JPS6230084A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕本発明は光、熱等を利用する光学的情報
の記録、再生を行なう光学情報記録部材に関するもので
あって、その目的とするところは、情報信号を高速度か
つ、高密度に光学的に記録再生すると共に、消去速度お
よび消去感度が高く、情報の書き換えが可能な光学情報
記録部材を提供することにある。

レーザ光線を利用して高密度の情報の記録再生に用いる
記録媒体には、テルルのアモルファスと結晶間の状態変
化を利用するものが用いられている。これらは比較的強
くて短いパルス光を照射して照射部を昇温状態から急冷
してアモルファス状態にし、その光学定数を減少させ、
（白色化する）あるいは比較的弱くて長いパルス光を照
射して結晶状態にし、光学定数を増大させる（黒色化す
る）ことによって記録、消去を行なうものであり、記録
時には光学定数を減少させる方向を、消去時にはこれを
増大させる方向を利用している。

テルルは室温では結晶として安定であシ、アモルファス
状態としては存在しない。したがって室温でアモルファ
ス状態で安定に存在させるためには添加物が必要であシ
、その代表的な添加物として、セレンが知られている。

セレンは室温において非常に安定なアモルファスとして
存在し、また、テルルといかなる比率でも完全に固溶し
てテルルとセレンとのあらゆる組成範囲において、アモ
ルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜を形成する。

ところでとのＴｅ−８ｅ薄膜は、情報の光学的記録、消
去は可能であるがアモルファスとして非常に安定である
ため、比較的弱くて長いパルス光を照射して照射部を除
熱、除冷した場合に結晶化速度が遅いために書きかえが
できない。

この書き換えが可能な記録薄膜として、Ｔｅ−８ｅ−ｓ
ｂ薄膜（例えばＴｅ８０Ｓｅ８０Ｓｂ８０）があるがこ
の薄膜の光ディスクは、消去速度が遅くかつ、消去感度
が不十分で、加うるに黒色部と白色部の光学定数の差が
小さいために書き込みコントラスト比が不十分であるな
どの欠点を有する。

一方、本発明者らは先に、　ＴｅとＴｅａ、との混合物
よりなるＴｅＯｘ　薄膜に金を添加することによって結
晶化速度を改善することに成功した（特願昭５９−６１
４６３号）が、このＴｅＯｘ　−Ａｕ記録薄膜は一度黒
化させると再び白化させるのが困難なため、書き換え可
能な記録薄膜として使用することができない。本発明は
この点にかんがみ、Ｔｅ−８ｅ薄膜のもつアモルファス
としての安定性と、ＴｅＯｘ　−Ａｕ薄膜のもつ高速黒
色結晶化特性との双方のすぐれた特性を有すると共に、
これらＴｅ　−８ｅ薄膜およびＴｅＯｘ　−Ａｕ薄膜に
期待することのできない書き換えの可能な光学情報記録
部材を提供することを目的とするものである。

〔発明の構成〕本発明の光学情報記録部材は、テルル（
Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）および金（Ａｕ）を　゛主成分
として含み、これらの元素の割合が、Ｔｅ。

Ｓｅ、Ａｕをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする三角座
標図において座標（ａｔ％）が、 Ａ　（Ｔｅ８０Ｓｓ１５　Ａｕ、　）、Ｂ　（Ｔｅ１５
　Ｓｅ１５　Ａｕ１ｏ）Ｃ（Ｔｅ４０８Ｊ１　Ａｕ４３
）、Ｄ　（Ｔｅ８０Ｂｅｇ　Ａｕ１５　）の４点で囲ま
れた範囲内にある組成をもつ記録薄膜を有することを特
徴とする。すなわち、本発明の記録薄膜を構成するＴｅ
、Ｓｅ％Ａｕの原子数の割合は第１図のＡ％Ｂ％Ｃ，Ｄ
で囲まれた範囲内にある。

本発明の記録薄膜はアモルファスとしてきわめて安定し
ており、かつ、黒化感度が非常にすぐれていて光学的に
信号の書き換えが可能である。このＴｅ　−Ｓｅ　−Ａ
ｕ記録薄膜中におけるＳｅの作用はアモルファス状態に
おいてＴｅａるいはＴｅ　−Ａｕ化合物が結晶化するの
を阻止してアモルファス状態（信号の記録ビット）を安
定にするものと考えられる。一方、Ａｕは消去時にＴｅ
−Ａｕ化合物又はＳｅ　　Ａｕ化合物を形成して結晶の
成長を促進する結晶核としての作用をするものと考えら
れる。したがって８ｅを含むことによってアモルファス
状態の安定した記録薄膜がＡｕを含むことによって十分
な消去速度と消去感度とをもつようになると考えられる
のである。さらに、Ｔｅ　−Ｓｅ　−Ａｕ薄膜はＴｅ　
−Ｓｅ薄膜に比べ、光の透過率が低いため、記録薄膜に
おける光の吸収率がよく、感度が高い。また、結晶化が
高速に、かつ十分に行なわれるためアモルファスと結晶
との光学定数の差が大きく信号書き込み時のコントラス
ト比が大となり、大きなＣ／Ｎがえられる。

次に本発明の記録薄膜を構成するＴｅ　、　Ｓｅ、Ａｕ
の原子数の割合について説明する。構成元素のうちＴｅ
はレーザ照射による加熱、急冷によってアモルファス状
態となり、除熱、除冷によって結晶状態となる。すなわ
ち、このＴｅ　−Ｓ　ｅ　−Ａｕ薄膜においては主とし
てＴｅの相変態による反射率の変化によって信号の記録
、消去が行なわれるのであるが、Ｔｅ　４０　ａｔ％（
第１図ＢＣ線）以下の領域では十分な反射率変化かえら
れなかった。そしてＢＣ線以下のＴｅの少ない領域では
アモルファスと結晶との相変態を繰返すと、徐々に結晶
化しにくくなることが確認された。Ｔｅそれ自体は室温
で結晶性が強＜、Ｔｅ８０ａｔ％（第１図ＣＤ線）以上
のＴｅの豊富な領域ではアモルファス部分（記録ビット
）が結晶しやすく、記録信号の保存の点で問題がある。

ＳｅはＴｅといかなる比率においても完全に固溶してＴ
ｅの結晶中に入りこみ、Ｔｅの結晶が増大するのを阻止
して記録薄膜をアモルファス状態に保持するよう作用す
るのに対し、　ＡｕはＴｅがアモルファスから結晶化す
るときにＴｅ　−Ａｕあるいは８ｅ　−Ａｕのなんらか
の化合物を作ることによって一種の結晶核のような作用
をするものと考えられ、レーザ照射によって高速かつ高
感度でＴｅの結晶化（記録信号の消去）を促進する作用
を有する。したがってＳｅとＡｕは記録薄膜中で相反す
る作用をするのでこれらの含有量の相対的割合は重要で
ある。

Ａｕの含有量が第１図ＣＤ線以下の少ない領域ではＡｕ
の作用がＳｅの作用に比べて小さすぎ、白化感度（記録
感度）は十分に見られるが黒化感度（消去感度）が不足
する。Ａｕの含有量が第１図ＣＤ線以上の多い領域では
Ｓｅの作用がＡｕの作用に比べて小さすぎ、アモルファ
ス化が不足する。また、アモルファス化した部分も結晶
化し易いために、記録信号の保存に信頼性が乏しい。本
発明の記録薄膜が十分な記録、消去感度と記録信号の保
存性および高いＣ／Ｎ　を有し、かつ、信号の記録、消
去の繰返しに安定した特性を示すためのＴｅ、Ｓｅ％Ａ
ｕの相対的割合はＴｅ＝　４０〜８０　ａｔ％、　Ｓｅ
　＝　５〜５０ａｔ％、Ａｕ　＝　５〜４３　ａｔ％で
あって、これらの数字は後述の実施例１〜３のデータか
ら明らかであり、これを三角座標によって表わすと第１
図に示すように、ＡｌＢ、Ｃ，Ｄで囲まれた領域となる
。なお、ＡｌＢ、Ｃ，’Ｄ各点の座標（ａｔ％）は次の
とおシである。

Ａ　（Ｔｅ、６　Ｓｅ１５　Ａｕ、　）　ｓ　Ｂ　（Ｔ
’ｅ４（ｌ　Ｓｅ、ＯＡｕ１４　）Ｃ（Ｔｅ１５　Ｓｅ
１５　Ａｕ１５）、　Ｄ　（Ｔｅ８．　Ｓｓ、　　Ａｕ
１５　）〔添加物〕本発明の記録薄膜は添加物を配合す
ることによって特性をよシ向上させることができる。特
許請求の範囲（２）の実施例は少量のＧｅを添加した場
合で高温で使用するときに特に有効である。記録薄膜が
劣化する原因の１にアモルファス状態のＴｅを高温中に
放置したときに徐々に、結晶化（白化部が徐々に黒化す
る）することが考えられるが、Ｑｅは記録薄膜中におい
てアモルファス化したＴｅが結晶化を開始する転移開始
温度を上昇させる作用があるものと考えられる。

Ｇｅの添加量は２ａｔ％程度でもその効果が十分に認め
られる。添加量が１５ａｔ％をこえると転移開始温度が
高くなシすぎて消去感度が低下するので、１５ａｔ％が
限度である。

特許請求の範囲（３）ノ実施例は、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　
Ｂｉ。

Ｉｎのなかから選択した元素の少くともその１を添加す
る場合である。Ｔｅ　−Ｓｅ　−Ａｕ記録薄膜の黒化感
度を向上させるためにＡｕの含有量を増加すると白化感
度を低下させるが、少量のＳｎ％５ｂ１Ｂｉ％Ｉｎ等を
添加すると白化感度を低下させることなく黒化感度を向
上させることができ、その添加量は５〜３Ｑ　ａｔ％が
適当である。この５ｎ１Ｓｂ、　Ｂｉ、　Ｉｎ等の添加
は黒化感度を向上させる点でＡｕの含有量の少い領域に
おいて特に有効であり、Ａｕが高価な元素であることを
併せ考えると、実用上、有利な添加物質である、という
ことができる。

本発明の光学情報記録部材およびその製造法並びにその
特性評価の方法を第２図および第３図について説明する
。第２図は本発明の光学情報記録部材の断面図で、１は
ＰＭＭＡ　、ポリカーボネイト、塩化ビニール、ポリエ
ステル等の透明な樹脂又はガラスよりなる基板、２は記
録薄膜である。記録薄膜２は基板１の上に蒸着、スパッ
タリング等によって形成され、その膜組成はオージェ電
子分光法、誘導結合高周波プラズマ発光分析法、Ｘ線マ
イクロアナリシス法等により決定される。

記録薄膜の形成には３源蒸着の可能な電子ビーム蒸着機
を採用し、　Ｔｅ、　Ｓｅ、　Ａｕをそれぞれのソース
から１５Ｏｒｐｍで回転するアクリル樹脂基板（１０Ｘ
　２０　Ｘ　１．２％）上にＩ　Ｘ　１０　Ｔｏｒｒ以
下の真空の下で蒸着した。記録薄膜の厚さは約１２００
人とした。各ソースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ
　ｓ　Ｓｅ　ｓ　Ａｕの原子数の割合を調整するために
、いろいろと変化させた。

上記の方法によって作成した試験片の黒化特性（消去特
性）および白化特性（記録特性）を評価する方法を第３
図について説明する。半導体レーザ３を出た波長８３０
ｎｍの光は第２レンズ６によって疑似平行光５となり、
第２レンズ６で丸く整形された後、第３レンズ７で再び
平行光になり、ハーフミラ−８を介して第４レンズ９で
試験片１０上に波長限界約０．８μｍの大きさのスポッ
トｌｌに集光され記録が行なわれる。信号の検出は、試
験片１０からの反射光をハーフミラ−８を介して受け、
第５レンズ１２を通して光感応ダイオード１３で行なっ
た。このように半導体レーザを変調して、試験片上に照
射パワーと照射時間の異なる種々のパルスレーザ光を照
射することにより黒化特性と白化特性とを知ることがで
きる。

黒化特性の評価には、照射パワーを比較的小さく例えば
１ｍｗ／μｍ２程度のパワー密度に固定し照射時間を変
化させて黒化開始の照射時間を測定する方法を採用した
、白化特性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化して
おき、照射時間を例えば５０　ｎ５ｅＣ程度に固定し白
化開始に必要な照射光パワーを測定する方法を採用した
。半導体レーザの実用的な出力を考慮した場合、上記の
評価方法において、黒化開始の照射時間が３μ池程度以
下、白化開始の照射パワーが１０ｍｗ／μｍ”程度以下
であればその記録薄膜は実用的な光ディスクに利用可能
と考えられる。作成した試験片−を上記評価方法を用い
て評価した結果は次に示すとおりである。

〔実施例１〕評価材料組成としてＳｅとＡｕの原子数比
が５０　：　５０となるように組成制御を行ない、同時
にこのＳｅ８０Ａｕ５゜とＴｅの比を変化させて複数の
試験片を作成した。

第４図（１１はＳｅ５ｏＡｕ８０に保ちながらＴｅの含
有量を変化させてゆき１ｍｗ／μｍ”のパワーで照射し
たときの黒化開始に要する照射時間の変化を示したもの
である。この図から黒化開始に要する照射時間はＴｅの
含有量が少ないと長くなることがわかるが、本実施例の
範囲であれば十分に実用的な時間でおると考えられる。

またＴｅの含有量が４０　ａｔ％よシも少なくなると反
射率の変化量が小さくなるのが認められ、これは大きな
Ｃ／Ｎがえられないことを示している。さらに、Ｔｅの
含有量が４０　ａｔ％よシ少ない領域、例えばＴｅ８０
Ｓｅ□Ａｕ１５の薄膜では、一度黒化した後、白化した
部分は、再び黒化しても最初の黒化状態はど十分に黒化
しないことが確認された。これはレーザ照射された部分
の記録薄膜が何らかの相分離を起こすことによるものと
考えられ、信号の記録、消去を繰返したときに、徐々に
記録、消去特性が変動することを示すもので実用上問題
がある。

第４図（ｂ）は、１ｍＷ／μｒｒＬ２のパワーで１５μ
式照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０ｎ卸
として照射パワーを変化して照射したときの白化開始に
要する照射パワーの違いを示している。これからＳｅ８
０Ａｕ５０に対するＴｅの割合が増加するにつれて白化
開始に要する照射パワーは増大することがわかるが、本
実施例の範囲であれば十分に実用的な照射パワーである
と考えられる。しかし、　Ｔｅの含有量が８０　ａｔ％
を越える領域では白化部分（アモルファス部分）は室温
で長期間安定に存在することができず、徐々に黒化（結
晶化）することが確認された。これは信号の記録ビット
が自然に消滅することを示すもので実用上問題がある。

以上から（Ｓｅ１５　Ａｕ８０）　ｔｏｏ　−ｘ　Ｔｅ
Ｘ（ａｔ％）で表わされる組成からなる記録薄膜は、Ｘ
の値を４０＜、　Ｘ　＜　８０　ａｔ％に選ぶことによ
って、記録、消去特性がともにすぐれた記録薄膜となる
ことがわかる。

〔実施例２〕評価材料組成としてＴｅと（Ｓｅ−）−Ａ
ｕ　）の原子数比が７５　：　２５となるように組成制
御を行ない、同時にＳｅとＡｕＯ比を変化させて複数の
試験片を作成した。

第５図（ａ）はＴｅ１５　Ｓｃ１５　−ｘ　ｋｕｚ　１
０≦Ｘ≦２５　（ａｔ％表示）において、Ｘの値を変化
させ、　　１ｍｗ／μｍ２のパワーで照射したときの黒
化開始に要する照射時間の変化を示している。同図から
黒化開始に要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ａｕ
の添加量が多いほど）短かくなくなることがわが’ｔ、
ｘの値が５ａｔ％以上であれば実用的な黒化速度が得ら
れることを明らかにしている。

第５図（ｂ）は例えば１ｍｗ／μｍ２のパワーで１５μ
叔照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５゜ｎ８
ｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの白化開
始に要する照射パワーの違いを示している。これからＴ
ｅ１５　５ｅ２１−ｘＡｕｘにおいて、Ｘの値が大きい
ほど白化開始に要する照射パワーは大きくなることがわ
かるが、Ｘの値が約１８ａｔ％以下であれば実用上問題
のない照射パワーと考えられる。さらに、Ｘ　＝　２０
　ａｔ％、すなわちＴｅ７゜Ｓｅ、　Ａｕ１５）の組成
からなる記録薄膜においては、白化部分は室温での長期
間放置において徐々に黒化することが確認され、記録信
号の長期保存の観点からも実用的でないことがわかった
。

以上からＴｅ１５　Ｓｅ１５ｚ　Ａｕｚで表わされる組
成からなる記録薄膜は、Ｘの値を５　＜、　Ｘ　＜　１
８ａｔ％に選ぶことによって、記録、消去ともにすぐれ
た特性を示すことが明らかになった。

〔実施例３〕評価材料組成としてＴｅと（Ｓｅ＋Ａｕ）
の原子数比が４５　：　５５となるように組成制御を行
ない、同時に８ｅとＡｕの比を変化させて複数の試験片
を作成した。

第６図（ａ）はＴｅ１５　Ｓｅ、５−ｚ　Ａｕｘ％０≦
Ｘ≦５５（ａｔ％表示）においてＸの値を変化させ、１
ｍｗ／μｍ２のパワーで照射したときの黒化開始に要す
る照射時間の変化を示している。同図から、黒化開始に
要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ａｕの添加量が
多いほど）短かくなることがわかυ、Ｘの値が１０ａｔ
％以上であれば実用的な黒化速度が得られることを明ら
かにしている。

第６図（ｂ）は、例えば１　ｍｗ／　μｍ”のパワーで
１５μ庶照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５
０　ｎａとして照射パワーを変化して照射したときの白
化開始に要する照射パワーの違いを示している。これか
らＴｅ４．　Ｓｅ□−Ｘ　Ａｕｚにおいて、Ｘの値が大
きいほど白化開始に要する照射パワーは大きくなること
がわかるが、Ｘの値が４０ａｔ％以下であれば実用上問
題はないと考えられる。

以上から、Ｔｅ１５　８ｅ□−Ｘ　Ａｕｚで表わされる
組成からなる記録薄膜はＸの値を１０　＜Ｘ　＜　４０
　ａｔ％とすることによって、記録、消去ともにすぐれ
た記録薄膜となることがわかる。

上記実施例１〜３から、Ｔｅ、　Ｓｅ、　Ａｕを構成元
素とし、各元素の原子数の割合が第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄで囲まれた範囲内にある記録薄膜は、記録特性、消去
特性ともに良好な光学情報記録部材であることがわかる
。

〔実施例４〕評価材料組成としてＴｅとＳｓとＡｕの原
子数比が６５　：　１５　：　２０となるように組成制
御を行ない、同時にこのＴｅ、ｌｌＳｅ１５　Ａｕ２ｏ
に添加するＧｅの添加量を変化させた複数個の試験片を
作成した。この試験片の作成方法は４源蒸着が可能な電
子ビーム蒸着機を使用してそれぞれのソースからＴｅ、
　Ａｕ、　Ｇｅを蒸着した。他の蒸着条件は前述の実施
例と同様である。

この試験片を６０Ｃの恒温槽内に放置し、波長８３０ｎ
ｍの光における透過率変化を測定することによって耐熱
特性を求めた。第７図（ａ）はその結果を示している。

同図からＴｅ１５　Ｓｅ１５　Ａｕ２ｏにＧｅを添加す
ることにより、透過率の低下する速度が遅くなることが
わかる。透過率の低下は、アモルファス状態の記録薄膜
を高温中に放置したとき徐々に結晶化していくことを意
味しておシ、（ト）の添加は結晶化温度の上昇を示して
いる。

すなわち、Ｇｅを添加することによって、信号の記録ビ
ット（アモルファス状態）の保存特性を向上させること
ができる。この効果はＧｅの添加量が２　ａｔ％以下で
も認められるが添加量が多ければ多いほど耐熱性の向上
することがわかる。

第７図（ｂｌはＴｅ１５　Ｓｅ、５Ａｕ８０に保ちなが
らＧｅの添加量を増加させてゆきｓ　　１ｍｗ／μｍ２
で照射したときの黒化開始に要する時間の変化を示した
ものである。同図からＧｅの添加量を増加していくと黒
化開始の照射時間は徐々に長くなることがわかる。これ
はＧｅの添加によって、アモルファス状態にある記録薄
膜の結晶化温度が上昇したことによるものである。Ｇｅ
の添加は黒化感度の低下を招くが、同図から添加量が１
５ａｔ％以下であれば問題のないことがわかる。

第７図（ｃ）は、例えば１ｍｗ／ｐｍ”のパワーで１５
μ５ＩＩＣ照射して十分に黒化した部分に照射時間を５
０ｎｓｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの
、白化開始に要する照射パワーの変化を示している。こ
れからＴｅ６．　Ｓｅ１５　Ａｕ２ｏにＧｅを添加する
ことによって白化開始に要する照射パワーは徐々に増大
するものの、本実施例における添加量の範囲内（２５ａ
ｔ％以下）では実用上何ら問題はない。

以上によυ、　Ｇｅの添加はＴｅ　−Ｓｅ　−Ａｕ記録
薄膜の耐熱性向上に有効であυ、特にＧｅの添加量が１
５ａｔ％以下であれば、黒化特性および白化特性をとも
に良好に保ちながら耐熱性を向上させることができるこ
とがわかる。

〔実施例５〕評価材料組成としてＴｅとＡｕの原子数比
が６５　：　２０　：　１５となるように組成制御を行
ない、同時にこのＴｅ６５５ｅ２（Ｉ　Ａｕ、５とＳｎ
、　８ｂ、Ｂｉ、Ｉｎから選択される一元素との比を変
化させて複数個の試験片を作成した。この場合の試験片
の作成方法は４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を使用
し、それぞれのソースからＴｅ、Ｓｅ、ＡｕおよびＳｎ
％Ｓｂ、　Ｂｔ％Ｉｎから選択される一元素を蒸着した
。他の蒸着条件は前述の実施例と同様である。

第８図（ａ）はＴｅａ５５ｅ２６　Ａｕ、５にＳｎを添
加した場合、第９図（ＪＬ）はｓｂを添加した場合、第
１０図（ａ）はＢｉを添加した場合、第１１図（ａ）は
Ｉｎを添加した場合においてｓ　　１ｍｗ／μｍ２のパ
ワーで照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化
をそれぞれ示している。これらの図から、　Ｓｎ、　Ｓ
ｂ。

Ｂｉ、Ｉｎのどの元素を添加した場合でも黒化開始に要
する照射時間が短かくなることがわかシ、特に５ａｔ％
以上添加した場合にその効果が大きいことがわかる。

第８図（ｂ）、第９図（ｂ）、第１０図（ｂ）、第１１
図（ｂｌは、ぞれぞれ、例えば１ｍｗ／μｍ２のパワー
で１５μ庶照射して十分に黒化した部分に照射時間を５
０ｎｓｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの
、白化開始に要する照射パワーの変化を示している。こ
れらの図から、Ｔｅ６．　Ｓｅ２゜Ａｕ１５にＳｎ。

ｓｂ％Ｂｉ、　Ｉｎのどの元素を添加した場合でも、白
化開始に要する照射パワーは増加することがわかる。し
かし、Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｂｉ、　Ｉｎのどの元素を添加
した場合においても、その添加量が３０ａｔ％以下であ
れば、十分に実用的な照射パワーと考えて差支えはない
。

以上より、Ｔｅ　−Ｓｅ　−Ａｕ記録薄膜に５ｎ１Ｓｂ
。

Ｂｉ、Ｉｎより選択される元素を５〜３０　ａｔ％添加
することによって、白化特性を実用的な範囲に保ちなが
ら黒化特性を改善することのできることがわかる。

〔実施例６〕基材として１．２ｔ　Ｘ　２００ａＩＯの
アクリル樹脂板を用い、記録薄膜としてＴｅ１５　Ｓｅ
２゜薄膜およびＴｅ６（、５ｅ２ｏＡｕ２ｏ薄膜を形成
した２種類の光ディスクを試作し、記載の方法にょ多信
号の記録、消去の比較試験を行なった。各記録薄膜の形
成方法は上述の実施例と同様である。これら２種類の光
ディスクを用いて、記録パワー、消去パワーをそれぞれ
８ｍｗ、　１８ｍｗとし、消去レーザビーム長は半値巾
で約１×１５μｍとして白化記録と黒化消去を行なった
ところ、Ｔｅａ。

Ｓ　ｅ２ｏＡｕ２ｏ薄膜を有するディスクは単一周波数
２ＭＨｚ　、ディスクの周速７ｍ／ｓで、Ｃ／Ｎは５５
ｄＢであり、１０万回記録、消去を繰９返した後にもＣ
／Ｎの劣化はほとんどみられなかった。

一方、Ｔｅ、５　Ｓｅ１５薄膜を有するディスクは、消
去ビームを照射しても十分に黒化せず、したがって信号
を記録しても３０ｄＢ程度のＣ／ＮＬか得られず、また
記録信号の消去時には黒化速度が遅いために消去ビーム
を１ターン照射しただけでは十分に消去できなかった。

〔発明の効果〕以上述べたように本発明の光学情報記録
部材は、アモルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜にＡ
ｕを添加することによって信号の記録ビット（アモルフ
ァス）の安定性をそこなうことなく、その消去感度を向
上させておシ、ＴｅとＳｅ、！：Ａｕの適正な原子数の
割合を数多くの実験によって第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，、Ｄ
で示す枠の範囲に定めている。またＧｅを添化すること
によって耐熱性を向上し、さらにＳｎ、　Ｓｂ、　Ｉｎ
。

Ｂｉから選択された元素を添加することによって記録特
性をあまシ低下させることなく消去特性を向上させてい
る。したがってＴｅ−８ｅを主成分とする信号の書き換
え可能な従来の光学情報記録薄膜のもつ欠点を解消し、
実用的にすぐれた光ディスクを提供するすぐれた効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図二本発明の記録薄膜の組成を示す三角座標図 第２図二本発明の光学情報記録部材の断面間第３因二本
発明の光学情報記録部材の特性評価装置の光学系概略図 第４図：本発明の記録薄膜（Ｓｅ、。Ａｕ８０）＋。。 ・ＸＴｅ　ｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示す
グラフ 第５図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ？！Ｉ　Ｓｅ２！Ｉ−
ｘ　Ａｕｘ　）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示
すグラフ 第６図二本発明の記録薄膜（Ｔｅ、　Ｓｅ５．−ｚＡｕ
ｘ　）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示すグラフ 第７図二本発明の記録薄膜（Ｔｅ６ＨＳｅ１ｇ　Ａｕ２
０　）＋００４　Ｇｅｘの（ａ）耐熱特性、（ｂ）黒化
特性、（ｅ）白化特性を示すグラフ 第８図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ１５　Ｓｅ８０Ａｕ１
５　）１゜０デＳｎｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特
性を示すグラフ 第９図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ６．５ｅ２ｏＡｕ１５
　）８０。−ＸＳｂｘの（ａＪ黒化特性、（ｂＪ白化特
性を示すグラフ 第１０図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ６！ｌ　５ｅｔｊＯ
Ａｕ１ｓ　）ｔｏｏ−ｘ　Ｂｊｘの（ａ）黒化特性、（
ｂｌ白化特性を　、示すグラフ 第１１図一本発明の記録薄膜（Ｔｅ、　５ｎ２ｏＡｕ１
５　）１゜。−エＩｎｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）白化
特性を示すグラフ 図面の浄書（内ｒ〆に変更なし） 牙１図 工 第２図 才３Ｉｉ４ 第４図 〔（ん８０Ａｕ５゜）８０。−Ｘ仏］ ９、セ　籍−間（ｂ笈） ｐ、？？　　封　ｌ＼０ワ−ζ−■／／４−１す第５図 〔氾’）Ｓ　Ｓｅ　２弘工Ａ帽 （ｃＬ）　　黒　　イヒ　１キ＋　　１注９ｙ　曳キ峠
間（，４−５ｅｃ） （し）　６　イＬ　＠　・ＩＩ主 ｐｐ　　的′　パワー　（ｉ、−ｖ／、ψ九つＩｒ６図 〔茹５ｔｕｆ−エＡ、工〕 （ＯＬ）黒化特１吐 照　４１　　峠間　（ハ沁） （シ）　　　ぐ６　　イＩ：ｎプ「１゛、生？、１蛋゛
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　ｌ＼０ワー（肯Ｖ／ｕ、ｙｔつ手　　続　　補　　正
　　書（方式） ｔ　事件の表示 昭和６０年特許顧第１６９６０５号 ２　発明の名称 光学情報記録部材 五　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 ５７１　大阪府門真市大字門真１００６番地５８２　　
　松下電器産業株式会社 ４、代理人

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）および金（Ａｕ
   ）を主成分として含み、これらの元素の割合が、Ｔｅ、
   Ｓｅ、Ａｕをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする三角座
   標図において座標（ａｔ％）が、 Ａ（Ｔｅ＿８＿０Ｓｅ＿１＿５Ａｕ＿５）、Ｂ（Ｔｅ＿
   ４＿０Ｓｅ＿５＿０Ａｕ＿１＿０）Ｃ（Ｔｅ＿４＿０Ｓ
   ｅ＿１＿７Ａｕ＿４＿３）、Ｄ（Ｔｅ＿５＿０Ｓｅ＿５
   Ａｕ＿＿１＿５）の４点で囲まれた範囲内にある組成を
   もつ 記録薄膜を有することを特徴とする光学情報記録部材。
2. （２）添加物質として添加量が１５ａｔ％以下のゲルマ
   ニウムを含むことを特徴とする特許請求の範囲（１）の
   光学情報記録部材。
3. （３）添加物質としてスズ、アンチモン、ビスマスおよ
   びインジウムのなかから選択された元素の少くとも一種
   以上を含み、その添加量の総和が５〜３０ａｔ％である
   ことを特徴とする特許請求の範囲（１）の光学情報記録
   部材。