JPS58115405A - 厚膜導波路の製造方法 - Google Patents
厚膜導波路の製造方法Info
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- JPS58115405A JPS58115405A JP21356481A JP21356481A JPS58115405A JP S58115405 A JPS58115405 A JP S58115405A JP 21356481 A JP21356481 A JP 21356481A JP 21356481 A JP21356481 A JP 21356481A JP S58115405 A JPS58115405 A JP S58115405A
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- glass
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- glass layer
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光ファイバの分岐・合流に使用する１す膜
導波路の製造方法に関し、特に、石英系材料による厚膜
導波路のコア層の形成方法に関するものである。
導波路の製造方法に関し、特に、石英系材料による厚膜
導波路のコア層の形成方法に関するものである。
発明の背景と目的
厚膜導波路の一例を「第１図、第３図１に示す１０は基
板で、８１などからなる。
板で、８１などからなる。
２０はクラッド層で、平板状の低屈折率ガラス、たとえ
ば８１０２などからなる０ ３０はコア層で、高屈折率ガラス、たとえば５ｉ０２−
Ｇｅ０２などの厚膜からなる。クラ、ド層２０上に所定
のパターンと厚さを持って画かれ、光のガイド層となる
。
ば８１０２などからなる０ ３０はコア層で、高屈折率ガラス、たとえば５ｉ０２−
Ｇｅ０２などの厚膜からなる。クラ、ド層２０上に所定
のパターンと厚さを持って画かれ、光のガイド層となる
。
４０はクラ、ド層で、クラッド層２０と同じ低屈折率ガ
ラスからなり、コア層６０上を一様な厚さでおおう（第
３図では省略）。
ラスからなり、コア層６０上を一様な厚さでおおう（第
３図では省略）。
従来、コア層６０は次のようにして形成していた。
すなわち、まずクラッド層２０上に、コア層６０の元に
なる厚膜を全面的に生成する。それから、ホトリソグラ
フ技術を利用して、Ｔ１．８１などの金属マスクを形成
し、プラズマ利用のドライエツチングなどによってパタ
ーン形成を行なう。
なる厚膜を全面的に生成する。それから、ホトリソグラ
フ技術を利用して、Ｔ１．８１などの金属マスクを形成
し、プラズマ利用のドライエツチングなどによってパタ
ーン形成を行なう。
しかし、この方法では、かなりの厚さのエツチングが必
要になる。それに耐えるホトマスクが現在のところ見あ
たらない。また断面がきれいな長）ｊ杉にならない。
要になる。それに耐えるホトマスクが現在のところ見あ
たらない。また断面がきれいな長）ｊ杉にならない。
この発明は、ホ） ＩＪソゲラフ技術を使用せずに、石
英系厚膜導波路のコア層を形成できるようにしたもので
ある。
英系厚膜導波路のコア層を形成できるようにしたもので
ある。
発明の構成
「第２図１のように、
■）クラッド層２０上の微小面積部分だけを加熱し、気
相反応によって点状ガラス層６２を生成すること、 ２）その点状ガラス層３２を、長さ方向、幅方向ならび
に厚さ方向に集積して、所定のパターンと厚さを持つコ
ア層６０を形成すること、を特徴とする。
相反応によって点状ガラス層６２を生成すること、 ２）その点状ガラス層３２を、長さ方向、幅方向ならび
に厚さ方向に集積して、所定のパターンと厚さを持つコ
ア層６０を形成すること、を特徴とする。
１第２図」は製造装置の概略説明図である。
５０は反応管で、石英などの光を通す材料からなる０
５２は原料ガス５４の入口である。
５６は加熱源である。反応管５０を通して、クラッド層
２０上の微小な面積部分、（たとえば直径２０μｍのス
ボ、ト）を、１５００’Ｑ 微小に加熱できるもの、
あるいは同等のエネルギーを与えるもの、たとえばレー
ザ（Ａｒ１Ｎｄ−ＹＡＧＳＣ！０２など）や、レンズ５
８で集光される白色光などを使用する。
２０上の微小な面積部分、（たとえば直径２０μｍのス
ボ、ト）を、１５００’Ｑ 微小に加熱できるもの、
あるいは同等のエネルギーを与えるもの、たとえばレー
ザ（Ａｒ１Ｎｄ−ＹＡＧＳＣ！０２など）や、レンズ５
８で集光される白色光などを使用する。
６０は加熱源５８の駆動装置で、精密にコア層６０のパ
ターンを描画できるものを使用する。
ターンを描画できるものを使用する。
原料ガス５４としては、ＳｉＨ４やＧｅＨ４などの水素
化物、５ｉＣ１４やＧｅＣｌ４などの塩素化物、Ｓｉ
（ＣＨ３＞４、Ｇｏ （ＯＨ３）４などの有機金属化物
などを使用する。
化物、５ｉＣ１４やＧｅＣｌ４などの塩素化物、Ｓｉ
（ＣＨ３＞４、Ｇｏ （ＯＨ３）４などの有機金属化物
などを使用する。
これらは、加熱部分以外の場所への生成を防ぐために、
連間の薄いものを用いる。
連間の薄いものを用いる。
反応管５０内のふんい気は、定圧、減圧のどちらでもよ
いが、原料や加熱方法などにより適当な方を選ぶ。
いが、原料や加熱方法などにより適当な方を選ぶ。
反応管５０内に原料ガス５４を流し、加熱源５６によっ
て、クラッド層２０上の非常に微小な面積の部分だけを
スポット加熱すると、気相反応によって点状ガラス層３
２が生成する。
て、クラッド層２０上の非常に微小な面積の部分だけを
スポット加熱すると、気相反応によって点状ガラス層３
２が生成する。
加熱源５６を駆動装置６０によって移動させると、点状
のガラス層３２が練塗に集積されて線状カラス層３４に
なる。
のガラス層３２が練塗に集積されて線状カラス層３４に
なる。
その線状ガラス層３４の隣にもう７本の線状ガラス層６
４を添わせると、幅が広がって面状のガラス層ができる
。
４を添わせると、幅が広がって面状のガラス層ができる
。
その面状のガラス層の上に、上記同様にしてまたガラス
層を生成すると、厚さが次第に増す。
層を生成すると、厚さが次第に増す。
駆動装置６０によってパターンを制御しながら以−りの
ことを繰返すと、希望する厚さと形状を持つコア層３０
ができる。
ことを繰返すと、希望する厚さと形状を持つコア層３０
ができる。
なお、クラ、ド層２０と４０とは、通常のＣＶＤ法で作
る。
る。
実 施 例
基板１０には２朋Ｘ ５ ｍの＄１ウェハーを使用。
その両端に「第３図」のように長さｌ １１１１のＶみ
ぞ１２を形成。Ｖみぞ１２以外の場所に、厚さ１０μｍ
（１）Ｓｉ０２膜からなるクラ、ド層２０を形成。生成
は託常のＣＶＤ法により、そのときの流量はＳｉＨ。
ぞ１２を形成。Ｖみぞ１２以外の場所に、厚さ１０μｍ
（１）Ｓｉ０２膜からなるクラ、ド層２０を形成。生成
は託常のＣＶＤ法により、そのときの流量はＳｉＨ。
４ｔｌ ｃｃ ／ ｍｉｎ 、 Ａｒ １０００ ｃｃ
／ ｍｉｎ 、 Ｈ２１０／ ／ｍｉｎ 、温間は１
２００°０１時間は１．５時間である。
／ ｍｉｎ 、 Ｈ２１０／ ／ｍｉｎ 、温間は１
２００°０１時間は１．５時間である。
そのようにしたものを反応管５０内に人ねた。
加熱源５６にはＡｒレーザを使用し、レンズ５８により
、２０μｍ程変の微小面積部分を、１０ ＭＷ ／ｃｍ
のハワー密変で照射できるようにした。
、２０μｍ程変の微小面積部分を、１０ ＭＷ ／ｃｍ
のハワー密変で照射できるようにした。
駆動装置６０には０．１μｍ単位で位置設定可能なＸＹ
ステージを使用。
ステージを使用。
原料ガス５４は５ｉＨ４２０ＱＱ ／記ｉｎ 、 Ｇｅ
Ｈ４４ｃｃ／ｍｉｎ ＸＡｒ １２００ ｃｃ ／ ｍ
ｉｎ □反応管５０内は２２５ Ｔｏｒｒ の軽い減
圧ふんい気とした。
Ｈ４４ｃｃ／ｍｉｎ ＸＡｒ １２００ ｃｃ ／ ｍ
ｉｎ □反応管５０内は２２５ Ｔｏｒｒ の軽い減
圧ふんい気とした。
１０ ｃｍ ／ Ｓｅｃ の走査連関で、７回に幅が
５０μｍ、厚さが８μｍ 微開の５ｉ０２−Ｇｅ０２ガ
ラスの線状ガラス層３４を形成。それをパターン上に数
回繰返すことにより、５０μｍ×５０μｍの四角断面の
コア層６０が得られた。
５０μｍ、厚さが８μｍ 微開の５ｉ０２−Ｇｅ０２ガ
ラスの線状ガラス層３４を形成。それをパターン上に数
回繰返すことにより、５０μｍ×５０μｍの四角断面の
コア層６０が得られた。
その上に再び通常のＣＶＤ法により、厚さ１０μｍ の
８１０２膜からなるクラッド４０を形成した。
８１０２膜からなるクラッド４０を形成した。
発明の効果
点状ガラス層６２を集積してコア層３０を形成するので
、任意の厚さとパターンを持つコア層３０を形成するこ
とができる。
、任意の厚さとパターンを持つコア層３０を形成するこ
とができる。
第１図は厚膜導波路の説明図、
第２１１はこの発明の実施に使用する製造装置の概略説
明図、 第３図はこの発明によって製造した厚膜導波路のクラッ
ド層４０を設ける前の状態の説明図。 １０：基板 ２０と４０：クラッド層 ろ０：コア層 ３２＝点状ガラス層 特許出願人 藤倉電線株式会社
明図、 第３図はこの発明によって製造した厚膜導波路のクラッ
ド層４０を設ける前の状態の説明図。 １０：基板 ２０と４０：クラッド層 ろ０：コア層 ３２＝点状ガラス層 特許出願人 藤倉電線株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 低屈折率ガラスからなる平板状のクラ、ド層上に、 高屈折率ガラスからなり、かつ所定のパターンと厚さを
持つコア層を設け、 そのコア層上に低屈折率ガラスからなるクラッド層を設
けた厚膜導波路を製造するに際して、前記クラッド層上
の微小面積部分だけ加熱して、点状ガラス層を、気相反
応によって生成し、その点状ガラス層を集積して、前記
所定パターンのコア層を形成することを特徴とする厚膜
導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21356481A JPS58115405A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 厚膜導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21356481A JPS58115405A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 厚膜導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115405A true JPS58115405A (ja) | 1983-07-09 |
Family
ID=16641292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21356481A Pending JPS58115405A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 厚膜導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115405A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60162206A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Hitachi Ltd | リツジ型光導波路 |
| JPS6366511A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Fujitsu Ltd | 石英系光導波路の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57163204A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-07 | Nec Corp | Production of optical waveguide on glass substrate |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21356481A patent/JPS58115405A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57163204A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-07 | Nec Corp | Production of optical waveguide on glass substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60162206A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Hitachi Ltd | リツジ型光導波路 |
| JPS6366511A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Fujitsu Ltd | 石英系光導波路の製造方法 |
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