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JPS62272541A - 半導体基板の表面処理方法 - Google Patents

半導体基板の表面処理方法

Info

Publication number
JPS62272541A
JPS62272541A JP61116423A JP11642386A JPS62272541A JP S62272541 A JPS62272541 A JP S62272541A JP 61116423 A JP61116423 A JP 61116423A JP 11642386 A JP11642386 A JP 11642386A JP S62272541 A JPS62272541 A JP S62272541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
substrate
cleaning
film
surface treating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61116423A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyuki Sugino
林志 杉野
Takashi Ito
隆司 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61116423A priority Critical patent/JPS62272541A/ja
Priority to EP87304228A priority patent/EP0246802A3/en
Priority to KR1019870004881A priority patent/KR900004054B1/ko
Publication of JPS62272541A publication Critical patent/JPS62272541A/ja
Priority to US07/747,419 priority patent/US5221423A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔概要〕 本発明の半導体基板の処理の表面屑処理方法はハロゲン
を含む雰囲気中に半導体基板を配置し、紫外線を照射す
ることにより該半導体基板の表面をエツチングした後、
溶液で洗浄することを特徴とし、これにより該半導体基
板表面付近の汚染物質を効率良く除去することができる
ので、膜質の良好なゲート絶縁膜やエピタキシャル膜あ
るいはその他のＣＶＤ膜厚を半導体基板上に形成するこ
とが可ｆ駈となる。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の表面処理方法に関するものであり
、更に詳しく言えば半導体基板上にエピタキシャル膜あ
るいはＣＶＤ１ｉｉｉ等を形成する前の表面処理方法に
関するものである。
〔従来の技術〕
従来より過酸化水素とアンモニアを含む溶液による半導
体基板の表面洗浄方法が知られており。
またかかる溶液洗浄よりも更に半導体基板の表面を清浄
にするものとして、溶液洗浄に前酸化（犠牲酸化ともい
われる。）を加える方法が知られている。
この方法は例えば基板洗浄→酸化膜の形成→該酸化膜の
除去→洗浄→所定の膜の形成という工程を経るものであ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで従来の溶液洗浄に前酸化を加えるという方法は
、まず工程数が多く、かつ酸化膜を形成するなど工程が
煩雑であるという問題点がある。
また酸化膜を形成するときの熱処理により汚染物質が半
導体基板中に拡散してしまい、かえって除去が困難にな
るという問題点がある。特にＭＯＳ−ＶＬＳＩなどの極
めて薄いゲート絶縁膜を形成する場合には、かかる残留
不純物に起因する膜質の劣化が問題となる。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、品質の良好な膜の形成を可ｔＥとする半導体基板
の表面処理方法の提供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体基板の表面処理方法は／Ｘロゲンを含む
雰囲気中に半導体基板を配こし、紫外線を照射すること
により該半導体基板の表面をエツチングした後、溶液で
洗浄することを特徴とする。
〔作用〕
ハロゲンは紫外線照射によってラジカル状態のハロゲン
となり、半導体基板表面をエツチングする。この場合、
熱は加えられないので、表面および表面近傍の基板内に
含まれる汚染物質は半導体基板内に拡散されることなく
確実にエツチング除去される。
同時にナトリウム（Ｎａ−）やカリウム（Ｋｏ）などの
汚染原因物質はハロゲンイオンと化学結合することによ
って効襲的に抽出される。
ハロゲンガスエツチング後の半導体基板の表面には、基
板構成物質（例えばシリコン）とハロゲンとの化合物が
生成されているが、これは次の過酸化水素とアンモニア
を含む溶液による洗浄によって除去される。
〔実施例〕
次に第１図に示すフローチャートを参照しながら本発明
の実施例について説明する。
まず、例えばＰ型シリコン基板をチャンバの所定の位置
に置いた後、エツチングガス用の高純度の塩素ガスを該
チャンバ内に導く。
次にかかるガス雰囲気下でＰ型シリコン基板表面に向け
、波長１５０〜３５０ｎｍの紫外光を照射する。これに
より励起された塩素ガスはラジカル状態の塩素となり、
シリコン基板表面から１１０−１Ｏ０ｎの深さをエツチ
ングする。
次いで流水洗浄を行い、さらに純水ボイルを行う。
次にフッ酸溶液および過酸化水素・アンモニアを含む通
常の溶液洗浄を行う。
この後にシリコン基板を酸化して膜厚 的２０ｎｍの所定の熱酸化膜を形成する。
なお本発明者らの実験したところによると、本発明の実
施例方法によって表面処理した後に作成した熱酸化膜の
絶縁破壊の強さは１０．５ＭＶ／ｃｍであり、一方、溶
液洗浄のみの表面処理後に作成した。＠酸化膜のそれは
９　、５　Ｍ　Ｖ　／　ｃ　ｍであった。従って本発明
の実施例方法によれば、品質の良好な熱酸化膜を形成で
きることが確認された。
なお実施例では１！！素ガスを用いたが、その他のハロ
ゲンガス又はハロゲンを含むガスであっても同様の効果
を得ることがで５る。
〔発明の効果〕
以上説明したように１本発明によれば表面エツチングが
ドライエツチングにより行われるものであるから処理工
程が従来の前酸化を含む工程に比べて簡便となり、また
高熱処理を伴わないので汚染物質が半導体基板中に拡散
することがない、このため表面付近の汚染物質を確実に
エツチング除去することができる。さらにハロゲン系の
エツチングガスはＮａ゛　、に゛などの汚染物質と化学
結合するから、より効果的に汚染物質を基板外に抽出す
ることができる。
またドライエツチング後に基板表面に形成される半導体
基板の構成原子とハロゲン原子の化合物は次の溶液洗浄
により除去されるので、半導体基板の表面は清浄となる
。このため該半導体基板表面上に膜質の良好な酸化膜や
エピタキシャル膜あるいはその他のＣＶＤ膜等を形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係る半導体基板の表面処理方
法を説明するフローチャートである。 −＞／ 不多ヒＢＩヤクレ（？ｒ’Ｊ　’ｅ　ｉジ日耳〒λフロ
ー−ｈ−ｂ第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ハロゲンを含む雰囲気中に半導体基板を配置し、紫外線
    を照射することにより該半導体基板の表面をエッチング
    した後、溶液で洗浄することを特徴とする半導体基板の
    表面処理方法。
JP61116423A 1986-05-20 1986-05-20 半導体基板の表面処理方法 Pending JPS62272541A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61116423A JPS62272541A (ja) 1986-05-20 1986-05-20 半導体基板の表面処理方法
EP87304228A EP0246802A3 (en) 1986-05-20 1987-05-13 Process for cleaning surface of semiconductor substrate
KR1019870004881A KR900004054B1 (ko) 1986-05-20 1987-05-18 반도체 기판의 표면세정 방법
US07/747,419 US5221423A (en) 1986-05-20 1991-08-19 Process for cleaning surface of semiconductor substrate

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JP (1) JPS62272541A (ja)
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EP0246802A2 (en) 1987-11-25
EP0246802A3 (en) 1988-05-25
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KR870011680A (ko) 1987-12-26

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