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JPS6244603B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6244603B2
JPS6244603B2 JP56153745A JP15374581A JPS6244603B2 JP S6244603 B2 JPS6244603 B2 JP S6244603B2 JP 56153745 A JP56153745 A JP 56153745A JP 15374581 A JP15374581 A JP 15374581A JP S6244603 B2 JPS6244603 B2 JP S6244603B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
prism
plate
optical path
laser beam
stress
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56153745A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5855830A (ja
Inventor
Kan Kishii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Techno Glass Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Glass Co Ltd filed Critical Toshiba Glass Co Ltd
Priority to JP15374581A priority Critical patent/JPS5855830A/ja
Publication of JPS5855830A publication Critical patent/JPS5855830A/ja
Publication of JPS6244603B2 publication Critical patent/JPS6244603B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/24Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
    • G01L1/241Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet by photoelastic stress analysis

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はほうろう製品、陶磁器製品等表面にガ
ラス質釉薬の施された製品の表面応力を非破壊的
に測定し得る表面応力測定装置の改良に関する。
上記の製品は表面を強化するために基体の表面
に釉薬を被着させている。しかしながらこの基体
と釉薬との間にはわずかではあるが熱膨脹差があ
り、これを全く無視することは出来ないのでなる
べく近似されることが行なわれているが同一にす
ることは現在の技術では不可能で若干の差が生ず
ることは避けられない。特に上記釉薬の焼付時の
高温状態と常温での使用状態とでは熱膨脹に基体
と釉薬との間で差が生じ、この結果として釉薬層
には表面に平行な方向に応力が生ずる。この応力
の絶対値は熱膨脹差の大小に比例し、応力が圧縮
力かあるいは張力かは釉薬と基体との熱膨脹の差
の大きさによつて決定する。
釉薬の表面応力が張力であると、釉薬は自発的
にきれつを生ずるか、あるいは経時的にきれつを
生ずるか、あるいは外力や衝撃によつてきれつを
生じやすく、実使用上に不都合であるかあるいは
商品価値を失つてしまう。
表面応力が大きな圧縮力であると、釉薬層は自
発的なはがれを起しやすい。
表面応力が適当な大きさの圧縮力であると、ほ
うろうまたは陶磁器製品は、機械的にも化学的に
も強く、製造時の歩留り向上と使用時の耐久性向
上という望ましい効果がある。
従つて、製造に当つては、釉薬が適当な大きさ
の圧縮力になるように、基体と釉薬とを組合わせ
に特に注意はらつて行なわれている。
しかしながら上記においても多少の差を生じる
のでこの製造工程の管理が必要であり、この管理
を非破壊的に行なえるように発明者は先に表面応
力計を提案した。(特開昭56―82423号)この提案
は一応満足した結果は得られたが、本発明者は測
定感度を更に向上させるべく検討を重ねたもので
ある。すなわち上記表面応力計はその感度(精
度)として1Kg/mm2程度を有しており、これはほ
うろう、工業用あるいは工業用の一部に用いられ
る陶磁器等の表面応力が5〜20Kg/mm2程度範囲の
大きな応力がある場合には有効に適用出来るが例
えば測定精度が0.1Kg/mm2を要求される高級食器
類においては、測定困難となる場合がある。
本発明は上記の測定精度を十分に保持できるよ
うにしたもので被測定物の表面を平行に走行する
レーザビームを励起し、このビームを取り出しこ
の射出ビームに生ずる光弾性的ビーム路の差の測
定をセナルモン補正器の原理を用いて精度を向上
させた表面応力測定装置を提供する。
第1図は本発明表面応力測定装置の原理的説明
図であつて基体1の表面に釉薬層2が形成されて
いる。この釉薬層の表面3はかなりの粗面となつ
ている。この釉薬層の表面には、この層より屈折
率の高い光学ガラス製の入射プリズム4及び遮光
板5を挾んで入射プリズム4と同特性を有する射
出プリズム6が夫々付設されている。また上記各
プリズム4及び6の下面と上記釉薬層2の表面3
とのわずかなすき間には上記プリズムと屈折率を
近似させた液体7が注入してある。この液体7
は、光学的接触を助けるために用いられる。
上記において予め集光されたレーザビーム8は
偏光板(第1図には図示せず。第2図32bで示
す。)によつてすでに直線偏光になつておりほぼ
釉薬層表面3で焦点を結びかつ入射点9における
垂線10に対し全反射臨界角をなすように投
射される。そして偏光面は入射面に対し45゜の角
度をなすようになつている。また釉薬層2内に入
射されたビームの一部はこの表面3の弦に沿つて
伝播されてビーム12,13等となつて進行し、
再び表面3の各射出点14,15から射出ビーム
16,17となつて放射される。
例えば上記釉薬層2内部に応力があり、その応
力は表面3からの深さにはよらないと近似できる
条件で考えた場合、上記入射ビーム8の直線偏光
は釉薬層2内に入射後その表面に平行及び垂直方
向にそれぞれ振動する2つの直線偏光成分にわか
れて進み、応力による光弾性効果により2つの成
分間にビームの光路差が生ずることになる。この
光路差をRとすれば光弾性の公式により釉薬層の
光弾性定数をCとすればFを応力として釉薬層内
のビーム12に生ずる光路差(R)=CF×(入射
点9と射出点14との距離)。
釉薬層内のビーム13に生ずる光路差(R) =CF×(入射点9と射出点15との距離) である。これ等の光路差(R)は、それぞれ射出
光16,17に保存されて光弾性的手段で測定さ
れる。
この測定によつて上記ビーム12及び13の間
での光路差(R)の差は、CF×〔(入射点9と射
出点15の距離)―(入射点9と射出点14の距
離)〕である。入射点9と射出点14及び15と
の間の距離が釉薬層の表面3の曲率半径に比較し
て十分に小さければ上記式の中括弧内は射出点1
4と射出点15の間の距離は等しいと近似でき
る。
従つて 上記ビーム12及び13の間での光路差Rの差
≒CF×(射出点14,15の距離)が成立し、F
が算出できることになる。
本発明は上記原理に基づき、光路差の測定をセ
ナルモン補整器を利用して完成させたもので、以
下その実施例を第2図を参照して詳細に説明す
る。
基板20は全体を支持する支持台であつて固定
された足21と、水平調整が行なえる可動足22
とが付設されている。
上記基板20の一部に固定されたプリズム支持
枠23は中央に遮光板24を背にして入射プリズ
ム25及び射出プリズム26が保持されている。
なお上記各プリズム25,26は直角三角形を呈
し、斜面をビームが通過するようになり、かつ直
角短辺が被測定物に当接する測定面となるよう構
成される。投射機構27は支持体28とレーザ光
源29と調整可能な第1反射プリズム30とから
成り、レーザ光源29は支持体に平行に固定され
第1反射プリズム30は、支持子31を介して上
記支持体28に固定されている。また上記レーザ
光源29の一部にはレーザビームを射出する射出
部32が設けてあり、この射出部32内にはレー
ザビームを光学的に集光する凸レンズ32A及び
偏光板32Bが付設されている。更に第1反射プ
リズム30は直角三角形の直角面を上記射出部3
2に対向せしめその斜面によつて上記レーザビー
ムを反射変換するようになつている。なお33は
レーザ光源の傾斜調整金具で調整ねじ34によつ
て上記支持体28の傾斜が自由に変えられるよう
になつている。35は上記支持体28の一部に固
定された固定子で上記基板20の一部に回動自在
に枢着され支点36を中心に支持体28は傾斜角
度が調整出来る。
37は第2反射プリズム38を固定したプリズ
ム固定体で基板20の一部に回動自在に枢着され
その一部には、棒体から成る可動伝達素子39が
固定されこの素子は長い棒でその自由端は基板2
0に沿つて配設されると共に変心されて回動する
変心カム40の外表面に接触して上下に変化する
ようになつている。なお変心カム40は基板20
の一部に回動自在に固定されている。なお上記可
動伝達素子39は変心カム40を回転することに
よつて矢印方向に移動(上下動)し、第2反射プ
リズム38を微調整することが出来るようになつ
ている。41は顕微鏡であつてその先端は上記基
板20の一部に回動自在に枢着されると共にこの
開口部は上記射出プリズム21の斜面に正対する
ようになつている。この顕微鏡41内には対物レ
ンズ42・偏光板49と四分の一波長板43及び
接眼レンズ44が組込まれている。この場合四分
の一波長板43と検光板47〔下記で説明〕と
は、偏光板32Bと共に光弾性学でのセナルモン
補整器を形成するように光学的軸を一致して配置
し組み込まれている。なお必要があれば上記対物
レンズ4により実像の生ずる位置に尺度45を介
在してもよい。また接眼レンズ44に対向して角
度目盛板46が付設されると共に検光板47が回
転自在に固定され、更に顕微鏡41の傾斜角度を
調整する調整機構48を付設して表面応力測定装
置50に構成して成る。
次に測定操作について第2図乃至第4図を参照
して説明する。
第3図は接眼レンズ44により被検面A(第2
図に示す釉薬層)の実像を観察した状況を示すも
のであり、図面における下方の暗部311は遮光
板24の陰像である。またこの陰像の遮縁312
から射出光によつて形成される光条313は細い
帯状を呈する。なお光の進行方向は矢印314で
示され、また尺度45が付設されている場合には
目盛315が写し出される。釉薬層表面A上の実
長はこの目盛315を用いて測定することが出来
るし、校正することによつて随時決定するのに便
利である。
すなわち、第2図に示すようにレーザ光源29
から放射されたレーザビーム8は集光レンズ32
Aによつて集光されると共に偏光板32Bによつ
て偏光され反射プリズム30に射突して反射され
る。この反射ビームは第2反射プリズム38に進
行しここで更に反射されて入射プリズム25に入
射する。そしてこの入射プリズム25を通過した
レーザビームは光学的接触をよくするための液体
を通り被測定物Bの釉薬層表面Aに当達し、この
釉薬層内を第1図に示すと同様に進行してその一
部は射出プリズム26内を通過し顕微鏡41の対
物レンズ42―四分の一波長板43―接眼レンズ
44を経て検出板47より上記の第3図に示す通
り検出することが出来る。釉薬層Aに応力がない
場合には検出板47を回転すると光条313は、
その全体の明るさが一様に変化して明るく光つた
り、暗くなつたりする。
一方釉薬層Aに応力が生じた場合には、検光板
47を回転すると、第4図に示すように光条31
3の一部に極小にくびれた部分316が観測出来
る。また検光板の回転角は、角度目盛板46に刻
まれた目盛を用いて読み取ることによつて算出さ
れる。
すなわちくびれた部分316は上記検光板47
の回転θ゜により移動する。この理由を以下に説
明する。本来セナルモン法の実施形態は次のよう
なものである。第5図に示すように光源側偏光板
(偏光子)―被験試料―四分の一波長板―観察者
側偏光板(検光子)をこの順で配列する。検光子
の回転角度が零度で被験試料を除いた場合の視野
は一様に暗い。
応力を有する被験試料を挿入して観察した場
合、被験試料には応力分布に応じた明暗の模様が
見える。この例を第6図に示す。被験試料中光路
差が零の部分は黒く、光路差が零から大きくなる
につれて明るく見える。
ここで検光子をθ゜回転すると回転角に応じて
模様が変化する。θ゜回転した時には θ゜×光波長/180゜×(四分の一波長板の光路差×
4) だけ光路差のある部分が黒く見える。したがつて
検光子を回転して測定しようとする部分を暗転さ
せ、そのために要した検光子の回転角から測定し
ようとする部分の光路差を知ることができる。
この方法を本発明における光條313に適用す
ると第7図に示したような状況が生ずる。
セナルモン法を適用しない場合、光條313は
近似的には一様な明るさであり、第7図aのよう
に一様な太さの光の條模様である。
θ=0゜としてセナルン法を適用した場合、も
しも光條313上に光路差が0nmの部分があれば
その部分は暗くなり、第7図bのように見かけ上
光條がくびれた部分316があるように見える。
ここで波長を633nmとして検光子を回転して行
くと、1あたり3.5nmの割合でθ゜の回転に対応
して3.5×θnmの光路差を持つ部分が暗くなり第
7図cのように見かけ上くびれる。したがつて検
光子の回転に応じて光條313上のくびれた部分
316が光路差0nmの部分から3.5×θnmの部分
へ移動するように見える。
もしも光條313上に光路差0nmの部分がなけ
れば、θ=0゜としてセナルモン法を適用しても
第7図b′のように光條313上にくびれは見えな
い。しかし検光子の回転角を増し3.5×θnmが光
條313のたとえば下端の光路差に等しくなる
と、第7図dのように光條313の下端が暗くな
りその部分がくびれたように見える。さらに検光
子を回転してゆくと上記第7図bおよび第7図c
についての説明と同様の過程により、見かけ上く
びれた部分316は第7図e、第7図fに示した
ようにしだいに上方へ移動してゆく。
以上のような理由によつて、光條313上でく
びれた部分316が検光子の回転に伴い移動する
ように見えるのである。このくびれた部分316
の移動を測定することにより応力の測定を下記の
ように計算することが出来る。
なお上記説明では、四分の一波長板の前後に偏
光板32B49を用いたが、使用ビーム、例え
ば、レーザビームの中に偏光成分があるものにつ
いては1個の偏光板でセナルモンの補整器を構成
することも可能である。
上記検光板47の回転θ゜に応じ、くびれた部
分316がcmだけ移動したとすると、セナルモ
ン法での公知の式により、移動距離の両端におけ
る光路差の差は 光波長×θ゜/180゜ であるから、これがCF×(移動距離)に等しいこ
とがわかり、Fを算出することができる。たとえ
ばHe―Neレーザーの光(波長633nm)を使い、
検光板47が3゜回転したとき、暗部が0.5cm移
動したとし、釉薬の光弾性常数を2.5(nm/
cm)/(Kg/cm2)とすれば、光路差の差は 633nm×3゜/180゜=10.6nm 従つて10.6nm=2.5(nm/cm)(Kg/cm2) ×F×0.5cm からF=8.5Kg/cm2=0.085Kg/mm2となり、非常に
低い応力をも検出しうることがわかる。
本発明表面応力測定装置50は上記のように構
成することによつて次のような作用効果を奏する
ものである。
レーザ光源を用い、この光源から放射されるレ
ーザビームを被測定物の表面付近をこの表面に平
行に走るビームを励起し、このビームを射出させ
ると共にこの射出ビームに生ずる光弾性的光路差
を、上記ビームの通路に設けた偏光板32Bと四
分の一波長板とで成るセナルモンの補整器を構成
することにより、検光板にその像を極めて感度よ
く写し出すことが出来る。
このように高感度で写し出された映像は検光板
を回転することによつて被測定物の表面の応力を
容易に測定出来、これを角度目盛板で読みとり、
セナルモン法で計算することによつてその応力が
算出される。
以上のように被測定物の表面を本発明装置の入
射プリズム25及び射出プリズム26の底面に当
接するのみで測定物を破壊することなくその個々
の応力を測定することが出来るから、例えば高感
度で表示される映像を映像センサーと併用すれば
その測定物例えば高級ガラスの製造工程に取り付
けて工程の品質管理に利用することが可能とな
り、高品質のガラス生産が出来る。
また光源から放出されるレーザビームは、反射
プリズム30,38によつて調整することが出
来、これも調整も変心カム等の回転により自由に
しかも微調整が可能である。すなわち長い棒体と
した可動伝達素子39と変心カム40との相乗に
よりこの先端に付設された反射プリズム39を極
めて微細に調整することが出来る。
上記では、入射および射出プリズムと遮光板は
一体になつた実施例を用いたが、これらがたがい
に離れて構成されていても、効果は同じである。
レーザー光の入射の光学系にも、また光の入射角
度や顕微鏡の傾角の調整と 固定の機構にも、上記説明と異なるものを使用
できる。また、顕微鏡の対物レンズ、対眼レン
ズ、四分の一波長板、検光板の配列順序も、セナ
ルモンの補整器の働きを崩さずに数種の変形を与
えうるものである。また、ほうろうや陶磁器製品
が曲面を持つことが多いので、上記の利点はさら
に強まる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明表面応力測定装置の原理を説明
するための説明図、第2図は本発明表面応力測定
装置を用いて表面応力を測定している状態を示す
側面図、第3図及び第4図は第3図の測定状態を
検光板にて検出し、これを拡大して示す夫々の顕
微鏡拡大図、第5図はセナルモンの補整器の基本
構成を示す説明図、第6図はセナルモン法により
応力を有する被験試料を観察した際の被験試料の
状態を示す図、第7図は第3図の測定状態におい
て検光板の回転による検出像の変化を示す顕微鏡
拡大図である。 20…基板、23…プリズム支持枠、24…遮
光板、25…入射プリズム、26…射出プリズ
ム、29…レーザ光源、30…第1反射プリズ
ム、32B,49…偏光板、34…調整ねじ、3
8…第2反射プリズム、39…可動伝達素子、4
0…微調整変心カム、42…対物レンズ、43…
四分の一波長板、44…接眼レンズ、46…角度
目盛板、47…検光板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 レーザ光源及びこの光源からのレーザビーム
    を集光する光学系及び偏光板を有するビーム投射
    機構とこの投射機構から放射されるレーザビーム
    の通路に付設されてその射出方向を変換する1個
    または複数個の反射プリズムと、この反射プリズ
    ムによつて変換された上記レーザビームを受けて
    このビームを被測定物に対し一定角度に入射調整
    する入射プリズムと、この入射プリズムに近接し
    て付設し上記被測定物からの反射ビームを検出す
    る射出プリズムと、この射出プリズムに対向しこ
    の反射ビームを入射する内部に四分の一波長板を
    収納した顕微鏡とさらに前記四分の一波長板より
    も光源側から遠い部分にもう一つの偏光板とを具
    備し上記複数個の偏光板と四分の一波長板とを用
    いてセナルモンの補整器を構成し、前記反射ビー
    ムに生ずる光路差を測定することを特徴とする表
    面応力測定装置。
JP15374581A 1981-09-30 1981-09-30 表面応力測定装置 Granted JPS5855830A (ja)

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JP15374581A JPS5855830A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 表面応力測定装置

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JPS5855830A JPS5855830A (ja) 1983-04-02
JPS6244603B2 true JPS6244603B2 (ja) 1987-09-21

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179109A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Toshiba Glass Co Ltd 反射型ガラス歪検査装置
KR20010063550A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 권문구 Xlpe 전력케이블 절연체 내부에 잔류하는 기계적인응력의 측정방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5682423A (en) * 1979-12-10 1981-07-06 Toshiba Corp Surface stress measuring device of vitreous coating

Patent Citations (1)

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