抗体をその
両端リード導体を当該両端壁のスリツトから導出
させて収納し、他方の室には温度ヒユーズをその
両端リード導体を当該両端壁のスリツトから導出
させて収納し、上記一方の室には無機質絶縁材
を、上記他方の室には樹脂絶縁材をそれぞれ充填
し、上記抵抗体と温度ヒユーズとが上記リード導
体により直列に連結されており、該連結部を挾む
ガード壁を上記ケースの一端に設け、該ガード壁
間に樹脂絶縁材を充填したことを特徴とする構成
である。
利を解消し得る構成であり、中間隔壁部により上
下２室に仕切つた無機質絶縁体ケースの各室両端
壁にスリツトを設け、一方の室には抵抗体をその
両端リード導体を当該両端壁のスリツトから導出
させて収納し、他方の室には温度ヒユーズをその
両端リード導体を当該両端壁のスリツトから導出
させて収納し、上記一方の室には無機質絶縁材
を、上記他方の室には樹脂絶縁材をそれぞれ充填
し、上記抵抗体と温度ヒユーズとが上記リード導
体により直列に連結されており、該連結部を挾む
ガード壁を上記ケースの一端に設け、該ガード壁
間に樹脂絶縁材を充填したことを特徴とする構成
である。
以下、図面により本考案を説明する。
第２図Ａは本考案において使用する無機質絶縁
体ケースＡ例えばセラミツク製ケースを示してい
る。第２図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面図で
ある。
体ケースＡ例えばセラミツク製ケースを示してい
る。第２図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面図で
ある。
第２図Ａ並びに第２図Ｂにおいて、１は中間隔
壁部であり、この隔壁１によりケースＡ内が上下
の２室１ａ，１ｂに仕切られている。１１ａ，１
１１ａは上室１ａの両端壁に設けたスリツトであ
り、１１ｂ，１１１ｂは下室１ｂの両端壁に設け
たスリツトである。３１，３１並びに３２，３２
はケースＡの両端に設けたガード壁部であり、ケ
ース両側壁を延在させた形状である。
壁部であり、この隔壁１によりケースＡ内が上下
の２室１ａ，１ｂに仕切られている。１１ａ，１
１１ａは上室１ａの両端壁に設けたスリツトであ
り、１１ｂ，１１１ｂは下室１ｂの両端壁に設け
たスリツトである。３１，３１並びに３２，３２
はケースＡの両端に設けたガード壁部であり、ケ
ース両側壁を延在させた形状である。
ケースＡは図示の中間線ｎ−ｎを基準として左
右対象とされ、左右何れの向きでも使用可能とさ
れているがガード壁３１，３１，３２，３２の何
れか一方は省略することも可能である。
右対象とされ、左右何れの向きでも使用可能とさ
れているがガード壁３１，３１，３２，３２の何
れか一方は省略することも可能である。
第３図Ａは本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗器
の縦断面図を、第３図Ｂ並びに第３図Ｃは第３図
Ａの左側面図並びに右側面図をそれぞれ示してい
る。
の縦断面図を、第３図Ｂ並びに第３図Ｃは第３図
Ａの左側面図並びに右側面図をそれぞれ示してい
る。
第３図Ａ乃至第３図Ｃにおいて、Ａは上記した
ケースである。４は巻線型抵抗体であり、ケース
Ａの下室１ｂに中間隔壁部１に接して収納され、
その両端リード導体４１，４２が下室両端壁のス
リツト１１ｂ，１１１ｂからそれぞれ導出されて
いる。５ｂは下室１ｂに充填した熱伝導性の無機
質絶縁材、例えばセメントであり、このセメント
により抵抗体が固定されている。
ケースである。４は巻線型抵抗体であり、ケース
Ａの下室１ｂに中間隔壁部１に接して収納され、
その両端リード導体４１，４２が下室両端壁のス
リツト１１ｂ，１１１ｂからそれぞれ導出されて
いる。５ｂは下室１ｂに充填した熱伝導性の無機
質絶縁材、例えばセメントであり、このセメント
により抵抗体が固定されている。
６は温度ヒユーズであり、６１は可溶合金を、
６２はフラツクス（例えばロジン）をそれぞれ示
している。この温度ヒユーズ６は、ケースの上室
１ａに中間隔壁部１に接して収納され、その両端
リード導体６０１，６０２が上室両端壁のスリツ
ト１１ａ，１１１ａからそれぞれ導出されてい
る。５ａは上室１ａに充填した樹脂絶縁体、例え
ばエポキシ樹脂であり、このエポキシ樹脂により
温度ヒユーズ６が固定されている。７は抵抗体４
の一方のリード導体４１と温度ヒユーズ６の一方
のリード導体６０１との接続部であり、例えば溶
接によつて接続されている。
６２はフラツクス（例えばロジン）をそれぞれ示
している。この温度ヒユーズ６は、ケースの上室
１ａに中間隔壁部１に接して収納され、その両端
リード導体６０１，６０２が上室両端壁のスリツ
ト１１ａ，１１１ａからそれぞれ導出されてい
る。５ａは上室１ａに充填した樹脂絶縁体、例え
ばエポキシ樹脂であり、このエポキシ樹脂により
温度ヒユーズ６が固定されている。７は抵抗体４
の一方のリード導体４１と温度ヒユーズ６の一方
のリード導体６０１との接続部であり、例えば溶
接によつて接続されている。
このリード導体接続部７はケース一端のガード
壁３１，３１間に納められており、このガード壁
３１，３１間には樹脂絶縁材８例えばエポキシ樹
脂が充填されている。
壁３１，３１間に納められており、このガード壁
３１，３１間には樹脂絶縁材８例えばエポキシ樹
脂が充填されている。
上記において、抵抗体４のリード導体４１と温
度ヒユーズ６のリード導体６０１には共通のリー
ド導体を使用することもできる。例えば、抵抗体
の一方のリード導体に温度ヒユーズ用可溶合金の
一端を予め直接接合し、この可溶合金の他端にの
み温度ヒユーズ用リード導体を接合するようにし
てもよい。
度ヒユーズ６のリード導体６０１には共通のリー
ド導体を使用することもできる。例えば、抵抗体
の一方のリード導体に温度ヒユーズ用可溶合金の
一端を予め直接接合し、この可溶合金の他端にの
み温度ヒユーズ用リード導体を接合するようにし
てもよい。
本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗器は上述した
通りの構成であり、従来例とは異なり中間隔壁を
貫通しての螺子による温度ヒユーズと抵抗体との
電気的接続を必要としないから、螺子の熱応力に
よる中間隔壁のクラツクの不利を排除でき、従つ
て中間隔壁を薄くできる結果、抵抗体からの温度
ヒユーズへの熱伝導性を向上できる。また、温度
ヒユーズと抵抗体とのリード導体接続部がケース
外に存在するにもかゝわらず、この接続部がケー
ス一端のガード壁間に納められ、樹脂絶縁体中に
埋入されているから、導体接続部を機械的に充分
な信頼性で保護し得る。従つて、上記接続部がケ
ース外に存在するにもかゝわらず、温度ヒユーズ
付抵抗器の機械的・電気的特性を満足に保障でき
る。
通りの構成であり、従来例とは異なり中間隔壁を
貫通しての螺子による温度ヒユーズと抵抗体との
電気的接続を必要としないから、螺子の熱応力に
よる中間隔壁のクラツクの不利を排除でき、従つ
て中間隔壁を薄くできる結果、抵抗体からの温度
ヒユーズへの熱伝導性を向上できる。また、温度
ヒユーズと抵抗体とのリード導体接続部がケース
外に存在するにもかゝわらず、この接続部がケー
ス一端のガード壁間に納められ、樹脂絶縁体中に
埋入されているから、導体接続部を機械的に充分
な信頼性で保護し得る。従つて、上記接続部がケ
ース外に存在するにもかゝわらず、温度ヒユーズ
付抵抗器の機械的・電気的特性を満足に保障でき
る。
第１図は従来の温度ヒユーズ付抵抗器を示す説
明図、第２図Ａは本考案において使用するケース
を示す説明図、第２図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−
Ｂ断面説明図、第３図Ａは本考案に係る温度ヒユ
ーズ付抵抗器を示す縦断面説明図、第３図Ｂ並び
に第３図Ｃは第３図Ａにおける左側面説明図並び
に右側面説明図である。図において、Ａはケー
ス、１は中間隔壁、１ａは上室、１ｂは下室、１
１ａ，１１１ａ並びに１１ｂ，１１１ｂはスリツ
ト、４は抵抗体、４１，４２はリード導体、６は
温度ヒユーズ、６０１，６０２はリード導体、３
１，３１はガード壁、７は接続部、５ａ，８は樹
脂絶縁体、５ｂは無機質絶縁体である。
明図、第２図Ａは本考案において使用するケース
を示す説明図、第２図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−
Ｂ断面説明図、第３図Ａは本考案に係る温度ヒユ
ーズ付抵抗器を示す縦断面説明図、第３図Ｂ並び
に第３図Ｃは第３図Ａにおける左側面説明図並び
に右側面説明図である。図において、Ａはケー
ス、１は中間隔壁、１ａは上室、１ｂは下室、１
１ａ，１１１ａ並びに１１ｂ，１１１ｂはスリツ
ト、４は抵抗体、４１，４２はリード導体、６は
温度ヒユーズ、６０１，６０２はリード導体、３
１，３１はガード壁、７は接続部、５ａ，８は樹
脂絶縁体、５ｂは無機質絶縁体である。
Claims (1)
- 中間隔壁により上下２室に仕切つた無機質絶縁
体ケースの各室両端壁にスリツトを設け、一方の
室には抵抗体をその両端リード導体を当該両端壁
のスリツトから導出させて収納し、他方の室には
温度ヒユーズをその両端リード導体を当該両端壁
のスリツトから導出させて収納し、上記一方の室
には無機質絶縁材を、上記他方の室には樹脂絶縁
材をそれぞれ充填し、上記抵抗体と温度ヒユーズ
とが上記リード導体により直列に連結されてお
り、該連結部を挾むガード壁を上記ケースの一端
に設け、該ガード壁間に樹脂絶縁材を充填したこ
とを特徴とする温度ヒユーズ付抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6492482U JPS58168104U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 温度ヒユ−ズ付抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6492482U JPS58168104U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 温度ヒユ−ズ付抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168104U JPS58168104U (ja) | 1983-11-09 |
| JPS645845Y2 true JPS645845Y2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=30074934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6492482U Granted JPS58168104U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 温度ヒユ−ズ付抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168104U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310429A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Uchihashi Estec Co Ltd | 温度ヒューズ内蔵型抵抗器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09320804A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Micron Denki Kk | 自動車のａｔソレノイドバルブ電流制限用抵抗器 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP6492482U patent/JPS58168104U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310429A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Uchihashi Estec Co Ltd | 温度ヒューズ内蔵型抵抗器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58168104U (ja) | 1983-11-09 |
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