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JPH0870087A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

Info

Publication number
JPH0870087A
JPH0870087A JP22576294A JP22576294A JPH0870087A JP H0870087 A JPH0870087 A JP H0870087A JP 22576294 A JP22576294 A JP 22576294A JP 22576294 A JP22576294 A JP 22576294A JP H0870087 A JPH0870087 A JP H0870087A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tab
lead frame
semiconductor chip
lead
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22576294A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutomo Takahashi
一智 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP22576294A priority Critical patent/JPH0870087A/ja
Publication of JPH0870087A publication Critical patent/JPH0870087A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止する際に、リードフレームの反りを
防いで、樹脂封止された半導体装置の不良発生を抑え
る。 【構成】 中央には平面形状が正方形のタブ20が配置
され、その周囲にインナーリード22の先端部が配置さ
れている。タブ20の四隅にはタブの対角線方向の外方
向に延びるタブリード26が設けられている。タブ20
の四隅には板厚方向に貫通した穴28があけられてお
り、その穴28は各隅の2辺に沿って外方向に折れ曲が
った形状に形成されている。さらに板厚方向に貫通した
穴30があけられており、その穴30の形状はタブ20
の辺に沿った方向に延びる矩形であり、各辺に沿って穴
28と28の間に2個ずつ配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップをワイヤボ
ンディング法により接続し、モールド樹脂により封止す
るための樹脂封止型リードフレームに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型リードフレームは、一般に中
央部にタブ、その周囲に複数本のリードが配置された形
状を有し、タブ上に半導体チップが固着され、その半導
体チップのパッドとリードの間がワイヤにより電気的に
接続された後、リードの一部、半導体チップ及びタブが
モールド樹脂により封止されるように使用される。リー
ドフレームの高集積化にともなって半導体チップの消費
電力が増大する傾向にあり、またチップサイズも大型化
する傾向にある。そのため、リードフレームの材質とし
ては鉄系材質よりもより熱放散特性の優れた銅系材質へ
の移行が進められている。銅系材質は鉄系材質に比べて
熱伝導度が約10倍優れている反面、熱膨張係数が約4
倍大きいという特性をもっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームのタブ
に半導体チップを固着し、半導体チップの電極パッドと
リードフレームのインナーリードの間を金ワイヤにより
電気的に接続し、その後モールド樹脂により半導体チッ
プ、タブ及びインナーリード部分を封止する。樹脂封止
工程は、半導体チップを実装したリードフレームをモー
ルド金型内にいれ、金型内にモールド樹脂を注入して行
なう。
【0004】図1は樹脂封止工程を概略的に示したもの
である。(A)のように、半導体チップ4を実装したリ
ードフレーム6をモールド金型の下型2上に置く。この
ときリードフレーム6の枠部分6aが金型2と接触し、
チップ4が固着されているタブ部分6bは金型の空間部
に位置する。モールド金型は約180℃に加熱されてい
るため、枠部分6aが金型2により加熱されて温度が上
昇し、リードフレーム内でタブ部分6bと枠部分6aと
で温度差が生じ、リードフレーム6に反りが発生する。
【0005】その後、(B)のようにモールド金型の上
型8を下型2に被せるようにリードフレーム6上から押
しつけて金型を締めつけると、リードフレーム6内の温
度分布による反りにより、タブ部分6bが(A)とは逆
方向に反るようになる。その状態で、(C)のように金
型2,8の空間にモールド樹脂10を注入すると、タブ
部分6bの浮き沈みの発生したリードフレームによりモ
ールド樹脂10の流動バランスが崩れ、タブ部分6bの
浮き沈みが更に大きくなる。特に、モールド樹脂層の厚
さの薄いパッケージの場合にはパッケージ表面から半導
体チップが露出したり、パッケージの裏面側にタブ裏面
が露出するなどの不良が発生する問題がある。特に、こ
のような問題はリードフレームの材質として熱膨張係数
の大きい銅系材質を用いた場合に起こりやすい。
【0006】本発明はリードフレームに搭載した半導体
チップを樹脂封止する際に、リードフレームの反りを防
いで、樹脂封止された半導体装置の不良発生を抑えるこ
とを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
はその材質が銅系であり、タブが矩形でその四隅には各
隅の2辺に沿って外方向に直角に折れ曲がった形状で、
タブの板厚方向に貫通した穴があけられている。さら
に、タブの各辺に沿って隅の穴と穴の間に辺に平行に延
びる穴が1つ以上ずつあけられているのが好ましい。他
の態様では、タブには外方向に延びる複数個のタブリー
ドが設けられており、かつそのタブリードとタブとの接
続部分が外側に広がり内側に穴を形成するように二股に
分岐している。
【0008】さらに他の態様では、タブは十字形に交差
する溝によって4つの部分に分割され、分割された各部
分には外方向に延びるタブリードが設けられている。そ
の分割された4つの部分の間が屈曲した形状の連結部で
連結されていることが好ましい。銅系のリードフレーム
材質としては種々のものが市販されている。例えば、T
CZ(株式会社東芝の製品)、KLF−125(株式会
社神戸製鋼所の製品)、MF202(三菱電気株式会社
の製品)、EFTEC64T(古河電気工業株式会社の
製品)、CDA7025(ヤマハOLIN株式会社の製
品)、TAMAC15(三菱伸銅株式会社の製品)など
が挙げられる。これらはいずれも銅を主成分とし、それ
にTi、Cr、Zr、Sn、Ni、P、Mgなどを含有
させた合金である。
【0009】
【実施例】図2(A)は請求項1に対応した実施例の1
つの半導体チップに関する部分を示したものである。中
央には平面形状が正方形のタブ20が配置され、その周
囲にインナーリード22の先端部が配置されている。タ
ブ20の四隅にはタブの対角線方向の外方向に延びるタ
ブリード26が設けられており、インナーリード22と
タブリード26はダム24により一体的に連結されてい
る。
【0010】タブ20の四隅には板厚方向に貫通した穴
28があけられており、その穴28は各隅の2辺に沿っ
て外方向に折れ曲がった形状に形成されている。この穴
28があけられていることにより、図1に示されるよう
にリードフレームをモールド金型内に装着したとき、リ
ードフレーム内での温度不均一に基づくタブ20及びタ
ブリード26の不均一な熱膨張をその穴28が吸収し、
型内にモールド樹脂を注入するモールド時のタブの浮き
や沈みを抑える。
【0011】このリードフレームを用いて半導体チップ
4を実装するときは、半導体チップ4がタブ20の中央
部にダイボンディングされ、半導体チップ4の電極パッ
ドとインナーリード22との間が金ワイヤで接続され
る。その後、半導体チップを搭載したリードフレームが
モールド金型に入れられ、金型内にモールド樹脂が注入
されることによってリード22の一部、半導体チップ4
及びタブ20がモールド樹脂で封止される。その後リー
ド22及びタブリード26がそれぞれ独立するように切
り離される。
【0012】図2(B)は請求項2に対応した実施例を
表わしたものである。図2(A)の実施例と比較する
と、タブ20において、さらに板厚方向に貫通した穴3
0があけられており、その穴30の形状はタブ20の辺
に沿った方向に延びる矩形であり、各辺に沿って穴28
と28の間に2個ずつ配置されている。タブ周辺部の穴
を(B)のように増やすことにより、モールド時のタブ
20及びタブリード26の不均一な熱膨張をより有効に
吸収することができるようになる。
【0013】図3は請求項3に対応した実施例を表わし
たものである。タブ20の四隅からタブの対角線方向の
外方向に延びるタブリード26とタブ20との接続部分
が、分岐部26aと26bにより外側に広がり内側に穴
を形成するように二股に分岐している。タブリード26
のタブ20との接続部が二股になっていることにより、
モールド時のタブ20及びタブリード26の不均一な熱
膨張を吸収することができる。タブ20には図2(A)
又は(B)に示されるような穴28,30があけられて
いてもよい。その場合にはモールド時の不均一な熱膨張
をより有効に吸収することができる。
【0014】図4(A)は請求項4に対応した実施例を
表わしたものである。タブが十字形に交差する溝32に
よって4つの部分20−1〜20−4に分割され、分割
された各部分20−1〜20−4にはタブの対角線方向
の外方向に延びるタブリード26がそれぞれ設けられて
いる。このように、タブを複数の部分に分割することに
よりモールド時の不均一な熱膨張を吸収することができ
る。
【0015】また、タブを分割したことにより1つずつ
のタブの面積が小さくなり、モールド後にハンダリフロ
ーにより基板に実装する際にパッケージクラックが発生
しにくくなる。パッケージクラックはタブの面積が大き
いほど発生しやすく、図4(A)の構造では分割された
それぞれのタブ部分20−1〜20−4の面積がもとの
タブ20の1/4に縮小することになり、パッケージク
ラックに対する耐性が高くなる。また、タブを分割した
ことにより、タブと半導体チップとの熱膨張差も吸収す
ることができ、タブに半導体チップを実装するときの半
導体チップ割れの発生も抑えることができる。
【0016】図4(B)は請求項5に対応した実施例を
表わしたものであり、図4(A)の実施例の各タブ部分
20−1〜20−4の間を屈曲したバー形状の連結部3
4により連結した構造になっている。タブを分割したこ
とによる図4(A)の実施例の効果の外に、この屈曲し
た連結部34により各分割されたタブ部分20−1〜2
0−4の安定性が確保されるという効果を達成すること
ができる。
【0017】図1の工程を示す図で、モールド金型の下
型2上に、ICチップ4を搭載したリードフレーム6を
置き、その後モールド金型の上型8を被せるまでの放置
時間と、タブの浮き量との関係を図5に示す。リードフ
レームとしてタブに熱膨張を吸収する手段を施していな
い従来の銅合金リードフレームの場合aと、図2(A)
に示した本発明の一実施例によるリードフレームの場合
bを比較して示している。何れの場合も、図1(A)の
ように下型2上にリードフレーム6を置いた後、上型8
を置くまでの時間が長いほどリードフレーム内の温度の
不均一が小さくなり、浮き量が減少する。そして、本発
明による方がモールド金型の下型2上での放置時間の全
てにわたってクラック浮き量が小さくなることが分か
る。他の実施例のリードフレームでも同様の結果を得る
ことができた。
【0018】
【発明の効果】本発明ではタブの四隅の部分に板厚方向
に貫通する穴をあけたり、タブを分割したり、タブリー
ドとタブとの接続部を二股にするなどの手段をタブに施
すことにより、モールド時にリードフレームに金型から
加わる熱によるタブ及びタブリードの不均一な熱膨張を
吸収することができ、モールド時のタブの浮き沈み量を
抑えることができる。また、タブの周辺部に設けた穴は
モールド樹脂とタブとの密着性を向上させ、モールド後
のタブと樹脂との剥離を防止する効果もある。また、タ
ブを幾つかの部分に分割した本発明ではタブに半導体チ
ップを実装するときのタブとLSIチップとの熱膨張差
による半導体チップのクラックや割れも防止する効果も
ある。タブを分割した場合に、その分割したタブ部分間
を屈曲した連結部で連結することにより、タブの強度を
向上させることができる効果もある。また、タブを分割
した場合には、タブの面積が小さくなり、モールドした
半導体装置をプリント基板に実装するときのハンドリフ
ロー工程においてもパッケージクラックなどの発生を抑
える効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】モールド工程を示す断面図である。
【図2】(A)と(B)はそれぞれ実施例におけるリー
ドフレームの1チップ分を示す平面図である。
【図3】他の実施例におけるリードフレームの1チップ
分を示す平面図である。
【図4】(A)と(B)はそれぞれさらに他の実施例に
おけるリードフレームの1チップ分を示す平面図であ
る。
【図5】モールド時にリードフレームをモールド金型の
下型上に置いてから上型を被せるまでの時間とタブ浮き
量の関係を示す図である。
【符号の説明】
20 タブ 20−1〜20−4 分割されたタブ部分 22 インナーリード 24 ダム 26 タブリード 28,30 タブにあけられた穴 26a,26b タブリードとタブとの接続部分を二
股にする分岐部 32 タブを分割する溝 34 分割されたタブ部分を連結する連結部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央部にタブ、その周囲に複数本のリー
    ドが配置された形状を有し、タブ上に半導体チップが固
    着され、その半導体チップのパッドとリードの間がワイ
    ヤにより電気的に接続された後、リードの一部、半導体
    チップ及びタブがモールド樹脂により封止されるリード
    フレームにおいて、 材質が銅系であり、タブは矩形で、その四隅には各隅の
    2辺に沿って外方向に直角に折れ曲がった形状で、タブ
    の板厚方向に貫通した穴があけられていることを特徴と
    するリードフレーム。
  2. 【請求項2】 タブには各辺に沿って前記穴と穴の間に
    辺に平行に延びる穴が1つ以上ずつあけられている請求
    項1に記載のリードフレーム。
  3. 【請求項3】 タブには外方向に延びる複数個のタブリ
    ードが設けられており、かつそのタブリードとタブとの
    接続部分が外側に広がり内側に穴を形成するように二股
    に分岐している請求項1股は2に記載のリードフレー
    ム。
  4. 【請求項4】 中央部にタブ、その周囲に複数本のリー
    ドが配置された形状を有し、タブ上に半導体チップが固
    着され、その半導体チップのパッドとリードの間がワイ
    ヤにより電気的に接続された後、リードの一部、半導体
    チップ及びタブがモールド樹脂により封止されるリード
    フレームにおいて、 タブは十字形に交差する溝によって4つの部分に分割さ
    れ、分割された各部分には外方向に延びるタブリードが
    設けられていることを特徴とするリードフレーム。
  5. 【請求項5】 分割された4つの部分の間が屈曲した形
    状の連結部で連結されている請求項4に記載のリードフ
    レーム。
JP22576294A 1994-08-26 1994-08-26 リードフレーム Pending JPH0870087A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0862211A3 (en) * 1997-02-27 2000-11-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor apparatus and method for fabricating the same
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