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JPS6366511A - 石英系光導波路の製造方法 - Google Patents

石英系光導波路の製造方法

Info

Publication number
JPS6366511A
JPS6366511A JP21220986A JP21220986A JPS6366511A JP S6366511 A JPS6366511 A JP S6366511A JP 21220986 A JP21220986 A JP 21220986A JP 21220986 A JP21220986 A JP 21220986A JP S6366511 A JPS6366511 A JP S6366511A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
glass film
silicon substrate
optical waveguide
cladding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP21220986A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0721565B2 (ja
Inventor
Makoto Tsukamoto
誠 塚本
Koji Okamura
浩司 岡村
Masaji Miki
三木 正司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61212209A priority Critical patent/JPH0721565B2/ja
Publication of JPS6366511A publication Critical patent/JPS6366511A/ja
Publication of JPH0721565B2 publication Critical patent/JPH0721565B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 −−I シリコ基板上に石英系光導波路を製造する方法であって
、シリコン基板上に透明なガラス膜をけ産性良く形成す
るため、予めシリコン基板上に高温で粘性の大きなガラ
ス膜を形成した後、その上にクラッド用及びコア用の多
孔質ガラス膜を形成し、これらのガラス膜を高温に加熱
して焼結りることにより、常に安定して透明ガラス膜を
得ることができる。
産業上の利用分野 本発明は光通信用デバイス等に使用される光導波路、特
に石英系ガラスより形成される光導波路の製造方法に関
する。
近年光通信の進展に伴い、光分岐・結合回路や光分波・
合波器等の光部品を大吊且つ安価に供給することが要求
されている。従来これらの光部品としでは、プリズム、
レンズまたはフィルタなどの組合せからなるバルク型光
部品が用いられていた。しかし、これらのバルク型光部
品は、組立て調整に長時間を要するために生産性が悪(
、光部品の高価格化を招き、また小型化も難しいため光
通信方式の諸分野への発展が阻害されていた。最近、上
記の問題を解決する方法として、平面基板上に光導波路
を作成づると共に、この平面基板上に発光素子、受光素
子等の各種81能素子を搭載し、光尋波路端部を光フン
イバと結合させる光モジュールが開発されている。この
ように光導波路の利用形態が、最近になり益々発展して
きているため、効率良く光導波路を製造することのでき
る光導波路製造方法が要望されている。
1迷Jし1貨 従来の石英系光導波路用のガラス膜形成方法としては、
シリコン基板上に直接ガラス膜を形成する方法と、多孔
質ガラス膜を形成した後、これを^温に加熱して焼結し
、透明ガラス膜を形成プる方法とが知られている。
前者の方法の一例を挙げると、まずシリコン基板を水蒸
気雰囲気中で加熱することにより熱酸化させて厚さ4.
5μmのクラッド用ガラスを形成した後、その上にTi
を添加した5i02ガラスをスパッタリングにより形成
してコアガラス股とする。光導波路とするためには、以
上のようにしてシリコン基板上に形成したガラス膜をリ
ソグラフィーにより、積層されたクラッド用及びコア用
ガラス膜を所定形状にパターン化し、続いて5i02ガ
ラスを該パターン上にCVD法等により形成しクラッド
ガラスとすることにより、光導波路を得ている。
後者の方法においては、第2図に示すような装置を使用
する。第2図において、6はターンテーブルであり、図
示矢印方向に間欠的に回転される。
ターンテーブル6上にはシリコン基板1が複数個載置さ
れており、このシリコン基板1上に火炎加水分解用バー
ナ5によりH2,02及び5IC)4等の原料ガスを吹
ぎ付けて堆積させる。まずシリコン基板1上にクラッド
用多孔質ガラス膜を堆積させ、続いて組成を変えてコア
用多孔質ガラス膜を堆積させる。続いてシリコ基板1を
約1300℃に加熱して、多孔質ガラス膜を焼結して透
明ガラスにする。光導波路とするためには、このように
してシリコン基板上に形成した透明ガラス膜をリソグラ
フィーにより所定形状にパターン化し、続いてこのパタ
ーン上にSiO2ガラスをCVD法等により形成しクラ
ッドガラスとして、石英ガラス系先導波路が得られる。
発明が解決しようとする問題点 従来のガラス膜形成方法のうち、直接シリコン基板上に
ガラス膜を形成する方法では、透明度の良いガラス膜が
比較的筒単に形成できるが、作業性が悪いという欠点が
あった。例λば、厚さ4゜5μmのクラッド用ガラスを
形成するのに、約25時間要しさらにコアガラスのjI
L積速度も非常に小さい。
シリコン基板上に多孔質ガラスをまず形成しCからこれ
を透明ガラス化する方法では、厚さ4゜5μmの透明な
りラッドガラス、厚さ45μmの透明なコアガラスを形
成するのに、約2時間あれば十分である。しかしこの方
法では、透明ガラス化条件を厳しく制御する必要がある
例えば従来、シリコン基板上に形成するクラッドガラス
膜として、S i O−P205−[3203から成る
ガラス膜あるいは5tO2のみから成るガラス膜を形成
していたが、このとき次のような問題が生じた。
S i 02−P2O3−8203から成るガラスをク
ラッド用に使うときには、シリコン基板全面に渡って透
明で均質なガラス膜を安定して形成することができなか
つに0例えば、この三成分より成る多孔質ガラスを12
60℃で15分間加熱したところ、基板上の一部では透
明なガラス膜が形成できたが、他の一部では未だ焼結が
完了せず不透明であった。1290℃で加熱したときに
は、同様に一部では透明なガラス膜を形成できたが、一
部では1260℃のときとは逆にガラス中に気泡を生じ
てしまった。この気泡は、シリコン基板とガラス膜との
界面より発生したものであることが確認された。これら
の現象は、シリコン基板上に堆積した多孔質ガラスの組
成の不均一性及びこの三成分ガラスの高温での粘性変化
が大きいことから生じると考えられる。
SiO□ガラスをクラッド用に使うときには、次のよう
な問題が生じた。5i02多孔質ガラスを1350℃で
加熱したところ、透明なガラス膜が形成できたが、5i
02ガラスとシリコン基板の熱膨張係数のミスマツチン
グが大きいこと及びガラス化温度がS i 02−P2
05−8203ガラスより高いことから、透明ガラス化
後室温に冷却するまでの間にシリコン基板が割れてしま
うという問題があった。なお、シリコン基板と3i02
ガラスとの界面には気泡を生じていたが、5i02の粘
性が大きいためこの気泡は小さいままで残り、5i02
ガラスの透明度には影響を与えることはなかった。
以上のようにS i 02−P205−[3203ガラ
スあるいは5i02ガラスをクラッド用ガラスとして使
用したときには、シリコン基板全面に渡って透明なガラ
ス膜を形成することができないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みなされたものであり、その
目的とするところは、作業性が良くシリコン基板上に安
定して透明ガラス膜を形成することのできる石英系光導
波路の製造方法を提供することである。
問題点を解決するための手段 本発明によれば、シリコン基板1上に光導波路用のガラ
ス膜を形成づるのに、予めシリコン基板1上に高温で粘
性の大きなガラスg!2を形成する。
その後、ガラス膜2上にクラッド用多孔質ガラス膜3、
コア用多孔質ガラス膜4を形成し、これらを高温に加熱
して焼結化することにより透明ガラス膜を得るようにし
ている。クラッド用多孔質ガラスW;43及びコア用多
孔質ガラス膜4は、ガラスm2より熱膨張係数が大きく
、透明ガラス化湿度の低いものを用いるようにする。
[−一皿 シリコン基板1上に形成した粘性の大きなガラス膜2は
、基板1との間に発生する気泡が膨張するのを抑止する
作用をする。この抑止作用のためには、高温で粘性の大
ぎなガラス膜2の厚さは、1μm程度あれば十分である
。本発明によれば、このガラス膜2の上に熱膨張係数が
大きく且つ透明ガラス化温度の低いクラッド用多孔質ガ
ラス膜3及びコア用多孔質ガラス膜4を形成しているの
で、応力によってシリコン基板1が割れることもなく、
シリコン基板1全面に渡って透明なガラス膜を安定して
形成することができる。
実  施  例 以下本発明の実施例を詳細に説明することにする。
第2図に示すような多孔質ガラス膜堆積装置を使用して
、シリコンL(板1上に火炎加水分解用バーナ5により
、S i O2の多孔質ガラス膜を堆積させた。次いで
シリコン基板を1350℃で15分間加熱して、厚さ約
1μmの透明な5ho2ガラス膜をシリコン基板全面に
渡って形成した。このシリコン基板は室温まで冷却して
も割れることはなかった。
続いて同様な装置を使用して、5iO2−P、。
05−8203から成るクラッド用多孔質ガラス、S 
i 02−Gem2−P20、から成るコア用多孔質ガ
ラスを順次堆積させた後、1290℃で加熱したところ
、ガラス中には気泡を含むことなく、透明なりラッド用
ガラス膜及びコア用ガラス膜が基板全面に渡って得られ
た。
第1図は上述のようにしてシリコン基板、Fに形成され
たガラス膜の断面図であり、シリコン基板1上に厚さ1
.0μmのS i O2ガラス膜2が形成されており、
このガラス膜2上にクラッド用ガラス膜3及びコア用ガ
ラス膜4が積層されている。
本実施例においては、クラッド用ガラス膜3の厚は5μ
m1コア用ガラス膜4の厚さは47μmであった。この
シリコン基板は、室温に冷却しても割れることはなかっ
た。
本実施例において使用した、クラッド用ガラス膜3及び
コア用ガラス膜4は、Sio2ガラス膜2より熱膨張係
数が大きく且つ透明ガラス化温度が低いものであった。
本実施例では、基板としてシリコン基板を採用している
が、シリコン基板は熱伝導が良く、G a A S系光
半導体素子を光導波路と組合せて使用づるとき、熱放散
性が良いというメリットがあるためである。
このようにシリコン基板1上にS i 02ガラス膜2
、クラッド用ガラス膜3、コア用ガラス膜を形成した後
、光導波路とするためには、クラッド用ガラス膜3及び
コア用ガラス膜4をリソグラフィーにより所定形状にパ
ターン化し、次いでこのパターン上に3i02ガラスを
CVD法により形成してクラッドガラスとすることによ
り光導波路を形成した。
発明の効果 本発明は以上詳述したように、シリコン基板上に高温で
粘性の大きなガラス膜を形成し、このガラス膜上にクラ
ッド用ガラス膜及びコア用ガラス膜を形成するようにし
たので、基板とその上のガラス膜との界面より気泡が発
生することがなく、また熱膨張係数のミスマッヂングに
より生じる基板とその上のガラス股間に働く応力が小さ
いために基板が割れることがないので、シリコン基板」
−に光導波路用のガラス膜を安定して形成することがで
きるという効果を奏する。さらに多孔質ガラスをまず形
成して、この多孔質ガラスを焼結により透明化している
ので、シリコン基板上に111接ガラス膜を形成する方
法に比較して生産性が良いという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明により形成された光導波路用ガラス膜断
面図、 第2図は多孔質ガラス膜堆積装置の概略構成図である。 1・・・シリコン基板、 2・・・高温ぐ粘性の大きなガラス膜(Sin、、)、
3・・・クラッド用ガラス膜、 4・・・コア用ガラス膜、 5・・・火炎加水分解用バーナ、 6・・・ターンテーブル。 1: >リコン埜オ更 4: つア刈オ゛ラス平( 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 シリコン基板(1)上にクラッド用多孔質ガラス膜(3
    )及びコア用多孔質ガラス膜(4)をこの順に形成し、
    これらのガラス膜(3、4)を高温に加熱して焼結する
    ことにより透明ガラス膜とした後、リソグラフィーによ
    り積層されたクラッド用及びコア用透明ガラス膜を所定
    形状にパターン化し、次いで該パターン上にクラッドガ
    ラスを積層する石英系光導波路の製造方法において、 前記シリコン基板(1)上に高温で粘性の大きなガラス
    膜(2)を形成した後、 該ガラス膜(2)上にクラッド用多孔質ガラス膜(3)
    及びコア用多孔質ガラス膜(4)を形成し、これらの多
    孔質ガラス膜(3、4)を高温に加熱して焼結すること
    を特徴とする石英系光導波路の製造方法。
JP61212209A 1986-09-09 1986-09-09 石英系光導波路の製造方法 Expired - Lifetime JPH0721565B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6376010B1 (en) 1996-12-16 2002-04-23 Corning Incorporated Germanium doped silica forming feedstock and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58115405A (ja) * 1981-12-28 1983-07-09 Fujikura Ltd 厚膜導波路の製造方法
JPS6039605A (ja) * 1983-08-12 1985-03-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波膜の製造方法
JPS62124511A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波膜付シリコンウエハの製造方法

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