JPS63156068A - 炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法 - Google Patents
炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法Info
- Publication number
- JPS63156068A JPS63156068A JP61300132A JP30013286A JPS63156068A JP S63156068 A JPS63156068 A JP S63156068A JP 61300132 A JP61300132 A JP 61300132A JP 30013286 A JP30013286 A JP 30013286A JP S63156068 A JPS63156068 A JP S63156068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- silicon carbide
- sintered body
- boron
- boron carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電気抵抗率の低い炭化ほう素89〜96重量%と、熱伝
導率の高い炭化けい素4〜11重量%との混合粉末10
0重量部に、原子比4:lのほう素および炭素の混合粉
末5〜30重量部を加えて、熱間静水圧処理して、4電
性および熱伝導性の優れた高密度焼結体を製造する。
導率の高い炭化けい素4〜11重量%との混合粉末10
0重量部に、原子比4:lのほう素および炭素の混合粉
末5〜30重量部を加えて、熱間静水圧処理して、4電
性および熱伝導性の優れた高密度焼結体を製造する。
本発明は抵抗発熱体、特に比較的低い温度で熱的な立上
りの速さが要求される熱転写ローラなどとしての使用に
適する発熱体の製法に関する。
りの速さが要求される熱転写ローラなどとしての使用に
適する発熱体の製法に関する。
抵抗発熱体として利用できるものは、炭化けい素または
炭化ほう素のホットプレスによる焼結体が知られている
。これらの焼結体の典型的な性質を表示すれば、次のと
おりである。
炭化ほう素のホットプレスによる焼結体が知られている
。これらの焼結体の典型的な性質を表示すれば、次のと
おりである。
策上表
密 度 体積抵抗率 熱伝導率ヒフtj−ス硬度(g/
cc) (Ω・Cl1l) (W/mK)炭化ほう
素 2.54 10−” 20〜30 37
00炭化けい素 3.17 10−’〜1100〜2
00 3000上表のごとく、炭化ほう素は、炭化け
い素に比べて、抵抗率が著しく低いが、その反面熱伝導
率が低い。これらの焼結体は従来のホットプレス処理に
よって製造しているので、いずれの焼結体も密度が98
%程度であり、従って硬度および強度がやや低い欠点が
ある。
cc) (Ω・Cl1l) (W/mK)炭化ほう
素 2.54 10−” 20〜30 37
00炭化けい素 3.17 10−’〜1100〜2
00 3000上表のごとく、炭化ほう素は、炭化け
い素に比べて、抵抗率が著しく低いが、その反面熱伝導
率が低い。これらの焼結体は従来のホットプレス処理に
よって製造しているので、いずれの焼結体も密度が98
%程度であり、従って硬度および強度がやや低い欠点が
ある。
発熱体としては炭化けい素焼粘体が多く使用されるが、
通常これは炭化けい素単独ではなく、抵抗率を低下させ
るために導電性物質を添加して焼結することが行なわれ
る。このような物質としては、おおむね金属質を大量に
添加するが、特開昭58−209084号は、導電性セ
ラミックスとして、’1rBt + Tt L+ Mo
Bz + ZrS it lMo5t z + TaS
+ z + Tt N+ ZrN、 TaC。
通常これは炭化けい素単独ではなく、抵抗率を低下させ
るために導電性物質を添加して焼結することが行なわれ
る。このような物質としては、おおむね金属質を大量に
添加するが、特開昭58−209084号は、導電性セ
ラミックスとして、’1rBt + Tt L+ Mo
Bz + ZrS it lMo5t z + TaS
+ z + Tt N+ ZrN、 TaC。
ZrCなどの使用を開示する。一般に、炭化けい素単独
の焼結体は、高温型のα−5iC粒子の粒間をち密な低
温型のβ−5iCで埋めて焼結組織を作ると考えられて
いる。これに対して、特開昭58−209084号の方
法は、炭化けい素100重量部に焼結助剤として、A7
!化合物またはB化合物をAl。
の焼結体は、高温型のα−5iC粒子の粒間をち密な低
温型のβ−5iCで埋めて焼結組織を作ると考えられて
いる。これに対して、特開昭58−209084号の方
法は、炭化けい素100重量部に焼結助剤として、A7
!化合物またはB化合物をAl。
B換算で0.1〜3重量%加え、さらに上記導電性セラ
ミックを10〜200重量%加えたものを1700〜2
300℃、10〜50001g / cdでホットプレ
ス処理して、複合焼結体を製造する。このように導電性
添加物としてZrB、など、および焼結助剤としてB化
合物をあげているが、炭化ほう素84Cを開示していな
い。さらに、添加するB化合物の量は、多(とも炭化け
い素の2倍程度であり、焼結体の全重量に対して60%
程度を含むに過ぎない。従って、かりに焼結助剤として
炭化ほう素を使用するとしても、炭化けい素の抵抗率を
低下させる効果を達成することはできない。
ミックを10〜200重量%加えたものを1700〜2
300℃、10〜50001g / cdでホットプレ
ス処理して、複合焼結体を製造する。このように導電性
添加物としてZrB、など、および焼結助剤としてB化
合物をあげているが、炭化ほう素84Cを開示していな
い。さらに、添加するB化合物の量は、多(とも炭化け
い素の2倍程度であり、焼結体の全重量に対して60%
程度を含むに過ぎない。従って、かりに焼結助剤として
炭化ほう素を使用するとしても、炭化けい素の抵抗率を
低下させる効果を達成することはできない。
本発明の1爾は、導電性および熱伝導性のすぐれた、か
つビッカース硬度の高い発熱体を得ることである。
つビッカース硬度の高い発熱体を得ることである。
上記問題点は、炭化ほう素89〜96重量%と炭化けい
素4〜11重量%との混合粉末100重量部に、焼結助
剤として原子比4:1のほう素および炭素の混合粉末5
〜30重量部を加えたセラミック粉末に、有機結合剤お
よび溶剤を混合して圧縮した成形体を不活性雰囲気中で
加熱して脱脂した後に、溶融酸化けい素で包んだ状態で
熱間静水圧処理することを特徴とする、炭化ほう素−炭
化けい素複合焼結体の製法によって解決することができ
る。
素4〜11重量%との混合粉末100重量部に、焼結助
剤として原子比4:1のほう素および炭素の混合粉末5
〜30重量部を加えたセラミック粉末に、有機結合剤お
よび溶剤を混合して圧縮した成形体を不活性雰囲気中で
加熱して脱脂した後に、溶融酸化けい素で包んだ状態で
熱間静水圧処理することを特徴とする、炭化ほう素−炭
化けい素複合焼結体の製法によって解決することができ
る。
本発明の炭化ほう素・炭化けい素複合焼結体は、助剤が
焼結して生成する分も合せた炭化ほう素の含量が少なく
とも92重量%であるので導電性が高く、かつ多くとも
96重量%であるので、炭化けい素の含量が少なくとも
4重量%となり、これによって高い熱伝導性が得られる
。
焼結して生成する分も合せた炭化ほう素の含量が少なく
とも92重量%であるので導電性が高く、かつ多くとも
96重量%であるので、炭化けい素の含量が少なくとも
4重量%となり、これによって高い熱伝導性が得られる
。
次に焼結助剤の添加量について説明する。焼結助剤であ
る単体のほう素および炭素の合量が原料の炭化ほう素お
よび炭化けい素の合量の100重量部に対して5重量部
より少ないと、焼結密度が低下し、従って硬度ばかりで
なく、導電性および熱伝導性も低下する。また焼結助剤
が30重量部より多いと、ほう素と炭素とが化学量論的
に反応して、粉末として加える炭化ほう素のと同じB4
Cを形成する反応が円滑に進行しない。この焼結助剤の
添加量の下限5重量部および上限30重量部にもとづい
て、原料化合物に含むべきB、CおよびSiCの百分率
を計算した。次の第2〜3表にその結果を示す。
る単体のほう素および炭素の合量が原料の炭化ほう素お
よび炭化けい素の合量の100重量部に対して5重量部
より少ないと、焼結密度が低下し、従って硬度ばかりで
なく、導電性および熱伝導性も低下する。また焼結助剤
が30重量部より多いと、ほう素と炭素とが化学量論的
に反応して、粉末として加える炭化ほう素のと同じB4
Cを形成する反応が円滑に進行しない。この焼結助剤の
添加量の下限5重量部および上限30重量部にもとづい
て、原料化合物に含むべきB、CおよびSiCの百分率
を計算した。次の第2〜3表にその結果を示す。
4 5 95.8 4.28
5 91.6 8.44 30
94.8 5.28 30
89.6 10.4このようにして、焼結助剤の添加
量の下限5重量部および上限30重量部に対応して、原
料化合物に含まれる炭化ほう素89〜96重量%、炭化
けい素4〜11重量%と定め、これによって導電性と熱
伝導性とを両立させることができる。
5 91.6 8.44 30
94.8 5.28 30
89.6 10.4このようにして、焼結助剤の添加
量の下限5重量部および上限30重量部に対応して、原
料化合物に含まれる炭化ほう素89〜96重量%、炭化
けい素4〜11重量%と定め、これによって導電性と熱
伝導性とを両立させることができる。
なお、熱間静水圧処理は、約1800℃、アルゴン20
00 kg / cJlで行なうので、焼結密度を高め
、硬度、導電性および熱伝導性を高める効果を有する。
00 kg / cJlで行なうので、焼結密度を高め
、硬度、導電性および熱伝導性を高める効果を有する。
実旌貫土
84C90g 、 SiC10gに、BとCとを原子比
で4=1となるように5g添加し、結合側ポリビニルブ
チラールと溶剤エタノールとを混合しミリングし、乾燥
した。得られた粉末をプレス成形し30X10 X 1
0鰭のブロックとし、Ar雰囲気中1200℃で2時間
脱脂した後に、BNの粉をコーティングして5in2粉
末中に埋没した状態で真空中1600℃で周囲のガラス
を軟化させ、試料ブロックを包むようにした。次に18
00℃、 2000 kg / CrAのArガス圧で
熱間静水圧(HIP)処理を行い、BaC−5iC複合
体を焼結した。この試料を凝固ガラス中からダイヤモン
ドカッターで切出し、研磨した。
で4=1となるように5g添加し、結合側ポリビニルブ
チラールと溶剤エタノールとを混合しミリングし、乾燥
した。得られた粉末をプレス成形し30X10 X 1
0鰭のブロックとし、Ar雰囲気中1200℃で2時間
脱脂した後に、BNの粉をコーティングして5in2粉
末中に埋没した状態で真空中1600℃で周囲のガラス
を軟化させ、試料ブロックを包むようにした。次に18
00℃、 2000 kg / CrAのArガス圧で
熱間静水圧(HIP)処理を行い、BaC−5iC複合
体を焼結した。この試料を凝固ガラス中からダイヤモン
ドカッターで切出し、研磨した。
得られた焼結体は体積抵抗率lXl0−”Ω・ω、熱伝
導率 60W/mK、ビッカース硬度3500 kg
/ crlであった。次の第4表の実験隘2がこの実施
例1の値である。
導率 60W/mK、ビッカース硬度3500 kg
/ crlであった。次の第4表の実験隘2がこの実施
例1の値である。
B4C、SiCおよびB+Cの合量を変えたことの他は
実施例Iと同様にして、一連の実験を行なった。第4表
において隘3および4は本発明の実施例であるが、隘1
および5は比較例である。
実施例Iと同様にして、一連の実験を行なった。第4表
において隘3および4は本発明の実施例であるが、隘1
および5は比較例である。
尖立五主
原料粉末100gのうちのB、CおよびSiCの百分率
を変化させ、原子比4:1のBおよびC混合粉末の焼結
助剤を10gとしたことの他は、実施例1の実験隘2と
同様にして、84C−SiC複合焼結体を作製し、その
体積抵抗率、熱伝導率およびピンカース硬度を測定した
。その結果を第1〜3図のグラフに示す。
を変化させ、原子比4:1のBおよびC混合粉末の焼結
助剤を10gとしたことの他は、実施例1の実験隘2と
同様にして、84C−SiC複合焼結体を作製し、その
体積抵抗率、熱伝導率およびピンカース硬度を測定した
。その結果を第1〜3図のグラフに示す。
焼結体のSiC含量が4〜8重量%のときに、綜合的に
見てこれらの特性値が望ましい範囲に入ることがわかる
。これを原料の百分率に換算すれば、次のとおりである
。
見てこれらの特性値が望ましい範囲に入ることがわかる
。これを原料の百分率に換算すれば、次のとおりである
。
11表
焼結体の 焼結助剤 原料化合物(100部)S
iC含1t(X) (部) 84C(り
、5iC(X)4 10 95.6
4.48 10 91.2 8.8な
お、このグラフによる最適のSiC含量にもとづいて、
前述のように、原料中のB、CおよびSiCの百分率を
求めた。
iC含1t(X) (部) 84C(り
、5iC(X)4 10 95.6
4.48 10 91.2 8.8な
お、このグラフによる最適のSiC含量にもとづいて、
前述のように、原料中のB、CおよびSiCの百分率を
求めた。
本発明の製法によれば、導電性および熱伝導性がすぐれ
、かつビッカース硬度の高い焼結発熱体を得ることがで
きる。
、かつビッカース硬度の高い焼結発熱体を得ることがで
きる。
第1図は、熱間静水圧処理した炭化ほう素・炭化けい素
複合焼結体の炭化けい素含量対体積抵抗率の関係を示す
グラフであり、 第2図は、第1図に示す焼結体の炭化けい素含量対熱伝
導率の関係を示すグラフであり、第3図は、第1図に示
す焼結体の炭化けい素含量対ビッカース硬度の関係を示
すグラフである。
複合焼結体の炭化けい素含量対体積抵抗率の関係を示す
グラフであり、 第2図は、第1図に示す焼結体の炭化けい素含量対熱伝
導率の関係を示すグラフであり、第3図は、第1図に示
す焼結体の炭化けい素含量対ビッカース硬度の関係を示
すグラフである。
Claims (1)
- 1、炭化ほう素89〜96重量%と炭化けい素4〜11
重量%との混合粉末100重量部に、焼結助剤として原
子比4:1のほう素および炭素の混合粉末5〜30重量
部を加えたセラミック粉末に、有機結合剤および溶剤を
混合して圧縮した成形体を不活性雰囲気中で加熱して脱
脂した後に、溶融酸化けい素で包んだ状態で熱間静水圧
処理することを特徴とする、炭化ほう素−炭化けい素複
合焼結体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61300132A JPS63156068A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61300132A JPS63156068A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63156068A true JPS63156068A (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=17881119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61300132A Pending JPS63156068A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63156068A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63236763A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | イビデン株式会社 | 炭化ほう素焼結体およびその製造方法 |
JPH04214075A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Koichi Niihara | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
JP2007513854A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-05-31 | エム キューブド テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 炭化ホウ素複合体およびその製造方法 |
US7517491B2 (en) | 2003-06-12 | 2009-04-14 | Georgia Tech Research Corporation | Processes and methods of making boron carbide |
US8377369B2 (en) | 2004-12-20 | 2013-02-19 | Georgia Tech Research Corporation | Density and hardness pressureless sintered and post-HIPed B4C |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61300132A patent/JPS63156068A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63236763A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | イビデン株式会社 | 炭化ほう素焼結体およびその製造方法 |
JPH04214075A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Koichi Niihara | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
US7517491B2 (en) | 2003-06-12 | 2009-04-14 | Georgia Tech Research Corporation | Processes and methods of making boron carbide |
US7592279B1 (en) | 2003-06-12 | 2009-09-22 | Georgia Tech Research Corporation | Boron carbide and boron carbide components |
JP2007513854A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-05-31 | エム キューブド テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 炭化ホウ素複合体およびその製造方法 |
US8377369B2 (en) | 2004-12-20 | 2013-02-19 | Georgia Tech Research Corporation | Density and hardness pressureless sintered and post-HIPed B4C |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0028802A1 (en) | Electrically insulating substrate and a method of making such a substrate | |
US4670201A (en) | Process for making pitch-free graphitic articles | |
JPS61197464A (ja) | 焼結成形体の製法 | |
GB2093481A (en) | Sintered high density refractory compositions | |
JPS62153169A (ja) | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体 | |
EP0170889B1 (en) | Zrb2 composite sintered material | |
JPS63156068A (ja) | 炭化ほう素−炭化けい素複合焼結体の製法 | |
Biçer et al. | Conventional and two-step sintering of boron carbide ceramics with a sintering additive | |
JPH0280373A (ja) | 高強度高靭性TiB↓2セラミックス | |
JPS62182163A (ja) | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体およびその製造方法 | |
JPS62153166A (ja) | B↓4c系複合焼結体 | |
JPS6126564A (ja) | 耐熱・耐摩耗性セラミツク材料の製造法 | |
CN1654425A (zh) | 原位热压合成致密Ti3SiC2-Al2O3复合块体材料的方法 | |
JPS6256106B2 (ja) | ||
JP3157957B2 (ja) | 高熱伝導性炭化珪素質焼結体及びその製造方法 | |
JPH025711B2 (ja) | ||
JP4542747B2 (ja) | 高強度六方晶窒化硼素焼結体の製法 | |
JP2664759B2 (ja) | セラミックス複合材料及びその製造方法 | |
JP2664760B2 (ja) | セラミックス複合材料及びその製造方法 | |
JPH02307862A (ja) | 高硬度Al↓2O↓3基複合体の製造方法 | |
Cutler | Pressureless-Sintered Al sub 2 O sub 3--TiC Composites | |
CN116516198A (zh) | 一种WC-SiCw-Y2O3无粘结相硬质合金及其制备方法和应用 | |
JPH02501382A (ja) | 炭化物繊維および炭化物ホイスカで強化された窒化珪素体の熱等静圧プレス方法 | |
JPH0411503B2 (ja) | ||
JPS6339542B2 (ja) |