JPS6228749A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産東上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡ　Ｓ　
％　Ｔ　ｅ　％　Ｓ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ
やＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｉは、Ｓ　ｉ　−３ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合さぜることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
日Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ；１４の小石から
なる感光体は表面電位のＩ１１＃＆衰速度が大きく、初
期帯電電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネッ１−１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では
、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラー
ユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０
、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング
部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に
現像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、ａ−５ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ　−Ｓ　ｉ　
Ｃ：　Ｈと称する。）について、その製法や存在が“Ｐ
ｈ１１．Ｍａｇ、Ｖｏｌ、　３５　”　　（１９７８）
等に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬
度が高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率
（１０″２〜１０１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量
により光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶ
の範囲に亘って変化すること等が知られている。但し、
炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長
感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組
合せた電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８
３号公報において提案されている。これによれば、ａ−
３ｔ：Ｈ眉を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生
層上にａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　８層を設け、上層のａ−３
ｉ：Ｈにより広い波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ
：Ｈｉとへテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈに
より帯電電位の向上を図っている。しかしながら、ａ−
３ｉ：８層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はな
お不充分であって実用性のあるものとはならない上に、
表面にａ−３ｉ：ＨＦｉが存在していることにより化学
的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：８層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電鴇側）に第２
のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　８層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ　　Ｓ　ｉＣ：　ＨＩＢｉとの
間に傾斜５　（ａ−３ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け
、この傾斜層においてａ−３ｉ：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ
−３ｉＣ：Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られて
いる。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検削を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ　　Ｓ　ｉＣｍが７〜８万回程度で機械
的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠
陥として生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。また、表面改質層
と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少な（、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 ニ９発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第１Ｉｌａ族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
な（とも１種を含有するアモルファス水素化及び／又は
フッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素
原子を含有するアセルフ化シリコンからなる電荷発生層
と；周期表第ＩＩＩａ族又はフッ素化シリコンからなる
電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコンからなる第１中間層と；炭素原子、窒素原子及
び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２中
間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
くとも１種を前記第２中間層よりも多く含有するアモル
ファス水素化及び／又は）・ノ素化シリコンからなる表
面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るものであ
る。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に第１及び第２中間層を
設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が
向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光
疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下し、
電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響を
受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ！
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族
元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及
び０の少なくとも１つを含有するａ−３ｔ：Ｈ（これを
ａ−Ｓｉ（Ｃ）（Ｎ）（○）：Ｈと表す。）からなるＰ
ｆ型重電荷ブロッキング層４４、周期表第１ＩＩａ族元
素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化されが
っＣを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３ｉＣ：Ｈと
表す。）からなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ　：Ｈか
らなる電荷発生層（不純物ドーピングなし又は真性化さ
れたもの）４３と、周期表第１１１ａ族又は第Ｖａ族元
素がヘビードープされたＰ＋型又はＮ”ｌアモルファス
水素化シリコンからなる第１中間層４７と、周期表第ｎ
［ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型或
いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）されか
つＮ、Ｃ及びＯの少なくとも１つを含有するアモルファ
ス水素化シリコン（コれをａ−３ｉ　　（Ｃ）　　（Ｎ
）　　（０）Ｈと表す。）からなる第２中間層４６と、
周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ
型又はＮ型或いは真性化（若しくはドーピングなし）さ
れかつａ−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈからなる表
面改質層４５とが積層された構造からなっている。電荷
発生層４３は暗所抵抗率ρＤと光照射時の抵抗率ρＬと
の比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可
視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、　ｏｐｔ　）とほぼ直線的な関係があるので、炭
素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて
規定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−印以上になる
。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
：ＨＸａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の眉４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に、耐
熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロ
セスを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。）
としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦（Ｃ
）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によっ
て上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネル
ギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び赤
外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光
はａ−３ｉ：）（層（電荷発生層）４３に到達し易くな
る。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、がっ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ
−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのが
よい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％：
ｉ；　（Ｎ）　５９０％（更には１０％≦〔Ｎ３５７０
％）がよく、０％く〔０〕≦７０％（更には５％≦（０
）５３０％）がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　Ｂ　２　Ｈｓ／Ｓ　ｉ　Ｈ４２〜５０容量ｐ
ｐｍＰ型：　Ｂ　ｚ　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｉ−１４５０〜
１０１０００９ｆｆｌｐｐ型：ＰＨ３／ＳｉＨ４１〜１
ＯＯＯ容量ｐｐｍまた、層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ−３
ｉＮ。 ａ−３ｉＯ１ａ−８ｉ○２等からなっていてよく、その
膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００
人≦ｔ≦２０００人に選択することも重要である。 叩ち、その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電
位Ｖｔ（が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−
５ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２　中間１ｉ　４６については、残留電位低下のため
には、電荷発生層からの電荷の注入の可能とすルノニ中
間層をＰ又はＮ型としてもよい。導電型制御のだめのド
ーピング量は表面改質層と同しでよい。また、Ｃ，Ｎ、
○の含有量は層４５のそれよりも少なくする。即ち、Ｏ
＜（Ｃ）６１０％、０＜ＣＮ）６１０％、Ｏ＜（０）５
５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
よい。 第１中間眉４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。中間層４７は、上記特性改善のためには
、Ｐ又はＮ型化する必要がある。不純物ドープ量は（Ｐ
Ｈ３）／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝１〜１０００　（好ましく
は１０〜５００）容量ｐｐｍ、ＣＢ　ｚ　Ｈ６）　／　
（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　−１０−１０００（好ましくは５０
〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、ＢｚＨ６／５ｉＨ４＝ｌ〜２０容量ｐｐｍとす
るのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ１好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
ためには、真性化してもよい。真性化のためのドープ量
は、（Ｂ　２１イｓ）／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）＝２〜２０
＃容ｆｆｌｐｐｍが最適である。但し、上記値はＣ濃度
に依存するため、必ずしも上記値に限定されるものでは
ない。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよ
い。 また・電荷輸送層の組成は、１％く〔０３５３０％、好
ましくは１０％≦（Ｃ）　５３０％がよく、０％〈　〔
Ｏ〕　６１０％、好ましくは０％く　〔０〕　５１％が
よい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ｍａ族元素（例えばボロン）をグロー放電
分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化する。ブロ
ッキング層の組成によって、次のようにドーピング量を
制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ： Ｐ型（Ｐｆ）　； Ｂ　２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ＋　＝２０〜５０００容量
ｐｐｍａ−３ｉＮ又はａ−３ｉＮＯ： Ｐ型（Ｐ＋）； Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０００〜５０００
容量ｐｐｍブロッキング層は、ＳｉＯ，、ＳｉＯ２等の
化合物でもよい。 また、フ゛ロッキングｌ１ｉ４４は膜厚５００人〜２μ
ｍがよい。５００人未満であるとプロ・ノキング効果が
弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い
。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）５７０％とし、１％〈〔Ｎ３５９０％
、好ましくは１０％〈〔Ｎ１５７０％とし、０％≦（０
）５７０％、好ましくはＯ％≦（０）５３０％とするの
がよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するだめの不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡ＃、Ｇａ、Ｉ　ｎ、Ｔｊｌ！等の周期表Ｉ
ＩＩａ族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外
にも、Ａ５、ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる
。 次に、上記した感光体く例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒伏高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ＋又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ８）供給源、６８は各
流量針である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｊ２基板４１の表面を清浄化した後に
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０＝
　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、Ｓｉ　Ｈ４又はガス状シ
リコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２
内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下
で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６
　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガ
スを電橋５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ
型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ｉ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉ　：
Ｈ，Ｐ又はＮ型ａ−３ｉ：Ｈｌａ−３ｉＣ○：Ｈ，ａ−
３ｉＣ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４７．４６．
４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例
に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素を３ｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ。 ａ−８ｉ　：　Ｈ：　Ｆ、　ａ−３ｉＮ：　Ｆ、　ａ−
３ｉＮ：Ｉ（：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｈ：
Ｆとすることもできる。この場合のフン素置は０．５〜
１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを朶発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａ６支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＮ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス−圧が１Ｏ−
６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭｔｌｚＯ高周波電力を
印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ
４とＢ２Ｈ６からなる反応ガスを導入し、流量比１　：
　１　：　１　：　　（１，５ｘｌＯ−３）の（Ａｒ＋
ＳｉＨ４＋ＣＨ４又はＮ　２　＋　Ｂ　２　Ｈ６）混合
ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキン
グ機能を担うＰ型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ−ＳｉＣ
：Ｈ電荷輸送層４２とを６ｐｍ／　ｈ　ｒの堆積速度で
順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ
４を供給停止し、ｓｉＨ，＋を放電分解し、厚さ５μｍ
のａ−３ｉ：８層４３を形成した。引き続いて、不純物
ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚も変
化させた中間層４７．４６を形成し、更にＢ　２　Ｈ６
／５ｉＨ４＝１００容ｆｆｉｐｐｍとしてａ−３ｉＣＯ
：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、
電子写真感光体を完成させた。比軸例として、中間層４
７のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層：ａ−３ｉＮＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣ
○：Ｈ （２）、中間層：ドーブ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜ＦＥ−５μ
ｍ（４１，ａ−３ｉｃ　：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１６
．ｃｒｍＣ含有量＝１１％ 正帯電用：Ｂドープ有り （５１，ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッ
キング層：膜厚＝１μｍ 炭素含有量＝１１％ （６）、支持体：Ａ１シリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 ■二車１佐農 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ−Ｂ
ｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機にて画
像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れるか
で、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 豆像人並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ４５００　　（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 ・亡Ｖ■ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。 王１１土’ＶｏΩυ− Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位計（トレ・７り社製）で測定し
た現像直前の表面電位。 ”　”−、−Ｅ　’／　（１ｕｘ−ｓｅｃ上記の装置を
用い、グイクロイックミラー（元帥光学社製）により像
露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープ
カットし、表面電位を５００■から２５０■に半減する
のに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって・ 第１図はａ−３ｉ系感光体のグ断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子を含有する
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   る電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第IIIａ族又
   は第Ｖａ族元素がドープされかつアモルファス水素化及
   び／又はフッ素化シリコンからなる第１中間層と；炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる第２中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素
   原子のうちの少なくとも１種を前記第２中間層よりも多
   く含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体
   。