JPS62277754A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62277754A JPS62277754A JP61121452A JP12145286A JPS62277754A JP S62277754 A JPS62277754 A JP S62277754A JP 61121452 A JP61121452 A JP 61121452A JP 12145286 A JP12145286 A JP 12145286A JP S62277754 A JPS62277754 A JP S62277754A
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Classifications
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- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
五 発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、多数のビンが植設さｎたＩＣパッケージの製
造方法に関する。
造方法に関する。
（従来の技術）
従来、有機基板をベースとして多数のリードピンが植設
さｎｒ、＝ｔｃパッケージ（ビングリッドアレイ）は、
例えば両面鋼箔を有するガラスエポキシ基板の所望する
部分にドリル孔を明け、無電解めっき等によって孔内の
導通を図り、レジスト像形成、めっき、エツチング等の
工程を経て導体パターンを形成した後、前記めっきを施
した孔にリードピン會多数植設し、プリント配線板との
接続を図ってきた。なお、前記り−ドピンにおいて、挿
入方向と反対側をリードピン頭部と定義すれば、塊状で
はリードピン頭部直径（第１図Ｌ）は１． 、Ｏｆｆ１
ｆｆｌ程度である。
さｎｒ、＝ｔｃパッケージ（ビングリッドアレイ）は、
例えば両面鋼箔を有するガラスエポキシ基板の所望する
部分にドリル孔を明け、無電解めっき等によって孔内の
導通を図り、レジスト像形成、めっき、エツチング等の
工程を経て導体パターンを形成した後、前記めっきを施
した孔にリードピン會多数植設し、プリント配線板との
接続を図ってきた。なお、前記り−ドピンにおいて、挿
入方向と反対側をリードピン頭部と定義すれば、塊状で
はリードピン頭部直径（第１図Ｌ）は１． 、Ｏｆｆ１
ｆｆｌ程度である。
（発明が農法しようとする問題点ン
ＩＣパッケージは年々小型扁そ度化の傾向にある。例え
ば２０８ピンを有する一辺５Ｑｍｍ正方形のピングリッ
ドアレイでは、ＩＣテップ恰載領域が一辺２Ｑｍｍの正
方形程度となるため、残さｎた値域におけるリードピン
頭部の占める割付が大きくて高密度化し無い欠点がある
。また、ビン間の上脚を密にすると配線巾を小さくする
必要があり、より精度の尚い作業が安水さγＬるＭ来と
して歩留まりの点で問題がある。
ば２０８ピンを有する一辺５Ｑｍｍ正方形のピングリッ
ドアレイでは、ＩＣテップ恰載領域が一辺２Ｑｍｍの正
方形程度となるため、残さｎた値域におけるリードピン
頭部の占める割付が大きくて高密度化し無い欠点がある
。また、ビン間の上脚を密にすると配線巾を小さくする
必要があり、より精度の尚い作業が安水さγＬるＭ来と
して歩留まりの点で問題がある。
史にまた、第１図に示すような従来徊造では、はんだ上
げ以前の−・ンドリングの際、ピンが抜は易い欠点もあ
る。
げ以前の−・ンドリングの際、ピンが抜は易い欠点もあ
る。
（問題点を解決するための手段）
以上従来技術の問題点にかんがみ、次の本発明を完成し
た。第２図によって不発明を説明する。
た。第２図によって不発明を説明する。
？縁性を有する配線板用基板１に孔を明けてスルーホー
ルめっき２を形成し、リードピン３を挿入する。次に基
板１の挿入リードピン頭部側の所望する部分にｋｆ２縁
層縁上４成する。この絶縁層は、例えば、スクリーン印
刷機でソルダーレジストや熱硬化性樹脂を塗布しても良
く、接渣用プリプレグあるいを工ＭＣＦ（日立化成社製
）のような片面に銅箔を有する絶縁フィルムを接着剤に
よってその絶縁フィルム仰」と接着させても良い。また
、絶縁層に金属板６ｔ−内蔵して所望する部分に孔明は
ヒ銅箔５と圧着して、熱放散を良くすることもできる。
ルめっき２を形成し、リードピン３を挿入する。次に基
板１の挿入リードピン頭部側の所望する部分にｋｆ２縁
層縁上４成する。この絶縁層は、例えば、スクリーン印
刷機でソルダーレジストや熱硬化性樹脂を塗布しても良
く、接渣用プリプレグあるいを工ＭＣＦ（日立化成社製
）のような片面に銅箔を有する絶縁フィルムを接着剤に
よってその絶縁フィルム仰」と接着させても良い。また
、絶縁層に金属板６ｔ−内蔵して所望する部分に孔明は
ヒ銅箔５と圧着して、熱放散を良くすることもできる。
なお絶Ｍａｌ脂単独の場付は、銅箔のリードピン頭部に
対応した部分が圧；ｆｉｉ＃ｆ？ｆに若干盛り上がるた
め、金属板を内蔵する力が表面平坦化のために好ましい
。
対応した部分が圧；ｆｉｉ＃ｆ？ｆに若干盛り上がるた
め、金属板を内蔵する力が表面平坦化のために好ましい
。
次に、銅箔５の所望する部分（後工程でバイアホール７
とする部分）をエツチング除去し、銅箔５をレジストと
してリードピン頭部に達しかつリードピン頭部より小径
の孔（バイアホール）を設けて孔内を等連させた後、表
面にレジスト像全形放し、所望する導体回路パターン８
を形成スル。パイ１ホール７の＃敢は、ウェットエツチ
ングの他に炭酸ガスレーザなどが使用でき、リードピン
の頭部面で止まる構造となる。なお、パイ１ホール形成
工程では、跳にリードピンが挿入ｎているため、ウェッ
トエツチングｆｔする際は基板から突出している凸部（
リードピンの足）に対応した凹部を有するジグで製画を
保禮するか、成るいはレーザ加工のようなドライ工程が
望ましい。最後に、ＩＣチップを搭載する部分は金属板
６までザグリ１工することで得らｎる。
とする部分）をエツチング除去し、銅箔５をレジストと
してリードピン頭部に達しかつリードピン頭部より小径
の孔（バイアホール）を設けて孔内を等連させた後、表
面にレジスト像全形放し、所望する導体回路パターン８
を形成スル。パイ１ホール７の＃敢は、ウェットエツチ
ングの他に炭酸ガスレーザなどが使用でき、リードピン
の頭部面で止まる構造となる。なお、パイ１ホール形成
工程では、跳にリードピンが挿入ｎているため、ウェッ
トエツチングｆｔする際は基板から突出している凸部（
リードピンの足）に対応した凹部を有するジグで製画を
保禮するか、成るいはレーザ加工のようなドライ工程が
望ましい。最後に、ＩＣチップを搭載する部分は金属板
６までザグリ１工することで得らｎる。
（作用）
表面層のパイ１ホール径１ （Ｍ２図ｔＱ ） ｔ Ｉ
Ｊ−ドビン頭部径Ｌ（第１図）より小さくすることによ
って、配線領域を拡大することができる。
Ｊ−ドビン頭部径Ｌ（第１図）より小さくすることによ
って、配線領域を拡大することができる。
リードピン３上に絶縁層４を形成することによって、リ
ードピンの保持が安定する。また、レーザ加工によって
バイアホールを形成する場曾に、リードピン頭部でレー
ザ光照射を止める効果がある。
ードピンの保持が安定する。また、レーザ加工によって
バイアホールを形成する場曾に、リードピン頭部でレー
ザ光照射を止める効果がある。
実施例
第２図において、絶！９！性を有する厚さ１．５ｍｒａ
のガラス布積層板（日立化成社製ＭＣＬ−Ｅ−６７）１
の所望する部分に０．８φ市の孔全ドリル加工し、その
表ｆおよび孔内に銅めっきを施した後レジスト像を形成
し、次いで通常のエツチング方法で銅めつきを除き所望
部分２だけ七残す。さらに孔にリードピン３を植設して
第１次基板１とする。岸さＱ、 ８ｍｒｎのアルミ板６
（住友社製ＳＤＰ−３０Ｍ−ＰＳ）の所望する部分にリ
ードピン頭部径より大きい孔（φ１．２ ｍｍ ）を設
け、表裏をサンドペーパで研がした仮、５％シランカッ
プリング剤（日立化成社製Ａ−１１００）を塗布し１２
０℃、１０分間ＩＸ１．燥したものに表１に示す組成の
孔埋め樹脂４を充填し、その孔埋めｆｆｌ ＩＪ！を介
してｇＡ？？！３５と第１次基板のリードピン頭部面と
を１５０℃、４．０ｋｇ／（プで３０分間加熱圧着する
。なお、前記孔埋め樹脂はシート状にしたものを加熱圧
着しても良い。次にｇＩＡ箔５のｐ）Ｔ望する部分をエ
ツチングして直径０．１關のレーザ孔明は用ホールを形
成する。このホールに炭酸ガスレーザ（島田理化社製）
を照射してリードピン頭部面に璋するバイアホール７全
形成する。次に、スパッタリング装置（日本真空技術製
）Ｋよりスパッタ脩でパイ１ホール内の導通を図っ１こ
優、銅箔５」二にレジスト像を形成し、４μｍ厚の１気
Ｎｉめっき、続いて１μｍ厚の金めつきを施し、金めつ
きをエツチングレジストとして所望する回路パターン８
を得た。なお、パイ１ホールフ円の尋辿ニは通常の無電
解銅めっきを使用しても良い。最後にＩＣチップを搭載
する部分臀工、アルミ板６までザグリ加工することで得
た。
のガラス布積層板（日立化成社製ＭＣＬ−Ｅ−６７）１
の所望する部分に０．８φ市の孔全ドリル加工し、その
表ｆおよび孔内に銅めっきを施した後レジスト像を形成
し、次いで通常のエツチング方法で銅めつきを除き所望
部分２だけ七残す。さらに孔にリードピン３を植設して
第１次基板１とする。岸さＱ、 ８ｍｒｎのアルミ板６
（住友社製ＳＤＰ−３０Ｍ−ＰＳ）の所望する部分にリ
ードピン頭部径より大きい孔（φ１．２ ｍｍ ）を設
け、表裏をサンドペーパで研がした仮、５％シランカッ
プリング剤（日立化成社製Ａ−１１００）を塗布し１２
０℃、１０分間ＩＸ１．燥したものに表１に示す組成の
孔埋め樹脂４を充填し、その孔埋めｆｆｌ ＩＪ！を介
してｇＡ？？！３５と第１次基板のリードピン頭部面と
を１５０℃、４．０ｋｇ／（プで３０分間加熱圧着する
。なお、前記孔埋め樹脂はシート状にしたものを加熱圧
着しても良い。次にｇＩＡ箔５のｐ）Ｔ望する部分をエ
ツチングして直径０．１關のレーザ孔明は用ホールを形
成する。このホールに炭酸ガスレーザ（島田理化社製）
を照射してリードピン頭部面に璋するバイアホール７全
形成する。次に、スパッタリング装置（日本真空技術製
）Ｋよりスパッタ脩でパイ１ホール内の導通を図っ１こ
優、銅箔５」二にレジスト像を形成し、４μｍ厚の１気
Ｎｉめっき、続いて１μｍ厚の金めつきを施し、金めつ
きをエツチングレジストとして所望する回路パターン８
を得た。なお、パイ１ホールフ円の尋辿ニは通常の無電
解銅めっきを使用しても良い。最後にＩＣチップを搭載
する部分臀工、アルミ板６までザグリ加工することで得
た。
表１
（発明の効果）
本発明によって配線領域が拡大したため、塊状ンベルで
の歩留ｆ９が同上し、尚一層の高密度化に対処可能とな
った。
の歩留ｆ９が同上し、尚一層の高密度化に対処可能とな
った。
本発明によってリードピンの保持が安定Ｌ ７Ｃため、
はんだ上げ以前におけるリードピンの抜は不良が無くな
ったり
はんだ上げ以前におけるリードピンの抜は不良が無くな
ったり
第１図は従来のビングリッドアレイを示す断面図、第２
回置へ（ｑ Ｇ二本発明の方法を示す断面面である。 １・・・・−・絶縁性基板、２・・・・・・銅箔、３・
・−・・・リードピン、４・・・・・・絶縁層、５・・
・・・・銅箔、６・・・・・・金属板、７・・・・・・
パイ１ホール、８・・・・・−表面回路、９・・・・・
・ＩＣテッグ、１０・・・・・・ボンディング用ワイヤ
。 と−一
回置へ（ｑ Ｇ二本発明の方法を示す断面面である。 １・・・・−・絶縁性基板、２・・・・・・銅箔、３・
・−・・・リードピン、４・・・・・・絶縁層、５・・
・・・・銅箔、６・・・・・・金属板、７・・・・・・
パイ１ホール、８・・・・・−表面回路、９・・・・・
・ＩＣテッグ、１０・・・・・・ボンディング用ワイヤ
。 と−一
Claims (1)
- １、多数のリードピンを植設するＩＣパッケージにおい
て、該リードピンの頭部側の所望する部分上に絶縁層を
形成し、該絶縁層表面側から該リードピン頭部に達しか
つリードピン頭部より小さい孔を設け、該絶縁層表面に
導体でライン展開して該リードピンと該ラインとを導通
させることを特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121452A JPS62277754A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121452A JPS62277754A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277754A true JPS62277754A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14811483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121452A Pending JPS62277754A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851724A3 (en) * | 1996-12-26 | 2000-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and electric components |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61121452A patent/JPS62277754A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851724A3 (en) * | 1996-12-26 | 2000-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and electric components |
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