JPS6258226A - 液晶表示体 - Google Patents
液晶表示体Info
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- JPS6258226A JPS6258226A JP60199131A JP19913185A JPS6258226A JP S6258226 A JPS6258226 A JP S6258226A JP 60199131 A JP60199131 A JP 60199131A JP 19913185 A JP19913185 A JP 19913185A JP S6258226 A JPS6258226 A JP S6258226A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G—PHYSICS
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- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
本発明は、ＭＩＭｅ＆Ｃ代表されるバリスター素子をス
イッチングに利用し九液晶表示体に関する。
イッチングに利用し九液晶表示体に関する。
本発明は、Ｍ工Ｍを形成された絶縁基板上の画素のラビ
ング材進入方向側に、導電部分若しくは、該導電部分上
に誘電体層を形成することＫより、→ピング材が該絶縁
基板上を擦る際に発生するラビング材表面の電荷が該導
電部分若しくは該導電部分上に形成された誘電体層に放
出され、画素に接続されたＭ工Ｍ素子の絶縁膜が保護さ
れる。一方、画−葉面をラビングする際には、画素は導
電体数、摩擦によろ電荷の蓄積は起こらない。かくして
ラビング作業時に発生するＭＩＭ素子の静電気破壊を防
止し、液晶表示体点灯の際の係る原因による異常表示す
なわち点灯欠陥の発生を防止できる。
ング材進入方向側に、導電部分若しくは、該導電部分上
に誘電体層を形成することＫより、→ピング材が該絶縁
基板上を擦る際に発生するラビング材表面の電荷が該導
電部分若しくは該導電部分上に形成された誘電体層に放
出され、画素に接続されたＭ工Ｍ素子の絶縁膜が保護さ
れる。一方、画−葉面をラビングする際には、画素は導
電体数、摩擦によろ電荷の蓄積は起こらない。かくして
ラビング作業時に発生するＭＩＭ素子の静電気破壊を防
止し、液晶表示体点灯の際の係る原因による異常表示す
なわち点灯欠陥の発生を防止できる。
従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示体は、特開昭５９−
８５）９０記載の第８図、特開昭５９−７８５８６記載
の第１図、及び特開昭５９−５５８８７記載の第１図に
示す様な、画素パターンが知られていた。
８５）９０記載の第８図、特開昭５９−７８５８６記載
の第１図、及び特開昭５９−５５８８７記載の第１図に
示す様な、画素パターンが知られていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし従来
技術では、液晶の配向処理にラビングを用いた場合にラ
ビング材が摩擦たより帯電し、Ｍ工Ｍ等の電気的耐圧の
低い素子はラビング材の電荷が放出された際、素子を形
成する絶縁膜の一部がジュール熱により破損し、スイッ
チング特性が失なわれ、点灯欠陥が発生するという問題
点を有する。一方素子の電気的耐圧を高めるＫは、絶縁
膜の材質、膜厚、パターン幅等を変更すれば良いが、素
子特性も変化し液晶の駆動電圧等の制約もあって難しい
。液晶の配向処理としては、液晶のティルト角ψを極力
小さく保ち点灯の際コン−トラストを高めることと、製
造効率を考暉するとラビングによる処理が最も適当であ
る。
技術では、液晶の配向処理にラビングを用いた場合にラ
ビング材が摩擦たより帯電し、Ｍ工Ｍ等の電気的耐圧の
低い素子はラビング材の電荷が放出された際、素子を形
成する絶縁膜の一部がジュール熱により破損し、スイッ
チング特性が失なわれ、点灯欠陥が発生するという問題
点を有する。一方素子の電気的耐圧を高めるＫは、絶縁
膜の材質、膜厚、パターン幅等を変更すれば良いが、素
子特性も変化し液晶の駆動電圧等の制約もあって難しい
。液晶の配向処理としては、液晶のティルト角ψを極力
小さく保ち点灯の際コン−トラストを高めることと、製
造効率を考暉するとラビングによる処理が最も適当であ
る。
そこで本発明は係る問題点を解決するもので、その目的
とするところはＭ工Ｍ等を内蔵した液晶表示体の効率生
産にある。
とするところはＭ工Ｍ等を内蔵した液晶表示体の効率生
産にある。
本発明の液晶表示“体は、液晶層を支持する２枚の絶縁
基板の少なくとも一方の絶縁基＠υ液晶層と接する基板
面上に、ＭＴＭ素子を形成し、該素子を用いて液晶１−
の印加電圧を制御する機構を有する液晶表示体に於いて
、ラビング作業時にラビング材が最初に接する、Ｍ工Ｍ
素子が形成された画素のラビング材の進入方向側に導電
部分含有すること若しくは該導電部分を画像の有効表示
面を構成する画素最外周に有すること、及び該導電部分
がＭＩＭ形成金属の少なくとも１つＫより形成されてい
ること若しくは該導電部分が画素形成金属と同一金属で
形成されていること並びに該導電部分上にｍｓ体層を有
すること′ｔ−特徴とする。
基板の少なくとも一方の絶縁基＠υ液晶層と接する基板
面上に、ＭＴＭ素子を形成し、該素子を用いて液晶１−
の印加電圧を制御する機構を有する液晶表示体に於いて
、ラビング作業時にラビング材が最初に接する、Ｍ工Ｍ
素子が形成された画素のラビング材の進入方向側に導電
部分含有すること若しくは該導電部分を画像の有効表示
面を構成する画素最外周に有すること、及び該導電部分
がＭＩＭ形成金属の少なくとも１つＫより形成されてい
ること若しくは該導電部分が画素形成金属と同一金属で
形成されていること並びに該導電部分上にｍｓ体層を有
すること′ｔ−特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。第１図は本発明に基づ（ＭＩＭ液晶表示体υＭ工Ｍ素
子が形成され友絶縁基板のパターン図であるが、１．が
該導電部分を示し、ラビング材の進入方向側に形成して
いる。ラビング方向が図中で上下方向若しくは左右方向
の場合は、ラビング材進入方向の画像の有効表示面の一
辺のみに該導電部分を形成し、静電気によるＭ工Ｍ素子
の破壊を防止できた。
。第１図は本発明に基づ（ＭＩＭ液晶表示体υＭ工Ｍ素
子が形成され友絶縁基板のパターン図であるが、１．が
該導電部分を示し、ラビング材の進入方向側に形成して
いる。ラビング方向が図中で上下方向若しくは左右方向
の場合は、ラビング材進入方向の画像の有効表示面の一
辺のみに該導電部分を形成し、静電気によるＭ工Ｍ素子
の破壊を防止できた。
第２図はラビング方向が図中で斜め方向からの場合全表
し、該導電部分をラビング方向の角を挾む二辺に形成す
ることにより同様の効果を得た。
し、該導電部分をラビング方向の角を挾む二辺に形成す
ることにより同様の効果を得た。
第５図は画像の有効表示面を構成する画素最外周に誼導
電部分を形成し友もので、仁の場合は、あらゆる角度か
らのラビングに対し、同様の効果を得た。 − ところで該導電部分の材質であるが、本実施例ではＭＩ
Ｍ素子を形成する金ＪＩ！４りしてタンタル、及びこれ
を陽極酸化して得る五酸化タンタル、この五酸化タンタ
ル上にクロムを蒸着若しくはスパッタし、タンタル、ク
ロムの各々を用いて該導電部分を形成した。一方画素材
質である工Ｔｏを用いて該導電部分を形成した。両者共
に材質に関係なく、同様の効果が確−できた。
電部分を形成し友もので、仁の場合は、あらゆる角度か
らのラビングに対し、同様の効果を得た。 − ところで該導電部分の材質であるが、本実施例ではＭＩ
Ｍ素子を形成する金ＪＩ！４りしてタンタル、及びこれ
を陽極酸化して得る五酸化タンタル、この五酸化タンタ
ル上にクロムを蒸着若しくはスパッタし、タンタル、ク
ロムの各々を用いて該導電部分を形成した。一方画素材
質である工Ｔｏを用いて該導電部分を形成した。両者共
に材質に関係なく、同様の効果が確−できた。
さてタンタルを該導電部分に用いた際、前述の場合は端
子との電気的接続はされていないが、熾子と電気的接続
をした場合について次に述べる。
子との電気的接続はされていないが、熾子と電気的接続
をした場合について次に述べる。
このよう゛な場合、該導電部分も陽極酸化工程で素子部
同様に酸化され五酸化タンタルという誘電体層が２００
０Ｘ以下の膜厚で形成される、すなわち該導電部分上Ｆ
ｃ鍔電電体層存在する場合だが、係す場合に於いても全
く同様の効果が確認できた。
同様に酸化され五酸化タンタルという誘電体層が２００
０Ｘ以下の膜厚で形成される、すなわち該導電部分上Ｆ
ｃ鍔電電体層存在する場合だが、係す場合に於いても全
く同様の効果が確認できた。
ラビング作業前に基板表面１）ＣＰＸ膜を形成するがこ
のＰＩ膜も誘電体層と考えることができ、係る場合に於
いても全く問題なく同様の効果を得た。
のＰＩ膜も誘電体層と考えることができ、係る場合に於
いても全く問題なく同様の効果を得た。
これら一連の！ｉＩ！施例は、Ｍ工Ｍ素子が形成された
絶縁基板の完成後、アミノシラン処理、Ｐ１膜形成した
後、ラビングにより配向させた。セル完成後点灯させ欠
陥ｔｌＩＩＩＮシたのであるが、ラビング時のＭ工Ｍ素
子の静電気による破壊に起因する点灯欠陥は、ラビング
材進入方向に最も近い画素に接続されたＭＩＭＫ集中的
に発生し、外観上、長さのまちまちな線状の特徴的表示
状態を呈するので、本実施例に基づく効果の確認は容易
である。
絶縁基板の完成後、アミノシラン処理、Ｐ１膜形成した
後、ラビングにより配向させた。セル完成後点灯させ欠
陥ｔｌＩＩＩＮシたのであるが、ラビング時のＭ工Ｍ素
子の静電気による破壊に起因する点灯欠陥は、ラビング
材進入方向に最も近い画素に接続されたＭＩＭＫ集中的
に発生し、外観上、長さのまちまちな線状の特徴的表示
状態を呈するので、本実施例に基づく効果の確認は容易
である。
以上述べたように、本発明によれば、ラビング作業時に
必然的に発生する静電気が、画像Ｖ有効表示面′ｔ−構
成する画素に印加される前に、その画素のラビング材側
に形成した導電部分で放出されるので、ＭＩＭ素子の静
電気による破壊を防止できる。すなわち、ラビングとい
う液晶表示体を製造する上で、斜め蒸着法に比較してコ
ントラストが高く、生産効率の高い配向方法を用いてＭ
ＩＭ等を内蔵した液晶表示体ができる訳で、現在主流の
Ｔ ＰＴｆ＆晶表示体に比較して、より安価に同等水準
の性能をもつ液晶表示体の効率生産を可能にするもので
ある。
必然的に発生する静電気が、画像Ｖ有効表示面′ｔ−構
成する画素に印加される前に、その画素のラビング材側
に形成した導電部分で放出されるので、ＭＩＭ素子の静
電気による破壊を防止できる。すなわち、ラビングとい
う液晶表示体を製造する上で、斜め蒸着法に比較してコ
ントラストが高く、生産効率の高い配向方法を用いてＭ
ＩＭ等を内蔵した液晶表示体ができる訳で、現在主流の
Ｔ ＰＴｆ＆晶表示体に比較して、より安価に同等水準
の性能をもつ液晶表示体の効率生産を可能にするもので
ある。
第１図は本発明に基づく、ラビング方向が左からの場合
のパターン図ヲ示す。 第２図は本発明に基づく、ラビング方向が左上からの斜
めの場合のパターン図を示す。 第５図は本発明に基づく、画素最外周にパターンを形成
し九場合のパターン図を示す。 １・・・導電部分若しくは該導電部分上に形成された＃
電体ｔ― ２・・・熾子 ５・・・画素 ４…ＭＩＭ素子 以 上 ＭＴＦ／Ｘ雇工表ホイ年を極Ｉマ？−ン１刀第１図 ＭＵＭシ＆品２表ホ評を極Ｉマ？−ン１カ第２１）
のパターン図ヲ示す。 第２図は本発明に基づく、ラビング方向が左上からの斜
めの場合のパターン図を示す。 第５図は本発明に基づく、画素最外周にパターンを形成
し九場合のパターン図を示す。 １・・・導電部分若しくは該導電部分上に形成された＃
電体ｔ― ２・・・熾子 ５・・・画素 ４…ＭＩＭ素子 以 上 ＭＴＦ／Ｘ雇工表ホイ年を極Ｉマ？−ン１刀第１図 ＭＵＭシ＆品２表ホ評を極Ｉマ？−ン１カ第２１）
Claims (5)
- （１）液晶層を支持する２枚の絶縁基板の少なくとも一
方の絶縁基板の液晶層と接する基板面上に、ＭＩＭ素子
を形成し、該素子を用いて液晶層の印加電圧を制御する
機構を有する液晶表示体に於いて、ラビング作業時にラ
ビング材が最初に接するところの、ＭＩＭ素子が形成さ
れた画素のラビング材の進入方向側に導電部分を有する
ことを特徴とする液晶表示体。 - （２）該導電部分を画像の有効表示面を構成する画素最
外周に有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の液晶表示体。 - （３）該導電部分が、ＭＩＭ形成金属の少なくとも１つ
により形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の液晶表示体。 - （４）該導電部分が、画素形成金属と同一金属で形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示体。 - （５）該導電部分上に誘電体層を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液晶表示体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199131A JPS6258226A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 液晶表示体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199131A JPS6258226A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 液晶表示体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219793A Division JP2638418B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258226A true JPS6258226A (ja) | 1987-03-13 |
| JPH0422499B2 JPH0422499B2 (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=16402654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199131A Granted JPS6258226A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 液晶表示体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258226A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274930A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス液晶パネル |
| JPH027024A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス |
| EP0369828A2 (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display panel with an electrostatic protection circuit |
| EP0369450A2 (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Input protection circuit of electro-optical device |
| JPH0299695U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-08-08 | ||
| JPH02266834A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-10-31 | Hughes Aircraft Co | セルバイパス回路 |
| US5227901A (en) * | 1991-03-20 | 1993-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| EP0605176A1 (en) * | 1992-12-21 | 1994-07-06 | SHARP Corporation | An active matrix type liquid crystal display panel and a method for producing the same |
| US5719647A (en) * | 1994-11-08 | 1998-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type liquid crystal display apparatus having ESD protecting MIM beneath each reflective electrode |
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Citations (2)
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| JPS61183620A (ja) * | 1985-02-09 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP60199131A patent/JPS6258226A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422499B2 (ja) | 1992-04-17 |
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