JPS63248155A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63248155A JPS63248155A JP62083152A JP8315287A JPS63248155A JP S63248155 A JPS63248155 A JP S63248155A JP 62083152 A JP62083152 A JP 62083152A JP 8315287 A JP8315287 A JP 8315287A JP S63248155 A JPS63248155 A JP S63248155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- semiconductor device
- semiconductor chip
- resin
- internal stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に係り、特に樹脂封止型半導体
装置のダイパッド構造に関するものである。
装置のダイパッド構造に関するものである。
従来のこの種の半導体装置のダイパッド構造としては、
第3図に示すものがあった。
第3図に示すものがあった。
第3図において、1は半導体チップ、6は前記半導体チ
ップ1を接着する導電板(ダイパッド)である。
ップ1を接着する導電板(ダイパッド)である。
第3図に示すように、従来のダイパッド構造は半導体チ
ップ1が接着する部分において、その形状は平面状にな
っていた。
ップ1が接着する部分において、その形状は平面状にな
っていた。
したがって、従来のダイパッド構造では、基板実装時の
熱ストレス(はんだリフロ一方式)により、半導体装置
全体が高温にさらされ、この影響で樹脂封止された封止
樹脂とダイパッド材料との線膨張率の違いで封止樹脂内
部に内部応力が生じ、それがダイパッド6のエツジ部に
集中するため、その部分から樹脂クラックが発生すると
いう問題点があった。
熱ストレス(はんだリフロ一方式)により、半導体装置
全体が高温にさらされ、この影響で樹脂封止された封止
樹脂とダイパッド材料との線膨張率の違いで封止樹脂内
部に内部応力が生じ、それがダイパッド6のエツジ部に
集中するため、その部分から樹脂クラックが発生すると
いう問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、樹脂クラックの防止をはかった半導体装置
を得ることを目的としている。
れたもので、樹脂クラックの防止をはかった半導体装置
を得ることを目的としている。
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る半導体装置は、半導体チップが接着され
るダイパッド形状を波板状に構成したも・のである。
るダイパッド形状を波板状に構成したも・のである。
この発明においては、ダイパッド形状を波板状に構成し
たことから、基板実装時の熱ストレスによる封止樹脂内
部の内部応力はダイパッドエツジに集中しなくなる。
たことから、基板実装時の熱ストレスによる封止樹脂内
部の内部応力はダイパッドエツジに集中しなくなる。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図、第2図はこの発明の一実施例を示す図で、第1
図は樹脂封止された半導体装置の上面図、第2図は、第
1図のダイパッドの側面図である。第1図、第2図にお
いて、1は半導体チップ、2は波板状に形成されたダイ
パッドであり、このダイパッド2上に半導体チップ1が
接着剤で固定される。3は接続用ワイヤで、半導体チッ
プ1と外部リード4とを電気的に接続する。5は封止樹
脂を示しており、外部リード4の一部を残して、後はす
べて封止樹脂5で封止される。
図は樹脂封止された半導体装置の上面図、第2図は、第
1図のダイパッドの側面図である。第1図、第2図にお
いて、1は半導体チップ、2は波板状に形成されたダイ
パッドであり、このダイパッド2上に半導体チップ1が
接着剤で固定される。3は接続用ワイヤで、半導体チッ
プ1と外部リード4とを電気的に接続する。5は封止樹
脂を示しており、外部リード4の一部を残して、後はす
べて封止樹脂5で封止される。
このように、ダイパッド2を波板状に形成することによ
り、半導体装置の基板実装時の熱ストレスに対する封止
樹脂内部の内部応力を分散させ、ダイパッド2のエツジ
に集中しないような構造とすることができる。
り、半導体装置の基板実装時の熱ストレスに対する封止
樹脂内部の内部応力を分散させ、ダイパッド2のエツジ
に集中しないような構造とすることができる。
なお、上記実施例では、デュアルインライン形の半導体
装置を例にとって説明したが、シングルインライン形等
、類似構造の半導体装置すべてに適用可能である。
装置を例にとって説明したが、シングルインライン形等
、類似構造の半導体装置すべてに適用可能である。
〔発明の効果)
以上説明したように、この発明は、半導体チップが接着
されるダイパッド形状を波板状に構成したので、封止樹
脂内部の内部応力を分散させ、ダイパッドエツジに集中
することがさけられる。したがって、樹脂クラックの防
止が可能となり、高品質の半導体装置が得られる効果が
ある。 。
されるダイパッド形状を波板状に構成したので、封止樹
脂内部の内部応力を分散させ、ダイパッドエツジに集中
することがさけられる。したがって、樹脂クラックの防
止が可能となり、高品質の半導体装置が得られる効果が
ある。 。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の上面図
、第2図は、第1図のダイパッドの側面図、第3図は従
来のダイパッドの側面図である。 図において、1は半導体チップ、2はダイパッド、3は
接続用ワイヤ、4は外部リード、5は封止樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 第3図
、第2図は、第1図のダイパッドの側面図、第3図は従
来のダイパッドの側面図である。 図において、1は半導体チップ、2はダイパッド、3は
接続用ワイヤ、4は外部リード、5は封止樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- ダイパッドに半導体チップが接着され、樹脂封止された
半導体装置において、前記ダイパッド形状を波板状に構
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62083152A JPS63248155A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62083152A JPS63248155A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63248155A true JPS63248155A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13794259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62083152A Pending JPS63248155A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63248155A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04125458U (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-16 | 山口日本電気株式会社 | リードフレーム |
KR20010044948A (ko) * | 1999-11-01 | 2001-06-05 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 |
JP2007053195A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62083152A patent/JPS63248155A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04125458U (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-16 | 山口日本電気株式会社 | リードフレーム |
KR20010044948A (ko) * | 1999-11-01 | 2001-06-05 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 |
JP2007053195A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4668729B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-04-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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