JPS6273815A - 大きなビツト幅のデ−タを処理するための回路網 - Google Patents
大きなビツト幅のデ−タを処理するための回路網Info
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- JPS6273815A JPS6273815A JP61221742A JP22174286A JPS6273815A JP S6273815 A JPS6273815 A JP S6273815A JP 61221742 A JP61221742 A JP 61221742A JP 22174286 A JP22174286 A JP 22174286A JP S6273815 A JPS6273815 A JP S6273815A
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6221—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
- H03K17/6228—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means using current steering means
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- H03K17/603—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters
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- Small-Scale Networks (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所定の負担能力の一つの送信器と、2段また
は3段に直列結合された差動増幅器を有する多数の受信
器とを備え、受信器の総数nが送信器の負担能力を著し
く上回っていて、受信器の総数nがそれぞれ02個の受
信器を有するグループに分割されているような大きなビ
ット幅を有する5−夕を処理するCML回路技術におけ
る回路網に関する。
は3段に直列結合された差動増幅器を有する多数の受信
器とを備え、受信器の総数nが送信器の負担能力を著し
く上回っていて、受信器の総数nがそれぞれ02個の受
信器を有するグループに分割されているような大きなビ
ット幅を有する5−夕を処理するCML回路技術におけ
る回路網に関する。
大きな計算機設備では、処理すべきデータが並列処理さ
れなければならない例えば72ビツトという非常に大き
なビット幅を有する。集積度が増し、接続ビン数が増せ
ば、LSIユニットにおいて大部分のデータワードまた
は全部のデータワードさえも並列処理することか可能と
なる。このことは内部では、例えばビット幅nのデータ
ワードのためのレジスタおよびマルチプレクサにおいて
一つの制御信号によって結合要素のn個の入力(例えば
クロック入力あるいはアドレス入力)を制御しなければ
ならないとうい結果をもたらす。
れなければならない例えば72ビツトという非常に大き
なビット幅を有する。集積度が増し、接続ビン数が増せ
ば、LSIユニットにおいて大部分のデータワードまた
は全部のデータワードさえも並列処理することか可能と
なる。このことは内部では、例えばビット幅nのデータ
ワードのためのレジスタおよびマルチプレクサにおいて
一つの制御信号によって結合要素のn個の入力(例えば
クロック入力あるいはアドレス入力)を制御しなければ
ならないとうい結果をもたらす。
一つの送信器により制御可能な入力に接続された受信器
の個数、所謂ファンアウトは、送信器の負担能力によっ
て制限される。また、マスクスライス方式にて構成され
、多数の範囲に分割された所定の大きさ、の構成エレメ
ントの部分を含むような集積ユニットの場合にも同様に
ファンアウトは固定的に与えられる。通常セルライブラ
リの助けにて選択可能なCM L回路技術のバイポーラ
トランジスタからなる部分回路(セル群)のファンアウ
トn1は、圧倒的に!、f W’ 8である。この値は
次の実施例にも基礎にされており、その場合に勿論具な
る値に関しても同じ考察が当てはまる。
の個数、所謂ファンアウトは、送信器の負担能力によっ
て制限される。また、マスクスライス方式にて構成され
、多数の範囲に分割された所定の大きさ、の構成エレメ
ントの部分を含むような集積ユニットの場合にも同様に
ファンアウトは固定的に与えられる。通常セルライブラ
リの助けにて選択可能なCM L回路技術のバイポーラ
トランジスタからなる部分回路(セル群)のファンアウ
トn1は、圧倒的に!、f W’ 8である。この値は
次の実施例にも基礎にされており、その場合に勿論具な
る値に関しても同じ考察が当てはまる。
しばしば大きなビット幅nにおける受信器の数は送信器
の許容ファンアウトn1よりも溝かに大きい。その場合
には、送信器によって制御されてそれぞれ01個の受信
器を制御する付加的な増幅器を使用すればよい。このよ
うにすれば(nl)”個の受信器を賄うことができる。
の許容ファンアウトn1よりも溝かに大きい。その場合
には、送信器によって制御されてそれぞれ01個の受信
器を制御する付加的な増幅器を使用すればよい。このよ
うにすれば(nl)”個の受信器を賄うことができる。
増幅器としては一般に第+ばによるORゲートが使用さ
れる。この種の回路網は第ら図に示された、送信器S、
増幅器■および受信器Eからなる構成を有する。
れる。この種の回路網は第ら図に示された、送信器S、
増幅器■および受信器Eからなる構成を有する。
増幅器要素を使用した場合には、信号走行時間。
損失電力およびセル数が増大するという欠点がある。更
に、(nl)2個以上の受信器の場合には増幅器が直列
に接続されなければならない。
に、(nl)2個以上の受信器の場合には増幅器が直列
に接続されなければならない。
一つの送信器によって酸1岬可能な受信器の個数を増加
させる別の可能性は、送信器として用いられる回路セル
のファンアウトの増大にある。その場合に選択は2倍ま
たは3倍のドライブ能力に限定されるに留まる。という
のはこの種の各回路セルにおいて必要な構成素子数が非
常に増大するからである。信号走行時間が真先に長引く
ことはないが、しかし高められたドライブ能力が全ての
存在する受信器の制御に十分でない場合には更に付加的
な増幅器を設けなければならない。
させる別の可能性は、送信器として用いられる回路セル
のファンアウトの増大にある。その場合に選択は2倍ま
たは3倍のドライブ能力に限定されるに留まる。という
のはこの種の各回路セルにおいて必要な構成素子数が非
常に増大するからである。信号走行時間が真先に長引く
ことはないが、しかし高められたドライブ能力が全ての
存在する受信器の制御に十分でない場合には更に付加的
な増幅器を設けなければならない。
k倍のドライブ能力を有する送信器SVを備えた回路網
の構成が第C図に示されている。
の構成が第C図に示されている。
本発明の目的は、大きなビット幅nを有するデータワー
ドの処理のために2段または3段の直列結合を備えたG
ML回路技術におけるレジスタセルまたはマルチプレク
サセルのためのセル構成において、一つの送信器によっ
て多数の受信器が制御可能であり、しかもこの回路網が
著しく小さい損失電力・走行時間積を有し、ビット当た
りの構成素子が従来の回路網よりも少なくなるようにす
ることにある。
ドの処理のために2段または3段の直列結合を備えたG
ML回路技術におけるレジスタセルまたはマルチプレク
サセルのためのセル構成において、一つの送信器によっ
て多数の受信器が制御可能であり、しかもこの回路網が
著しく小さい損失電力・走行時間積を有し、ビット当た
りの構成素子が従来の回路網よりも少なくなるようにす
ることにある。
上記目的は、本発明によれば、各受信器における第2お
よび第3の直列結合平面の差動増幅器の制御のため番ご
通常設けられている入カニミッタホロワを省略して、受
信器のグループにそれぞれ共通な高められたパワー能力
のエミッタホロワセルによって置き換え、共通なエミッ
タホロワセルの入力を送信器の出力に接続することによ
って達成される。
よび第3の直列結合平面の差動増幅器の制御のため番ご
通常設けられている入カニミッタホロワを省略して、受
信器のグループにそれぞれ共通な高められたパワー能力
のエミッタホロワセルによって置き換え、共通なエミッ
タホロワセルの入力を送信器の出力に接続することによ
って達成される。
以下、図面を参照しながら本発明を実施例について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図は本発明による構成された回路網構成図を示し、
第2図は2ビット・マルチプレクサの従来の実施例を示
し、第3図は多数のマルチプレクサを備えた本発明によ
る回路装置を示す。
第2図は2ビット・マルチプレクサの従来の実施例を示
し、第3図は多数のマルチプレクサを備えた本発明によ
る回路装置を示す。
第5図および第6図による表示と同様に第1図は本発明
シこよる回路網を示し、ここではファンアウトロ!を有
する1′つの送信2?iSと、それにしたがってそれぞ
れ02個の受信器E′″を有するnHIXIのグループ
MZとが設けられている。受信器E”の各グループM
Zは高められたパワー能力を有する2段のエミッタホロ
ワEFを介して制御される。前置されたエミッタホロワ
EFを備えた力電る受信器グループMZは後で複合セル
として示す。
シこよる回路網を示し、ここではファンアウトロ!を有
する1′つの送信2?iSと、それにしたがってそれぞ
れ02個の受信器E′″を有するnHIXIのグループ
MZとが設けられている。受信器E”の各グループM
Zは高められたパワー能力を有する2段のエミッタホロ
ワEFを介して制御される。前置されたエミッタホロワ
EFを備えた力電る受信器グループMZは後で複合セル
として示す。
第3図における2ビット・マルチプレクサを有する複合
セルの実施例の詳細な表示を説明する簡に直列結合を有
するC M L回路技術における通常の2ビット・マル
チプレクサセルを示す第2図を参照する。マルチプレク
サセルは3つの差動増幅器を存し、そのうち第1のロジ
ックの直列結合平面のF方の両差動増幅器は共通の2重
エミッタトランジスタT1を有する。トランジスタTI
のコレクタは出力Qと接続されると共に、コレクタ抵抗
Rを介して基準電位として用いられる運転電源端子■。
セルの実施例の詳細な表示を説明する簡に直列結合を有
するC M L回路技術における通常の2ビット・マル
チプレクサセルを示す第2図を参照する。マルチプレク
サセルは3つの差動増幅器を存し、そのうち第1のロジ
ックの直列結合平面のF方の両差動増幅器は共通の2重
エミッタトランジスタT1を有する。トランジスタTI
のコレクタは出力Qと接続されると共に、コレクタ抵抗
Rを介して基準電位として用いられる運転電源端子■。
。に接続されている。トランジスタT1のベースは第1
の比較電位VRIにある。マスクスライス装置の構成素
子部分が2重エミッタトランジスタを持たない場合にS
よ、トランジスタT1は一方でコレクタ7つ′他方で・
−・−スが並列接続された2つの華−の1ランジスタに
よって実現することができる。
の比較電位VRIにある。マスクスライス装置の構成素
子部分が2重エミッタトランジスタを持たない場合にS
よ、トランジスタT1は一方でコレクタ7つ′他方で・
−・−スが並列接続された2つの華−の1ランジスタに
よって実現することができる。
1−ランジスタT 1と共に1、第1のデータビ、・1
−DOをベースに接続されたトランジスタT2が第1の
差動増幅器を構成し7でいる。第2のデータビットD1
によって制御される第2の差動増幅器はトランジスタT
1とトランジスタ]゛3との[席勅によって生しる。
−DOをベースに接続されたトランジスタT2が第1の
差動増幅器を構成し7でいる。第2のデータビットD1
によって制御される第2の差動増幅器はトランジスタT
1とトランジスタ]゛3との[席勅によって生しる。
第1もしくは第2の差動増幅器のトランジスタTI、T
2もしくは第7.第3の互いに接続されたエミッタ対は
、第2のロジックの直列結合平面にイ」属する第3の差
動増幅器のエミッタ結合されたl・ランジスタT4もし
くは第5のコレクタに接続されている。
2もしくは第7.第3の互いに接続されたエミッタ対は
、第2のロジックの直列結合平面にイ」属する第3の差
動増幅器のエミッタ結合されたl・ランジスタT4もし
くは第5のコレクタに接続されている。
第30差動増幅器のスイッチング状態は、定電流I3が
供給されるのは第1の差動増幅器か又は第2の差動増幅
器かを、即ち出力Qに接続されるのは第1のデータビッ
トDoか又は第2のデータビットD1かを区別する。第
2のロジック平面の差1J増幅器はトランジスタT6お
よび定電流11を供給する定電流源からなるエミ・7タ
ホロワを介してアドレスビットAによって制御される。
供給されるのは第1の差動増幅器か又は第2の差動増幅
器かを、即ち出力Qに接続されるのは第1のデータビッ
トDoか又は第2のデータビットD1かを区別する。第
2のロジック平面の差1J増幅器はトランジスタT6お
よび定電流11を供給する定電流源からなるエミ・7タ
ホロワを介してアドレスビットAによって制御される。
このエミッタホロワはシフトされた信号レヘルの中間値
が比較電位VR2に対応するようにアドレスビットAの
2進値のレベルシフトを起こさせる。第2濶において垂
直破線の右側にある2ビット・マルチプレクサの回路部
分は次に本体セルとして示されている。
が比較電位VR2に対応するようにアドレスビットAの
2進値のレベルシフトを起こさせる。第2濶において垂
直破線の右側にある2ビット・マルチプレクサの回路部
分は次に本体セルとして示されている。
第3図は本発明による複合2ビット・マルチプレクサ2
ルを示し、これは全部でr+2個の本体セルを有するが
、このうち最初と最後の本体セルだけが図示されている
。第2図との比較によって、回路構成に関して与えられ
た第2図により詳述した本体セルとの一致性を容易にt
?7.36することができる。それゆえ、図の簡単化の
ため参照符号がかなれて、アドレスビットAにて制′4
1Hされるエミッタホロワ七ルの出力に接続されている
。エミ5・タホロワセルは直列接続された2つのエミッ
タホロワからなり、その場合にトランジスタT6と定電
流■1のだめの定電流源からなる第1のエミッタホロワ
は既に第2図にて説明したエミッタホロワと同一である
。後段に接続された第2のエミッタホロワは、高められ
た電流負担能力のトランジスタT7を備え、より高い電
流12にて駆動される。
ルを示し、これは全部でr+2個の本体セルを有するが
、このうち最初と最後の本体セルだけが図示されている
。第2図との比較によって、回路構成に関して与えられ
た第2図により詳述した本体セルとの一致性を容易にt
?7.36することができる。それゆえ、図の簡単化の
ため参照符号がかなれて、アドレスビットAにて制′4
1Hされるエミッタホロワ七ルの出力に接続されている
。エミ5・タホロワセルは直列接続された2つのエミッ
タホロワからなり、その場合にトランジスタT6と定電
流■1のだめの定電流源からなる第1のエミッタホロワ
は既に第2図にて説明したエミッタホロワと同一である
。後段に接続された第2のエミッタホロワは、高められ
た電流負担能力のトランジスタT7を備え、より高い電
流12にて駆動される。
トランジスタT7は例えば通常の構成素子部分からなる
2または3個のトランジスタの対応せる電極の並列接続
によって実現することができる。
2または3個のトランジスタの対応せる電極の並列接続
によって実現することができる。
第2図による本体セルと第3図による本体セルとの間に
おける相違は元は第2の直列結合平面に(]属したが今
や第3の直列結合平面に屈す第3の差動増幅器のだめの
比較電位の高さにある。つまり、第3図による本体セル
の比Φを電位VR3を確定する場合に、2段のエミッタ
ホロ・フセルT6゜第7によるアドレスビットAの2進
値の71重の信号レベルシフトを考慮しなzJ−ればな
らない。
おける相違は元は第2の直列結合平面に(]属したが今
や第3の直列結合平面に屈す第3の差動増幅器のだめの
比較電位の高さにある。つまり、第3図による本体セル
の比Φを電位VR3を確定する場合に、2段のエミッタ
ホロ・フセルT6゜第7によるアドレスビットAの2進
値の71重の信号レベルシフトを考慮しなzJ−ればな
らない。
今まで扱われた全ての例にとって好都合な条性のもとで
エミッタホロワセルの最大ファンアウトを16を越えて
高めることはないのは好適である。
エミッタホロワセルの最大ファンアウトを16を越えて
高めることはないのは好適である。
なぜならば、さもないと立下がりおよび立上がりの信号
上ノジの過大な走行時間差が生しるからである。この制
限によっても、n1=8なる最大ファンアウトを有する
一つの送信器により既に128個の受信器を賄うことが
できる。
上ノジの過大な走行時間差が生しるからである。この制
限によっても、n1=8なる最大ファンアウトを有する
一つの送信器により既に128個の受信器を賄うことが
できる。
本発明による措置の適用は2ビット・マルチプレクサに
限らず、それぞれか\る回路装置の多数に対して第2ま
たは第3の直列結合平面における差動増幅器の制御のだ
めの共通な制御信号を有効ならしめようとするような、
2段または3段の直列結合を有するCML回路技術にお
ける全ての回路装置に可能である。
限らず、それぞれか\る回路装置の多数に対して第2ま
たは第3の直列結合平面における差動増幅器の制御のだ
めの共通な制御信号を有効ならしめようとするような、
2段または3段の直列結合を有するCML回路技術にお
ける全ての回路装置に可能である。
か\る回路装置の典型的な例が並列データ入力および7
才たは出力用のレジスタ又はシフトレシルは、個々のレ
ジスタ段におけるクロックパルスの人力のための入カニ
ミッタホロワの省略によって構成され、それから多数の
本体セルと前置された共通の1つのエミッタホロワセル
からなる複合セルが構成される。既に述べたように、1
つの送信器Sと、それぞれ1つのエミッタホロワセルE
Fおよび02個の受信器としての本体セルE0からなる
n1個の複合セルMZとを備えた回路網の共通な構成が
第1図に示されている。
才たは出力用のレジスタ又はシフトレシルは、個々のレ
ジスタ段におけるクロックパルスの人力のための入カニ
ミッタホロワの省略によって構成され、それから多数の
本体セルと前置された共通の1つのエミッタホロワセル
からなる複合セルが構成される。既に述べたように、1
つの送信器Sと、それぞれ1つのエミッタホロワセルE
Fおよび02個の受信器としての本体セルE0からなる
n1個の複合セルMZとを備えた回路網の共通な構成が
第1図に示されている。
これまで言及した回路網構成の以下の比較に関して、第
5図の回路網構成は場合a)として、第6図の回路網構
成は場合b)として、第1図の回路網構成は場合C)と
して示す。
5図の回路網構成は場合a)として、第6図の回路網構
成は場合b)として、第1図の回路網構成は場合C)と
して示す。
シミュレーション計算を行い、その場合に2ビット・マ
ルチプレクサと次の値を基礎にした。
ルチプレクサと次の値を基礎にした。
ファンアウトn1=8
電流11 =0.5mA
電流I2 =1.5mA
電流13 =1.5mA
砥抗R=300Ω
運転電圧Vti Vcc = 4.5V場合b)
においては送信器の差動増幅器電流は2・13=3mA
である。
においては送信器の差動増幅器電流は2・13=3mA
である。
次の表(2つに分けて示されている。)は、場合a)、
b)、c)について、種々のビット幅nに関し、最大ア
ドレス走行時間1dいビット当たりの損失電力・走行時
間積Q(=Pv・LdA)、ビット当たりの構成素子数
mを示す。
b)、c)について、種々のビット幅nに関し、最大ア
ドレス走行時間1dいビット当たりの損失電力・走行時
間積Q(=Pv・LdA)、ビット当たりの構成素子数
mを示す。
表は、調査された3つのすべての量に関してビット幅n
≧16について既に、場合C)による本発明の回路網構
成の明白な有利性を示している。
≧16について既に、場合C)による本発明の回路網構
成の明白な有利性を示している。
これは、その場合に付加的な増幅器が必要ではあるが、
ビット幅n>128についても当てはまる。
ビット幅n>128についても当てはまる。
第+図は従来の回路網において使用される増幅器を例示
する回路図、第S図および第6図は従来の互いに異なる
回路網構成を示すブロック図、第1図は本発明による回
路網構成を示すブロック図、第2図は公知の2ビット・
マルチプレクサの実施例を示す回路図、第3図は多数の
マルチプレクサを備えた本発明による回路装置の実施例
を示す回路図である。 S−・−送信器、El−・−受信器、M Z −受信器
グループ、E−・エミッタホロワセル。 IG 3
する回路図、第S図および第6図は従来の互いに異なる
回路網構成を示すブロック図、第1図は本発明による回
路網構成を示すブロック図、第2図は公知の2ビット・
マルチプレクサの実施例を示す回路図、第3図は多数の
マルチプレクサを備えた本発明による回路装置の実施例
を示す回路図である。 S−・−送信器、El−・−受信器、M Z −受信器
グループ、E−・エミッタホロワセル。 IG 3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)所定の負担能力の1つの送信器と、2段または3段
に直列結合された差動増幅器を有する多数の受信器とを
備え、受信器の総数nが送信器の負担能力を著しく上回
っていて、受信器の総数nがそれぞれn2個の受信器を
有するグループに分割されているような大きなビット幅
を有するデータを処理するCML回路技術における回路
網において、各受信器における第2および第3の直列結
合平面の差動増幅器の制御のために通常設けられている
入力エミッタホロワを省略して、受信器(E^*)のグ
ループ(MZ)にそれぞれ共通な高められたパワー能力
のエミッタホロワセル(EF)によって置き換え、前記
共通なエミッタホロワセル(EF)の入力を送信器(S
)の出力に接続することを特徴とする大きなビット幅の
データを処理するための回路網。 2)負担能力n1を有する1つの送信器(S)のほかに
、n>n1なる選択アドレス(A)を供給するために2
ビット・マルチプレクサを含み、該2ビット・マルチプ
レクサのアドレス入力が受信器入力を形成していること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の大きなビッ
ト幅のデータを処理するための回路網。 3)負担能力n1を有する1つの送信器(S)のほかに
、n>n1なるクロックパルスを供給するためにレジス
タ段を含み、該レジスタのクロック入力が受信器入力を
形成していることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の大きなビット幅のデータを処理するための回路網
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3534221 | 1985-09-25 | ||
DE3534221.8 | 1985-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH07118643B2 JPH07118643B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
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Family Applications (1)
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- 1986-09-18 US US06/908,771 patent/US4780629A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-19 JP JP61221742A patent/JPH07118643B2/ja not_active Expired - Lifetime
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