JPS63310536A - 電子管陰極 - Google Patents
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- JPS63310536A JPS63310536A JP62146644A JP14664487A JPS63310536A JP S63310536 A JPS63310536 A JP S63310536A JP 62146644 A JP62146644 A JP 62146644A JP 14664487 A JP14664487 A JP 14664487A JP S63310536 A JPS63310536 A JP S63310536A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、受像管などに用いられる電子管陰極に関する
もので、陰極から放出される電子の放射特性の向上が図
られたものである。
もので、陰極から放出される電子の放射特性の向上が図
られたものである。
[従来の技術]
従来、受像管などに用いられる電子管陰極には、ニッケ
ル(Ni)を主成分としてマグネシウム(Hり)、シリ
コン(Si)などの還元剤を微量含有させた基体金属上
に、バリウム(Ba)を含むアルカリ土類金属の酸化物
層を被着形成したいわゆる酸化物陰極が多用されている
。
ル(Ni)を主成分としてマグネシウム(Hり)、シリ
コン(Si)などの還元剤を微量含有させた基体金属上
に、バリウム(Ba)を含むアルカリ土類金属の酸化物
層を被着形成したいわゆる酸化物陰極が多用されている
。
この酸化物陰極はアルカリ土類金属の炭酸塩を熱分解し
て酸化物に変換せしめたもので、のちに還元剤と酸化物
とを反応させて酸化物から遊離原子を生成させ、この遊
離原子を電子放射のドナー(源)として電子を放射せし
めるようにしたものである。前記炭酸塩には炭酸バリウ
ム(BaCO3)の単元のものと(Ba、 Sr、 C
a)CO3などの復元のものとがあるが、活性化してド
ナーを形成する基本的な機構は同じであるから、理解を
容易にするために単元炭酸塩を例にとって詳細に説明す
る。
て酸化物に変換せしめたもので、のちに還元剤と酸化物
とを反応させて酸化物から遊離原子を生成させ、この遊
離原子を電子放射のドナー(源)として電子を放射せし
めるようにしたものである。前記炭酸塩には炭酸バリウ
ム(BaCO3)の単元のものと(Ba、 Sr、 C
a)CO3などの復元のものとがあるが、活性化してド
ナーを形成する基本的な機構は同じであるから、理解を
容易にするために単元炭酸塩を例にとって詳細に説明す
る。
第4図は従来の酸化物陰極の一例を示す概略断面図であ
って、基体金属(1)からなる陰極帽体と筒(2とで構
成される陰極筒内部にはヒーター(3)が配備され、加
熱昇温される構造になっており、基体金a(1)の表面
には酸化バリウム(Bad)からなる電子放射物質El
(55)が形成されている。
って、基体金属(1)からなる陰極帽体と筒(2とで構
成される陰極筒内部にはヒーター(3)が配備され、加
熱昇温される構造になっており、基体金a(1)の表面
には酸化バリウム(Bad)からなる電子放射物質El
(55)が形成されている。
この電子放射物質層(55)は、つぎのような工程によ
って形成される。すなわち、有機溶剤に溶解したニトロ
セルロースなどの樹脂溶液にBaCO3を混合せしめた
のち、吹き付け、電着、塗布などの方法で基体金属(1
)上に被着形成させる。
って形成される。すなわち、有機溶剤に溶解したニトロ
セルロースなどの樹脂溶液にBaCO3を混合せしめた
のち、吹き付け、電着、塗布などの方法で基体金属(1
)上に被着形成させる。
このようにして形成された陰極はついで電子管内に組込
まれ、電子管内を真空にするための排気工程でヒーター
(3)によって約1000℃に加熱昇温せしめられ、B
aCO3を次式で示されるように熱分解せしめられ、B
aOに変換せしめられる。
まれ、電子管内を真空にするための排気工程でヒーター
(3)によって約1000℃に加熱昇温せしめられ、B
aCO3を次式で示されるように熱分解せしめられ、B
aOに変換せしめられる。
aaco3 →BaO+ CO2(1)この反応によっ
て生成した炭酸ガス(CO2)は、ニトロセルロースの
熱分解によって生じた気体とともに電子管外に排出され
る。
て生成した炭酸ガス(CO2)は、ニトロセルロースの
熱分解によって生じた気体とともに電子管外に排出され
る。
第5図は基体金ff (11と電子放射物質層(55)
の界面近傍を詳細に説明するための、該界面近傍の断面
の一部分を拡大した模式図である。一般に電子放射物質
Im(55)を構成するBaOは棒状の微小な結晶(8
)が凝集して数理〜数十−の大きさの結晶粒(9)とな
る。電子放射物質層(55)を構成する結晶粒(9)間
には適度の間隙色があり、多孔質となっている。
の界面近傍を詳細に説明するための、該界面近傍の断面
の一部分を拡大した模式図である。一般に電子放射物質
Im(55)を構成するBaOは棒状の微小な結晶(8
)が凝集して数理〜数十−の大きさの結晶粒(9)とな
る。電子放射物質層(55)を構成する結晶粒(9)間
には適度の間隙色があり、多孔質となっている。
このBaOは基体金属(1)と接触する界面(Illに
おいて、前記還元剤の81やN9と反応し、遊離の88
が生成する。これらの還元剤は基体金属(1)のN1の
結晶粒(6)の間の結晶粒界(刀を拡散移動し、界面(
I+)近傍でつぎのような還元反応がおこる。
おいて、前記還元剤の81やN9と反応し、遊離の88
が生成する。これらの還元剤は基体金属(1)のN1の
結晶粒(6)の間の結晶粒界(刀を拡散移動し、界面(
I+)近傍でつぎのような還元反応がおこる。
2BaO+ St−+ 28a + 5i02
(KIBaO+Hg−* Ba +HgO(
110この遊離Baが電子放射のドナーとして作用する
。
(KIBaO+Hg−* Ba +HgO(
110この遊離Baが電子放射のドナーとして作用する
。
また、この際式N:
5i02 + 2BaO−) Ba25in4(N)で
示される反応も同時おこる。
示される反応も同時おこる。
以上のようにドナーとして作用する遊離8aは電子放射
物質層(55)と基体金属(1)との界面で生成し、電
子放射物質層(55)の間隙色を移動し、その表面に出
て電子放射するという役割を担うが、該ドナーは蒸発し
たり、電子管内に残留するガスのC01CO2,02,
820などのガスと反応して消滅したりするので、絶え
ず上記のような反応を行なわせてドナーを補給する必要
があり、陰極では、作動中宮にこの還元反応が行なわれ
ている必要がある。
物質層(55)と基体金属(1)との界面で生成し、電
子放射物質層(55)の間隙色を移動し、その表面に出
て電子放射するという役割を担うが、該ドナーは蒸発し
たり、電子管内に残留するガスのC01CO2,02,
820などのガスと反応して消滅したりするので、絶え
ず上記のような反応を行なわせてドナーを補給する必要
があり、陰極では、作動中宮にこの還元反応が行なわれ
ている必要がある。
この補給と消滅のバランスをとるため、この種の陰極は
一般に約800℃の高温で使用される。
一般に約800℃の高温で使用される。
しかしながら、陰極の作動中に、式([1またはNに示
されるSio2、aa2sho、などの反応生成物O2
が電子放射物質I!(55)と基体金属(1)との接合
面である界面01)において生成するので、この反応生
成物021が界面01)や結晶粒界(7)にどんどん蓄
積して結晶粒界(力を移動する31などの障壁(一般に
、これを中間層という)となり、反応は次第に遅くなり
、ドナーであるBaの生成が困難となる。また、この中
間層が高抵抗値を有し、故+31電子電流の流れを妨げ
るという問題も生じる。
されるSio2、aa2sho、などの反応生成物O2
が電子放射物質I!(55)と基体金属(1)との接合
面である界面01)において生成するので、この反応生
成物021が界面01)や結晶粒界(7)にどんどん蓄
積して結晶粒界(力を移動する31などの障壁(一般に
、これを中間層という)となり、反応は次第に遅くなり
、ドナーであるBaの生成が困難となる。また、この中
間層が高抵抗値を有し、故+31電子電流の流れを妨げ
るという問題も生じる。
このような問題点を解決するために、特開昭61−26
9828号公報や特開昭61−271732号公報など
には酸化スカンジウム(5C203)の粉末が分散した
電子放射物質層を形成することにより、 ■5c2o3とアルカリ土類金属酸化物との反応で生成
する複合酸化物(たとえばBa3 SC409)が陰極
、の動作中に熱分解をおこしてドナーである遊離Baを
生成し、補給する。
9828号公報や特開昭61−271732号公報など
には酸化スカンジウム(5C203)の粉末が分散した
電子放射物質層を形成することにより、 ■5c2o3とアルカリ土類金属酸化物との反応で生成
する複合酸化物(たとえばBa3 SC409)が陰極
、の動作中に熱分解をおこしてドナーである遊離Baを
生成し、補給する。
■遊離した金属スカンジウム(Sc)が電子放射物質層
の導電性を高める ■界面に生成するBaz SiO+などの反応生成物を
解離させる ことなどが開示されている。
の導電性を高める ■界面に生成するBaz SiO+などの反応生成物を
解離させる ことなどが開示されている。
[発明が解決しようとする問題点]
このように、5c2o3の粉末を分散させた電子放射物
質層を設けることにより、高電流密度で作動させうる電
子管陰極が開示されているが、かかる5c2o3として
、通常の製法、すなわちScを含む塩酸溶液からシュウ
酸により沈澱させてシュウ酸スカンジウムとし、ぽい焼
して製造された5C203を用いたばあい、このような
5c2o3は不純物として塩素を含みやすく、式M: Ba + 2CI−+BaCl z
(V)で示される反応がおこり、ドナーを消滅させると
いう問題がある。このドナーの消滅が大きいばあいには
、電子放射電流が大きく減少するスランプ現象となる。
質層を設けることにより、高電流密度で作動させうる電
子管陰極が開示されているが、かかる5c2o3として
、通常の製法、すなわちScを含む塩酸溶液からシュウ
酸により沈澱させてシュウ酸スカンジウムとし、ぽい焼
して製造された5C203を用いたばあい、このような
5c2o3は不純物として塩素を含みやすく、式M: Ba + 2CI−+BaCl z
(V)で示される反応がおこり、ドナーを消滅させると
いう問題がある。このドナーの消滅が大きいばあいには
、電子放射電流が大きく減少するスランプ現象となる。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、柱状多面体結晶構造を有し、かつ塩素原子を含
有しない5c2o3を含有する電子放射物質層を設ける
ことによって、長時間にわたって安定した電子放射特性
がえられる電子管陰極をうろことを目的とする。
もので、柱状多面体結晶構造を有し、かつ塩素原子を含
有しない5c2o3を含有する電子放射物質層を設ける
ことによって、長時間にわたって安定した電子放射特性
がえられる電子管陰極をうろことを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、Xiを主成分とし、少なくともSiを含有し
た陰極基体金属と、Baを含有したアルカリ土類金属酸
化物および5C203からなる電子放射物質層とから構
成された電子管陰極であって、該5C20sが柱状多面
体の結晶形を有し、かつ塩素原子を含有しない5c2o
3で、電子放射物質層中に0.1〜20重量%分散して
いる電子管陰極に関する。
た陰極基体金属と、Baを含有したアルカリ土類金属酸
化物および5C203からなる電子放射物質層とから構
成された電子管陰極であって、該5C20sが柱状多面
体の結晶形を有し、かつ塩素原子を含有しない5c2o
3で、電子放射物質層中に0.1〜20重量%分散して
いる電子管陰極に関する。
[作 用]
本発明の電子管陰極における電子放射物質層に分散した
柱状多面体の結晶構造を有する5C203は、不純物の
塩素を含有していないので、遊離原子のBaなどのドナ
ーを消滅させることがなく安定した電子放射電流をうる
ことができる。また還元剤の複合酸化物からなる中間層
が基体金属と電子放射物質層との界面近傍に集中して形
成されることが防止される。
柱状多面体の結晶構造を有する5C203は、不純物の
塩素を含有していないので、遊離原子のBaなどのドナ
ーを消滅させることがなく安定した電子放射電流をうる
ことができる。また還元剤の複合酸化物からなる中間層
が基体金属と電子放射物質層との界面近傍に集中して形
成されることが防止される。
[実施例]
本発明の一実施例を第1〜3図に基づいて説明する。
第1図は、本発明の電子管陰極の一実流例を示す概略断
面図であって、基体金属(1)からなる陰極帽体と筒(
2)とで構成される陰極筒の内部にはヒーター(3)が
配備され、加熱昇温される構成となっている。陰極帽体
の表面には、電子放射物質層(Sが被着形成されている
。
面図であって、基体金属(1)からなる陰極帽体と筒(
2)とで構成される陰極筒の内部にはヒーター(3)が
配備され、加熱昇温される構成となっている。陰極帽体
の表面には、電子放射物質層(Sが被着形成されている
。
本発明に用いられる基体金属としては、Niを主成分と
し、すくなとくもSiを含有したものであればいずれの
ものであってもよく、従来から陰極基体金属として用い
られているものが使用されうる。
し、すくなとくもSiを含有したものであればいずれの
ものであってもよく、従来から陰極基体金属として用い
られているものが使用されうる。
陰極基体金属の具体例としては、たとえばSiを含有し
、要すればHQ、W 、Zr、 /Vなどを含有したN
iやニクロム(Ni−Cr)などがあげられる。かかる
Siの含有率は、基体金属中0.01〜1.0%(重層
%、以下同様)であるのが好ましい。
、要すればHQ、W 、Zr、 /Vなどを含有したN
iやニクロム(Ni−Cr)などがあげられる。かかる
Siの含有率は、基体金属中0.01〜1.0%(重層
%、以下同様)であるのが好ましい。
本発明に用いられる筒にはとくに限定はなく、従来から
陰極筒に用いられているものが使用でき、たとえばニク
ロム(Ni−Cr)からなるものがあげられる。
陰極筒に用いられているものが使用でき、たとえばニク
ロム(Ni−Cr)からなるものがあげられる。
電子放射物質層はBaを含有したアルカリ土類金RM化
物を主体とする層であって、柱状多面体の結晶形を有し
、かつ不純物である塩素原子を含有していない5C20
3(やむなく砕けたものが含まれていてもよく、好まし
くは柱状多面体結晶が50%以上、さらに好ましくは7
0%以上、とくに好ましくは90%以上のものである)
が該層中に0.1〜20%、好ましくは3〜10%分散
したものである。該層の厚さは50〜200−であるの
が好ましい。
物を主体とする層であって、柱状多面体の結晶形を有し
、かつ不純物である塩素原子を含有していない5C20
3(やむなく砕けたものが含まれていてもよく、好まし
くは柱状多面体結晶が50%以上、さらに好ましくは7
0%以上、とくに好ましくは90%以上のものである)
が該層中に0.1〜20%、好ましくは3〜10%分散
したものである。該層の厚さは50〜200−であるの
が好ましい。
なお、本明細書にいう塩素原子を含有しない5C203
とは、電子管陰極の電子の放射性能に悪影響を及ぼさな
い程度の量であれば塩素原子を含有したものであっても
よく、通常5C203に対し、塩素原子の含有率が10
0pp−以下のものをいう。
とは、電子管陰極の電子の放射性能に悪影響を及ぼさな
い程度の量であれば塩素原子を含有したものであっても
よく、通常5C203に対し、塩素原子の含有率が10
0pp−以下のものをいう。
前記アルカリ土類金属酸化物としては、たとえばBaC
O3、(8a、 Sr) CO3、(Ba、 Sr、
Ca) CO3などを熱分解して酸化物に変換せしめた
ものなどがあげられる。また、Baの含有率が該層中4
0%以上のものが好ましい。
O3、(8a、 Sr) CO3、(Ba、 Sr、
Ca) CO3などを熱分解して酸化物に変換せしめた
ものなどがあげられる。また、Baの含有率が該層中4
0%以上のものが好ましい。
柱状多面体の結晶形を有するSC203は第2図(倍率
800倍の電子顕微鏡写真)に示されるような結晶であ
る。前記5c2o3の平均粒径は5〜50虜であるのが
好ましい。平均粒径が5−未満のばあい、電子放射物質
層中の間隔を埋めやすくなり、また50pをこえるばあ
い、電子放射物質層を吹き付は法によって形成すると吹
き付は時に5C203の結晶が沈澱しやすく、該層内の
分散状態がわるくなりやすい。
800倍の電子顕微鏡写真)に示されるような結晶であ
る。前記5c2o3の平均粒径は5〜50虜であるのが
好ましい。平均粒径が5−未満のばあい、電子放射物質
層中の間隔を埋めやすくなり、また50pをこえるばあ
い、電子放射物質層を吹き付は法によって形成すると吹
き付は時に5C203の結晶が沈澱しやすく、該層内の
分散状態がわるくなりやすい。
また、前記5C203が電子管陰極の電子の放射性能に
悪影響を及ぼす程度のmの塩素原子を含有しているばあ
いはドナーを消滅させやすく、スランプ現象をひきおこ
す原因となる。
悪影響を及ぼす程度のmの塩素原子を含有しているばあ
いはドナーを消滅させやすく、スランプ現象をひきおこ
す原因となる。
柱状多面体の結晶形を有し、かつ塩素原子を含有しない
5C)03は、Scを含有する硝!!(8H03)の溶
液からシュウ酸(C204)+2 )により沈澱させて
製造することができる。従来から一般に用いられてえら
れる5C203は不純物として塩素を含みやすく、この
不純物を除去するために洗浄、焼成などの特別な処理が
必要なことがわかった。
5C)03は、Scを含有する硝!!(8H03)の溶
液からシュウ酸(C204)+2 )により沈澱させて
製造することができる。従来から一般に用いられてえら
れる5C203は不純物として塩素を含みやすく、この
不純物を除去するために洗浄、焼成などの特別な処理が
必要なことがわかった。
前記5c2o3の含有率が、電子放射物質中0.1%未
満のばあい、高電流作動下での電子放射の劣化を防止す
る効果が充分でなく、また20%をこえると電子管陰極
の活性化工程を終了した段階(初期特性)で充分な電子
放射電流をとることができず、実用的ではない。
満のばあい、高電流作動下での電子放射の劣化を防止す
る効果が充分でなく、また20%をこえると電子管陰極
の活性化工程を終了した段階(初期特性)で充分な電子
放射電流をとることができず、実用的ではない。
電子放射物質層の形成方法にはとくに限定はなく、電着
、塗布、吹き付けなどの方法によってもよいが、良好な
電子放射性能をうるためには多孔質の層膜に形成するこ
とが重要であるので吹き付は法が好ましい。たとえば有
機溶剤に溶解したニトロセルロースの溶液に8aCO3
と5c2o3を所望の割合で混合して懸濁液とし、吹き
付は法によって被着形成するのが好ましい。
、塗布、吹き付けなどの方法によってもよいが、良好な
電子放射性能をうるためには多孔質の層膜に形成するこ
とが重要であるので吹き付は法が好ましい。たとえば有
機溶剤に溶解したニトロセルロースの溶液に8aCO3
と5c2o3を所望の割合で混合して懸濁液とし、吹き
付は法によって被着形成するのが好ましい。
以・上のようにして製作された排気工程や活性化工程に
より電子管陰極になるものは、電子放射源であるドナー
を生成させるための従来と同様の排気工程、活性化工程
により電子管陰極となる。
より電子管陰極になるものは、電子放射源であるドナー
を生成させるための従来と同様の排気工程、活性化工程
により電子管陰極となる。
このようにして製造された電子管陰極の作用効果をドナ
ーの出発物質としてBaCO3を例にあげて説明する。
ーの出発物質としてBaCO3を例にあげて説明する。
上記のようにして作製された排気工程・活性化工程によ
って電子管陰極となるものは電子管内に組込まれ、電子
管内を真空にするための排気工程でヒーター(3)によ
って約1000℃に昇温加熱されてBaCO3が次式の
ように熱分解される。
って電子管陰極となるものは電子管内に組込まれ、電子
管内を真空にするための排気工程でヒーター(3)によ
って約1000℃に昇温加熱されてBaCO3が次式の
ように熱分解される。
BaC03−) aao+ CO2(1)この反応時に
生じたCO2は電子管外に排出される。電子放射物質層
の形成時にニトロセルロースの懸濁液を用いたばあいは
、同時にニトロセルロースも熱分解されて気体となり、
CO2とともに管外に排出される。この反応によって、
BaCO3は電子放射物質m1(5)を形成するBaO
に変換する。
生じたCO2は電子管外に排出される。電子放射物質層
の形成時にニトロセルロースの懸濁液を用いたばあいは
、同時にニトロセルロースも熱分解されて気体となり、
CO2とともに管外に排出される。この反応によって、
BaCO3は電子放射物質m1(5)を形成するBaO
に変換する。
第3図は、基体金属(1)と電子放射物質層(5)との
界面近傍を詳細に説明するための、該界面近傍の断面の
一部分を拡大した模式図である。電子放射物質層(5を
構成するBaOは棒状の微小な結晶(8)が凝集して数
−〜数士虜の大きさの結晶粒(9)となる。
界面近傍を詳細に説明するための、該界面近傍の断面の
一部分を拡大した模式図である。電子放射物質層(5を
構成するBaOは棒状の微小な結晶(8)が凝集して数
−〜数士虜の大きさの結晶粒(9)となる。
電子放射物質層(5は、結晶粒間に適度の間隙色を有す
る多孔質であることが電子放射性能の点から望ましい。
る多孔質であることが電子放射性能の点から望ましい。
このような特性は、BaC0,を被着形成する際にほぼ
決定される。電子放射物質11[5)内には、柱状多面
体の結晶形を有する5C203[41が分散している。
決定される。電子放射物質11[5)内には、柱状多面
体の結晶形を有する5C203[41が分散している。
還元剤のSiや旬は、基体金属(1)のNiを主成分と
する結晶粒(6)の間の結晶粒界(7)を拡散移動し、
式(11に示されるような反応で生成したBaOは、こ
のBaOを還元させる活性化工程中に界面01)におい
て、基体金属(1)から拡散してくる酸化性余病とたと
えば式(■): 2BaO+ Si→2Ba + 5i02
(I)に示される反応を行なう。この遊離Baが
電子M射のドナーとして電子を放射する。
する結晶粒(6)の間の結晶粒界(7)を拡散移動し、
式(11に示されるような反応で生成したBaOは、こ
のBaOを還元させる活性化工程中に界面01)におい
て、基体金属(1)から拡散してくる酸化性余病とたと
えば式(■): 2BaO+ Si→2Ba + 5i02
(I)に示される反応を行なう。この遊離Baが
電子M射のドナーとして電子を放射する。
また、この隔成N:
5f02+ 2BaO−+ Baz 5iOi
(IV)で示される反応もおこる。
(IV)で示される反応もおこる。
以上のように、ドナーとなるBaは電子放射物質層(5
)と基体金属(1)との界面(II)で生成され、電子
放射物質層(5)の結晶粒(9)の間隙□□□を移動し
、その表面に出て電子放射の役割を担うが、蒸発したり
電子管内に残留するC01CO2,0,などのガスと反
応して消滅したりするので、絶えず上記のような反応を
行なって補給する必要があり、陰極では作動中宮にこの
還元反応が行なわれている。この補給と消滅のバランス
をとるために、作動中、陰極を約800℃に保持するこ
とが望ましい。
)と基体金属(1)との界面(II)で生成され、電子
放射物質層(5)の結晶粒(9)の間隙□□□を移動し
、その表面に出て電子放射の役割を担うが、蒸発したり
電子管内に残留するC01CO2,0,などのガスと反
応して消滅したりするので、絶えず上記のような反応を
行なって補給する必要があり、陰極では作動中宮にこの
還元反応が行なわれている。この補給と消滅のバランス
をとるために、作動中、陰極を約800℃に保持するこ
とが望ましい。
本発明の電子管陰極では、分散した5C203は柱状多
面体の結晶形を有しているので、BaOの結晶形状と類
似のため、電子放射物質層(5)に分散しやすいという
特徴を有している。したがって、前記式■で示される反
応生成物であるBaz 5i04は、式@J: 5c203 +1ONi−+ 2ScNi、 +30
[で示される反応によって生成したScN
i 5と式■:98a2 5i04 + 16ScNi
s 44Ba3 SC40g+EiBa +9Si
+8ONi (17IDで示されるように反応し、
5c203と旧とにより分解されるので、電子放射物質
層(Sと基体金属(1)との界面0ηに蓄積されにくく
なる。
面体の結晶形を有しているので、BaOの結晶形状と類
似のため、電子放射物質層(5)に分散しやすいという
特徴を有している。したがって、前記式■で示される反
応生成物であるBaz 5i04は、式@J: 5c203 +1ONi−+ 2ScNi、 +30
[で示される反応によって生成したScN
i 5と式■:98a2 5i04 + 16ScNi
s 44Ba3 SC40g+EiBa +9Si
+8ONi (17IDで示されるように反応し、
5c203と旧とにより分解されるので、電子放射物質
層(Sと基体金属(1)との界面0ηに蓄積されにくく
なる。
したがって、従来の陰極のようにBa2SiO4などの
反応生成物が基体金属と電子放射物質層との界面に蓄積
してSiなどの還元剤の通る障壁となり、還元反応が次
第に遅くなり、ドナーとなる遊離8aの生成が困難にな
ることはない。そのうえ、高抵抗値の中間層がないので
、電子放射電流を妨げることもなく、電子管陰極を高い
電流密度で作動させることができる。また、塩酸溶液よ
りシュウ酸により沈澱生成させてえられるような5c2
03を分散させたばあいと異なり、該5C303に含有
されているハロゲンによる電子放射物質JI[5)中の
遊離原子の消滅がないので、充分な電子放射電流をうる
ことができる。さらに、本発明の電子管陰極は電子放射
物質の分解活性化工程が従来のものと同じでよいので、
電子管の製造工程が従来と同じでよいという利点がある
。
反応生成物が基体金属と電子放射物質層との界面に蓄積
してSiなどの還元剤の通る障壁となり、還元反応が次
第に遅くなり、ドナーとなる遊離8aの生成が困難にな
ることはない。そのうえ、高抵抗値の中間層がないので
、電子放射電流を妨げることもなく、電子管陰極を高い
電流密度で作動させることができる。また、塩酸溶液よ
りシュウ酸により沈澱生成させてえられるような5c2
03を分散させたばあいと異なり、該5C303に含有
されているハロゲンによる電子放射物質JI[5)中の
遊離原子の消滅がないので、充分な電子放射電流をうる
ことができる。さらに、本発明の電子管陰極は電子放射
物質の分解活性化工程が従来のものと同じでよいので、
電子管の製造工程が従来と同じでよいという利点がある
。
実施例1
水酸化スカンジウムを硝11 (HNO3)に溶解し、
シュウ酸(C204H2)により5C303を沈澱させ
、塩素原子を含有していない柱状多面体の結晶形を有す
るものが90%以上のもので、平均粒径10−の5C2
03をえた。
シュウ酸(C204H2)により5C303を沈澱させ
、塩素原子を含有していない柱状多面体の結晶形を有す
るものが90%以上のもので、平均粒径10−の5C2
03をえた。
有機溶剤に溶解したニトロセルロースの溶液に電子放射
物質層中の5C203の含有率が5%になるようにBa
C0,と5C203を混合して懸濁液とした。
物質層中の5C203の含有率が5%になるようにBa
C0,と5C203を混合して懸濁液とした。
この懸濁液をSiを0.03%含有し、8gを0.05
%含有したNiからなる陰極基体金属の表面に、厚さが
約100AII11となるように吹き付は法によって吹
き付けて電子放電物質層になる層を形成し、排気工程や
活性化工程により第1図に示され′るような電子管陰極
になるものを作製した。
%含有したNiからなる陰極基体金属の表面に、厚さが
約100AII11となるように吹き付は法によって吹
き付けて電子放電物質層になる層を形成し、排気工程や
活性化工程により第1図に示され′るような電子管陰極
になるものを作製した。
えられた電子管陰極になるものを、3原色を有するカラ
ーブラウン管の3個の陰極に従来の電子管陰極になるも
の(比較例1:電子放射物質店としてSC20gを含有
していないものが設けられているほかは、実施例1と同
じもの)と組合わせて組込み、通常の排気工程および活
性化工程により電子管を製造した。
ーブラウン管の3個の陰極に従来の電子管陰極になるも
の(比較例1:電子放射物質店としてSC20gを含有
していないものが設けられているほかは、実施例1と同
じもの)と組合わせて組込み、通常の排気工程および活
性化工程により電子管を製造した。
検査工程で所定の放射電子流量に達するカラーブラウン
管の歩留は98%以上であった。また、カラーブラウン
管の使用中の電子放射電流劣化状態を調べるために、電
流密度3A/α2の強制加速条件で、6000fI f
itの寿命試験を行なった結果、5C20,3を分散さ
せていない従来の陰極は600G@間で初期値の50%
以下に劣化する特性を示したが、本発明の電子管陰極で
は6000時間で初期値の70%に保たれ、寿命時間で
表わせば約2.5倍の長寿命がえられた。
管の歩留は98%以上であった。また、カラーブラウン
管の使用中の電子放射電流劣化状態を調べるために、電
流密度3A/α2の強制加速条件で、6000fI f
itの寿命試験を行なった結果、5C20,3を分散さ
せていない従来の陰極は600G@間で初期値の50%
以下に劣化する特性を示したが、本発明の電子管陰極で
は6000時間で初期値の70%に保たれ、寿命時間で
表わせば約2.5倍の長寿命がえられた。
[発明の効果]
以上のよ)に本発明の電子管陰極は、少なくともSiを
還元剤として含有する基体金属表面に、柱状多面体の結
晶形を有し、かつ塩素原子を含有していない5C203
が分散したアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物
質層を形成したものであり、艮時間にわたって安定した
電子放射特性がえられるという効果を奏する。また、常
に安定した電子t1i射電流がえられる電子管陰極をう
ろことができる。
還元剤として含有する基体金属表面に、柱状多面体の結
晶形を有し、かつ塩素原子を含有していない5C203
が分散したアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物
質層を形成したものであり、艮時間にわたって安定した
電子放射特性がえられるという効果を奏する。また、常
に安定した電子t1i射電流がえられる電子管陰極をう
ろことができる。
第1図は本発明の電子管陰極の一実施例の概略断面図、
第2図は本発明の電子管陰極に用いる酸化スカンジウム
の結晶構造を示す電子顕微鏡写真(倍率は800倍)、
第3図は本発明の電子管陰極における基体台風と電子放
射物質層との界面近傍を示す該界面近傍の断面の一部分
を拡大した模式図、第4図は従来の電子管陰極の概略断
面図、第5図は従来の電子管陰極における基体金属と電
子放射物質層との界面近傍を示す該界面近傍の断面の一
部分を拡大した模式図である。 (図面の主要符号) (1)二基体金属 (4):柱状多面体の結晶構造を有する酸化スカンジウ
ムの結晶 (S:電子放射物質層 第 2 図 沖30
第2図は本発明の電子管陰極に用いる酸化スカンジウム
の結晶構造を示す電子顕微鏡写真(倍率は800倍)、
第3図は本発明の電子管陰極における基体台風と電子放
射物質層との界面近傍を示す該界面近傍の断面の一部分
を拡大した模式図、第4図は従来の電子管陰極の概略断
面図、第5図は従来の電子管陰極における基体金属と電
子放射物質層との界面近傍を示す該界面近傍の断面の一
部分を拡大した模式図である。 (図面の主要符号) (1)二基体金属 (4):柱状多面体の結晶構造を有する酸化スカンジウ
ムの結晶 (S:電子放射物質層 第 2 図 沖30
Claims (2)
- (1)ニッケルを主成分とし、少なくともシリコンを含
有した陰極基体金属と、バリウムを含有したアルカリ土
類金属酸化物および酸化スカンジウムからなる電子放射
物質層とから構成された電子管陰極であつて、該酸化ス
カンジウムが柱状多面体の結晶形を有し、かつ塩素原子
を含有しない酸化スカンジウムで、電子放射物質層中に
0.1〜20重量%分散している電子管陰極。 - (2)柱状多面体の結晶形を有する酸化スカンジウムが
、水酸化スカンジウムを硝酸に溶解し、シュウ酸による
沈澱によって合成されたものである特許請求の範囲第(
1)項記載の電子管陰極。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14664487A JPH0821308B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子管陰極 |
KR1019880006792A KR910002969B1 (ko) | 1987-06-12 | 1988-06-07 | 전자관음극(cathode for an electron tube) |
IN391/MAS/88A IN171832B (ja) | 1987-06-12 | 1988-06-08 | |
DE3819852A DE3819852A1 (de) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Kathode fuer eine elektronenroehre |
FR888807798A FR2616586B1 (fr) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Cathode pour un tube electronique |
US07/204,818 US4980603A (en) | 1987-06-12 | 1988-06-10 | Cathode for an electron tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14664487A JPH0821308B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子管陰極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63310536A true JPS63310536A (ja) | 1988-12-19 |
JPH0821308B2 JPH0821308B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15412390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14664487A Expired - Fee Related JPH0821308B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子管陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0821308B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5122707A (en) * | 1988-02-02 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode in a cathode ray tube |
US5216320A (en) * | 1990-10-05 | 1993-06-01 | Hitachi, Ltd. | Cathode for electron tube |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4716994U (ja) * | 1971-04-01 | 1972-10-27 | ||
JPS5560648U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-24 | ||
JPS6222347A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14664487A patent/JPH0821308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4716994U (ja) * | 1971-04-01 | 1972-10-27 | ||
JPS5560648U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-24 | ||
JPS6222347A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5122707A (en) * | 1988-02-02 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode in a cathode ray tube |
US5216320A (en) * | 1990-10-05 | 1993-06-01 | Hitachi, Ltd. | Cathode for electron tube |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0821308B2 (ja) | 1996-03-04 |
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