JPS6245340A - 燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少させる触媒 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の要約１ 金属Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｗ、ＭｏもしくはＣｅの少なくと
も１種をその酸化物の１種もしくはそれ以上として、三
層構造を有するシリケート（三層シリケート）と組合せ
て含有する燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少させる
触媒につき開示し、この触媒は （ａ）三層シリケートがその結晶層構造をまだ部分的に
維持している酸活性化三層シリケートで必り、 （ｂ）三層シリケートか該活性化前に≧３０ｍＶａ　Ｉ
　／１００（＋の陽イオン交換能を有し、 （Ｃ）　酸活性化に基づいて中間層陽イオンの濃度が低
下しており、かつＢＥＴ表面積が醗活性化前の三層シリ
ケートのＢＥＴ表面積に対し少なくとも１５％、好まし
くは少なくとも５０％増大しており、 （ｄ）酸活［生化三層シリケート中に含有される珪素と
酸化物中に含有される金属との間の原子比が０．２〜５
０．好ましくは０．４〜２５であることを特徴とする。

［産業上の利用分野］ 本発明は、燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少させる
触媒に関するものである。

［従来の技術］ 化５燃料を燃焼させる際、窒素含有成分がらも空気窒素
からも窒素酸化物（ＮＯＸ＞が形成されて大気中に達し
、重大な環境汚染をもたらす。

窒素酸化物をＮＨ３によりＮ２とＨ２０とに変換するこ
とができ、かつこの反応は広い温度範囲にわたりかなり
選択的であり、すなわら一般に燃焼排ガス中に存在する
ような大過剰の酸素の存在下で殆んど酸化によるアンモ
ニアの損失なしに進行し、したがって比較的少量の還元
剤しか必要とされないことが知られている。ざらに、ア
ンモニアによるＮＯｘ還元には種々の触媒が既に知られ
ている。

たとえば、ドイツ公告公報用２４１０１７５＠からバナ
ジウム、モリブデンおよび／またはタングステンの化学
量論比Ｖ１２、−ｙＭＯｘＷ、　（ここでＸ及びｙはＯ
≦Ｘ＜８．０＜ｙ≦５かつ０．３≦（Ｘ＋Ｖ）＜８に設
定される〉の酸化物よりなるこの種の触媒が知られてい
る。

さらに、ドイツ特許第２４５８　ａａｇ＠公報から排ガ
ス中の窒素酸化物の還元分解方法も知られてあり、この
場合窒素酸化物と分子状酸素とアンモニアとを含有する
ガス混合物を触媒組成物と接触させ、この触媒組成物は
必須成分（Ａ＞酸化物としてのチタンを（Ｂ）１化物と
しての鉄もしくはバナジウムと共に緊密混合物として含
有する。

これらの触媒は、触媒活性成分として含有する比較的高
価な遷移金属化合物がその最適でない配分のため僅かな
程度しか利用されないという欠点を有する。活性成分は
不活性の固体担体に展延してその経済性を明らかに改善
することもできるが、不活性物質による希釈に際し触媒
活性が著しく低下するという危険が生ずる。これらの触
媒は、煙道ガス中にしばしば含有されるＳＯ２をＳＯ３
まて酸化し、その結果たとえば後続の装置に塩沈着をも
たらしうるという欠点を有する。

さらに、ドイツ公開公報第３４３８３６７号からも選択
的還元により燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少させ
る触媒が知られており、この触媒は特に（Ａ）チタンま
たは珪素の水性酸化化合物の熱処理により得られた硫黄
酸化物含有の触媒酸化物８０〜９５重１％と、（Ｂ）［
１化バナジウムを含有する触媒酸化物０〜５重量％と、
（Ｃ）たとえばタングステンの触媒酸化物１〜１５臣量
％とから構成されている。

この種の触媒に本質的なことは、Ｓ　ｉ　０２とＴｉＯ
２とから４Ａ？成された固体酸が形成され、その酸ｉ１
度か硫酸または硫酸アンモニウムでの処理により改変さ
れることておる。この固定酸の分配は触媒表面に対する
ＮＨ３吸着を制仰するのに決定的であると思われ、した
がって触媒活性の改善に必須であると思われる。

その際、Ｓ　ｉ　０２は珪酸ゾルとして使用される。

周知のように、３ｉ０２ゾルから珪酸ゲルが生じ、これ
はその高ＢＥＴ表面積と同時に高度の多孔性とを特徴と
するが巨孔質割合が低く、その結果物質移動に対する作
用も低く、したがって触媒効果も貧弱でおる。

さらに、ドイツ公開公報第２７４８４７１号から、特に
燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少させるためアンモ
ニアによる窒素酸化物の気相還元にて使用する触媒材料
も知られており、この触媒は実質的に金属銅、バナジウ
ム、クロム、モリブデン、タングステン、マンカン、鉄
もしくはセリウムの酸化物もしくは硫酸塩を平均粒子寸
法０．１〜１００！瘤のチタン酸化物および粘土鉱物を
含有する成形担体に担持して、構成されている。モンモ
リロナイｉ〜、カオリン、ハロイサイト、ピロフィライ
トおよびセリサイトの種類の粘土鉱物を使用することか
できる。これら粘土鉱物の場合、層構造を有するアルミ
ノ珪酸塩が存在し、部分的に三層シリケートが存在する
。これら粘土鉱物を１５重量％までの予て使用しても、
触媒の強度が僅かしか増大しない。触媒効果に関し、上
記量のこれら添加物は役割を演じない。それより多量で
はこの点に関しマイナスの作用さえ生じ、ざらにＳＯＸ
含有排ガスに対し触媒の耐性を低下させる。

今回、所定の方法で改質した三層構造のシリケートを使
用すれば、酸化触媒成分により相乗交換作用をさらにも
たらし、活性が向上し、かつ燃焼排ガスの窒素酸化物含
有量を特に高価な酸化触媒成分と還元剤との経済的利用
により充分除去しうるような前記種類の触媒が得られる
ことを突き止めた。ざらに、より高度のＳＯＸ耐性も得
られることが判明した。

［発明が解決しようとする問題点］ したがって、本発明の目的は、少なくとも１種の金属Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｖ、ＷＳＭｏもしくはＣｅを１種もしくはそ
れ以上のその酸化物として、三層構造のシリケート（三
層シリケート）と組合せて含有する燃焼排ガスの窒素酸
化物含有量を減少させれる触媒を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明によれば、この触媒は次の特徴を有する：（ａ）
三層シリケートはその結晶層構造をまだ部分的に維持し
ている酸活性化三層シリケートでおり、 （ｂ）三層シリケートは酸活性化前に≧３０ｍＶａ　ｌ
　／ｉｏｏｇの陽イオン交換能を有し、 （Ｃ）酸活性化に基づいて中間層陽イオンの濃度か低下
しており、かつＢＥＴ表面積が酸活性化前の三層シリケ
ートのＢＥＴ表面積に対し少なくとも１５％、好ましく
は少なくとも５０％増大しており、 （ｄ）　１ｍｍ活性化層シリケート中に含有される珪素
ト酸化物中に含有される金属との間の原子比は０．２〜
５０、好ましくは０．４〜２５である。

三層シリケートの「酸活性化」という用語は、中間層に
おける一価もしくは二価陽イオンに対する水素イオンの
交換により生ずる処理を意味する。

すなわち、この種のイオン交換しか生じない三層シリケ
ートを使用すれば、充分高い活性を有する触媒が得られ
ないことが確認された。さらに、１」型の天然三層シリ
ケートを使用して得られた触媒も充分高い活性を示さず
、またＳＯＸに対し耐性でない。同様に、天然のまたは
アルカリ活性化した三層シリケート（アルカリ金属はこ
こで問題とする触媒に対し触媒毒となる）、並びにフラ
ーアースおよび天然の酸性粘土、たとえば日本新潟粘土
も不満足でおる。

酸活性化は恐らく、シリケート層をその縁部から浸蝕し
かつイオンをへ面相から溶出させるζ思われる。残存す
るＳ　ｉ　０４−匹面相は特に乾燥の際に成る種の、模
作用および立体障害により層の配向変化をもたらす。し
かしながら、この場合１．結晶の層構造は実質的に破壊
されない。ト１型として最初から或いは既に存在してい
る三層シリケートの結晶構造と、非晶質珪酸の充分破壊
した結晶溝ｊ当との間の中間状態に達する。

酸活性化は、一般にＢＥＴ法で測定される比表面積を高
める。得られる高比表面積は、酸活性化層状シリケート
と触媒の酸化成分との緊密混合の後にも、たとえこれら
成分を多量に使用した場合でさえ得られる。他方、上記
したように、酸活性化は非晶質珪酸のみが残存する程進
行させてはならない。何故なら、この場合触媒の酸化成
分に対する交換作用がもはや生じないことが明らかであ
り、珪酸含有量の増加と共に触媒活性の著しい低下が認
められるからでおる。

さらに本発明による触媒の他の重要な特徴は、酸活性化
前に≧３０ｍＶａ　Ｉ　／　１００ｇの陽イオン交換能
を有する三層シリケートを使用することでおる。この種
の出発物質を使用すれば特に活ｉ生の大きい触媒が得ら
れる理由は詳細にはまだ明らかでないが、酸活性化三層
シリケートの特に有利な結晶構造に基づくものと思われ
る。

酸活性化三層シリケートは金属閑化物と共に相乗交換作
用を示す。しかしながら、現在までこの交換作用に対す
る明確な作用メカニズムの説明は示しえないが、酸活性
化を介し再配向したシリケート層構造の存在か必須の前
提になると思われる。

すなわち、酸化金属成分と反応させるために、本発明に
よる酸活性化三層シリケートの代りに、たとえば同等の
ＢＥＴ表面積を有する珪酸ゲルを使用すれば、明らかに
触媒活性の低下が生ずる。

本発明で使用する酸活性化三層シリケートの比表面積は
、好ましくは約８０〜４００ｍ２　／！；Ｉの範囲であ
る。

本発明による触媒の場合、酸活性化に基づく中間層陽イ
オン（特にＮａ、に、ＭＣＩおよびＣａ）の濃度は、酸
活性化前の三層シリケートにおける中間層陽イオンの）
農度よりも好ましくは少なくとも１２％低下している。

酸活性化に際し、先ず陽イオンが中間層から除去される
。さらに酸活性化が進むと格子部位からも陽イオン、特
にアルミニウムおよび鉄が除去される。これによりシリ
ケート構造の変化が生ずる。

シリケート層はその縁部から酸によって浸蝕される。こ
れは恐らくＳｉＯ４−四面（目をもたらし、これは成る
種の模作用によって三層シリケートの配向変化をもたら
し、これにより酸化触媒成分は明らかに酸活性化三層シ
リケートに対する交換作用を生じうる。

酸溶解は一般に、酸活性化三層シリケートのＳｉＯ２含
有量が出発材料よりも少なくとも５％、好ましくは少な
くとも１０％増大するまで行なわれる。出発物質に応じ
てＳ　ｉ　０２含有量は５０〜９０重量％、好ましくは
６５〜８０重量％となる。この場合、酸溶解は、Ｘ線非
晶貿のＳ　ｉ　０２のみが残存するまで行なわない。酸
活性化三層シリケートの所定の結晶度が存在するまで、
すなわち抽出可能なシリケートの４５％以下の割合が存
在する際、酸溶解を中断する。抽出可能なシリケートの
割合は、駿溶解を行なった後に得られる洗浄しかつ乾燥
した濾過ケーキをソーダ溶液で処理して決定される［Ｙ
、オーツホ、日本化学会誌、第７２巻（１９５１）、第
５７３頁参照１゜ 好ましくは、＞８０１１ｍの直径を有する巨孔貿に相当
する気孔容積の割合は、好ましくは少なくとも２５％で
ある。この場合、気孔容積は、水銀気孔測定法によって
決定される。

三層シリケートを含有する出発物質の酸活性化はそれ自
体公知の方法で行なうことができ、好ましくはたとえば
塩酸もしくは硫酸のような水性無機酸が使用される。し
かしながら、たとえば蟻酸および酢酸などの有機酸も使
用することができる。

酸濃度は乾燥物含有量に対し１〜６０重量％の範囲、好
ましくは１０〜４０重量％の範囲である。原料の事前の
湿式選別も有利でおると判明した。酸処理された物質を
、必要に応じ酸性化した水で洗浄しかつ、虜過する。

本発明による触媒はさらに、硫黄酸化物または硫酸に対
する高度の耐性をも特徴とする。これは三層シリケー１
への酸活斗化に基因する。未処理のト（−イオン交換さ
れたまたはアルカリ賦活された三層シリケートを用いて
製造された触媒は、硫黄酸化物または硫酸による強度の
浸蝕を受けて機械的破壊および早尚な触媒劣化をもたら
すことが確認された。これは、恐らく触媒毒として作用
するアルカリが比較的多量に存在するためと思われる。

他方、非晶質珪酸を用いて製造された触媒は硫黄酸化物
および硫酸に対し耐性ではあるか、そのＮＯｘ活性は明
らかに貧弱でおる。

好ましくはスメクタイト型、特にモンモリロナイト型の
酸活性化三層シリケートが使用される。

最も重要なモンモリロナイト含有の天然鉱物はベントナ
イトであり、これはカルシウム−もしくはナトリウムベ
ントナイトとして存在しうる。スメクタイト型の他の鉱
物はヘクトライトおよびノントロナイトでおる。

本発明による触媒の金属酸化物成分に対する出発化合物
としては、一方では対応の金属酸化物また他方では金属
酸化物に変換しうる物質たとえば金属、水酸化物および
特に塩類、錯化合物および／または駿素酸もしくはこれ
らの酸により誘導される塩類が使用される。これらは、
必要に応じ還元剤Ｊ３よび／または錯体形成剤として作
用する添１）０物と一緒に使用することができる。

２１戸ラうハたとえばＣｅ２０３　、ＣｅＯ２、Ｃｅ　
（ＳＯ４）２およびＣｅ２　（Ｃ２０４）３から出発し
て用いることかできる。酸化ジルコンの適する出発物質
は酸化水和物の他にたとえばジルコン塩、ジルコニル塩
たとえばＺｒ　（ＳＯ４）２．７　ｒＧ４．７　ｒ　０
Ｃｉ２およびＺｒ　（Ｃ２０４）２でおる。

タングステン成分の出発物質としてはたとえば酸化タン
グステン（たとえばＷＯ３、Ｗ＋ｏ○２９、Ｗ４０１１
、ＷＯ２）、モノ−およびポリ−タングステン酸、ヘテ
ロポリ酸、タングステン酸塩、ハロゲン化タングステン
およびオキシハロゲン化タングステンが適している。こ
れらタングステン化合物の代りに対応のモリブデン化合
物も使用することができる。バナジウムについては特に
２０５、０２　、Ｖ２０３　ｃｌ、−Ｊ：びＶＯがｉＭ
Ｔる出発化合物であり、ざらにオルト−およびポリ−バ
ナジン酸或いはバナジン酸塩、ハロゲン化バナジウムお
よびオキシハロゲン化バナジウム（たとえばＶＯＱ！３
）、’種々のハナシ「クム塩もしくはバナジル塩も適し
ている。

適するチタン化合物は、酸化物および酸化水和物の他に
チタン塩もしくはチタニル塩、特にハロゲン化物および
ｌ塩である。好ましくは、チクニル硫酸が使用される。

金属有機化合物、たとえばイソプロピルチタン酸エステ
ルのようなチタン酸のエステルも使用することができる
。

金属酸化物を個々に次の濃度範囲： Ｔ　ｉ　０２　＝１０−８０重量％ ＷＯ３および／またはＭｏＯ２＝　１−２５重量％Ｖ２
０５　＝　０．１−２５重量％ ＣｅＯ２＝　１　２５重ｆｆ１％ で存在させ、酸活性化三層シリケートが有効成分の残部
を占めれば、特に有利な、結果が得られることが判明し
た。

好適触媒の場合、金属酸化物は三成分組合せまたは三成
分組合せとして存在する。

好適な三成分組合ぜにおいて、金属酸化物は次の割合： （ａ）（ＴｉＯ２＋＼／２０５　）　＝１ｏ−ｇｏ重量
％（ｂ）　　（Ｔ　ｉ　０２　＋ＷＯ３および／′また
はＭｏ５３）＝１０−８０重量％ （Ｃ）　　（Ｔ　ｉ　０２　＋ＣｅＯ２＞　＝１０−８
０重量％（ｄ）（ＷＯ３および／またはＭｏ０３　＋Ｖ
２０５　）＝　２−２５重量％ （ｅ）（ＣｅＯ２　＋Ｖ２Ｏ５）　＝　１−２５重１％
（ｆ）　　（Ｚ　ｒｏ２＋Ｖ２０５　）　＝　１−２５
重量％て存在し、酸活性化三層シリケートがそれぞれ有
効成分の残部を占める。

二成分組合せにおける金属酸化物間の重量比は、好まし
くはそれぞれ次の範囲を含む： （ａ）　Ｖ２０５　／Ｔ　ｉ　０２　＝　０．００１−
０．２（ｂ）ＷＯ３および／またはＭＯＯ３／Ｔ　ｉ　
０２＝　０．１−０．２５ （ｃ）　ＣｅＯ２／Ｔ　ｉ　０２　＝　０．１−０．３
（ｄ）　Ｖ２０５　／Ｗ○３および／またはＭｏＱ３＝
０．１−　２．５ （ｅ）Ｖ２０５　／ＣｅＯ２＝　　０．１−　１．０（
ｆ）Ｖ２０５　／Ｚｒ０２＝　　０．１−　１．０゜三
成分組合せの場合、金属酸化物は次の好適量の割合： （ａ）（ＴｉＯ２＋〜ＶＯ３および／またはＭＯＯａ十
Ｖ２０５　）　＝１０−８０ｉ量％ （ｂ）　　（Ｔ　ｉ　０２　＋ＣｅＯ２＋Ｖ２０５　）
　＝１０−ａ。

重量％ （ｃ）　　（Ｔ　ｉ　０２　＋ＺｒＯ２＋Ｖ２０５　）
　＝１０−８０重厘％ （ｄ）（ＷＯ３および／またはＭＯＯ３＋ＣｅＯ２＋Ｖ
２０５　）鯰１０−２５重量％ （ｅ）（ＷＯ３および／またはＭＯＯ３＋ＺｒＯ２＋Ｖ
２０５　＞　＝１０−２５重量％ で存在し、酸活性化三層シリケートがそれぞれ有効成分
の残部を占める。

三成分組合せにおける金属酸化物間の重量比は、好まし
くはそれぞれ次の範囲を含む： （ａ）ＷＯ３ａよび／またはＭＯＯ３／Ｔ　ｉ　０２＝
　　０．０１　−　０．２５ Ｖ２０５　／Ｔ　ｉ　０２’＝　　０．０１−　０．１
１（ｂ）ＣｅＯ２／Ｔ　ｉ　０２　＝　　０．０５−　
０．２３Ｖ２０５　／Ｔ　ｉ○２　＝　　０．０１−　
０．１１（Ｃ）ＺｒＯ２／　Ｔｉ　Ｏ２＝　　０．０１
−　０．２４Ｖ２０５　／Ｔ　ｉ○２　＝　　０．０１
−　０．１１（＋Ｊ）ＣｅＯ２／ＷＯ３および／または
ＭＯＯ３＝　　０．１−　５．０ Ｖ２Ｏ３／ＷＯ３および／またはＭＯＯ３＝　　０．１
−　２．５ （ｅ）Ｖ２０５　／ＷＯ３および／またはＭＯＯ３＝　
　０．１−　２゜５ Ｚｒｏ２／ＷＯ３および／またはＭＯＯ３＝　　０．１
−１００ 本発明による触媒は、たとえば酸活性化三層シリケート
に上記金属の１種もしくはそれ以上を塩類および／また
は錯化合物として含有する溶液を含浸させ、次いで焼成
することにより得られる。

他の変法によれば、触媒は、酸活性化三層シリトを上記
金属の１種もしくはそれ以上の酸化物または塩と機械混
合しくたとえば、ボールミルにおける磨砕により）、次
いでこの混合物を必要に応じ上記金属の１種もしくはそ
れ以上を塩類および／または錯化合物として含有する溶
液で含浸し、次いで焼成することにより得られる。

ざらに、本発明による触媒は、上記金属の１種もしくは
それ以上を含有する化合物の少なくとも１種を酸活性化
三層シリケートの存在下で沈澱させまたは再沈澱させ、
異種イオンを洗浄除去し、次いで焼成して得ることもで
きる。

上記金属の１種もしくはそれ以上を含有する化合物の沈
澱または再沈澱は、酸活性化三層シリケートと上記金属
の１種もしくはそれ以上の酸化物もしくは塩類との混合
懸濁物の存在下で行なうこともできる。異種イオンを洗
浄除去した後、再び焼成する。

このようにして、酸化金属成分と酸活性化三層シリケー
トとのほぼ最適な緊密混合が達成される。

酸化金属成分がＷ数の金属酸化物から溝成される場合、
各出発化合物を一緒に或いは複数の工程で順次に沈澱さ
せることができ、沈澱工程の順序は一般に触媒活性に影
響を及ぼし、個々の場合につき最適化せねばならない。

勿論、三層シリケートには必要に応じ１回もしくはそれ
以上の沈澱工程の後に対応する遷移金属化合物の溶液を
含浸させることも合理的である。その際、含浸は触媒の
成形ｄ５よび焼成の前または後のいずれに行なってもよ
い。

本発明による触媒は、さらに不活性担持物質をも含有す
ることができる。一般に、触媒は成形体として存在し、
特に球体、タブレット、押出物、長形もしくは扁平蜂巣
体（これは「チャンネル格子ｊとも呼ばれる）、棒体、
チューブ、リング、車輪または鞍状体として存在する。

これら成形体は、たとえば触媒材料をタブレット化し或
いは押出プレスして得ることができ、必要に応じ成形性
を向上させる添加物を混合することもできる。この種の
添加物は、たとえばグラファイトまたはステアリン酸ア
ルミニウムである。

さらに、表面構造を改善する添加物も混合することがで
きる。この場合、たとえばその後の焼成に際し気孔構造
を残存させながら燃焼するような右は物質が挙げられる
。

成形性を向上させる添加物の使用は必ずしも必要でない
。何故なら、出発物質として使用した三層シリケートは
金属成分との緊密混合の際に存在したとしても可塑成形
性を有するからである。しかしながら、たとえばカオリ
ンまたはセメントなどの中性ベントナイト或いは他の結
合剤を添加することもできる。成形は一般に水または有
機溶剤、たとえば−価もしくは多価アルコールを添加し
て行なわれる。

本発明による触媒は一般に成形を行なった後に乾燥され
、かつ約２００〜γＯＯ℃Ｃ，好ましくは３００〜５５
０°Ｃの温度で焼成される。ざらに、強度を高めるため
、無機繊維材料を成形前に添加することもできる。焼成
により触媒は活性化され、特に上記の所定温度範囲で得
られた場合にはその好適な性質が達成される。

本発明による触媒の製造における典型的な操作手順につ
いては後記実施例に記載する。

本発明はざらに、一般的な排ガス成分の他に硫黄酸化物
（ＳＯＸ〉をも含信する燃焼排ガスの窒素酸化物含有量
を還元減少さけるため還元剤としてＮＨ３を使用する本
発明による触媒の使用にも関するものでおる。

ＮＨ３での還元の場合、燃焼排ガスの窒素酸化物含有量
は、Ｎ２およびＮ２０を形成することにより減少する。

窒素酸化物（ＮＯｘ）としては窒素の各種の酸素化合物
が挙げられ、たとえばＮｏ、Ｎ２０３　、ＮＯ２、Ｎ２
０５が挙げられるが、主としてＮＯおよびＮＯ２、特に
Ｎｏが重要でおる。

精製すべき排ガスのＮ　ＯＸ　濃度は広範囲で変化する
ことができ、一般に１００容量ｐｐｍ〜５容量％の範囲
である。ＮＨ３：ＮＯｘのモル比は一般に０．３〜３、
好ましくは０．６〜１．５であり、制御技術手段によっ
てできるだけ低いＮ１−１３消費にて最大のＮＯｘ変換
が得られるよう設定することができる。ＮＨ３は気体状
でも水溶液としても投与することができる。

、ｌｔ発明による触媒は、公知触媒に比べ窒素酸化物の
還元につぎ好適に使用されるアンモニアの極めて選択的
な変換を特徴とする。公知方法の場合、特に高い操作温
度に際し、アンモニアの相当な部分が所望のＮ　Ｏｘ除
去のために消費されず、排ガス中に存在する酸素によっ
て酸化される。これは付加的な窒素形成をもたらし、或
いは反応器の入口と出口との間で観察されるＮＯｘ変換
を低下させると共に、不必要なＮＨ３消費をもたらす。

脱窒素反応には一般に、全体として反応器の構造上の特
徴が高煙道ガス容積に相当する処理量に適する限り、原
理的には不均質触媒気相反応につき使用される反応器が
適している。許容しうる空時速度（ＲＧ）は触媒１１２
当り毎時５００〜２００００でのガス、好ましくは１０
００〜１５０００ｊのガスの範囲であり、この空時速度
はＯ′Ｃかつ１バールのガスにつき計算される。以下、
空時速度を簡略のため１１−１のシメンジョンで示す。

適する反応温度は約２００〜６００　℃Ｃ１好ましくは
２５０〜．！　３０　℃Ｃの範囲である。それよりかな
り高い温度においては排ガス中に存在する酸素によるア
ンモニアの酸化が生じ、これによりアンモニアが窒素酸
化物との反応を受け、その結果脱窒素程度が低下する。

しかしながら、この望ましくない作用は、本発明の触媒
の場合、公知触媒よりも大きくない。

［実　施　例］ 以下、本発明による触媒の製造および使用につき典型的
実施例を説明する。

特に、酸素および硫黄酸化物をも含有するガス）捏合物
からの窒素酸化物の除去に関し触媒の効果を触媒とガス
流との接触によって決定し、その際ガス流をバラ積みと
してこの触媒を含有する外部電気加熱式チューブに通し
た。使用したガス混合物は次の組成を有する： ０２　　３容量％ Ｈ２Ｏ１０容量％ ＮＯ７５０容Ｒｏｏｍ ＮＯ２５０容ｉ　ｐｐｍ Ｎ１−ｔ３　　８００容ｉｐｐｍ ＳＯ２９５０容ｆｆｉｌ）ｌ）ｍ ＳＯ３５０＠量ｐｐｍ Ｎ２　　　１００容量％に対する残部。

ガス混合物にあける成分ＮｏおよびＮＯ２のｊ、讐度は
、触媒バラ積み層を通過する前後に、検定した分析器に
よって連続的に測定した（化学発光法）。窒素酸化物の
還元に関する触媒の効果の尺度としては、静止状態に達
した後の成分ＮｏおよびＮＯ２の変換率を使用し、次式
によって規定する：Ｎｏ変換率（ＵＮｏ） Ｅ　　　ｘｌｏｏ（％） ＣＮ。

ＮＯ２変換率（Ｕ　　　　） ＮＯ２ ＝　　　　　　　　　　　　ｘｌｏｏ（％）ＮＯ２ 式中、記号ＣＮＯおよびＣＮＯ２はＮｏおよびＮ０２の
濃度を示し、上付文字ＥおよびＡは触媒を通過する前後
のガス混合物の状態を示す。

実施例　１ ＜ａ）水（生懸濁液中で水選鉱でより得られた５０助の
平均粒子寸法と７９ｍＶａ　ｌ　／　Ｉｌｇの陽イオン
交換能と６９Ｔｒｔ／（］のＢＥＴ表面積と第工表に示
した化学組成とを有する２ｋｇの粗製ベントナイトフラ
クションを８ｆ！の１−（Ｃ１水溶液と共に８（１’ｃ
にて６時間撹拌した。ＨＯ含有量は乾：環物質に対し約
２１重量％てあった。吸引濾過しかつこの濾過ケーキを
酸性化した水（ＨＧによりｐＨＨＧ、５に調整）で充分
洗浄した。得られた酸活性化したベントナイト（以下、
ＳＡＢと呼ぶ）は、２００　℃Ｃにて乾燥した後に２１
０ＴｒＬ／ｇのＢＥＴ表面積を有した。その化学組成も
同様に笥工表に示す。これから、中間層陽イオンの濃度
の低下は７５％であると計算された。

（ｂ）工程（ａ）で得られたＳ　Ａ　Ｂ　３２０（＋の
水５ｅ中における懸濁物に１６０（］のＴ　ｉ　０３０
４を撹拌しながら浸漬し、１／２濃縮したアンモニアを
添加して中和した。固体を吸引ｉ＠過し、ｌ塩がなくな
るまで洗浄し、１（７のグリセリンを添加した後に直径
３＋ｎｍの押出物として押出した。これらを４５０℃Ｃ
にて１５時間焼成した・ 成形、乾燥および焼成は次の実施例にしたがい触媒材料
と同様に行なった。

触媒の組成、反応温度および５０００　ｈ−１の空時速
度におけるＮｏ−もしくはＮＯ２変換率を第■表に示す
。反応の実施には上記ガス混合物を使用し、Ｎｏ−およ
びＮＯ２−変換率は前記式にしたがって計算した。

実施例　２および３ 実施例１におけると同様な手順にしたがったが、ただし
６４０Ｃ１（実施例２）またはｉｓｏｏｇのＴｉ０８Ｏ
４（実施例３）を使用した。

実施例　４ ４００ｇのＳＡＢ　（実施例１の工程ａ）と水３５０ｍ
１中のタングステン酸アンモニウム１０６！；ｌの溶液
との混合物を徹底的に混練した。

実施例　５ 水３５０７中の修酸二水塩５２（］の溶液へ３２ｇのＮ
８４Ｖ○３の３２ｇを少しづづ添加し、かつ４７５ｇの
ＳＡＢ　（実施例１の工程ａ）と徹底的に混練しノこ。

実施例　６ 水５１２中のＳＡＢ　（実施例１の工程ａ　）　４００
ｃ＋（７）懸濁物に１８０ｇのＴｉ０ｓＯａを撹拌しな
がら浸漬し、かつ１／２濃縮したアンモニアで中和した
。

これを吸引濾過し、硫酸がなくなるまで洗浄しかつ１／
２ａ縮したアンモニア３（ｍ中のテンゲステン酸１０．
　ａｇの溶液と緊密混合した。

実施例　７ 実施例６におけると同様に操作し、ただし出発物質は次
の闇とした： ２５０ｇのＳＡＢと４５０ｇのＴ　ｉ　０３Ｏ４と２７
．０ｇのタングステン酸。

実施例　８ 触媒を実施例６の作業手順にしたがって次のものから作
成した： １００（］のＳＡＢと７２０９のＴ　ｉ　０３０４と４
３．２ＣＩのタングステン酸。

実施例　９ １９６ｇのＴｉ０ｓＯ４を水５！中におけるＳＡ３４０
０ｇの懸濁液に撹拌しながら浸漬した。これをアンモニ
アで中和し、硫酸がなくなるまで洗浄し、かつ４．２ｇ
の修酸二水塩と２．６ｇのＮ８４Ｖ○３と５０ｍ１の水
とから得られた溶液と徹底的に混練した。

実施例　１０ 実施例９の作業手順を次のように変更して反復した。　
すなわち、２５０ｇのＳＡＢと４９０ｇのＴｉＯ３０４
と１０．２ｉ）の修酸二水塩と６．４０のＮＨ４ＶＯ３
とを使用した。

実施例　１１ 実施例９の物質量の代りにｉ　ｏｏｇのＳＡＢと７８４
ｇのＴｉ０ｓ０４と１８．３ｇの修酸二水塩と１０．２
ｇのＮＨａＶＯ３とを使用した。

実施例　１２ ４６ｇの修酸二水塩を水３５０ｄ中に溶解させ、これに
２５．６ｊ；ｌのＮＨ４ＶＯ３を少しづづ添加した。

８４．６ｇのタングステン酸アンモニウムを添ＩＪＤし
た後ｌｔ　ＯＯｇのＳＡＢを浸漬しかつ得られた物質を
混練し　ｌこ　。

実施例　１３ ４５０ｇのＳＡＢを、２５．６ｇの修酸二水塩と１６（
ｌのＮＨ４ＶＯ３とから水２００（ｄ中で得られた溶液
および８６．６（］の塩基性硝酸セリツムから水１７０
ｍ１中で得られた溶液と共に使用し、かつ緊密混合した
。

実施例　１４ 水３５０ｍ１中における修酸二水塩２５．６（ＪとＮＨ
４ＶＯ２１６ｇ　ト（Ｄ溶液ヲ、１３０．５ｇ（ＤＺｒ
　（ＮＯ３）４　・５Ｈ２０の添加後に４５０ｇのＳＡ
Ｂと混合した。

実施例　１５〜２３ 実施例１５〜２３による触媒を正妃するように作成し、
その際それぞれ使用した量を後記の表に示す。

水５り中のＳＡＢ　（実施例１の工程ａ）の懸濁物にＴ
ｉ０８Ｏ４を撹拌しながら浸漬し、アンモニアで中和し
、かつ吸引濾過した。固体を硫酸がなくなるまで洗浄し
、１２０℃にて１５時間乾燥し、かつアンモニアアルカ
リ性のタングステン酸）８液並びにメタバナジン酸アン
モニウムと１．６倍過剰量の修酸二水塩との反応により
得られた溶液と混練した。溶剤量は、容易に混練しうる
ペースト材料が得られるよう選択した。

実ＳＡＢ　　　チタニ　タンゲス　メタバナジン施　　
　　　　ル硫酸）テン酸　　酸アンモニラ例　　　（ｇ
）　　　　　　（ｇ）　　　　　（ｇ）　　　　　　ム
　　（９）１５　　４００　　１８０　　　９．７　　
　　１，３１６　　４００　　１６０　　　１９．４　
　　　２．８１７　　４００　　　？８０　　　５．４
　　　　６．４１８　　２５０　　４５０　　　２４．
３　　　　３．２１９　　２５０　　４００　　　４８
．６　　　　　Ｂ、４２０　　２５０　　４５０　　　
１３．５　　　　１６．０２１　　１００　　７２０　
　　３８．９　　　　５．１２２　　１００　　６４０
　　　７７．８　　　　１０．２２３　　１００　　７
２０　　　２１．６　　　　２５．６＞　８０１ｍの直
径を有する巨孔貿に相当するＨＣＩ気孔測定法で測定し
た気孔容積を有する割合は、実施例１８による触媒の場
合６７．６％であった。他の触媒についても同様な程度
の数値が得られた。

実施例　２４ ４００ｑのＳＡＢを７５．６（７のタングステン酸、３
００ｍ１の１／２１縮したアンモニアの溶液と充分混合
し、得られた物質を１２０　℃Ｃにて１５時間乾燥しか
っ５００℃Ｃにて３時間焼成した。次いで、これを水１
７５ｍ１中のＣｅ（○Ｈ）（ＮＯ３）３　・３Ｈ２０４
６、２（］の溶液および２０．５ｇの修酸二水塩と１２
．８（ＪのＮ８４ＶＯ３とから得られた同容積の溶液を
順次に加えた。

実施例　２５ 実施例２４と同様に触媒を作成したが、基性硝酸セリウ
ムの代りに６９．６（］の硝酸ジルコン五水塩を使用し
た。

実施例　２６−２８ 実施例２６〜２８の触媒を次のようにした作成した：５
ＡＢ−懸濁物（実施例１の工程ａ）へＴ　ｉ　０３０４
を絶えず撹拌しながら加え、かつアンモニアで中和した
。吸引濾過しかつ硫酸がなくなるまで洗浄した固体を、
ＮＨ４ＶＯ３および修酸二水塩（１：　　１．６＞から
得られた溶液に対し塩基性硝酸セリウムを添加して作成
した溶液４００ｄと充分に混合した。

出発成分の使用量を下表に示す。

実　ＳＡＢ　　チタニ　塩基性硝酸　ＮＨ４−メタ施　
　　　　ル硫酸　セリウム水　バナジン酸塩、例　（ｃ
＋）　　（ｇ）　　和物（ＣＩ＞　　　　（に１）２６
　　’４００　　１８４　　１３．９　　　　２．６２
７　　２５０　　４６０　　３４．７　　　　６．４２
８　　１００　　７３６　　５５、、！）　　　　　１
０．２実施例２９〜３１による触媒物質を実施例２６〜
２８に示したと同様に作成した。しかしながら、塩基性
硝酸セリウムの代りに硝酸ジルコン水和物（実施例２９
：２０．９ｏ　　；実施例３０：５２．２ｇ　　；実施
例３１　：　８３．５ｇ）を使用しかつ他の成分を示し
た量で使用し、この場合実施例２６と２９、実施例２７
と３０並びに実施例２８と３１はそれぞれ対応する。

第　　　　■　　　　表 施例　　組　　　　　　　　成　　　（％）１　　　Ｔ
ｉＯ２（２０）　、ＳＡＢ　（８０）２　　　ＴｉＯ２
（５０＞、ＳＡＢ　（５０）３　　ＴｉＯ２（８０）　
、ＳＡＢ　（２０＞４　　ＷＯ３（２０＞、ＳＡＢ　（
８０）５　　　Ｖ２０５　　（５）　、ＳＡＢ　（９５
）６　　　ＷＯ３（２＞、ＴｉＯ２（１８）、５ＡＢ（
８０）７　　　ＷＯ３（５）、ＴｉＯ２（４５）、ＳＡ
Ｂ　（５０）８　　　ＷＯ３（８）、ＴｉＯ２（７２）
、ＳＡＢ（２０）第　　　　■　　　　表 ９　Ｖ２Ｏ５（０，４）、Ｔｉ０２（１９，６）、５Ａ
Ｂ（８０１０Ｖ２０５　（１）、’Ｔ−ｉ０２（４９）
、５ＡＢ（５０）１１　Ｖ２Ｏ５（１，６）、Ｔｉ０２
（７８，’４）、５ＡＢ（２０１２Ｖ２Ｏ５（４）、Ｗ
Ｏ３（１６）、５ＡＢ（８０）１３　Ｖ２Ｏ５（２，５
＞、ＣｅＯ２（７，５）、５ＡＢ（９０）１４　Ｖ２Ｏ
５（２，５＞、Ｚｒ０２（７，５）、５ＡＢ（９０）１
５　Ｖ２Ｏ５（０，２＞、ＷＯ３（１，８＞、Ｔｉ０２
（１８）（続　き） 〉 第■表 実施例　　　　　　　組　　　　　　　　成　　　　　
　（％）１６　　Ｖ２Ｏ５（０，４＞、ＷＯ３（３，６
）、ＴｉＯ２（１６）１７　　Ｖ２Ｏ５（１）、ＷＯ３
（１）、ＴｉＯ２（１８）、５ＡＢ１８　Ｖ２Ｏ５（０
，５＞　、ＷＯ３（４，５＞　、ＴｉＯ２（４５）１９
　　Ｖ２Ｏ５（１）、ＷＯ３（９）、ＴｉＯ２（４０）
　、５ＡＢ２０　　Ｖ２Ｏ５（２，５）、ＷＯ３（２，
５）、ＴｉＯ２（４５）２１　　Ｖ２Ｏ５（０，８＞、
ＷＯ３（７，２）、ＴｉＯ２（７２）２２　　Ｖ２Ｏ５
（１，６＞、ＷＯ３（’１４．４＞、ＴｉＯ２（６４（
続　　き） Ｔ（°Ｃ）ＵＮｏ（％）ＵＮｏ２（％）第　　　　■　
　　　表 実施例　　　　　　　組　　　　　　　　成　　　　　
　（％）３０　　Ｖ２Ｏ５（１）、ＺｒＯ２（３）、Ｔ
ｉＯ２（４６）、５ＡＢ（３１Ｖ２０５　　（１，６＞
、ＺｒＯ２（４，８＞、ＴｉＯ２（７３，６ＳＡＢ＝酸
活性化したベントナイト （続　き〉 Ｖ７　　非晶質珪酸　　　　　　　　　　　　　　５０
０．５４．５４５　　　９４　　　　　９５　　　　　
９２Ｖ８　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　８０　　０．２実施例１８による触媒をさらに還元剤
アンモニアの使用に関し公知触媒とＮＯ還元につき比較
した。

公知触媒は酸反応したベントナイトを含まない酸化触媒
成分だけを次の組成で含有した：Ｖ２Ｏ５１，０型組％ ＷＯ３９，０重里％ ＴｉＯ２９０，０重量％。

この触媒を、実施例１８による本発明の触媒と共に上記
組成に相当するガス混合物を用いてそれぞれ５０００ｈ
−１の空時速度にて試験した。変換した反応物の収支か
ら実際にＮＯｘ還元に消費した反応器へ添加されたアン
モニアのパーセント割合を測定した。この割合を反応温
度の関数として第２図に示す。

比較触媒の場合、アンモニアの相当部分が排ガス中に存
在する酸素によって酸化され、したがって所望のＮｏ除
去にはもはや使用できなかった。

これに対し、本発明による触媒は酸素によるアンモニア
の望ましくない酸化がずっと少なかった。

１．８１８　　　２６　　　　　４３　　　　　４７［
発明の効果］ 本発明によれば、酸活性化した三層シリケートの使用に
より充分高い活性を有し、還元剤として使用するアンモ
ニアの損失なしに燃焼排ガス中の窒素酸化物含有量をよ
り効果的に減少させる触媒が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は各種触媒におけるシリケート含有量とＮｏ変換
率との関係を示す特性曲線図であり、第２図はＮＯｘ還
元に消費されたアンモニアの割合と反応温度との関係を
示す特性曲線図である。 特許出願人　　　ジュート−ヒエミー　アクチェンゲゼ
ルシャフトシリケー［含１角量　（”／、）→ ＮＨ３−別Ｊ！ｌ牟 Ｆｉｇ、２

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｗ、ＭｏもしくはＣｅの少
   なくとも１種をその酸化物の１種もしくはそれ以上とし
   て、三層構造を有するシリケート（三層シリケート）と
   組合せて含有する燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を減少
   させる触媒において、 （ａ）三層シリケートがその結晶層構造をまだ部分的に
   維持している酸活性化三層シリケートであり、 （ｂ）三層シリケートが酸活性化前に≧３０ｍＶａｌ／
   １００ｇの陽イオン交換能を有し、 （ｃ）酸活性化に基づいて中間層陽イオンの濃度が低下
   しており、かつＢＥＴ表面積が酸活性化前の三層シリケ
   ートのＢＥＴ表面積に対し少なくとも１５％、好ましく
   は少なくとも５０％増大しており、 （ｄ）酸活性化三層シリケート中に含有される珪素と酸
   化物中に含有される金属との間の原子比が０．２〜５０
   、好ましくは０．４〜２５であることを特徴とする燃焼
   排ガスの窒素酸化物含有量の減少用触媒。
2. （２）中間層陽イオンの濃度が、酸活性化によりこの酸
   活性化前の三層シリケートにおける中間層陽イオンの濃
   度に対し少なくとも１２％低下していることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の触媒。
3. （３）酸活性化三層シリケートのＳｉＯ＿２−含有量が
   出発材料に対し少なくとも５％、好ましくは少なくとも
   １０％増大していることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第２項記載の触媒。
4. （４）＞８０ｎｍの直径を有する巨孔に相当する気孔容
   積の割合が少なくとも２５％であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の触媒
   。
5. （５）金属酸化物が個々に次の濃度範囲： ＴｉＯ＿２＝１０−８０重量％ ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＝１−２５重量％Ｖ
   ＿２Ｏ＿５＝０．１−２５重量％ ＣｅＯ＿２＝１−２５重量％ であり、酸活性化三層シリケートが有効成分の残部を占
   めることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項
   のいずれかに記載の触媒。
6. （６）　金属酸化物が次の二成分組合せ： （ａ）（ＴｉＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１０−８０重量
   ％（ｂ）（ＴｉＯ＿２＋ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ
   ＿３）１０−８０重量％ （ｃ）（ＴｉＯ＿２＋ＣｅＯ＿２）＝１０−８０重量％
   （ｄ）（ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＋Ｖ＿２Ｏ
   ＿５）＝２−２５重量％ （ｅ）（ＣｅＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１−２５重量％
   （ｆ）（ＺｒＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１−２５重量％
   であり、酸活性化三層シリケートがそれぞれ有効成分の
   残部を占めることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
   至第６項のいずれかに記載の触媒。
7. （７）二成分組合せの金属酸化物間における重量比がそ
   れぞれ次の範囲： （ａ）Ｖ＿２Ｏ＿５／ＴｉＯ＿２＝０．００１−０．２
   （ｂ）ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３／ＴｉＯ＿２
   ＝０．１−０．２５ （ｃ）ＣｅＯ＿２／ＴｉＯ＿２＝０．１−０．３（ｄ）
   Ｖ＿２Ｏ＿５／ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＝０
   ．１−２．５０ （ｅ）Ｖ＿２Ｏ＿５／ＣｅＯ＿２＝０．１−１．０（ｆ
   ）Ｖ＿２Ｏ＿５／ＺｒＯ＿２＝０．１−１．０を含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の触媒。
8. （８）金属酸化物が次の三成分組合せ： （ａ）（ＴｉＯ＿２＋ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿
   ３＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１０−８０重量％（ｂ）（ＴｉＯ
   ＿２＋ＣｅＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１０−８０重量％ （ｃ）（ＴｉＯ＿２＋ＺｒＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１
   ０−８０重量％ （ｄ）（ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＋ＣｅＯ＿
   ２＋Ｖ＿２Ｏ＿５）＝１０−２５重量％（ｅ）（ＷＯ＿
   ３および／またはＭｏＯ＿３＋ＺｒＯ＿２＋Ｖ＿２Ｏ＿
   ５）＝１０−２５重量％の１つであり、酸活性化三層構
   造がそれぞれ有効成分の残部を占めることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれかに記載の触
   媒。
9. （９）三成分組合せの金属酸化物間における重量比がそ
   れぞれ次の範囲： （ａ）ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３／ＴｉＯ＿２
   ＝０．０１−０．２５ Ｖ＿２Ｏ＿５／ＴｉＯ＿２＝０．０１−０．１１（ｂ）
   ＣｅＯ＿２／ＴｉＯ＿２＝０．０５−０．２３Ｖ＿２Ｏ
   ＿５／ＴｉＯ＿２＝０．０１−０．１１（ｃ）ＺｒＯ＿
   ２／ＴｉＯ＿２＝０．０１−０．２４Ｖ＿２Ｏ＿５／Ｔ
   ｉＯ＿２＝０．０１−０．１１（ｄ）ＣｅＯ＿２／ＷＯ
   ＿３および／またはＭｏＯ＿３＝０．１−５．０ Ｖ＿２Ｏ＿５／ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＝０
   ．１−２．５ （ｅ）Ｖ＿２Ｏ＿５／ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿
   ３＝０．１−２．５ ＺｒＯ＿２／ＷＯ＿３および／またはＭｏＯ＿３＝０．
   １−１０ を含むことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の触
   媒。
10. （１０）成形体として特に球体、タブレット、押出物、
    長形もしくは扁平蜂巣体、棒体、チューブ、リング、車
    輪または鞍状体の形態で存在することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれかに記載の触媒
    。
11. （１１）酸活性化三層シリケートに対し１種もしくはそ
    れ以上の前記金属を塩類および／または錯体化合物とし
    て含有する溶液を含浸させ、次いで焼成することにより
    得られたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
    １１項のいずれかに記載の触媒。
12. （１２）酸活性化三層シリケートを前記金属の１種もし
    くはそれ以上の酸化物もしくは塩と機械混合し、次いで
    前記金属の１種もしくはそれ以上を塩類および／または
    錯体化合物として含有する溶液を含浸させ、次いで焼成
    することにより得られたことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項乃至第１１項のいずれかに記載の触媒。
13. （１３）前記金属の１種もしくはそれ以上を含有する少
    なくとも１種の化合物を、酸活性化三層シリケートの懸
    濁物の存在下に沈澱させまたは再沈澱させ、異種イオン
    を洗浄除去し、次いで焼成することにより得られたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項のいず
    れかに記載の触媒。
14. （１４）前記金属の１種もしくはそれ以上を含有する化
    合物の少なくとも１種を、酸活性化三層シリケートと前
    記金属の１種もしくはそれ以上の酸化物もしくは塩類と
    の混合懸濁物の存在下に沈澱させまたは再沈澱させ、異
    種イオンを洗浄除去し、次いで焼成することにより得ら
    れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１
    項のいずれかに記載の触媒。
15. （１５）一般的排ガス成分の他に硫黄酸化物をも含有す
    る燃焼排ガスの窒素酸化物含有量を還元減少させるため
    、還元剤としてＮＨ＿３を使用することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項乃至第１５項のいずれかに記載の触
    媒。
16. （１６）２００〜６００℃、好ましくは２５０〜４３０
    ℃Ｃの温度範囲かつ触媒１ｌ当り毎時５００〜２０００
    ０ｌ燃焼排ガスの範囲の空時速度で使用する特許請求の
    範囲第１６項記載の触媒。