JPS62278790A - 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS62278790A JPS62278790A JP61122080A JP12208086A JPS62278790A JP S62278790 A JPS62278790 A JP S62278790A JP 61122080 A JP61122080 A JP 61122080A JP 12208086 A JP12208086 A JP 12208086A JP S62278790 A JPS62278790 A JP S62278790A
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- JP
- Japan
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- film
- light
- thin film
- substrate
- electroluminescent device
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関し、特
に放熱に優れた素子構造に関する。
に放熱に優れた素子構造に関する。
［従来の技術］
上記エレクトロルミネッセンス素子（以下Ｅ Ｌ素子と
いう）は、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の半導体を母体
とし、これにマンガン（Ｍｎ）や希土類金属等を発光中
心として添加して発光膜を構成したもので、これに約１
０６Ｖ／ｃｍ 程度の高電界を印加して発光せしめる。
いう）は、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の半導体を母体
とし、これにマンガン（Ｍｎ）や希土類金属等を発光中
心として添加して発光膜を構成したもので、これに約１
０６Ｖ／ｃｍ 程度の高電界を印加して発光せしめる。
ＥＬ素子の従来構造は一般的に第３図に示す如きもので
あり、電極膜２−１４−で挟んだ発光膜３−を透明のガ
ラス基板ロー上に積層形成する。
あり、電極膜２−１４−で挟んだ発光膜３−を透明のガ
ラス基板ロー上に積層形成する。
図中、５１−１５２−は絶縁膜である。電極膜２′は透
明導電体よりなり、発光膜３−より発した光は電極膜２
′およびガラス基板１−を経て取り出される。
明導電体よりなり、発光膜３−より発した光は電極膜２
′およびガラス基板１−を経て取り出される。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記ＥＬ素子の発光効率は数、１！ｍ／Ｗ以
下と低く、したがって発光時の発熱がかなり大きいとい
う問題がある。上記従来構造では基板１−を熱伝導性の
良くないガラスで構成してあり、このためにＥＬ素子の
温度が上昇して各膜体の剥離を生じ、色ムラの原因とな
っていた。
下と低く、したがって発光時の発熱がかなり大きいとい
う問題がある。上記従来構造では基板１−を熱伝導性の
良くないガラスで構成してあり、このためにＥＬ素子の
温度が上昇して各膜体の剥離を生じ、色ムラの原因とな
っていた。
これを解決するために、例えば特開昭５６−１７３８９
号ではＥＬ素子の上面に放熱板を設けたものが提案され
ているが、これは上記各膜体を樹脂で覆った表面に上記
放熱板を設けるもので、放熱効果は未だ充分とは言えな
い。
号ではＥＬ素子の上面に放熱板を設けたものが提案され
ているが、これは上記各膜体を樹脂で覆った表面に上記
放熱板を設けるもので、放熱効果は未だ充分とは言えな
い。
本発明はかかる問題点に鑑み、発熱を速やかに放散せし
めることができ、高安定かつ長寿命の薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
めることができ、高安定かつ長寿命の薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明の構成を第１図、第２図で説明すると、基板１上
には、発光中心を含む半導体よりなる発光膜３が電極膜
２．４で上下より挟んで形成しである。上記基板１は熱
伝導性良好な金属ないしセラミック焼結体で構成してあ
り、かつ上記発光膜３の上面に位置する電極膜４は透明
導電体で構成しである。
には、発光中心を含む半導体よりなる発光膜３が電極膜
２．４で上下より挟んで形成しである。上記基板１は熱
伝導性良好な金属ないしセラミック焼結体で構成してあ
り、かつ上記発光膜３の上面に位置する電極膜４は透明
導電体で構成しである。
［作用、効果］
電極膜２．４を介して発光膜３に高電界を印加すると、
該発光膜３は発光するとともに発熱する。
該発光膜３は発光するとともに発熱する。
発光は透明な電極膜４を経て取り出される。
一方、発光時に発生した熱は電極膜２を介して基板１に
伝達し、基板１より効率的に放散せしめられる。
伝達し、基板１より効率的に放散せしめられる。
しかして、発熱によるＥＬ素子の温度上昇は抑制され、
高安定かつ長寿命の薄膜ＥＬ素子が実現される。
高安定かつ長寿命の薄膜ＥＬ素子が実現される。
［実施例］
第１図にはＥＬ素子の断面を示し、第２図にはその斜視
図を示す。図中１はステンレス製の基板であり、該基板
１には裏面側に所定深さの溝１１を等間隔で設けて放熱
フィン１ａを形成しである。
図を示す。図中１はステンレス製の基板であり、該基板
１には裏面側に所定深さの溝１１を等間隔で設けて放熱
フィン１ａを形成しである。
基板１の大きさは、例えば縦７Ｑｍｍ、横６０ｍｍ、厚
さ２ｍｍであり、溝１１は幅１ｍｍ、深さ１．８ｍｍ、
溝間隔はｌｌｌ１ｍでおる。
さ２ｍｍであり、溝１１は幅１ｍｍ、深さ１．８ｍｍ、
溝間隔はｌｌｌ１ｍでおる。
基板１の上面には全面にＳｉＯ２ないしＡ、Ｉ！２０３
等の絶縁膜５１を形成し、その上にＡＩよりなる電極膜
２が形成しである。電極膜２は帯状で、平行に形成され
、この上にＹ２Ｏ３等の絶縁膜５２を介して発光膜３が
形成しである。そして、発光膜３の上面にＹ２Ｏ３等の
絶縁膜５３を介して電極膜４が形成され、該電極膜４は
ＩＴＯ等の透明導電体で構成されるとともに上記電極膜
２に直交せしめて帯状に複数形成しである。
等の絶縁膜５１を形成し、その上にＡＩよりなる電極膜
２が形成しである。電極膜２は帯状で、平行に形成され
、この上にＹ２Ｏ３等の絶縁膜５２を介して発光膜３が
形成しである。そして、発光膜３の上面にＹ２Ｏ３等の
絶縁膜５３を介して電極膜４が形成され、該電極膜４は
ＩＴＯ等の透明導電体で構成されるとともに上記電極膜
２に直交せしめて帯状に複数形成しである。
上記各膜の形成は、基板１の表面を研磨、ラッピング、
ポリッシング処理して鏡面となし、この上に真空蒸着な
いしスパッタリング等で形成する。
ポリッシング処理して鏡面となし、この上に真空蒸着な
いしスパッタリング等で形成する。
上記絶縁膜５１、電極膜２、絶縁膜５２、発光膜３、絶
縁膜５３および電極膜４の各膜厚の一例は、Ｓの母体中
にＭｎを発光中心として添加して構成する。
縁膜５３および電極膜４の各膜厚の一例は、Ｓの母体中
にＭｎを発光中心として添加して構成する。
複数の上記電極膜２．４は１００Ｈ７〜５ＫＨ７程度の
交流電源に接続されてあり、これら電極膜２．４間に選
択的に電圧を因果するとこれらの間に存する発光膜４が
発光し、光は透明な上記電極膜４を通って取り出される
。
交流電源に接続されてあり、これら電極膜２．４間に選
択的に電圧を因果するとこれらの間に存する発光膜４が
発光し、光は透明な上記電極膜４を通って取り出される
。
この時発光膜４は発光とともに発熱するが、上記構造の
ＥＬ素子では熱は絶縁膜５２、電極膜２および絶縁膜５
１を経て熱伝導性良好な基板１に至り、放熱フィン１ａ
より効率的に放散される。
ＥＬ素子では熱は絶縁膜５２、電極膜２および絶縁膜５
１を経て熱伝導性良好な基板１に至り、放熱フィン１ａ
より効率的に放散される。
これにより、ＥＬ素子の温度上昇は防止され、各膜の剥
離等を生じることはない。
離等を生じることはない。
上記基板としてはステンレスに限らず、熱伝導性良好な
金属あるいはセラミック焼結体が使用できる。かかるセ
ラミックとしてはｓ；ｃ、ＴｉＮあるいはＡｇＮが良い
。この場合、ＳｉＣは電気絶縁性を有するから、上記実
施例にあける絶縁膜５１は必要としない。
金属あるいはセラミック焼結体が使用できる。かかるセ
ラミックとしてはｓ；ｃ、ＴｉＮあるいはＡｇＮが良い
。この場合、ＳｉＣは電気絶縁性を有するから、上記実
施例にあける絶縁膜５１は必要としない。
基板１の放熱フィン１ａの形状は上記実施例に限られな
い。また、ＥＬ索子の発熱量がそれ程大きくない場合に
は放熱フィンは特には必要ない。
い。また、ＥＬ索子の発熱量がそれ程大きくない場合に
は放熱フィンは特には必要ない。
なお、発光膜の発熱はこれに水分が侵入することによっ
て増大せしめられるから、上記ＥＬ素子の積層膜を透明
ガラス容器で覆って内部を真空とし、もしくは透明シリ
コンオイルで満たして、防湿構造とすると更に良い。
て増大せしめられるから、上記ＥＬ素子の積層膜を透明
ガラス容器で覆って内部を真空とし、もしくは透明シリ
コンオイルで満たして、防湿構造とすると更に良い。
第１図は本発明のエレクトロルミネッセンス素子の全体
断面図、第２図はその全体斜視図、第３図は従来例を示
すエレクトロルミネッセンス素子の全体断面図である。 １・・・・・・基板 １ａ・・・・・・放熱
フィン２・・・・・・電極膜 ３・・・・・・
発光膜４・・・・・・透明電極膜 第１目 第２回
断面図、第２図はその全体斜視図、第３図は従来例を示
すエレクトロルミネッセンス素子の全体断面図である。 １・・・・・・基板 １ａ・・・・・・放熱
フィン２・・・・・・電極膜 ３・・・・・・
発光膜４・・・・・・透明電極膜 第１目 第２回
Claims (5)
- （１）発光中心を含む半導体よりなる発光膜を電極膜で
上下より挟んで基板上に形成し、上記電極膜を介して発
光膜に電界を印加することによりこれを発光せしめる薄
膜エレクトロルミネッセンス素子において、上記基板を
熱伝導性良好な金属ないしセラミック焼結体で構成する
とともに、上記発光膜の上面に位置する電極膜を透明導
電体で構成したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - （２）上記具板をステンレスで構成した特許請求の範囲
第１項記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子。 - （３）上記基板をＳｉＣ，ＡｌＮないしＴｉＮのセラミ
ック焼結体で構成した特許請求の範囲第１項記載の薄膜
エレクトロルミネッセンス素子。 - （４）上記発光膜の上面に位置する電極膜をＩＴＯ膜で
構成した特許請求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子。 - （５）上記基板には下面に放熱フィンを形成した特許請
求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122080A JPS62278790A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122080A JPS62278790A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278790A true JPS62278790A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14827161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122080A Pending JPS62278790A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4983469A (en) * | 1986-11-11 | 1991-01-08 | Nippon Soken, Inc. | Thin film electroluminescent element |
| JP2011138683A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子素子 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122080A patent/JPS62278790A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4983469A (en) * | 1986-11-11 | 1991-01-08 | Nippon Soken, Inc. | Thin film electroluminescent element |
| JP2011138683A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子素子 |
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