JPH05188231A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH05188231A JPH05188231A JP392892A JP392892A JPH05188231A JP H05188231 A JPH05188231 A JP H05188231A JP 392892 A JP392892 A JP 392892A JP 392892 A JP392892 A JP 392892A JP H05188231 A JPH05188231 A JP H05188231A
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- porous glass
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コア・クラッドの界面で生じる散乱損失を減
少させること。 【構成】 Ｓｉ基板上に下部クラッド層とともに形成し
たコア層をＲＩＥを用いてコアパターンに形成する。次
に、薄膜の干渉層となるべき多孔質ガラス層と、上部ク
ラッド層となるべき多孔質ガラス層とを火炎堆積法によ
ってコアパターン上に形成する。その後、形成された各
多孔質ガラス層を加熱して透明化し、埋め込み型の光導
波路を形成する。この場合、膜厚が約０．５〜２μｍの
干渉層がコアパターンと同一の屈折率を有するので、Ｒ
ＩＥのダメージによって形成されたコアパターン表面上
の凹凸を実質的に平坦化することができる。すなわち、
来上がった光導波路の実施的なコア・クラッド界面が干
渉層と上部クラッド層との間の平滑な面となっているの
で、このコア・クラッド界面で生じる散乱損失を減少さ
せる得る。
少させること。 【構成】 Ｓｉ基板上に下部クラッド層とともに形成し
たコア層をＲＩＥを用いてコアパターンに形成する。次
に、薄膜の干渉層となるべき多孔質ガラス層と、上部ク
ラッド層となるべき多孔質ガラス層とを火炎堆積法によ
ってコアパターン上に形成する。その後、形成された各
多孔質ガラス層を加熱して透明化し、埋め込み型の光導
波路を形成する。この場合、膜厚が約０．５〜２μｍの
干渉層がコアパターンと同一の屈折率を有するので、Ｒ
ＩＥのダメージによって形成されたコアパターン表面上
の凹凸を実質的に平坦化することができる。すなわち、
来上がった光導波路の実施的なコア・クラッド界面が干
渉層と上部クラッド層との間の平滑な面となっているの
で、このコア・クラッド界面で生じる散乱損失を減少さ
せる得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎堆積法等を用いた
光導波路の製造方法に関する。
光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の光導波路の製造方法の一
工程を示した図である。従来の方法では、基板上に下部
クラッド層となるべき多孔質ガラス層と、コア層となる
べき多孔質ガラス層とを火炎堆積法（ＦＨＤ法）によっ
て形成した後、各多孔質ガラス層を焼結して透明化す
る。その後、リソグラフィと反応性イオンエッチングと
を用いて透明化したコア層に適当なコアパターンを形成
し、その上に上部クラッド層となるべき多孔質ガラス層
を堆積してこれを透明化していた。
工程を示した図である。従来の方法では、基板上に下部
クラッド層となるべき多孔質ガラス層と、コア層となる
べき多孔質ガラス層とを火炎堆積法（ＦＨＤ法）によっ
て形成した後、各多孔質ガラス層を焼結して透明化す
る。その後、リソグラフィと反応性イオンエッチングと
を用いて透明化したコア層に適当なコアパターンを形成
し、その上に上部クラッド層となるべき多孔質ガラス層
を堆積してこれを透明化していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の光導波
膜の製造方法では、反応性イオンエッチングによりコア
パターンを形成する段階で、コアパターンや上部クラッ
ド層の表面が粗くなっていた。したがって、かかるコア
パターン上に上部クラッド層を形成すると、コアと上部
クラッド層との界面が凸凹となり、コアを伝送する光の
損失が極めて増大してしまうといった問題があった。
膜の製造方法では、反応性イオンエッチングによりコア
パターンを形成する段階で、コアパターンや上部クラッ
ド層の表面が粗くなっていた。したがって、かかるコア
パターン上に上部クラッド層を形成すると、コアと上部
クラッド層との界面が凸凹となり、コアを伝送する光の
損失が極めて増大してしまうといった問題があった。
【０００４】そこで、本発明はコアを伝送する光の損失
を簡易に低減することが可能な光導波路の製造方法を提
供することを目的とする。
を簡易に低減することが可能な光導波路の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る光導波路の製造方法は、（ａ）下部ク
ラッド層上に形成されたコア層を、例えば反応性イオン
エッチング等を用いてエッチングしてリッジ状のコアパ
ターンを形成する第１のステップと、（ｂ）コア層と略
同一の屈折率を有する薄膜層となるべき多孔質ガラス層
を、コアパターン上に形成する第２のステップとを備え
ることとしている。
め、本発明に係る光導波路の製造方法は、（ａ）下部ク
ラッド層上に形成されたコア層を、例えば反応性イオン
エッチング等を用いてエッチングしてリッジ状のコアパ
ターンを形成する第１のステップと、（ｂ）コア層と略
同一の屈折率を有する薄膜層となるべき多孔質ガラス層
を、コアパターン上に形成する第２のステップとを備え
ることとしている。
【０００６】
【作用】上記光導波路の製造方法によれば、第２のステ
ップで、薄膜層となるべき多孔質ガラス層を火炎堆積法
等によってコアパターン上に形成するので、これを透明
化すればエッチングのダメージによって表面が粗くなっ
たコアパターンをこれと略同一の屈折率を有する薄膜層
で覆うことができる。この結果、コアパターン表面の凹
凸を実質的に平坦化することができ、その後コアパター
ン上に上部クラッド層を形成することによって出来上が
った光導波路のコア・クラッドの界面で生じる散乱損失
を減少させることができる。
ップで、薄膜層となるべき多孔質ガラス層を火炎堆積法
等によってコアパターン上に形成するので、これを透明
化すればエッチングのダメージによって表面が粗くなっ
たコアパターンをこれと略同一の屈折率を有する薄膜層
で覆うことができる。この結果、コアパターン表面の凹
凸を実質的に平坦化することができ、その後コアパター
ン上に上部クラッド層を形成することによって出来上が
った光導波路のコア・クラッドの界面で生じる散乱損失
を減少させることができる。
【０００７】上記光導波路の製造方法において、下部ク
ラッド層と略同一の屈折率を有する上部クラッド層とな
るべき多孔質ガラス層を、薄膜層となるべき上記の多孔
質ガラス層上に形成する第３のステップを更に備えるこ
ととしてもよい。この場合、薄膜層及び上部クラッド層
となるべき多孔質ガラス層が同時に透明化される。した
がって、気泡の混入を防止するため、薄膜層となるべき
多孔質ガラス層が上部クラッド層となるべき多孔質ガラ
ス層と同等又はそれ以下の温度で軟化することが望まし
い。
ラッド層と略同一の屈折率を有する上部クラッド層とな
るべき多孔質ガラス層を、薄膜層となるべき上記の多孔
質ガラス層上に形成する第３のステップを更に備えるこ
ととしてもよい。この場合、薄膜層及び上部クラッド層
となるべき多孔質ガラス層が同時に透明化される。した
がって、気泡の混入を防止するため、薄膜層となるべき
多孔質ガラス層が上部クラッド層となるべき多孔質ガラ
ス層と同等又はそれ以下の温度で軟化することが望まし
い。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る前に、本発明の原理について簡単に説明する。
る前に、本発明の原理について簡単に説明する。
【０００９】図２は、光導波路の製造方法を説明するた
めの図である。Ｓｉ、石英ガラス等の基板上の下部クラ
ッド層上に形成したコア層を反応性イオンエッチング
（以下、ＲＩＥ）を用いてコアパターンに形成する。次
に、薄膜の干渉層となるべき多孔質ガラス層と、上部ク
ラッド層となるべき多孔質ガラス層とを火炎堆積法、Ｃ
ＶＤ法等によってコアパターン上に形成する。その後、
形成された各多孔質ガラス層を加熱して透明化し、埋め
込み型の光導波路を形成する。この場合、薄膜の干渉層
がコア層と同一の屈折率を有するので、ＲＩＥのダメー
ジによって形成されたコアパターン表面上の凹凸を実質
的に平坦化することができる。すなわち、来上がった光
導波路の実施的なコア・クラッド界面が薄膜の干渉層と
上部クラッド層との間の平滑面となっているので、この
コア・クラッド界面で生じる散乱損失を減少させる得
る。
めの図である。Ｓｉ、石英ガラス等の基板上の下部クラ
ッド層上に形成したコア層を反応性イオンエッチング
（以下、ＲＩＥ）を用いてコアパターンに形成する。次
に、薄膜の干渉層となるべき多孔質ガラス層と、上部ク
ラッド層となるべき多孔質ガラス層とを火炎堆積法、Ｃ
ＶＤ法等によってコアパターン上に形成する。その後、
形成された各多孔質ガラス層を加熱して透明化し、埋め
込み型の光導波路を形成する。この場合、薄膜の干渉層
がコア層と同一の屈折率を有するので、ＲＩＥのダメー
ジによって形成されたコアパターン表面上の凹凸を実質
的に平坦化することができる。すなわち、来上がった光
導波路の実施的なコア・クラッド界面が薄膜の干渉層と
上部クラッド層との間の平滑面となっているので、この
コア・クラッド界面で生じる散乱損失を減少させる得
る。
【００１０】ここで、干渉層はできるだけ低い軟化点を
有することが望ましい。干渉層が十分低い軟化点を有す
る場合、干渉層は上部クラッド層の焼結温度で十分に軟
化し、気泡の混入を防止することができる。これによ
り。干渉層及び上部クラッド層の界面は平滑ものとな
る。ただし、この干渉層を予め透明化した後に上部クラ
ッド層となるべき多孔質ガラス層を形成する場合には、
このような軟化点の問題は生じない。
有することが望ましい。干渉層が十分低い軟化点を有す
る場合、干渉層は上部クラッド層の焼結温度で十分に軟
化し、気泡の混入を防止することができる。これによ
り。干渉層及び上部クラッド層の界面は平滑ものとな
る。ただし、この干渉層を予め透明化した後に上部クラ
ッド層となるべき多孔質ガラス層を形成する場合には、
このような軟化点の問題は生じない。
【００１１】また、コアパターン表面上の凹凸が経験上
約０．５μｍ以下であるので、干渉層の膜厚は焼結後に
約０．５μｍ以下となることが望ましい。ただし、実験
的には、干渉層の焼結後の膜厚が約２μｍ以上となる
と、コアの存在しない下部クラッド層及び上部クラッド
層の境界部分に光が導波してしまうことが分かっている
ので、干渉層の焼結後の膜厚を約０．５〜２μｍとする
ことが望ましい。
約０．５μｍ以下であるので、干渉層の膜厚は焼結後に
約０．５μｍ以下となることが望ましい。ただし、実験
的には、干渉層の焼結後の膜厚が約２μｍ以上となる
と、コアの存在しない下部クラッド層及び上部クラッド
層の境界部分に光が導波してしまうことが分かっている
ので、干渉層の焼結後の膜厚を約０．５〜２μｍとする
ことが望ましい。
【００１２】以下、実施例の光導波路の製造方法を図３
〜図４を参照しつつ工程を追って簡単に説明する。
〜図４を参照しつつ工程を追って簡単に説明する。
【００１３】図３（ａ）のステップでは、燃料と原料ガ
スとをバーナに供給しつつＳｉ基板２上を走査する。こ
の結果、下部クラッド層となるべき第１多孔質ガラス層
４が上記のＳｉ基板２上一様に堆積される。次に、燃料
と屈折率上昇ドーパントを含む原料ガスとをバーナに供
給しつつ走査する。この結果、コア層となるべき第２多
孔質ガラス層６が上記の第１多孔質ガラス層４上に一様
に堆積される。
スとをバーナに供給しつつＳｉ基板２上を走査する。こ
の結果、下部クラッド層となるべき第１多孔質ガラス層
４が上記のＳｉ基板２上一様に堆積される。次に、燃料
と屈折率上昇ドーパントを含む原料ガスとをバーナに供
給しつつ走査する。この結果、コア層となるべき第２多
孔質ガラス層６が上記の第１多孔質ガラス層４上に一様
に堆積される。
【００１４】図３（ｂ）のステップでは、第１および第
２多孔質ガラス層４、６を加熱焼結し、透明な下部クラ
ッド層１４およびコア層１６とする。
２多孔質ガラス層４、６を加熱焼結し、透明な下部クラ
ッド層１４およびコア層１６とする。
【００１５】図３（ｃ）のステップでは、コア層１６上
にレジストパターンを形成し、ＲＩＥ等を用いてコア層
１６を所望のパターンにエッチングしてコアパターン２
６とする。コアパターン２６表面には、ＲＩＥのダメー
ジによって凹凸が形成されている。
にレジストパターンを形成し、ＲＩＥ等を用いてコア層
１６を所望のパターンにエッチングしてコアパターン２
６とする。コアパターン２６表面には、ＲＩＥのダメー
ジによって凹凸が形成されている。
【００１６】図４（ａ）のステップでは、図３（ａ）の
ステップと同様の火炎堆積法によって、干渉層となるべ
き第３多孔質ガラス層８と、下部クラッド層となるべき
第４多孔質ガラス層９とが一様に堆積される。
ステップと同様の火炎堆積法によって、干渉層となるべ
き第３多孔質ガラス層８と、下部クラッド層となるべき
第４多孔質ガラス層９とが一様に堆積される。
【００１７】図４（ｂ）のステップでは、第３および第
４多孔質ガラス層８、９を加熱焼結し、透明な干渉層１
８および上部クラッド層１９とする。この場合、第３多
孔質ガラス層８が第４多孔質ガラス層９よりも十分低い
軟化点を有するので、第３多孔質ガラス層８が第４多孔
質ガラス層９よりも先に軟化する。これにより、第３多
孔質ガラス層８内に気泡が混入することを防止できる。
４多孔質ガラス層８、９を加熱焼結し、透明な干渉層１
８および上部クラッド層１９とする。この場合、第３多
孔質ガラス層８が第４多孔質ガラス層９よりも十分低い
軟化点を有するので、第３多孔質ガラス層８が第４多孔
質ガラス層９よりも先に軟化する。これにより、第３多
孔質ガラス層８内に気泡が混入することを防止できる。
【００１８】以下、本発明の具体的実施例について具体
的に簡単に説明する。
的に簡単に説明する。
【００１９】予め、直径６００ｍｍφのターンテーブル
（温度約７００℃）上に、Ｓｉウエハ（直径３インチ）
を並べる。
（温度約７００℃）上に、Ｓｉウエハ（直径３インチ）
を並べる。
【００２０】次に、ガラス微粒子合成用のバーナに燃料
および原料を供給しつつ、ターンテーブルを回転させ、
かつ、上記のバーナをターンテーブルの動径方向に往復
させる。これにより、基板となるべきＳｉウェハ上に、
第１及び第２多孔質ガラス層が一様に堆積される。
および原料を供給しつつ、ターンテーブルを回転させ、
かつ、上記のバーナをターンテーブルの動径方向に往復
させる。これにより、基板となるべきＳｉウェハ上に、
第１及び第２多孔質ガラス層が一様に堆積される。
【００２１】この場合、Ｈ2 ／Ｏ2 バーナに供給すべき
原料は、下部クラッド層に対応する第１多孔質ガラス層
を形成する段階において、以下のようなものであった。
原料は、下部クラッド層に対応する第１多孔質ガラス層
を形成する段階において、以下のようなものであった。
【００２２】ＳｉＣｌ4 ：１００ ｃｃ／分 ＢＣｌ3 ： ５ ｃｃ／分 ＰＯＣｌ3 ： ５ ｃｃ／分 また、コア層に対応する第２多孔質ガラス層を形成する
ステップでバーナに供給する原料は、以下のようなもの
であった。
ステップでバーナに供給する原料は、以下のようなもの
であった。
【００２３】ＳｉＣｌ4 ： ５０ ｃｃ／分 ＧｅＣｌ4 ： １０ ｃｃ／分 ＢＣｌ3 ： ３ ｃｃ／分 ＰＯＣｌ3 ： ３ ｃｃ／分 次に、第１及び第２多孔質ガラス層を堆積したＳｉウェ
ハに、Ｈｅ／Ｏ2 ＝９／１の体積比の雰囲気中で１３０
０℃、１Ｈｒの加熱を施し、各多孔質ガラス層を透明化
して２０μｍ厚の下部クラッド層と８μｍ厚のコア層を
形成した。
ハに、Ｈｅ／Ｏ2 ＝９／１の体積比の雰囲気中で１３０
０℃、１Ｈｒの加熱を施し、各多孔質ガラス層を透明化
して２０μｍ厚の下部クラッド層と８μｍ厚のコア層を
形成した。
【００２４】次に、このコア層上にリソグラフィ技術を
用いてレジストパターンを形成する。レジストパターン
を用いてコア層にＲＩＥを施し、下部クラッド層を露出
させるとともに幅８μｍで高さ８μｍのリッジ状のコア
パターン２６を得る。
用いてレジストパターンを形成する。レジストパターン
を用いてコア層にＲＩＥを施し、下部クラッド層を露出
させるとともに幅８μｍで高さ８μｍのリッジ状のコア
パターン２６を得る。
【００２５】次に、露出した下部クラッド層とリッジ状
のコアパターンとの上部に、第３及び第４多孔質ガラス
層を一様に堆積する。
のコアパターンとの上部に、第３及び第４多孔質ガラス
層を一様に堆積する。
【００２６】この場合、Ｈ2 ／Ｏ2 バーナに供給すべき
原料は、干渉層に対応する第３多孔質ガラス層を形成す
るステップで、以下のようなものであった。
原料は、干渉層に対応する第３多孔質ガラス層を形成す
るステップで、以下のようなものであった。
【００２７】ＳｉＣｌ4 ： ５０ ｃｃ／分 ＧｅＣｌ4 ： １０ ｃｃ／分 ＢＣｌ3 ： １０ ｃｃ／分 ＰＯＣｌ3 ： １０ ｃｃ／分 また、上部クラッド層に対応する第４多孔質ガラス層を
形成するステップでバーナに供給する原料は、以下のよ
うなものであった。
形成するステップでバーナに供給する原料は、以下のよ
うなものであった。
【００２８】ＳｉＣｌ4 ：１００ ｃｃ／分 ＢＣｌ3 ： ７ ｃｃ／分 ＰＯＣｌ3 ： ７ ｃｃ／分 次に、Ｈｅ／Ｏ2 ＝９／１の体積比の雰囲気中で１２５
０℃、１Ｈｒの加熱を施し、各多孔質ガラス層を透明化
して０．７μｍ厚の干渉層と２０μｍ厚の上部クラッド
層とを形成した。
０℃、１Ｈｒの加熱を施し、各多孔質ガラス層を透明化
して０．７μｍ厚の干渉層と２０μｍ厚の上部クラッド
層とを形成した。
【００２９】以上により、既に図４（ｂ）で示したよう
な光導波路を得ることができた。この光導波路について
損失を測定したところ、波長１．３μｍの光に対する損
失値が０．０２ｄＢ／ｃｍと良好なものであった。
な光導波路を得ることができた。この光導波路について
損失を測定したところ、波長１．３μｍの光に対する損
失値が０．０２ｄＢ／ｃｍと良好なものであった。
【００３０】最後に、比較例について具体的に簡単に説
明する。比較例の製造条件は上記実施例の製造条件とほ
ぼ同様である。ただし、第１比較例では干渉層を設けて
いない。また、第２比較例では干渉層の厚さを３μｍに
増加させている。
明する。比較例の製造条件は上記実施例の製造条件とほ
ぼ同様である。ただし、第１比較例では干渉層を設けて
いない。また、第２比較例では干渉層の厚さを３μｍに
増加させている。
【００３１】第１比較例の場合、干渉層が存在しないた
めにコア・クラッドの界面で散乱が生じ、損失値が０．
５ｄＢ／ｃｍに増加する。第２比較例の場合、干渉層が
厚いために干渉層の光が洩れ易く、直線状のコアでは
０．０２ｄＢ／ｃｍと低損失であるが曲率Ｒ＝５０ｍｍ
φの曲がり導波路では約１ｄＢ／ｃｍの放射損失が発生
してしまい、通常の用途での使用に支障が生じることが
分かる。
めにコア・クラッドの界面で散乱が生じ、損失値が０．
５ｄＢ／ｃｍに増加する。第２比較例の場合、干渉層が
厚いために干渉層の光が洩れ易く、直線状のコアでは
０．０２ｄＢ／ｃｍと低損失であるが曲率Ｒ＝５０ｍｍ
φの曲がり導波路では約１ｄＢ／ｃｍの放射損失が発生
してしまい、通常の用途での使用に支障が生じることが
分かる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波膜
の製造方法によれば、第２のステップで、薄膜層となる
べき多孔質ガラス層をコアパターン上に形成するので、
これを透明化すればエッチングのダメージによって表面
が粗くなったコアパターンをこれと略同一の屈折率を有
するこの薄膜層で覆うことができる。この結果、コアパ
ターン表面の凹凸を実質的に平坦化することができ、そ
の後コアパターン上に上部クラッド層を形成することに
よって出来上がった光導波路のコア・クラッドの界面で
生じる散乱損失を減少させることができる。
の製造方法によれば、第２のステップで、薄膜層となる
べき多孔質ガラス層をコアパターン上に形成するので、
これを透明化すればエッチングのダメージによって表面
が粗くなったコアパターンをこれと略同一の屈折率を有
するこの薄膜層で覆うことができる。この結果、コアパ
ターン表面の凹凸を実質的に平坦化することができ、そ
の後コアパターン上に上部クラッド層を形成することに
よって出来上がった光導波路のコア・クラッドの界面で
生じる散乱損失を減少させることができる。
【図１】従来例の光導波膜の製造方法の問題点を説明を
示した図。
示した図。
【図２】本発明の製造方法を用いて形成した光導波路を
示した図。
示した図。
【図３】実施例の光導波膜の製造方法を説明した図。
【図４】実施例の光導波膜の製造方法を説明した図。
１４…下部クラッド層、２６…コアパターン、１８…薄
膜層、１９…上部クラッド層。
膜層、１９…上部クラッド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 石川 真二 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 斎藤 真秀 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 下部クラッド層上に形成されたコア層を
エッチングしてリッジ状のコアパターンを形成する第１
のステップと、 前記コア層と略同一の屈折率を有する薄膜層となるべき
多孔質ガラス層を、前記コアパターン上に形成する第２
のステップと、 を備える光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記下部クラッド層と略同一の屈折率を
有する上部クラッド層となるべき多孔質ガラス層を、前
記薄膜層となるべき多孔質ガラス層上に形成する第３の
ステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の
光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 前記薄膜層となるべき多孔質ガラス層と
前記上部クラッド層となるべき多孔質ガラス層とを、火
炎堆積法によって形成することを特徴とする請求項２記
載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜層となるべき多孔質ガラス層
は、前記上部クラッド層となるべき多孔質ガラス層と同
等又はそれ以下の温度で軟化することを特徴とする請求
項３記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 第１のステップにおいて、前記コアパタ
ーンをリソグラフィと反応性イオンエッチングとを用い
て形成することを特徴とする請求項１記載の光導波路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP392892A JPH05188231A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP392892A JPH05188231A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188231A true JPH05188231A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11570799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP392892A Pending JPH05188231A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188231A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2004001464A1 (ja) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Nec Corporation | 光導波路回路およびその製造方法 |
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1992
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