JP2903969B2 - 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 - Google Patents
光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 16
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、高速かつ高密度に情報を記録、再生、消去可能な
光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法に関
するものである。
より、高速かつ高密度に情報を記録、再生、消去可能な
光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書換え型がある。書換え型光ディスクとし
ては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的
な結晶状態の変化を利用した相変化媒体が挙げられる。
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書換え型がある。書換え型光ディスクとし
ては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的
な結晶状態の変化を利用した相変化媒体が挙げられる。
【０００３】相変化媒体は、外部磁界を必要とせず、レ
ーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去が可能
である。さらに、消去と再記録を単一ビームで同時に行
う１ビームオーバーライトが可能であるという利点を有
する。１ビームオーバーライト可能な相変化記録方式で
は、記録膜を非晶質化させることによって記録ビットを
形成し、結晶化させることによって消去を行う場合が一
般的である。
ーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去が可能
である。さらに、消去と再記録を単一ビームで同時に行
う１ビームオーバーライトが可能であるという利点を有
する。１ビームオーバーライト可能な相変化記録方式で
は、記録膜を非晶質化させることによって記録ビットを
形成し、結晶化させることによって消去を行う場合が一
般的である。
【０００４】このような、相変化記録方式に用いられる
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。なお、書換え型とほとんど同じ材料・
層構成を適用して、追記型の相変化媒体も実現できる。
この場合、その可逆性を利用しないのでより長期にわた
って情報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な
保存が可能である。
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。なお、書換え型とほとんど同じ材料・
層構成を適用して、追記型の相変化媒体も実現できる。
この場合、その可逆性を利用しないのでより長期にわた
って情報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な
保存が可能である。
【０００５】追記型として相変化媒体を用いた場合、孔
あけ型と異なり記録ピット周辺にリムと呼ばれる盛り上
がりが生じないため信号品質に優れ、また記録層上部に
空隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要が
ないという利点がある。一般に、書換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。この方式を、結晶化
された初期状態に非晶質ピットの記録および結晶化によ
る消去を行う場合を例にとって説明する。
あけ型と異なり記録ピット周辺にリムと呼ばれる盛り上
がりが生じないため信号品質に優れ、また記録層上部に
空隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要が
ないという利点がある。一般に、書換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。この方式を、結晶化
された初期状態に非晶質ピットの記録および結晶化によ
る消去を行う場合を例にとって説明する。
【０００６】結晶化は、記録層の結晶化温度より十分高
く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱することによ
ってなされる。この場合、冷却速度は結晶化が十分なさ
れる程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだ
り、ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりす
る。一方、非晶質化は記録層を融点より高い温度まで加
熱し、急冷することによって行う。この場合、上記誘電
体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るための放熱
層としての機能も有する。
く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱することによ
ってなされる。この場合、冷却速度は結晶化が十分なさ
れる程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだ
り、ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりす
る。一方、非晶質化は記録層を融点より高い温度まで加
熱し、急冷することによって行う。この場合、上記誘電
体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るための放熱
層としての機能も有する。
【０００７】さらに、上述のような、加熱・冷却過程に
おける記録層の溶融・体積変化に伴う変形や、プラスチ
ック基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録
層の劣化を防止するためにも、上記誘電体層は重要であ
る。誘電体層の材質は、レーザー光に対して光学的に透
明であること、融点・軟化点・分解温度が高いこと、形
成が容易であること、適度な熱伝導性を有するなどの観
点から選定される。
おける記録層の溶融・体積変化に伴う変形や、プラスチ
ック基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録
層の劣化を防止するためにも、上記誘電体層は重要であ
る。誘電体層の材質は、レーザー光に対して光学的に透
明であること、融点・軟化点・分解温度が高いこと、形
成が容易であること、適度な熱伝導性を有するなどの観
点から選定される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ガウシアンビームに仮
定できるレーザーのビーム径は０．８２×λ÷ＮＡ（λ
は波長、ＮＡはレンズの開口数）で定義される。従って
高密度記録のためレーザーに６００ｎｍ以下のような短
波長のものを用いると、ビームスポット径は小さくな
る。
定できるレーザーのビーム径は０．８２×λ÷ＮＡ（λ
は波長、ＮＡはレンズの開口数）で定義される。従って
高密度記録のためレーザーに６００ｎｍ以下のような短
波長のものを用いると、ビームスポット径は小さくな
る。
【０００９】相変化型光ディスクでは、記録層のアモル
ファスビットを結晶化温度でアニールし、結晶化させる
ことで記録の消去をおこなっているが、ビームスポット
径が小さい場合、記録層が結晶化温度以上に保たれる時
間が短くなり結晶化が上手くいかなくなるという問題点
があった。
ファスビットを結晶化温度でアニールし、結晶化させる
ことで記録の消去をおこなっているが、ビームスポット
径が小さい場合、記録層が結晶化温度以上に保たれる時
間が短くなり結晶化が上手くいかなくなるという問題点
があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、相変化記
録層と第２の誘電体層の関係を改良することにより、記
録層が結晶化温度に保たれる時間を長くすることが可能
となり、結晶化温度の熱を十分な量与えることが出来、
特に６００ｎｍ未満の短波長記録に適した光学記録用媒
体となることを見いだし、本発明に到達した。
録層と第２の誘電体層の関係を改良することにより、記
録層が結晶化温度に保たれる時間を長くすることが可能
となり、結晶化温度の熱を十分な量与えることが出来、
特に６００ｎｍ未満の短波長記録に適した光学記録用媒
体となることを見いだし、本発明に到達した。
【００１１】本発明の要旨は、基板上に、第１の誘電体
層、相変化記録層、第２の誘電体層および反射層を順次
有する光学的情報記録用媒体であって、相変化記録層の
膜厚が２０−５０ｎｍであり、第２の誘電体層は熱伝導
率が１×１０-3ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1以下の材質
からなり、且つ膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満である、
波長６００ｎｍ未満のレーザー光を用いて情報の記録再
生を行なうための光学的情報記録用媒体、およびこれを
用いて波長６００ｎｍ未満のレーザーを用いて情報の記
録再生を行うことを特徴とする記録再生方法である。
層、相変化記録層、第２の誘電体層および反射層を順次
有する光学的情報記録用媒体であって、相変化記録層の
膜厚が２０−５０ｎｍであり、第２の誘電体層は熱伝導
率が１×１０-3ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1以下の材質
からなり、且つ膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満である、
波長６００ｎｍ未満のレーザー光を用いて情報の記録再
生を行なうための光学的情報記録用媒体、およびこれを
用いて波長６００ｎｍ未満のレーザーを用いて情報の記
録再生を行うことを特徴とする記録再生方法である。
【００１２】相変化記録層はＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂ
Ｔｅ系等が好ましく用いられ、結晶化速度、非晶質化の
し易さ、結晶粒径、保存安定性等の改善のためＳｎ，Ｉ
ｎ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ等を加えても
よい。記録層の厚みが２０ｎｍより薄いと記録層自体に
よる熱保温性が少なくなり、また記録層の結晶化のため
の結晶核形成が抑えられ結晶化が抑制され、さらには十
分なコントラストが得られないという問題が生じる。
Ｔｅ系等が好ましく用いられ、結晶化速度、非晶質化の
し易さ、結晶粒径、保存安定性等の改善のためＳｎ，Ｉ
ｎ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ等を加えても
よい。記録層の厚みが２０ｎｍより薄いと記録層自体に
よる熱保温性が少なくなり、また記録層の結晶化のため
の結晶核形成が抑えられ結晶化が抑制され、さらには十
分なコントラストが得られないという問題が生じる。
【００１３】一方、５０ｎｍより厚くなると、オーバー
ライト時の物質移動が起こり易くなり記録層のクラック
が生じ易くなる。記録層の膜厚は２０〜５０ｎｍが好ま
しい。記録層は、誘電体層で挟んで基板上に設けるが、
反射層、紫外線硬化樹脂からなる保護層等を設けてもよ
い。第１及び第２の誘電体層には、好ましくは硫化亜鉛
と二酸化ケイ素の混合物等の、透明で光学定数ｎが１．
９から２．４、ｋが０から０．０５であり、熱膨張係数
が１.０×１０-5以下の誘電体を用いることが好まし
い。
ライト時の物質移動が起こり易くなり記録層のクラック
が生じ易くなる。記録層の膜厚は２０〜５０ｎｍが好ま
しい。記録層は、誘電体層で挟んで基板上に設けるが、
反射層、紫外線硬化樹脂からなる保護層等を設けてもよ
い。第１及び第２の誘電体層には、好ましくは硫化亜鉛
と二酸化ケイ素の混合物等の、透明で光学定数ｎが１．
９から２．４、ｋが０から０．０５であり、熱膨張係数
が１.０×１０-5以下の誘電体を用いることが好まし
い。
【００１４】誘電体層の膜厚は第２の誘電体層は１０ｎ
ｍ未満とし、第１の誘電体層は好ましくは５０ｎｍから
２５０ｎｍである。本発明においては第２の誘電体層の
厚さが１０ｎｍ未満と、通常に比べて大変に薄くされて
いるのが特徴である。第２の誘電体層は少なくとも１ｎ
ｍ以上、製造上を考えれば５ｎｍ以上の厚さに設けるの
が良い。
ｍ未満とし、第１の誘電体層は好ましくは５０ｎｍから
２５０ｎｍである。本発明においては第２の誘電体層の
厚さが１０ｎｍ未満と、通常に比べて大変に薄くされて
いるのが特徴である。第２の誘電体層は少なくとも１ｎ
ｍ以上、製造上を考えれば５ｎｍ以上の厚さに設けるの
が良い。
【００１５】第２の誘電体層は熱伝導率が１×１０-3ｐ
Ｊ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1以下の材質のものを用いる。
このような厚さと熱伝導率にすることにより、第２の誘
電体層を伝ってすばやく記録層から熱を逃がすことで、
記録層が結晶化するための温度に保たれる幅を広くとる
ことが可能となり、十分に結晶化するための時間を稼ぐ
ことができる。
Ｊ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1以下の材質のものを用いる。
このような厚さと熱伝導率にすることにより、第２の誘
電体層を伝ってすばやく記録層から熱を逃がすことで、
記録層が結晶化するための温度に保たれる幅を広くとる
ことが可能となり、十分に結晶化するための時間を稼ぐ
ことができる。
【００１６】本発明における記録媒体の基板としては、
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、本発明に用いた誘
電体層は耐熱性に優れ、基板の熱的変形防止効果がある
ため、現在光ディスク用基板として一般的に使用されて
いるポリカーボネート樹脂基板を使用することが可能で
ある。
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、本発明に用いた誘
電体層は耐熱性に優れ、基板の熱的変形防止効果がある
ため、現在光ディスク用基板として一般的に使用されて
いるポリカーボネート樹脂基板を使用することが可能で
ある。
【００１７】反射層は、ＡｌおよびＡｌ合金、Ａｕ、Ａ
ｇ等の、熱伝導性の高い物質を用いることが好ましく、
その厚みは通常１００〜２００ｎｍの範囲に選ばれる。
記録層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによ
って形成される。記録膜用ターゲット、誘電体膜用ター
ゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一
真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を
行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。ま
た、生産性の面からもすぐれている。
ｇ等の、熱伝導性の高い物質を用いることが好ましく、
その厚みは通常１００〜２００ｎｍの範囲に選ばれる。
記録層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによ
って形成される。記録膜用ターゲット、誘電体膜用ター
ゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一
真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を
行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。ま
た、生産性の面からもすぐれている。
【００１８】本発明に記載されている熱伝導率は、物質
のバルクでの値ではなく、薄膜の熱伝導率である。薄膜
の熱伝導率測定法には、Ｊ．Ｃ．Ｌａｍｂｒｏｐｏｕｌ
ｏｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６
６，４２３０（１９８９）、Ｉ．Ｈａｔｔａ，ｅｔ．ａ
ｌ．，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．，５６，１６
４３（１９８５）や、Ｍ．Ｈｏｒｉｅ，ｅｔ．ａｌ．，
ＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉＫａｓｅｉ Ｒ＆Ｄ Ｒｅｖｉｅ
ｗ，４（２），６８（１９９０）等に示されている。具
体的には光交流励起法による熱伝導率測定装置を用いれ
ば良い。
のバルクでの値ではなく、薄膜の熱伝導率である。薄膜
の熱伝導率測定法には、Ｊ．Ｃ．Ｌａｍｂｒｏｐｏｕｌ
ｏｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６
６，４２３０（１９８９）、Ｉ．Ｈａｔｔａ，ｅｔ．ａ
ｌ．，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．，５６，１６
４３（１９８５）や、Ｍ．Ｈｏｒｉｅ，ｅｔ．ａｌ．，
ＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉＫａｓｅｉ Ｒ＆Ｄ Ｒｅｖｉｅ
ｗ，４（２），６８（１９９０）等に示されている。具
体的には光交流励起法による熱伝導率測定装置を用いれ
ば良い。
【００１９】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（数字は成分割合を示し単位はmol％）の組成、
波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ＝２．２、ｋ＝０
の第１の誘電体膜を１５５ｎｍ、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（組
成は比率で示した）記録膜を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学
定数がｎ＝２．２、ｋ＝０の第２の誘電体膜（熱伝導率
３．５×１０-4ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1）を５ｎ
ｍ、Ａｌ合金反射膜を２００ｎｍ、スパッタリング法に
より順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線硬化樹
脂層を設けた。
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（数字は成分割合を示し単位はmol％）の組成、
波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ＝２．２、ｋ＝０
の第１の誘電体膜を１５５ｎｍ、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（組
成は比率で示した）記録膜を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学
定数がｎ＝２．２、ｋ＝０の第２の誘電体膜（熱伝導率
３．５×１０-4ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1）を５ｎ
ｍ、Ａｌ合金反射膜を２００ｎｍ、スパッタリング法に
より順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線硬化樹
脂層を設けた。
【００２０】上記のように作成したディスクの記録層は
アモルファス状態であるので、Ａｒレーザーで結晶化さ
せ初期化を行った後、波長４８８ｎｍのレーザーピック
アップを用いた評価装置でディスクの動特性を評価し
た。線速度１０ｍ／ｓｅｃで記録パワー１２ｍＷ、消去
パワー６ｍＷで記録周波数８．５８ＭＨｚ、パルス幅３
８ｎｓｅｃの信号を記録した時のＣ／Ｎ比、および消去
パワーをＤＣ照射した時の消去比はそれぞれ５６ｄＢ、
２８ｄＢであった。さらに、消去比２０ｄＢ以上の消去
パワーマージンは４ｍＷであった。
アモルファス状態であるので、Ａｒレーザーで結晶化さ
せ初期化を行った後、波長４８８ｎｍのレーザーピック
アップを用いた評価装置でディスクの動特性を評価し
た。線速度１０ｍ／ｓｅｃで記録パワー１２ｍＷ、消去
パワー６ｍＷで記録周波数８．５８ＭＨｚ、パルス幅３
８ｎｓｅｃの信号を記録した時のＣ／Ｎ比、および消去
パワーをＤＣ照射した時の消去比はそれぞれ５６ｄＢ、
２８ｄＢであった。さらに、消去比２０ｄＢ以上の消去
パワーマージンは４ｍＷであった。
【００２１】
【００２２】
【００２３】比較例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ
＝２．２、ｋ＝０の第１の誘電体膜を１６０ｎｍ、Ｇｅ
2Ｓｂ2Ｔｅ5記録膜を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ
＝２．２、ｋ＝０の第２の誘電体膜（熱伝導率３．５×
１０-4ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1）を２０ｎｍ、Ａｌ
合金反射膜を２００ｎｍ、スパッタリング法により順に
形成した。
Ｏ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ
＝２．２、ｋ＝０の第１の誘電体膜を１６０ｎｍ、Ｇｅ
2Ｓｂ2Ｔｅ5記録膜を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の組成、波長４８８ｎｍの場合の光学定数がｎ
＝２．２、ｋ＝０の第２の誘電体膜（熱伝導率３．５×
１０-4ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1）を２０ｎｍ、Ａｌ
合金反射膜を２００ｎｍ、スパッタリング法により順に
形成した。
【００２４】さらに反射層の上部に紫外線硬化樹脂層を
設けた。上記のように作成したディスクの記録層はアモ
ルファス状態であるので、Ａｒレーザーで結晶化させ初
期化を行った後、波長４８８ｎｍのレーザーピックアッ
プを用いた評価装置でディスクの動特性を評価した。線
速度１０ｍ／ｓｅｃで記録パワー８ｍＷ、消去パワー４
ｍＷで記録周波数８．５８ＭＨｚ、パルス幅３８ｎｓｅ
ｃの信号を記録した時のＣ／Ｎ比、および消去パワーを
ＤＣ照射した時の消去比はそれぞれ５６ｄＢ、２０ｄＢ
であった。さらに、消去比２０ｄＢ以上の消去パワーマ
ージンは０．３ｍＷであった。参考例１〜３ポリカーボ
ネート樹脂基板上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20の組
成（単位はmol ％；熱伝導率３．５×１０-4[ ｐＪ／μ
ｍ／Ｋ／ｎｓ] ）の第１の誘電体膜を１１０ｎｍ、表−
１に示す厚さのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 記録膜、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2 ）20の組成（熱伝導率３．５×１０-4[ ｐ
Ｊ／μｍ／Ｋ／ｎｓ] ）で表−１に示す厚さの第２の誘
電体膜、Ａｌ合金反射膜を２００ｎｍを、スパッタリン
グ法により順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線
硬化樹脂層を設けた。上記のように作成したディスクの
記録層はアモルファス状態であるので、波長８１０ｎｍ
のＬＤを光源とするバルクイレーザにより結晶化させ初
期化を行った後、波長７８０ｎｍ（ＮＡ０．５５）のレ
ーザーピックアップを用いた評価装置でディスクの動特
性を評価した。線速度１０ｍ／ｓｅｃで表−１に示す記
録パワー及び消去パワーで記録周波数４ＭＨｚ、ｄｕｔ
ｙ５０％の信号を記録した時のＣ／Ｎ比、及び消去比２
０ｄＢ以上の消去パワーマージンを表−１に示す。
設けた。上記のように作成したディスクの記録層はアモ
ルファス状態であるので、Ａｒレーザーで結晶化させ初
期化を行った後、波長４８８ｎｍのレーザーピックアッ
プを用いた評価装置でディスクの動特性を評価した。線
速度１０ｍ／ｓｅｃで記録パワー８ｍＷ、消去パワー４
ｍＷで記録周波数８．５８ＭＨｚ、パルス幅３８ｎｓｅ
ｃの信号を記録した時のＣ／Ｎ比、および消去パワーを
ＤＣ照射した時の消去比はそれぞれ５６ｄＢ、２０ｄＢ
であった。さらに、消去比２０ｄＢ以上の消去パワーマ
ージンは０．３ｍＷであった。参考例１〜３ポリカーボ
ネート樹脂基板上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20の組
成（単位はmol ％；熱伝導率３．５×１０-4[ ｐＪ／μ
ｍ／Ｋ／ｎｓ] ）の第１の誘電体膜を１１０ｎｍ、表−
１に示す厚さのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 記録膜、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2 ）20の組成（熱伝導率３．５×１０-4[ ｐ
Ｊ／μｍ／Ｋ／ｎｓ] ）で表−１に示す厚さの第２の誘
電体膜、Ａｌ合金反射膜を２００ｎｍを、スパッタリン
グ法により順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線
硬化樹脂層を設けた。上記のように作成したディスクの
記録層はアモルファス状態であるので、波長８１０ｎｍ
のＬＤを光源とするバルクイレーザにより結晶化させ初
期化を行った後、波長７８０ｎｍ（ＮＡ０．５５）のレ
ーザーピックアップを用いた評価装置でディスクの動特
性を評価した。線速度１０ｍ／ｓｅｃで表−１に示す記
録パワー及び消去パワーで記録周波数４ＭＨｚ、ｄｕｔ
ｙ５０％の信号を記録した時のＣ／Ｎ比、及び消去比２
０ｄＢ以上の消去パワーマージンを表−１に示す。
【表１】 表−１より、７５０〜９００ｎｍ程度での波長での記録
再生においては、本願で規定する膜厚や熱伝導率の範囲
にあってもそうでなくても、消去マージンに大きな差が
ないことが分かる。むしろ、膜厚や熱伝導率が本願で規
定する範囲と一致する参考例３においては、記録や消去
パワーが大きく感度が悪いことが分かる
再生においては、本願で規定する膜厚や熱伝導率の範囲
にあってもそうでなくても、消去マージンに大きな差が
ないことが分かる。むしろ、膜厚や熱伝導率が本願で規
定する範囲と一致する参考例３においては、記録や消去
パワーが大きく感度が悪いことが分かる
【００２５】
【発明の効果】本発明の光学的情報記録用媒体は、特に
レーザー波長６００ｎｍ以下の光源を用いて、感度良く
Ｃ/Ｎ比および消去比の良い記録再生特性を得ることが
できる。
レーザー波長６００ｎｍ以下の光源を用いて、感度良く
Ｃ/Ｎ比および消去比の良い記録再生特性を得ることが
できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｃ (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平４−263133（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−241539（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 535 G11B 7/24 538
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、第１の誘電体層、相変化記録
層、第２の誘電体層および反射層を順次有する光学的情
報記録用媒体であって、相変化記録層の膜厚が２０−５
０ｎｍであり、第２の誘電体層は熱伝導率が１×１０-3
ｐＪ・μｍ-1・Ｋ-1・ｎｓ-1以下の材質からなり、且つ
膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満である、波長６００ｎｍ
未満のレーザー光を用いて情報の記録再生を行なうため
の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 相変化記録層が、ＧｅＳｂＴｅ系又はＩ
ｎＳｂＴｅ系である請求項１に記載の光学的情報記録用
媒体。 - 【請求項３】 第１及び第２の誘電体層は、硫化亜鉛と
二酸化ケイ素との混合物の組成を有する請求項１又は２
に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 第１及び第２の誘電体層は、光学定数ｎ
が１．９−２．４であり、ｋが０−０．０５である誘電
体からなる請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光学
的情報記録用媒体。 - 【請求項５】 反射層の厚みが１００−２００ｎｍであ
る請求項１乃至４のいずれか１つに記載の光学的情報記
録用媒体。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
光学的情報記録用媒体に、波長６００ｎｍ未満のレーザ
ー光を用いて情報の記録再生を行うことを特徴とする記
録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275705A JP2903969B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275705A JP2903969B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130001A JPH07130001A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2903969B2 true JP2903969B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17559223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5275705A Expired - Lifetime JP2903969B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903969B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1515321A4 (en) * | 2002-04-22 | 2009-05-27 | Tdk Corp | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP5275705A patent/JP2903969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130001A (ja) | 1995-05-19 |
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