JPS63221645A - 半導体装置の配線間接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置の配線間接続方法に関するもので
、特に、多層構造の配線間接続方法に関するものである
。

［従来の技＃］ 第２図に従来の半導体装置の多層構造の配線間接続方法
の一例を示す。

図において、１は基板、２は第１分離絶縁膜。

３は第１配線、５はスルーホール部、７は第２分離絶縁
膜、８は第２配線である。

次に配線間接続方法について説明する。第２図（ａ　）
に示すように基板１上に第１分離絶縁［１２を形成後、
第１配線層を形成し、所定のパターニングを行ない、第
１配線３を形成する。次に第２図（ｂ　）　１．：示ｆ
ヨ’５に：、１１　配［１１３ト第１分ｍ１ｅ縁１１２
上に第２分雌部１３１１Ｉ７を形成後、第１配線３上の
第２分離絶縁膜７の一部を除去し、スルーホール部５を
形成する。さらに、スルーホール部５と第２分離絶縁膜
７上に第２配線層を形成後、所定のバターニングを行な
い、第２配線８を形成する。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来の配線間接続方法では、第２分離絶縁１１７と第２
配線８が同様な膜厚たとえば８０００Ａ〜１００００Ａ
程度と厚く、スルーホール部５の段差での第２配線８の
カバレッジが悪くなり、第２配線８の断線を引き起こす
という欠点があった。

本発明は、上記の欠点を除去するためになされたもので
、スルーホール部５の絶縁膜との段差を°　　なくし、
第２配線８のカバレッジ不良から発生する断線を防止で
きる配線閤節即構造を得ることを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明における配線間接続方法は第１配線と第２配線
の接続を一定厚さを有するスルーホール配線膜を介して
行なうようにしたものである。

［作用］ この発明における配線間接続方法によれば、第１配線と
第２配線の接続は、一定膜厚を有するスルーホール配線
膜によって行なわれるため、従来生じていた接続部での
段差が解消できる。

［発明の実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において１は半導体基板、２は第１分離絶縁膜、３は
第１配線、４はスルーホール配線躾形成用絶縁躾、５は
スルーホール部、６はスルーホール配線膜、７は第２分
離絶縁膜、８は第２配線を示す。

第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に、第１分
離絶縁膜２を形成後、第１配線層を形成し、所定のバタ
ーニングを行ない、第１配線３を形成する。さらに、第
１分離絶縁膜２および第１配線３上に、スルーホール配
ＩＩＩＩｌ形成用絶縁ｌＩ４を形成し、第１配線上の一
部を除去しスルーホール部を形成後、スルーホール５ｌ
ｓ５とスルーホール配線膜形成用絶縁１１４上にスルー
ホール配線１１６を形成する。次に第１図（ｂ）に示す
ように、スルーホール部５とその外側の一部を残してス
ルーホール配線躾のスルーホール配線１ｌＩ６の一部を
除去し、スルーホール配線１１６を形成する。次に第１
図（Ｃ）のように、スルーホール配線膜６とスルーホー
ル配線膜形成用絶縁１１４上に第２分離絶縁膜７を、ス
ルーホール配線１１６の段差が埋まる程度の膜厚に形成
する。次に第１ｖ！Ａ（ｄ）に示すように、第２分離絶
縁膜７をたとえばエッチバック法で、スルーホール配線
膜６の表面まで除去する。

次に第１図（ｅ　）に示すように、第２分離絶縁膜７と
、スルーホール配線膜６上に第２配ａｍを形成後、所定
のバターニングを行ない、第２配線８を形成し、第１配
線３と第２配線８をスルーホール配線１１６を介して接
続する。

なお上記実施例では、半導体基板上に形成した例で述べ
たが、半導体基板以外の導体または絶縁物基板であって
もよい。また第１分離絶縁膜、第１配線、第２分離絶縁
膜、第２配線で構成される２層構造について述べたが、
それ以上の複数層構造であってもよい。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、第１配線と第２配縮と
のスルーホール部での配線接続をスルーホール部に一定
厚さのスルーホール配線膜を形成することによって行な
うようにしたので、接続部での段差がなくなり、断線の
発生を防止できるため、信頼性の高い配線接続を行なう
ことができる。

また信頼性の高いデバイスな冑ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図に本発明による配線接続方法を、また第２図には
従来の方法による配線接続方法を示す。 図において１は基板、２は第１分離絶縁膜、３は第１配
線、４はスルーホール配Ｉ！Ａ膜形成用絶縁躾、５はス
ルーホール部、６はスルーホール配ｓｕｍ。 ７は第２分離絶縁膜、８は第２配線である。 なお、図中同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板を準備し、前記基板に第１分離絶縁膜
   を形成し、前記第１分離絶縁膜上に第１配線を形成し、
   前記第１配線の上にスルーホール配線膜形成用絶縁膜を
   形成し、前記スルーホール配線膜形成用絶縁膜の一部を
   除去して前記第１配線に至るスルーホールを形成後、前
   記スルーホールを貫通して前記第１配線と接触し、所定
   の厚さのスルーホール配線膜を形成し、前記スルーホー
   ル配線膜の上表面を露出した状態で前記スルーホール配
   線膜形成用絶縁膜上に第２分離絶縁膜を形成し、前記ス
   ルーホール配線膜の露出部に接触し、前記第２分離絶縁
   膜上に第２配線膜を形成することを特徴とする半導体装
   置の配線間接続方法。
2. （２）前記半導体基板を半導体基板以外の導体または絶
   縁物基板としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の配線間接続方法。
3. （３）前記配線膜を３またはそれを越える多層構造とし
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配線間
   接続方法。