JPS63146398A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
- Publication number
- JPS63146398A JPS63146398A JP61291522A JP29152286A JPS63146398A JP S63146398 A JPS63146398 A JP S63146398A JP 61291522 A JP61291522 A JP 61291522A JP 29152286 A JP29152286 A JP 29152286A JP S63146398 A JPS63146398 A JP S63146398A
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- JP
- Japan
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- film
- thin
- panel
- dielectric film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜ＥＬパネルに関する。
（従来技術）
薄膜ＥＬパネルは薄形軽量で表示か鮮明な自発光素子で
あり、大面積が容易に得られ１画像の繊細化が容易にで
きるので高品位画像が実現できるなど、多くの利点を有
するため、今後表示装置に益々広く利用される傾向があ
る。
あり、大面積が容易に得られ１画像の繊細化が容易にで
きるので高品位画像が実現できるなど、多くの利点を有
するため、今後表示装置に益々広く利用される傾向があ
る。
従来知られている薄膜ＥＬパネルの構造は第４図に示す
ように、ガラス基板ｌ上に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ＊
）や酸化スズ（Ｓ、Ｏ□）などから成る前面透明電極２
と、Ｓ！Ｊ４やＴａ、０．から成る第１誘電体膜３と、
微量のＭｎを添加したＺｎＳなどからなる蛍光体膜４と
、さらに第１誘電体膜３と同じ材料からなる第２誘電体
膜５と、Ａ文などから成る背面電極６とを順次スパッタ
リングや真空蒸着により積層して成り、前面透明電極２
と背面電極６はフォトリソグラフィ技術によって任意の
形状にパターニングされる。そしてこの前面透明電極２
と背面電極６との間に電圧を印加すると両者の交差する
部分の蛍光体膜４か発光する。
ように、ガラス基板ｌ上に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ＊
）や酸化スズ（Ｓ、Ｏ□）などから成る前面透明電極２
と、Ｓ！Ｊ４やＴａ、０．から成る第１誘電体膜３と、
微量のＭｎを添加したＺｎＳなどからなる蛍光体膜４と
、さらに第１誘電体膜３と同じ材料からなる第２誘電体
膜５と、Ａ文などから成る背面電極６とを順次スパッタ
リングや真空蒸着により積層して成り、前面透明電極２
と背面電極６はフォトリソグラフィ技術によって任意の
形状にパターニングされる。そしてこの前面透明電極２
と背面電極６との間に電圧を印加すると両者の交差する
部分の蛍光体膜４か発光する。
このような従来の薄膜ＥＬパネルにあっては、水や不純
物が外部から侵入するのを防ぐため誘電体膜３や５にブ
ロック効果の高いＳｉ、Ｎ、膜を用いる必要かあったが
、 Ｓｉ、Ｎ、膜は他の薄膜ＥＬパネルとの付着力か
弱く、内部ストレスが生しやすい材料であるため、薄膜
ＥＬパネルを作製するプロセスの途中で薄膜間で剥離し
たり、完成後の薄膜ＥＬパネルに電圧を印加して長時間
発光させると薄膜間で剥離が起って発光表示ができなく
なるという問題があった。したがって従来はＳｉ、Ｎ、
膜中にＳｉＯ□を混入させた５ｉＯＮ膜を誘電体膜に用
いることによって他の薄膜との付着力を強くする試みか
なされている（たとえば特開昭５２−１２９２９６）。
物が外部から侵入するのを防ぐため誘電体膜３や５にブ
ロック効果の高いＳｉ、Ｎ、膜を用いる必要かあったが
、 Ｓｉ、Ｎ、膜は他の薄膜ＥＬパネルとの付着力か
弱く、内部ストレスが生しやすい材料であるため、薄膜
ＥＬパネルを作製するプロセスの途中で薄膜間で剥離し
たり、完成後の薄膜ＥＬパネルに電圧を印加して長時間
発光させると薄膜間で剥離が起って発光表示ができなく
なるという問題があった。したがって従来はＳｉ、Ｎ、
膜中にＳｉＯ□を混入させた５ｉＯＮ膜を誘電体膜に用
いることによって他の薄膜との付着力を強くする試みか
なされている（たとえば特開昭５２−１２９２９６）。
しかし５ｉＯＮ膜は５ｉｎ２の混入率を増すと誘電率が
低下し、その結果駆動電圧か上昇するため５ｉｎ２の混
入率を余り増やすことができず、結果的に十分な付着力
を持たせるには至っていない。
低下し、その結果駆動電圧か上昇するため５ｉｎ２の混
入率を余り増やすことができず、結果的に十分な付着力
を持たせるには至っていない。
（発明の目的および構成）
本発明は上記の点にかんがみてなされたものて、薄膜Ｅ
Ｌパネルの薄膜間ｔＡｇ＆を起さず製造上の歩留りを向
上することを目的とし、この目的を達成するために、発
光用蛍光体膜を挟持する誘電体膜として、誘電率が比較
的高く且つ他の薄膜との付着力が強くしかも内部ストレ
スの小さをＳｉＹＯＮ（シリコン・イツトリウム・オキ
シナイトライド）膜または５ｉＹＡＪＩ ＯＮ （シリ
コン・イツトリウム・アルミニウム・オキシナイトライ
ド）１１９を用いたものである。
Ｌパネルの薄膜間ｔＡｇ＆を起さず製造上の歩留りを向
上することを目的とし、この目的を達成するために、発
光用蛍光体膜を挟持する誘電体膜として、誘電率が比較
的高く且つ他の薄膜との付着力が強くしかも内部ストレ
スの小さをＳｉＹＯＮ（シリコン・イツトリウム・オキ
シナイトライド）膜または５ｉＹＡＪＩ ＯＮ （シリ
コン・イツトリウム・アルミニウム・オキシナイトライ
ド）１１９を用いたものである。
（実施例）
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明による薄膜ＥＬパネルの一実施例を示し
ており、ガラス基板ｌ上には従来例と同様に前面透明電
極２を形成し、この上５ｉＹＯＮ（シリコン・イツトリ
ウム・オキシナイトライド）からなる第１誘電体膜７を
形成する。５ｉＹＯＮ膜はＳｉ：＋Ｎ４粉体とＹ、０：
ｌ粉体を混合して成型したターゲットを用いたスパッタ
リングなどによって形成することができる。この上には
微量のＩｎを含むＺｎＳから成る蛍光体膜４と、第１誘
電体膜７と同じ５ｉＹＯＮ膜より成る第２誘電体膜８と
、Ａ文などから成る背面電極６とを順次積層する。前面
透明電極２と背面電極６をフォトリソグラフィ技術によ
り任意の形状にパターニングする点は第４図の従来例と
同じである。
ており、ガラス基板ｌ上には従来例と同様に前面透明電
極２を形成し、この上５ｉＹＯＮ（シリコン・イツトリ
ウム・オキシナイトライド）からなる第１誘電体膜７を
形成する。５ｉＹＯＮ膜はＳｉ：＋Ｎ４粉体とＹ、０：
ｌ粉体を混合して成型したターゲットを用いたスパッタ
リングなどによって形成することができる。この上には
微量のＩｎを含むＺｎＳから成る蛍光体膜４と、第１誘
電体膜７と同じ５ｉＹＯＮ膜より成る第２誘電体膜８と
、Ａ文などから成る背面電極６とを順次積層する。前面
透明電極２と背面電極６をフォトリソグラフィ技術によ
り任意の形状にパターニングする点は第４図の従来例と
同じである。
ところで本発明による上記構造の薄膜ＥＬパネルの作製
に当っては、その作製過程で蛍光体膜４の結晶性を向上
させて発光輝度を上げるための熱処理（５００°Ｃ前後
）が必要である。次に作製プロセスの一部を示すか、そ
の最終プロセスでの熱処理がそれである。
に当っては、その作製過程で蛍光体膜４の結晶性を向上
させて発光輝度を上げるための熱処理（５００°Ｃ前後
）が必要である。次に作製プロセスの一部を示すか、そ
の最終プロセスでの熱処理がそれである。
ガラス基板洗浄
↓
↓
第１誘電体膜形成
↓
蛍光体膜形成
↓
アニール５００°Ｃ１１時間
従来例の構造では膜内の熱応力が高まる上に、５ｉＪｎ
と他の薄膜との付着力が弱いために熱処理によって居間
剥離が生ずることがある。膜内の応力σ、は σ、＝（α −αｓ） ｉ： を値Ｔ ／（ｌ ｖ
ｔ＋σｉｎて表わされる。ここでα：熱膨張係数、Ｅ
：ヤング率、υ：ボアソン比、ΔＴ：薄膜形成時との温
度差 また添字ｆ、ｓは薄膜と基板を表わしている。
と他の薄膜との付着力が弱いために熱処理によって居間
剥離が生ずることがある。膜内の応力σ、は σ、＝（α −αｓ） ｉ： を値Ｔ ／（ｌ ｖ
ｔ＋σｉｎて表わされる。ここでα：熱膨張係数、Ｅ
：ヤング率、υ：ボアソン比、ΔＴ：薄膜形成時との温
度差 また添字ｆ、ｓは薄膜と基板を表わしている。
σ１．．は薄膜の形成時またはアニールによる体積変化
によって加えられる応力で真性応力と呼ばれる。
によって加えられる応力で真性応力と呼ばれる。
次の表は各薄膜の熱膨張係数と弾性定数を示したもので
ある。
ある。
材料 熱膨張係数 ヤング率 ポアソン比 誘導
率（１０’／’Ｃ） ＺｎＳ ６．２ ６ ０．２０
−ガラス基板 ５．０ ６．９
−（硼珪酸ガラス） Ｓｉ３Ｎ、 ２．５〜３ ３７ ０．２
７Ｙ、０３８ 〜ｌＯ〜０．２ １
２Ｓｉｎ２０．５ ７．４ ０．１６
３．５ＡＩ２０３８．４ ４６ へ０．２
１０表から明らかなように、 ＺｎＳとガラス板
の熱膨張係数は近いもののＳｉ、Ｎ、はそれらの半分の
値であり、ヤング率が高いために膜内の応力が高まりや
すい。また５ｉＪ４膜は真性応力の強い膜として知られ
ており、さらに他の薄膜との付着力が弱いために居間剥
離を生じやすい。
率（１０’／’Ｃ） ＺｎＳ ６．２ ６ ０．２０
−ガラス基板 ５．０ ６．９
−（硼珪酸ガラス） Ｓｉ３Ｎ、 ２．５〜３ ３７ ０．２
７Ｙ、０３８ 〜ｌＯ〜０．２ １
２Ｓｉｎ２０．５ ７．４ ０．１６
３．５ＡＩ２０３８．４ ４６ へ０．２
１０表から明らかなように、 ＺｎＳとガラス板
の熱膨張係数は近いもののＳｉ、Ｎ、はそれらの半分の
値であり、ヤング率が高いために膜内の応力が高まりや
すい。また５ｉＪ４膜は真性応力の強い膜として知られ
ており、さらに他の薄膜との付着力が弱いために居間剥
離を生じやすい。
ところで実験の結果Ｓｉ３Ｎ、、Ｙ２Ｏ３、Ｓｉｎ、、
Ａｉ２０３の４つの化合物は任意の割合で混ざり合った
アモルファス薄膜を形成できることが判った。特にＳｉ
３Ｎ、 、 Ｙ２Ｏ，の混合物薄膜はプロセス中の熱ス
トレスに対して非常に安定しており、居間剥離を生ずる
ことがない。これはＳｉ、Ｎ、とＹ２Ｏ３を混合するこ
とにより熱膨張係数がガラス基板のそれに近い薄膜が形
成され、さらに膜中に酸化物を取り込むことで付着が向
上するためと考えられる。このようなＳｉ３Ｎ、とＹ２
Ｏ３の混合物薄膜（ＳｉＹＯＮ）では任意の組成比を持
つアモルファス薄膜が作成可能であり、ガラス基板の熱
膨張率に合わせて組成比を選ぶことができる。
Ａｉ２０３の４つの化合物は任意の割合で混ざり合った
アモルファス薄膜を形成できることが判った。特にＳｉ
３Ｎ、 、 Ｙ２Ｏ，の混合物薄膜はプロセス中の熱ス
トレスに対して非常に安定しており、居間剥離を生ずる
ことがない。これはＳｉ、Ｎ、とＹ２Ｏ３を混合するこ
とにより熱膨張係数がガラス基板のそれに近い薄膜が形
成され、さらに膜中に酸化物を取り込むことで付着が向
上するためと考えられる。このようなＳｉ３Ｎ、とＹ２
Ｏ３の混合物薄膜（ＳｉＹＯＮ）では任意の組成比を持
つアモルファス薄膜が作成可能であり、ガラス基板の熱
膨張率に合わせて組成比を選ぶことができる。
また完成した薄膜ＥＬパネルに電圧を印加して長時間発
光させると薄膜間で剥離か発生して発光か不可能になる
ことかある。この原因は次のように考えられる。外部か
ら侵入した水分が電気化学反応により分解されてガスか
発生し薄膜間に蓄積する。このガスの圧力が薄膜間の付
着を上回ったときに居間剥離が発生する。
光させると薄膜間で剥離か発生して発光か不可能になる
ことかある。この原因は次のように考えられる。外部か
ら侵入した水分が電気化学反応により分解されてガスか
発生し薄膜間に蓄積する。このガスの圧力が薄膜間の付
着を上回ったときに居間剥離が発生する。
第２図は加湿加温雰囲気（８０″Ｃ９９０％ＲＨ）、無
對止状態で電圧を印加したときの時間と故障率との関係
を示したものである。剥離部位は従来例、本実施例とも
蛍光体膜と第２誘電体膜との間である。従来例として示
した構造のパネルに比べ、この実施例に示した構造のパ
ネルでは剥離寿命が数１０倍に伸びていることがわかる
。これは第２誘電体膜５を５ｉＹＯＮ膜とすることによ
って蛍光体膜４と第２誘電体膜５との間の付着力が向上
したためと考えられる。この場合ＳｉとＹの比率がＹ／
Ｓｉ（モル比）＞０．６となるとＮａなとの不純物や水
に対するブロック件部が急激に低下するためＹとＳｉの
モル比は０．ＯＬ＜Ｙ／Ｓｉ＜０．６程度がよい。さら
に５ｉＹＯＮ膜にＡｌ１２０：Ｉ’を混入させるとブロ
ック性能を劣化させずに付着力を向上させることができ
る。この場合Ａｎのモル比は０．１％から１０％が適当
である。このようなｌｌ！（ＳｉＹＡ文ＯＮ膜）は Ｓ
ｉ、Ｎ、粉体とＹ２Ｏ：ｌ粉体とＡ１２０：ｌ粉体の混
合物を焼結したターゲットを用いたスパッタリングによ
って作成することかできる。５ｉＹＡ文ＯＮ膜は第１誘
電体膜として用いることもできる。
對止状態で電圧を印加したときの時間と故障率との関係
を示したものである。剥離部位は従来例、本実施例とも
蛍光体膜と第２誘電体膜との間である。従来例として示
した構造のパネルに比べ、この実施例に示した構造のパ
ネルでは剥離寿命が数１０倍に伸びていることがわかる
。これは第２誘電体膜５を５ｉＹＯＮ膜とすることによ
って蛍光体膜４と第２誘電体膜５との間の付着力が向上
したためと考えられる。この場合ＳｉとＹの比率がＹ／
Ｓｉ（モル比）＞０．６となるとＮａなとの不純物や水
に対するブロック件部が急激に低下するためＹとＳｉの
モル比は０．ＯＬ＜Ｙ／Ｓｉ＜０．６程度がよい。さら
に５ｉＹＯＮ膜にＡｌ１２０：Ｉ’を混入させるとブロ
ック性能を劣化させずに付着力を向上させることができ
る。この場合Ａｎのモル比は０．１％から１０％が適当
である。このようなｌｌ！（ＳｉＹＡ文ＯＮ膜）は Ｓ
ｉ、Ｎ、粉体とＹ２Ｏ：ｌ粉体とＡ１２０：ｌ粉体の混
合物を焼結したターゲットを用いたスパッタリングによ
って作成することかできる。５ｉＹＡ文ＯＮ膜は第１誘
電体膜として用いることもできる。
第３図は本発明による１ｉＷＩＥＬパネルの他の実施例
を示す。
を示す。
この実施例は第１図に示した実施例の第２誘電体膜８と
背面電極６の間に高抵抗率の第３誘電体膜９を設けたも
のである。すなわちガラス基板ｌ上に前面透明電極２と
、５ｉＹＯＮまたは５ｉＹＡｉ ＯＮからなる第１誘電
体膜７と、微量のＭｕを含むＺｎＳなどからなる蛍光体
膜４と、第１誘電体膜と同じ材料による第２誘電体膜８
とを順次スパッタリングまたは真空蒸着により積層する
。さらにこの上に５ｉＯｚまたはＡｎ ２０ｉ、Ｓｉ３
Ｎ、などの安定で高抵抗率のアモルファス膜からなる第
３誘電体膜９を積層する。この第３誘電体膜９の膜厚は
１００〜３０００λ程度が適当である。この第３誘電体
膜９の上に背面電極６を積層する。
背面電極６の間に高抵抗率の第３誘電体膜９を設けたも
のである。すなわちガラス基板ｌ上に前面透明電極２と
、５ｉＹＯＮまたは５ｉＹＡｉ ＯＮからなる第１誘電
体膜７と、微量のＭｕを含むＺｎＳなどからなる蛍光体
膜４と、第１誘電体膜と同じ材料による第２誘電体膜８
とを順次スパッタリングまたは真空蒸着により積層する
。さらにこの上に５ｉＯｚまたはＡｎ ２０ｉ、Ｓｉ３
Ｎ、などの安定で高抵抗率のアモルファス膜からなる第
３誘電体膜９を積層する。この第３誘電体膜９の膜厚は
１００〜３０００λ程度が適当である。この第３誘電体
膜９の上に背面電極６を積層する。
この実施例では第１の実施例で示した効果に加えて第３
誘電体Ｗ２９によって両電極２．６間を流れる電流か減
少するため、消費電力が減少するとともに、パネルの寿
命を長くすることかできる。
誘電体Ｗ２９によって両電極２．６間を流れる電流か減
少するため、消費電力が減少するとともに、パネルの寿
命を長くすることかできる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明おいては、蛍光体膜の少な
くとも一方の面にＳ １ＹＯＮ膜または５ｉＹＡｉ Ｏ
Ｎ膜からなる誘電体膜を配置した構成としたため、製造
都留りが向上するとともに寿命か大幅に伸びるという効
果かあり、蛍光体膜の両面を同様の構成にすることでそ
の両方の効果か得られる。
くとも一方の面にＳ １ＹＯＮ膜または５ｉＹＡｉ Ｏ
Ｎ膜からなる誘電体膜を配置した構成としたため、製造
都留りが向上するとともに寿命か大幅に伸びるという効
果かあり、蛍光体膜の両面を同様の構成にすることでそ
の両方の効果か得られる。
本発明の実施例のように基板および各薄膜の膨張係数を
そろえ膜間の付着力を強化した薄膜ＥＬパネルでは第２
誘電体膜形成後に熱処理することができるため蛍光体膜
、誘電体膜間の界面を安定化することがてき、発光特性
の経時変化（いわゆるエージング特性）のない薄膜ＥＬ
パネルを作成できる。また第１の実施例では背面電極蒸
着時の基板温度を高めることかできるため背面電極の付
着力が向上し、剥離による故障を低減てきる。
そろえ膜間の付着力を強化した薄膜ＥＬパネルでは第２
誘電体膜形成後に熱処理することができるため蛍光体膜
、誘電体膜間の界面を安定化することがてき、発光特性
の経時変化（いわゆるエージング特性）のない薄膜ＥＬ
パネルを作成できる。また第１の実施例では背面電極蒸
着時の基板温度を高めることかできるため背面電極の付
着力が向上し、剥離による故障を低減てきる。
第１図は本発明による薄膜ＥＬパネルの第１の実施例の
断面構造図、第２図は本発明による薄膜ＥＬパネルの電
圧印加時間に対する故障率を従来例と比較して示すグラ
フ、第３図は本発明によるｆＪ膜ＥＬパネルの他の実施
例の断面構造図、第４図は従来の薄膜ＥＬパネルの一例
の断面構造図である。 ｌ・・・ガラス、２・・・前面透明電極、３，５・・・
誘電体膜、６・・・背面電極、７．８・・・誘電体膜、
９・・・第３誘電体膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 実 弟１図 第２図
断面構造図、第２図は本発明による薄膜ＥＬパネルの電
圧印加時間に対する故障率を従来例と比較して示すグラ
フ、第３図は本発明によるｆＪ膜ＥＬパネルの他の実施
例の断面構造図、第４図は従来の薄膜ＥＬパネルの一例
の断面構造図である。 ｌ・・・ガラス、２・・・前面透明電極、３，５・・・
誘電体膜、６・・・背面電極、７．８・・・誘電体膜、
９・・・第３誘電体膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 実 弟１図 第２図
Claims (1)
- 透明基板上に蛍光体膜を誘電体膜で挟持するように形
成して成る薄膜ＥＬパネルにおいて、前記誘電体膜をＳ
ｉＹＯＮ（シリコン・イツトリウム・オキシナイトライ
ド）またはＳｉＹＡｌＯＮ（シリコン・イツトリウム・
アルミニウム・オキシナイトライド）膜で構成したこと
を特徴とする薄膜ＥＬパネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291522A JPS63146398A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 薄膜ｅｌパネル |
| US07/130,191 US4877968A (en) | 1986-12-09 | 1987-12-08 | Thin layer EL panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291522A JPS63146398A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63146398A true JPS63146398A (ja) | 1988-06-18 |
Family
ID=17769987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291522A Pending JPS63146398A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4877968A (ja) |
| JP (1) | JPS63146398A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060124A1 (fr) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Tdk Corporation | Substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100195102B1 (ko) * | 1995-12-15 | 1999-06-15 | 윤종용 | 디스플레이용 광량 조절 소자 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2834903A (en) * | 1952-10-30 | 1958-05-13 | Gen Electric | Electroluminescent lighting device |
| JPS52129296A (en) * | 1977-03-11 | 1977-10-29 | Sharp Corp | Thin film light emitting element |
| JPS6074384A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS60124396A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS60180093A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-13 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS60182692A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| JPS6130994U (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-25 | アルプス電気株式会社 | 透明電極シ−ト |
| US4708943A (en) * | 1985-04-08 | 1987-11-24 | Gte Products Corporation | Silicon nitride having low dielectric constant |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61291522A patent/JPS63146398A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-08 US US07/130,191 patent/US4877968A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060124A1 (fr) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Tdk Corporation | Substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier |
| US6797413B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-09-28 | Tdk Corporation | Composite substrate and EL device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4877968A (en) | 1989-10-31 |
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