JPS6314112A - 微細パタ−ン投影光学系 - Google Patents
微細パタ−ン投影光学系Info
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- JPS6314112A JPS6314112A JP61159050A JP15905086A JPS6314112A JP S6314112 A JPS6314112 A JP S6314112A JP 61159050 A JP61159050 A JP 61159050A JP 15905086 A JP15905086 A JP 15905086A JP S6314112 A JPS6314112 A JP S6314112A
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- optical system
- aperture
- center
- phase correction
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体、ＬＳＩなどの微細なパターンを露光
するために用いる微細パターン投影光学系に関するもの
である。
するために用いる微細パターン投影光学系に関するもの
である。
従来の技術
従来の精密複写用投影光学系としては、例えば、特公昭
５５−１０８８３号公報に記載されているようにレンズ
のみによる屈析系から成るものが知られている。一方、
例えば特公昭２８−５７３５号公報に記載されているよ
うに反射系から成る反射顕微鏡用対物鏡が知られている
。
５５−１０８８３号公報に記載されているようにレンズ
のみによる屈析系から成るものが知られている。一方、
例えば特公昭２８−５７３５号公報に記載されているよ
うに反射系から成る反射顕微鏡用対物鏡が知られている
。
以下、図面を参照しながら従来の投影光学系について説
明する。
明する。
第４図は従来の屈析系を用いた投影光学系の断面図であ
る。第４図に示すように多数枚のレンズＧが用いられ、
被投影パターン１０１はコヒーレントな準単色光による
平行光束ＩＬにより照明されている。本光学系は再回析
光学系（被投影物体の回析光が瞳面で一旦、回折次数毎
の輝点、Ｓ、。
る。第４図に示すように多数枚のレンズＧが用いられ、
被投影パターン１０１はコヒーレントな準単色光による
平行光束ＩＬにより照明されている。本光学系は再回析
光学系（被投影物体の回析光が瞳面で一旦、回折次数毎
の輝点、Ｓ、。
Ｓｏ、Ｓ、スペクトルとなり、再度、広がりを持つ光束
となり、レンズＧより出射し、像面にて０次回析光及び
±１次回折先の重なりとして像形成を行う光学系）とな
っており、垂直斜線を施した光束がＯ次回析光、右上り
の斜線を施した光束が＋１次回析光、左上りの斜線を施
した光束が一１次回析光である。回折角θは被投影物体
の空間周波数をＵ（パターンピッチの逆数）とし、光源
の波長をλとすると、 ス Ｓｉｎθニー という関係となる。
となり、レンズＧより出射し、像面にて０次回析光及び
±１次回折先の重なりとして像形成を行う光学系）とな
っており、垂直斜線を施した光束がＯ次回析光、右上り
の斜線を施した光束が＋１次回析光、左上りの斜線を施
した光束が一１次回析光である。回折角θは被投影物体
の空間周波数をＵ（パターンピッチの逆数）とし、光源
の波長をλとすると、 ス Ｓｉｎθニー という関係となる。
被投影物体１０１から出た各回析光は絞りｓｐ上で輝点
スペクトルに分離し、後側のレンズ系を通過後、再び平
行光束となり像面１０２上で重なり、干渉縞により投影
パターンの形成を行う。
スペクトルに分離し、後側のレンズ系を通過後、再び平
行光束となり像面１０２上で重なり、干渉縞により投影
パターンの形成を行う。
第５図は従来の反射系を用いた反射顕微鏡用対物鏡の断
面図である。第５図に示すように被投影物体１０１から
出た光束が副鏡１０５、主鏡１０６の順に反射され、被
投影物体１０１と反対側の平面１０２上に縮小された像
ｌを形成するようになっている。
面図である。第５図に示すように被投影物体１０１から
出た光束が副鏡１０５、主鏡１０６の順に反射され、被
投影物体１０１と反対側の平面１０２上に縮小された像
ｌを形成するようになっている。
発明が解決しようとする問題点
投影光学系の解像限界りは、レーリーの式を用いて表現
すると、 λ Ｄ＝０．６１− ＮＡ 但し、ＮＡ：光学系の像側の開口数、λ：使用波長で与
えられ、解像力向上のためには、使用波長λを小さくす
るか、光学系の開口数ＮＡを太きくすれば良いが、開口
数ＮＡの向上は、レンズの光学設計を著しく困難とする
ため、使用波長スを小さくする方向での対応が主流とな
りつつある。
すると、 λ Ｄ＝０．６１− ＮＡ 但し、ＮＡ：光学系の像側の開口数、λ：使用波長で与
えられ、解像力向上のためには、使用波長λを小さくす
るか、光学系の開口数ＮＡを太きくすれば良いが、開口
数ＮＡの向上は、レンズの光学設計を著しく困難とする
ため、使用波長スを小さくする方向での対応が主流とな
りつつある。
第４図に示した従来の屈析光学系においては、使用波長
大を紫外域まで短くすると、透過率が極端に低下する。
大を紫外域まで短くすると、透過率が極端に低下する。
例えば、レンズＧにショット社製のＵＢＫ７のように特
に紫外域の波長用に調質されたガラスを用いても、波長
が２８０ ｎｍでは透過率が２３％（ガラス厚５ｍｍの
場合）となる。
に紫外域の波長用に調質されたガラスを用いても、波長
が２８０ ｎｍでは透過率が２３％（ガラス厚５ｍｍの
場合）となる。
一方、光学結晶材の内、Ｔ ｉ Ｆ Ｃａ Ｆ ２
、Ｋｃ１合成δ晶のように２００ ｎｍ付近の波長にお
いても、約８０％の透過率が得られるものがあるが、一
般的に大型の結晶材の入手が困難であり、加工性が非常
に悪く、高精度の加工が難しい。また種類が限られるた
め、設計の自由度が小さくなり、紫外域、あるいは遠紫
外域の波長において、限られた枚数で透過率を確保しな
がら開口数ＮＡの大きな再回析光学系を実現しようとす
ると、十分な収差補正を行うことができず、屈析材料の
みにより光学系を構成するのは困難である。
、Ｋｃ１合成δ晶のように２００ ｎｍ付近の波長にお
いても、約８０％の透過率が得られるものがあるが、一
般的に大型の結晶材の入手が困難であり、加工性が非常
に悪く、高精度の加工が難しい。また種類が限られるた
め、設計の自由度が小さくなり、紫外域、あるいは遠紫
外域の波長において、限られた枚数で透過率を確保しな
がら開口数ＮＡの大きな再回析光学系を実現しようとす
ると、十分な収差補正を行うことができず、屈析材料の
みにより光学系を構成するのは困難である。
一方、第５図に示した従来の反射光学系においては、反
射鏡のみで構成されているため、使用波長に対する制約
はない。しかし、本光学系を再回析光学系として見た場
合、副鏡１０５によってＯ次回析光が遮蔽されるため、
投影平面１０２上では±１次回析光のみの重なりとなり
、光学技術］ンタクトＶｏｊ’１２３、Ａ３ Ｃ１９８
５）ｉ（オイて明記されているように、本来、再生すべ
き空間周波数の２倍の周波数の干渉縞を形成してしまい
、コヒーレント照明下においては微細パターンの投影が
不可能であった。
射鏡のみで構成されているため、使用波長に対する制約
はない。しかし、本光学系を再回析光学系として見た場
合、副鏡１０５によってＯ次回析光が遮蔽されるため、
投影平面１０２上では±１次回析光のみの重なりとなり
、光学技術］ンタクトＶｏｊ’１２３、Ａ３ Ｃ１９８
５）ｉ（オイて明記されているように、本来、再生すべ
き空間周波数の２倍の周波数の干渉縞を形成してしまい
、コヒーレント照明下においては微細パターンの投影が
不可能であった。
そこで、本発明は、上記従来の問題点を解決するもので
、反射光学系を主としたレンズ構成としてレンズ枚数を
低減し、光の吸収量を極力小さく抑え、紫外域、あるい
は遠紫外域への適用を可能とし、高解像を得ることがで
き、またコヒーレント照明下においても反射鏡による喰
をなくし、０次及び±１次回析光の重なりを得て像形成
を行うことができ、従って微細パターンの投影を行うこ
とができるようにした微細パターン投影光学系を提供し
ようとするものである。
、反射光学系を主としたレンズ構成としてレンズ枚数を
低減し、光の吸収量を極力小さく抑え、紫外域、あるい
は遠紫外域への適用を可能とし、高解像を得ることがで
き、またコヒーレント照明下においても反射鏡による喰
をなくし、０次及び±１次回析光の重なりを得て像形成
を行うことができ、従って微細パターンの投影を行うこ
とができるようにした微細パターン投影光学系を提供し
ようとするものである。
問題点を解決するための手段
そして上記問題点を解決するための本発明の技術的な手
段は、物点側の屈析光学系及び像点側のカタジオプトリ
ック光学系から成り、上記屈析光学系は複数の屈析部材
が組合わされ、上記カタジオプトリック光学系は基準軸
を中心に回転対称な位相補正部材の曲率の中心に対し、
中心にそれぞれ開口を有する凸面鏡部材及び凹面鏡部材
が同心に配され、上記屈析光学系及びカタジオプトリッ
ク光学系が共軸上で、上記位相補正部材の像点側の面が
絞り位置となるようにこの位相補正部材を境界として結
合され、物点から出た光束が上記屈析光学系を屈析され
ながら通過し、上記カタジオプトリック光学系の位相補
正部材を通過後、一部の光束が凸面鏡部材の開口及び凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、残りの光束が
凹面鏡部材により位相補正部材側に反射され、さらに凸
面鏡部材により位相補正部材とは反対側に反射され、凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、基準軸とは直
角面内で、かつ凹面鏡部材の後方に像形成を行う投影レ
ンズと、上記屈析光学系の物点側焦点面に置かれ、パタ
ーンの空間周波数が高く、コヒーレント光による照明に
より回析光を生じる被投影物体と、照明光束が上記位相
補正部材の曲率中心に集光する如く被投影物体に対して
収れん照明を行う照明光源とを備えたものである。
段は、物点側の屈析光学系及び像点側のカタジオプトリ
ック光学系から成り、上記屈析光学系は複数の屈析部材
が組合わされ、上記カタジオプトリック光学系は基準軸
を中心に回転対称な位相補正部材の曲率の中心に対し、
中心にそれぞれ開口を有する凸面鏡部材及び凹面鏡部材
が同心に配され、上記屈析光学系及びカタジオプトリッ
ク光学系が共軸上で、上記位相補正部材の像点側の面が
絞り位置となるようにこの位相補正部材を境界として結
合され、物点から出た光束が上記屈析光学系を屈析され
ながら通過し、上記カタジオプトリック光学系の位相補
正部材を通過後、一部の光束が凸面鏡部材の開口及び凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、残りの光束が
凹面鏡部材により位相補正部材側に反射され、さらに凸
面鏡部材により位相補正部材とは反対側に反射され、凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、基準軸とは直
角面内で、かつ凹面鏡部材の後方に像形成を行う投影レ
ンズと、上記屈析光学系の物点側焦点面に置かれ、パタ
ーンの空間周波数が高く、コヒーレント光による照明に
より回析光を生じる被投影物体と、照明光束が上記位相
補正部材の曲率中心に集光する如く被投影物体に対して
収れん照明を行う照明光源とを備えたものである。
作 用
上記技術的手段による作用は次のようになる。
投影光学系の位相補正部材の曲率中心、すなわち絞り面
中心に集光するようにコヒーレント光により被投影物体
を収れん照明し、０次回行光、±１次回折先の輝点スペ
クトルを絞り面上に得る。
中心に集光するようにコヒーレント光により被投影物体
を収れん照明し、０次回行光、±１次回折先の輝点スペ
クトルを絞り面上に得る。
しかる後、±１次回折先は凹面鏡部材、凸面鏡部材の順
に反射させ、凹面鏡部材の開口より像面へ到達させる。
に反射させ、凹面鏡部材の開口より像面へ到達させる。
一方、０次回行光は凸面鏡部材、凹面鏡部材の開口より
像面へ到達させる。ここで、凹面鏡部材及び凸面鏡部材
の曲率中心は絞り面中心に対して同心に配置しであるた
め、凹面鏡部材、凸面鏡部材で反射されて像面へ到達し
た場合と金く同様の光学収差性能が得られ、かつ像面で
の０次回行光、±１次回折先の重なりを得ることができ
、微細パターンの投影が可能となる。また主たる屈析力
を反射系で得ているため、屈析レンズ枚数が低減でき、
紫外域、遠紫外域の短波長での透過率を確保することが
でき、高解像力の投影光学系を得ることができる。
像面へ到達させる。ここで、凹面鏡部材及び凸面鏡部材
の曲率中心は絞り面中心に対して同心に配置しであるた
め、凹面鏡部材、凸面鏡部材で反射されて像面へ到達し
た場合と金く同様の光学収差性能が得られ、かつ像面で
の０次回行光、±１次回折先の重なりを得ることができ
、微細パターンの投影が可能となる。また主たる屈析力
を反射系で得ているため、屈析レンズ枚数が低減でき、
紫外域、遠紫外域の短波長での透過率を確保することが
でき、高解像力の投影光学系を得ることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例における微細パターン投影光
学系を示す全体断面図、第２図は投影レンズ部の拡大図
である。第１図及び第２図に示すように合成石英から成
る凸レンズ１、凹レンズ２、凸レンズ３及び凸レンズ４
により物点側の屈析光学系Ｉが構成されており、被投影
物体９は屈析光学系■の焦平面Ｆ上に置かれる。
学系を示す全体断面図、第２図は投影レンズ部の拡大図
である。第１図及び第２図に示すように合成石英から成
る凸レンズ１、凹レンズ２、凸レンズ３及び凸レンズ４
により物点側の屈析光学系Ｉが構成されており、被投影
物体９は屈析光学系■の焦平面Ｆ上に置かれる。
一方、位相補正板５、中心に開口０．を有する凹面鏡６
及び中心に開口０２を有する凸面鏡７により像点側のカ
タジオプトリック光学系■が構成されている。このカタ
ジオプトリック光学系■は被投影物体９に対し、位相補
正板５、凸面鏡６、凹面鏡５の順で配置されている。こ
れら屈析光学系Ｉとカタジオプトリック光学系■は共軸
上で、系としての絞りＡＰ位置が位相補正板５の曲率中
心Ｃに一致するよう互いに相対して結合されている。
及び中心に開口０２を有する凸面鏡７により像点側のカ
タジオプトリック光学系■が構成されている。このカタ
ジオプトリック光学系■は被投影物体９に対し、位相補
正板５、凸面鏡６、凹面鏡５の順で配置されている。こ
れら屈析光学系Ｉとカタジオプトリック光学系■は共軸
上で、系としての絞りＡＰ位置が位相補正板５の曲率中
心Ｃに一致するよう互いに相対して結合されている。
位相補正板５は基準軸を中心に回転対称となっており、
凸面鏡７及び凹面鏡６はそれぞれ位相補正板５の曲率中
心Ｃに対して同心配置となっている。
凸面鏡７及び凹面鏡６はそれぞれ位相補正板５の曲率中
心Ｃに対して同心配置となっている。
本実施例における物点側の開口数は０．０７６、像側の
開口数は０．３８、倍率は１１５である。照明２０はコ
ヒーレント光であり、被投影物体９全体を照らし、屈析
光学系Ｉを通過した後、位相補正板５の曲率中心Ｃに集
光するよう収れん的に照明する。
開口数は０．３８、倍率は１１５である。照明２０はコ
ヒーレント光であり、被投影物体９全体を照らし、屈析
光学系Ｉを通過した後、位相補正板５の曲率中心Ｃに集
光するよう収れん的に照明する。
而してコヒーレントで、かつ収れん的な照明２０により
照明された被投影物体９からは、０次回析光Ｄ０、±１
次回析光Ｄ＋４、Ｄ、、さらには高次の回析光が生じ、
投影レンズ（Ｉ＋ＩＩ）へ入射する。本実施例では、投
影レンズの像側の開口数（ＮＡ＝ＳｉｎＯｏ）で決定さ
れる入射角度と被投影物体９からの一次回析光角θ１と
が一致するよう設計しである。そのため、２次回析光以
上の高次の回析光は投影レンズ（Ｉ＋ＩＩ ）へは入射
しない。
照明された被投影物体９からは、０次回析光Ｄ０、±１
次回析光Ｄ＋４、Ｄ、、さらには高次の回析光が生じ、
投影レンズ（Ｉ＋ＩＩ）へ入射する。本実施例では、投
影レンズの像側の開口数（ＮＡ＝ＳｉｎＯｏ）で決定さ
れる入射角度と被投影物体９からの一次回析光角θ１と
が一致するよう設計しである。そのため、２次回析光以
上の高次の回析光は投影レンズ（Ｉ＋ＩＩ ）へは入射
しない。
投影物体９からの＋１次回析光Ｄ＋１、−１次回行光Ｄ
ｏ次回析光り。はそれぞれ屈析しなから凸レンズ１、凹
レンズ２、凸レンズ３、凸レンズ４、位相補正板５を通
過した後、絞りＡＰ上で各輝点スペクトルＳ十１、Ｓ−
１、Ｓｏに集光し、分離する。その後、±１次回析光Ｄ
＋４、Ｄｌは凹面鏡６により被投影物体９側へ反射され
、さらに凸面鏡７により再度、被投影物体９とは反射側
に反射され、凹面鏡６の開口０．を通過し、投影光学系
（Ｉ＋ＩＩ）の右方へ出射する。一方、０次回析光り。
ｏ次回析光り。はそれぞれ屈析しなから凸レンズ１、凹
レンズ２、凸レンズ３、凸レンズ４、位相補正板５を通
過した後、絞りＡＰ上で各輝点スペクトルＳ十１、Ｓ−
１、Ｓｏに集光し、分離する。その後、±１次回析光Ｄ
＋４、Ｄｌは凹面鏡６により被投影物体９側へ反射され
、さらに凸面鏡７により再度、被投影物体９とは反射側
に反射され、凹面鏡６の開口０．を通過し、投影光学系
（Ｉ＋ＩＩ）の右方へ出射する。一方、０次回析光り。
は凸面鏡７の開口０２を通過し、さらに凹面鏡６の開口
０１を通過し、同様に投影光学系（Ｉ十〇 ）の右方へ
出射していく。０次回析光Ｄ０については凹面鏡６、凸
面鏡７の反射を経ていないが、凹面鏡６及び凸面鏡７は
０次回行光Ｄ１の集光点Ｃ（すなわら、絞りＡＰ上の０
点）に対して同心となっているため、第３図に示すよう
に反射した場合と同様の光路を経ることとなるため、光
学収差においては何らの変化もない。
０１を通過し、同様に投影光学系（Ｉ十〇 ）の右方へ
出射していく。０次回析光Ｄ０については凹面鏡６、凸
面鏡７の反射を経ていないが、凹面鏡６及び凸面鏡７は
０次回行光Ｄ１の集光点Ｃ（すなわら、絞りＡＰ上の０
点）に対して同心となっているため、第３図に示すよう
に反射した場合と同様の光路を経ることとなるため、光
学収差においては何らの変化もない。
投影像は０次回行光ｐ０、±１次回析光Ｄ＋４、Ｄ、
が同じ大きさで重なる像平面１Ｍ上において、干渉縞
として形成される。
が同じ大きさで重なる像平面１Ｍ上において、干渉縞
として形成される。
また高ＮＡ部を反射系で負担させ、低ＮＡ部を屈析部で
分担することにより、レンズである屈析材料が合成石英
のみであり、枚数も５枚であるため、λ＝２００ｎｍの
波長においても、３０％以上の透過率が得られる。
分担することにより、レンズである屈析材料が合成石英
のみであり、枚数も５枚であるため、λ＝２００ｎｍの
波長においても、３０％以上の透過率が得られる。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、複数の屈析部材から
成る屈析光学系と、位相補正部材、中心に開口を有する
凸面鏡部材及び凹面鏡部材から成るカタジオプトリック
光学系を位相補正部材の像点側の曲率中心が絞りの位置
となるよう共軸上で結合し、被投影物体を絞りの中心に
集光するようにコヒーレント照明することにより、反射
鏡による喰を排し、像形成に０次回析光、±１次回析光
の重なりを得る再回析光学系を実現することができ、微
細パターンの投影が可能となる。また主たる屈析力を反
射系で得ているため、屈析レンズ枚数を低減でき、紫外
域、遠紫外域の短波長での透過率を確保することができ
、高解像力の投影光学系を得ることができる。
成る屈析光学系と、位相補正部材、中心に開口を有する
凸面鏡部材及び凹面鏡部材から成るカタジオプトリック
光学系を位相補正部材の像点側の曲率中心が絞りの位置
となるよう共軸上で結合し、被投影物体を絞りの中心に
集光するようにコヒーレント照明することにより、反射
鏡による喰を排し、像形成に０次回析光、±１次回析光
の重なりを得る再回析光学系を実現することができ、微
細パターンの投影が可能となる。また主たる屈析力を反
射系で得ているため、屈析レンズ枚数を低減でき、紫外
域、遠紫外域の短波長での透過率を確保することができ
、高解像力の投影光学系を得ることができる。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例における微細パタ
ーン投影光学系を示し、第１図は全体断面図、第２図は
投影光学系の拡大図、第３図は０次回析光の通過状態を
示す説明図、第４図は従来の屈析系を用いた投影光学系
の全体断面図、第５図は従来の反射系を用いた反射顕微
鏡用対物鏡の断面図である。 １ ・・凸レンズ、２・・・・・・凹レンズ、ａ・・・
・・・凸レンズ１．４・・・・・・凸レンズ、５・・・
・・位相補正板、６・・・・・・凹面鏡、７・・・・・
・凸面鏡、８・・・・・・投影像、９・・・・・・被投
影物体、２０・・・・・・照明、ＡＰ・・・・・・絞り
、■・・・・・・屈析光学系、■・・・・・・カタジオ
プトリック光学系。
ーン投影光学系を示し、第１図は全体断面図、第２図は
投影光学系の拡大図、第３図は０次回析光の通過状態を
示す説明図、第４図は従来の屈析系を用いた投影光学系
の全体断面図、第５図は従来の反射系を用いた反射顕微
鏡用対物鏡の断面図である。 １ ・・凸レンズ、２・・・・・・凹レンズ、ａ・・・
・・・凸レンズ１．４・・・・・・凸レンズ、５・・・
・・位相補正板、６・・・・・・凹面鏡、７・・・・・
・凸面鏡、８・・・・・・投影像、９・・・・・・被投
影物体、２０・・・・・・照明、ＡＰ・・・・・・絞り
、■・・・・・・屈析光学系、■・・・・・・カタジオ
プトリック光学系。
Claims (2)
- （１）物点側の屈析光学系及び像点側のカタジオプトリ
ック光学系から成り、上記屈析光学系は複数の屈析部材
が組合わされ、上記カタジオプトリック光学系は基準軸
を中心に回転対称な位相補正部材の曲率の中心に対し、
中心にそれぞれ開口を有する凸面鏡部材及び凹面鏡部材
が同心に配され、上記屈析光学系及びカタジオプトリッ
ク光学系が共軸上で、上記位相補正部材の像点側の面が
絞り位置となるようにこの位相補正部材を境界として結
合され、物点から出た光束が上記屈析光学系を屈析され
ながら通過し、上記カタジオプトリック光学系の位相補
正部材を通過後、一部の光束が凸面鏡部材の開口及び凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、残りの光束が
凹面鏡部材により位相補正部材側に反射され、さらに凸
面鏡部材により位相補正部材とは反対側に反射され、凹
面鏡部材の開口を通過して像点へ到達し、基準軸とは直
角面内で、かつ凹面鏡部材の後方に像形成を行う投影レ
ンズと、上記屈析光学系の物点側焦点面に置かれ、パタ
ーンの空間周波数が高く、コヒーレント光による照明に
より回析光を生じる被投影物体と、照明光束が上記位相
補正部材の曲率中心に集光する如く被投影物体に対して
収れん照明を行う照明光源とを備えたことを特徴とする
微細パターン投影光学系。 - （２）屈析光学系の開口数よりカタジオプトリック光学
系の開口数が大きい特許請求の範囲第１項記載の微細パ
ターン投影光学系。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159050A JPS6314112A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 微細パタ−ン投影光学系 |
| US07/043,620 US4757354A (en) | 1986-05-02 | 1987-04-28 | Projection optical system |
| EP87106243A EP0243950B1 (en) | 1986-05-02 | 1987-04-29 | Optical projection system |
| DE8787106243T DE3784963T2 (de) | 1986-05-02 | 1987-04-29 | Optisches projektionssystem. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159050A JPS6314112A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 微細パタ−ン投影光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314112A true JPS6314112A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15685133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159050A Pending JPS6314112A (ja) | 1986-05-02 | 1986-07-07 | 微細パタ−ン投影光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056114A3 (en) * | 2001-01-09 | 2003-12-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projection system for euv lithography |
| US7151592B2 (en) | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
| JP2009044143A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-26 | Asml Holding Nv | 光波拡散計測用反射屈折光学システム |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61159050A patent/JPS6314112A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7151592B2 (en) | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
| WO2002056114A3 (en) * | 2001-01-09 | 2003-12-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projection system for euv lithography |
| JP2009044143A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-26 | Asml Holding Nv | 光波拡散計測用反射屈折光学システム |
| US8107173B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-01-31 | Asml Holding N.V. | Catadioptric optical system for scatterometry |
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