JPS63100726A - 重合体物質を基材とする表面被覆のホトエツチング法 - Google Patents
重合体物質を基材とする表面被覆のホトエツチング法Info
- Publication number
- JPS63100726A JPS63100726A JP62159921A JP15992187A JPS63100726A JP S63100726 A JPS63100726 A JP S63100726A JP 62159921 A JP62159921 A JP 62159921A JP 15992187 A JP15992187 A JP 15992187A JP S63100726 A JPS63100726 A JP S63100726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoetching
- polymer material
- surface covering
- laser beam
- xylylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004838 photoelectron emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- -1 2-chloro-p-xylylene Chemical group 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、重合体物質を基材とする表面被覆のホトエツ
チング法に関する。より具体的に言えば、本発明は、エ
キシマ−レーザーの照射によってポリ−ｐ−キシリレン
を基材とするフィルムをホＦエツチングする方法に関す
る。
チング法に関する。より具体的に言えば、本発明は、エ
キシマ−レーザーの照射によってポリ−ｐ−キシリレン
を基材とするフィルムをホＦエツチングする方法に関す
る。
発明の背景
被覆表面から重合体被覆を除去する様々な方法、例えば
、機械的（サンドプラスチング、掻取り等）、熱的（炎
）及び化学的（腐食液による洗浄及び浸漬）処理に基づ
いた方法が斯界において知られている。
、機械的（サンドプラスチング、掻取り等）、熱的（炎
）及び化学的（腐食液による洗浄及び浸漬）処理に基づ
いた方法が斯界において知られている。
これらの方法の欠点は、処理すべき表面が広いときのみ
に特に電子場においていくらかの用途で要求される如き
予定の正確度で作業することが必要でないときのみに有
用な用途を有するということである。例えば、印刷回路
の分野では、支持体プレートは、電子接点を提供しなけ
ればならないところの小さな限定部分を除いてポリ−ｐ
−キシリレンを基材とする絶縁フィルムで被覆される。
に特に電子場においていくらかの用途で要求される如き
予定の正確度で作業することが必要でないときのみに有
用な用途を有するということである。例えば、印刷回路
の分野では、支持体プレートは、電子接点を提供しなけ
ればならないところの小さな限定部分を除いてポリ−ｐ
−キシリレンを基材とする絶縁フィルムで被覆される。
重合体被覆除去法を回避するために極めて広く使用され
ている方式は°、′マスキング１として知られるもので
ある。この方式に従えば、被覆しようとしない部分は、
被覆段階前に°適当な保護手段によって保護される。被
覆プロセスが終了したときに、保護手段は除かれ、この
ときに最終生成物は意図する用途に対して準備が整って
いる。しかしながら、１マスキング１方式も亦いくつか
の欠点を示す。例えば、これは厄介な作用であり且つ費
用がか−り、またこれはもし接着剤物質を用いるな、ら
ば支持体を汚染する可能性がある。
ている方式は°、′マスキング１として知られるもので
ある。この方式に従えば、被覆しようとしない部分は、
被覆段階前に°適当な保護手段によって保護される。被
覆プロセスが終了したときに、保護手段は除かれ、この
ときに最終生成物は意図する用途に対して準備が整って
いる。しかしながら、１マスキング１方式も亦いくつか
の欠点を示す。例えば、これは厄介な作用であり且つ費
用がか−り、またこれはもし接着剤物質を用いるな、ら
ば支持体を汚染する可能性がある。
マスキング方式に対する別法として、赤外レーザービー
ムの使用を含む方式が提案された。これらの方式も亦、
いくつかの欠点を示す。と云うのは、それらは、ホトエ
ツチングによって未被覆の微小部分を得ることを可能に
するがしかし形状寸法が完全に定められていないものを
もたらすからである。
ムの使用を含む方式が提案された。これらの方式も亦、
いくつかの欠点を示す。と云うのは、それらは、ホトエ
ツチングによって未被覆の微小部分を得ることを可能に
するがしかし形状寸法が完全に定められていないものを
もたらすからである。
こ−に本発明に従えば、上記の欠点は、重合体物質を被
覆した表面に１９５ ｎｍ以下の波長を有する局部エキ
サイマーレーザービームを照射することからなる重合体
物質の表面被覆のホトエツチング法によって排除される
ことが見い出された。
覆した表面に１９５ ｎｍ以下の波長を有する局部エキ
サイマーレーザービームを照射することからなる重合体
物質の表面被覆のホトエツチング法によって排除される
ことが見い出された。
１５４ ｎｍ又は１９３ｎｍ の波長を有する局部エキ
サイマーレーザービームが好ましい。
サイマーレーザービームが好ましい。
本発明に従えば、重合体物質の薄層で完全に被覆された
表面上に１平方ミク田ンよりも小さくそして空間的に完
全に定められた形状寸法のホトエツチングした部分を持
つ微小部分を得ることが可能である。
表面上に１平方ミク田ンよりも小さくそして空間的に完
全に定められた形状寸法のホトエツチングした部分を持
つ微小部分を得ることが可能である。
本発明の方法はすべての種類の表面重合体被覆に対して
適用することができるけれども、ポリ−ｐ−キシリレン
及びその塩素化誘導体例えばポリ−２−クリル−ｐ−キ
シリレンを基材とする表面被覆が好ましい。
適用することができるけれども、ポリ−ｐ−キシリレン
及びその塩素化誘導体例えばポリ−２−クリル−ｐ−キ
シリレンを基材とする表面被覆が好ましい。
ホトエツチングしようとするフィルムの厚さは、本発明
の方法に対しては厳密なものではない。しかしながら、
１００μ貫よりも薄い厚さのフィルムが好ましい。
の方法に対しては厳密なものではない。しかしながら、
１００μ貫よりも薄い厚さのフィルムが好ましい。
放出するビームが１ ？ Ｓ ｎｍ以下の波長を有しさ
えすれば、重合体物質を基材とする表面被覆のホ）エツ
チングに対して任意のエキシマ−レーザー装置を使用す
ることができる。例えば、ランプダ・フイジク社によっ
て製造販売されるモデルＥＭＧ１０２のエキシマ−・レ
ーザー装置は、１５４！ｋｍｓ １９５ｎｍ、２４８＊
ｒｎ、３０８ｍｍ５５５７１ｍ、５５１ｍｍの波長にお
いてビームを放出する。
えすれば、重合体物質を基材とする表面被覆のホ）エツ
チングに対して任意のエキシマ−レーザー装置を使用す
ることができる。例えば、ランプダ・フイジク社によっ
て製造販売されるモデルＥＭＧ１０２のエキシマ−・レ
ーザー装置は、１５４！ｋｍｓ １９５ｎｍ、２４８＊
ｒｎ、３０８ｍｍ５５５７１ｍ、５５１ｍｍの波長にお
いてビームを放出する。
本発明のホトエツチング法に用いられる局部エキシマ−
レーザービームのインパルス時間は一般にはＩ Ｑ ｍ
ｓ よりも少なく、そして振動数は１〜１００Ｈｚであ
る。
レーザービームのインパルス時間は一般にはＩ Ｑ ｍ
ｓ よりも少なく、そして振動数は１〜１００Ｈｚであ
る。
各インパルスの電力は１００ ｍＷよりも低く、そして
ピーク電力は１０ｍＷよりも小さい。
ピーク電力は１０ｍＷよりも小さい。
本発明の方法のための操作手順は、レーザービーム装置
の使用においてそれ自体で知られたものである。
の使用においてそれ自体で知られたものである。
制御した雰囲気を有する環境下又は減圧下の如き通常の
大気環境中で作業し、そしてレーザービームを集中させ
る機能を有するレンズの焦点面に試料を置くことが可能
である。
大気環境中で作業し、そしてレーザービームを集中させ
る機能を有するレンズの焦点面に試料を置くことが可能
である。
本発明の方法に対して使用することができる他の光学系
は、レーザービームをそらせ且つ（又は）多くの第二の
ビームに分割させ、そして任意にそれらを試料の異なる
点に向ける目的のミラー及びビームスプリッタ−、ホト
エツチングしようとする部分の形状寸法のためのダイヤ
７２ム等である。
は、レーザービームをそらせ且つ（又は）多くの第二の
ビームに分割させ、そして任意にそれらを試料の異なる
点に向ける目的のミラー及びビームスプリッタ−、ホト
エツチングしようとする部分の形状寸法のためのダイヤ
７２ム等である。
本発明及びその実施を更によく理解するために、以下に
実施例を提供するが、これらは本発明を限定するもので
はない。
実施例を提供するが、これらは本発明を限定するもので
はない。
例 １
１Ｑｃｓｕの表面を有するガラスシート上に担持された
６μ票の厚さを有するぎり−２−クロル−ｐ−キシリレ
ンの重合体フィルムに対して、１．５１１１ａｍの部分
から被覆を除去するためにホトエツチングを施こした。
６μ票の厚さを有するぎり−２−クロル−ｐ−キシリレ
ンの重合体フィルムに対して、１．５１１１ａｍの部分
から被覆を除去するためにホトエツチングを施こした。
ヲンプダ・フイジク社によって製造販売されるモデルＥ
ＭＧ１０２のエキシマ−レーザー装置を使用した。１９
３ ｍｍの波長を有するレーザービームを１０ｎｓ の
インパルス時間で放出させた。、各インパルスに対する
電力は１２ｍＷ＆：等しく、ピーク電圧は１ ｍＷであ
り、モして平方単位当りの照射エネルギーの量として計
算した光束はα８Ｊ、々−であった。
ＭＧ１０２のエキシマ−レーザー装置を使用した。１９
３ ｍｍの波長を有するレーザービームを１０ｎｓ の
インパルス時間で放出させた。、各インパルスに対する
電力は１２ｍＷ＆：等しく、ピーク電圧は１ ｍＷであ
り、モして平方単位当りの照射エネルギーの量として計
算した光束はα８Ｊ、々−であった。
物質は、α３〜α４μ諷／インパルスの間の速度でホト
エツチングを受けた。
エツチングを受けた。
光学及び電子鏡検法並びにＸ線光電子放出分光分析法に
よると、ホトエツチングされた帯域の周囲の帯域を実質
上変更させずに試験中の部分からの重合体フィルムの完
全除去が達成されていた。
よると、ホトエツチングされた帯域の周囲の帯域を実質
上変更させずに試験中の部分からの重合体フィルムの完
全除去が達成されていた。
例 ２
１０α雪の面積を有する鋼板上に支持された。１５μ翼
の厚さを有するポリ−２−クロル−ｐ−キシリレンの重
合体フィルムに対して、１５ｍ−の部分から被覆を除去
するためにホトエツチングを施こした。
の厚さを有するポリ−２−クロル−ｐ−キシリレンの重
合体フィルムに対して、１５ｍ−の部分から被覆を除去
するためにホトエツチングを施こした。
ランプダ・フイジク社によって製造販売されるモデル１
ＭＧ１０２エキシマーレーザー装置を用いた。１９５
ｍｍの波長を有するレーザービームを５０ ｎｓのイン
パルス時間で放出させた。各インパルスに対する電力は
５９ｍＷに等しく、ピーク電力は５ｍＷであり、そして
光束は４Ｊ／（至）意であった。
ＭＧ１０２エキシマーレーザー装置を用いた。１９５
ｍｍの波長を有するレーザービームを５０ ｎｓのイン
パルス時間で放出させた。各インパルスに対する電力は
５９ｍＷに等しく、ピーク電力は５ｍＷであり、そして
光束は４Ｊ／（至）意であった。
物質は、α３〜α５１ｃ１冨／インパルスの速度でホト
エツチングを受けた。
エツチングを受けた。
光学及び電子鏡検法並びにＸＳ光電子放出分光分析法に
よると、ホトエツチングされた帯域の周囲の帯域を実質
上変更させずに試験中の部分からの重合体フィルムの完
全除去が達成されていた。
よると、ホトエツチングされた帯域の周囲の帯域を実質
上変更させずに試験中の部分からの重合体フィルムの完
全除去が達成されていた。
Claims (4)
- （１）重合体物質を被覆した表面に１９３ｎｍ以下の波
長を有する局部エキシマーレーザービームを照射するこ
とからなる重合体物質の表面被覆のホトエッチング法。 - （２）局部エキシマーレーザービームが１５４〜１９３
ｎｍの波長を有する特許請求の範囲第１項記載のホトエ
ッチング法。 - （３）表面被覆がポリ−ｐ−キシリレン及びその塩素化
誘導体によつて構成される特許請求の範囲第１又は２項
記載のホトエッチング法。 - （４）表面被覆がポリ−２−クロル−ｐ−キシリレンに
よつて構成される特許請求の範囲第３項記載のホトエッ
チング法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT21019/86A IT1196447B (it) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | Procedimento di fotoablazione di rivestimenti superficiali a base di materiale polimerico |
| IT21019A/86 | 1986-07-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100726A true JPS63100726A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=11175469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62159921A Pending JPS63100726A (ja) | 1986-07-03 | 1987-06-29 | 重合体物質を基材とする表面被覆のホトエツチング法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4826755A (ja) |
| EP (1) | EP0253237B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63100726A (ja) |
| CA (1) | CA1272377A (ja) |
| DE (1) | DE3785396D1 (ja) |
| ES (1) | ES2040227T3 (ja) |
| IT (1) | IT1196447B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322986A (en) * | 1992-04-06 | 1994-06-21 | Eastman Kodak Company | Methods for preparing polymer stripe waveguides and polymer stripe waveguides prepared thereby |
| US6235541B1 (en) | 1997-03-13 | 2001-05-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Patterning antibodies on a surface |
| US5858801A (en) * | 1997-03-13 | 1999-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Patterning antibodies on a surface |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3375110A (en) * | 1964-12-24 | 1968-03-26 | Union Carbide Corp | Photo-masking system using p-xylylene polymers |
| JPS4321763B1 (ja) * | 1964-12-24 | 1968-09-18 | ||
| JPS5992532A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポジテイブ型レジストの製造方法 |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
| JPS6196737A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-03 IT IT21019/86A patent/IT1196447B/it active
-
1987
- 1987-06-29 JP JP62159921A patent/JPS63100726A/ja active Pending
- 1987-06-29 CA CA000540774A patent/CA1272377A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-29 US US07/067,150 patent/US4826755A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-03 ES ES198787109597T patent/ES2040227T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-03 EP EP87109597A patent/EP0253237B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-03 DE DE8787109597T patent/DE3785396D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3785396D1 (de) | 1993-05-19 |
| ES2040227T3 (es) | 1993-10-16 |
| IT1196447B (it) | 1988-11-16 |
| IT8621019A0 (it) | 1986-07-03 |
| IT8621019A1 (it) | 1988-01-03 |
| EP0253237A2 (en) | 1988-01-20 |
| CA1272377A (en) | 1990-08-07 |
| EP0253237B1 (en) | 1993-04-14 |
| EP0253237A3 (en) | 1989-05-31 |
| US4826755A (en) | 1989-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3001816B2 (ja) | Ｎｄ：ＹＡＧレーザを使用するガラス上へのレーザスクライビング | |
| EP0233755B1 (en) | Ultraviolet laser treating of molded surfaces | |
| JP5079942B2 (ja) | 担体材料上の薄層の剥離のための装置及び方法 | |
| KR101107385B1 (ko) | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공품 | |
| JP2002535701A (ja) | 薄膜にパターンを形成する方法 | |
| NO954027D0 (no) | Fjerning av overflateforurensninger ved bestråling | |
| CN104339088A (zh) | 用于在透明材料内执行激光成丝的系统 | |
| ATE180703T1 (de) | Entfernung von oberflächen-verseuchungen durch ausstrahlung | |
| JPS6189636A (ja) | 光加工方法 | |
| JPS63100726A (ja) | 重合体物質を基材とする表面被覆のホトエツチング法 | |
| JP2006061954A (ja) | 基板加工装置および基板加工方法 | |
| EP0315152A2 (en) | Photoablation process for films based on polymers having a perfluoroalkylpolyether structure by means of excimer laser rays | |
| JP2004006703A5 (ja) | ||
| EP4159357A1 (en) | Method of and apparatus for cutting a substrate or preparing a substrate for cleaving | |
| Ihlemann et al. | Excimer laser micromachining | |
| Metsios et al. | High pulse energy kW average power nanosecond lasers enable breakthrough in rapid coating removal | |
| JP2616767B2 (ja) | 光処理方法 | |
| JPS5622657A (en) | Treatment of glass surface | |
| JP2763785B2 (ja) | 半導体ウェハーからパターンが描かれた焼成後のフォトレジスト層を除去する方法 | |
| RU2175648C2 (ru) | Способ художественно-графической отделки поверхности стеклоизделий | |
| JPS61105885A (ja) | 光加工方法 | |
| US6462305B1 (en) | Method of manufacturing a polishing pad using a beam | |
| JPH0530594B2 (ja) | ||
| JPH1126410A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2000052071A (ja) | レーザ光を用いた薄膜除去方法 |