JPS62245634A - ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 - Google Patents
ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置Info
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- JPS62245634A JPS62245634A JP8927886A JP8927886A JPS62245634A JP S62245634 A JPS62245634 A JP S62245634A JP 8927886 A JP8927886 A JP 8927886A JP 8927886 A JP8927886 A JP 8927886A JP S62245634 A JPS62245634 A JP S62245634A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の微細パターンの形成には、ポジ型レジスト
膜がネガ型より優れているが、リソグラフィ工程の最終
段階でのレジスト膜の除去に当たり、パターン形成条件
によってはレジスト膜の除去が困難となる。本発明はオ
ゾンを含む酸素ガスに基板を曝しつつ基板°を加熱して
ポジ型レジスト膜の除去を容易とした。
膜がネガ型より優れているが、リソグラフィ工程の最終
段階でのレジスト膜の除去に当たり、パターン形成条件
によってはレジスト膜の除去が困難となる。本発明はオ
ゾンを含む酸素ガスに基板を曝しつつ基板°を加熱して
ポジ型レジスト膜の除去を容易とした。
本発明は、リソグラフィの最終工程としてのポジ型レジ
スト膜の除去方法とその装置に関する。
スト膜の除去方法とその装置に関する。
半導体装置のウェハー・プロセスではりソゲラフイエ程
が繰返し行われる。リソグラフィ工程で使用されるレジ
スト膜には、ポジ型とネガ型が使用されるが、集積度の
高い微細パターンの形成には特性の優れたポジ型が使用
される。
が繰返し行われる。リソグラフィ工程で使用されるレジ
スト膜には、ポジ型とネガ型が使用されるが、集積度の
高い微細パターンの形成には特性の優れたポジ型が使用
される。
リソグラフィの最終工程でポジ型レジスト膜を除去す・
□るに際して、す゛・ソグラフィ・プロセスによってレ
ジスト膜の除去が困難となる問題が発生するが、本発明
はこの問題を解決するレジスト膜の除去方法及びその装
置について述べる。
□るに際して、す゛・ソグラフィ・プロセスによってレ
ジスト膜の除去が困難となる問題が発生するが、本発明
はこの問題を解決するレジスト膜の除去方法及びその装
置について述べる。
リソグラフィ工程の終わりウェハー上に残されたレジス
ト膜の剥離には、ウェット法とドライ法が適用される。
ト膜の剥離には、ウェット法とドライ法が適用される。
フェノール系樹脂と有機溶剤よりなるポジ型レジスト膜
の剥離には、ウェット法ではアセトン溶液、あるいは過
酸化水素と硫酸の混合溶液が用いられる。
の剥離には、ウェット法ではアセトン溶液、あるいは過
酸化水素と硫酸の混合溶液が用いられる。
また、ドライ法としては酸素プラズマを含む雰囲気中に
レジスト膜を曝し、灰化（アッシング）する方法も行わ
れる。
レジスト膜を曝し、灰化（アッシング）する方法も行わ
れる。
最近では後者のドライ法が多く使用されている。
上記に述べた、レジスト膜の剥離方法では、ウェハー・
プロセスによっては良好なる剥離特性が得られないとか
、あるいは基板に損傷を与えるとかの問題を生ずる。
プロセスによっては良好なる剥離特性が得られないとか
、あるいは基板に損傷を与えるとかの問題を生ずる。
特に、ウェハー・プロセスでイオンが照射されるドライ
・プロセス（イオン注入等）を含む場合、レジスト膜の
変質を来たし剥離が困難となる。
・プロセス（イオン注入等）を含む場合、レジスト膜の
変質を来たし剥離が困難となる。
このような場合、ウェット法では剥離困難であり、ドラ
イ法ではマイクロ波によるプラズマ発生室と処理室を分
離せるアッシング法では、イオン注入を受けたレジスト
膜は除去されない。
イ法ではマイクロ波によるプラズマ発生室と処理室を分
離せるアッシング法では、イオン注入を受けたレジスト
膜は除去されない。
このためマイクロ波によるプラズマ発生室内に、直接基
板を置いて、酸素ラジカルにレジスト膜を曝す方法が採
られるが、強い酸素ラジカルに曝された基板上の素子領
域あるいはその周辺に損傷を与えるので、修復のための
アニール、ウェットの表面処理等を必要とする。
板を置いて、酸素ラジカルにレジスト膜を曝す方法が採
られるが、強い酸素ラジカルに曝された基板上の素子領
域あるいはその周辺に損傷を与えるので、修復のための
アニール、ウェットの表面処理等を必要とする。
（問題点を解決するための手段〕
ポジ型レジスト膜は、空気中で基板を５５０ ”ｃに加
熱することにより除去されることが知られている。イオ
ン注入を受けたレジスト膜でも６００ ”ｃまで加熱す
ることにより除去される。
熱することにより除去されることが知られている。イオ
ン注入を受けたレジスト膜でも６００ ”ｃまで加熱す
ることにより除去される。
然し上記加熱温度は、レジスト剥離プロセスとしては温
度が高すぎるため実際のプロセスとしては使用が困難で
ある。
度が高すぎるため実際のプロセスとしては使用が困難で
ある。
本発明では、オゾンを含む酸素雰囲気中にレジスト膜を
曝すことにより、加熱温度を約４００℃前後まで低下可
能となることを見出し実用化せるものである。
曝すことにより、加熱温度を約４００℃前後まで低下可
能となることを見出し実用化せるものである。
即ち、オゾンを含む酸素ガス雰囲気中にレジスト膜を曝
しつつ、基板を３７０℃以上に加熱する本発明のポジ型
レジスト膜の除去方法によって解決される。
しつつ、基板を３７０℃以上に加熱する本発明のポジ型
レジスト膜の除去方法によって解決される。
本発明に使用する装置としては、オゾンを含む酸素ガス
導入孔と排出孔を備えた真空槽、該真空槽の壁面には輻
射線透過窓、該輻射線透過窓を通して前記真空槽内に保
持された基板に輻射線を照射する機構を備えた装置が用
いられる。
導入孔と排出孔を備えた真空槽、該真空槽の壁面には輻
射線透過窓、該輻射線透過窓を通して前記真空槽内に保
持された基板に輻射線を照射する機構を備えた装置が用
いられる。
オゾン（Ｏｌ）ガスは強い酸化力を有することが知られ
ている。レジスト膜の除去は酸化作用によるガスとして
排出されるが、オゾンに曝すことにより酸化温度を大幅
に低下させることが可能となる。
ている。レジスト膜の除去は酸化作用によるガスとして
排出されるが、オゾンに曝すことにより酸化温度を大幅
に低下させることが可能となる。
ポジ型レジスト膜をオゾン雰囲気に曝した場合、約３７
０℃より除去が始まる。
０℃より除去が始まる。
本発明に用いるポジ型レジスト膜の除去に用いる装置と
除去方法の一実施例を図面により詳細説明する。
除去方法の一実施例を図面により詳細説明する。
１は真空容器よりなる処理槽でオゾンを含む酸素ガスの
導入孔２、ガス排出孔３を備えている。
導入孔２、ガス排出孔３を備えている。
処理槽１の一壁面には輻射線透過窓４が備えられている
。
。
本装置では赤外線による加熱を利用するので、輻射線透
過窓としては、石英ガラス、あるいは赤外線透過特性の
良好なるガラスでよい。
過窓としては、石英ガラス、あるいは赤外線透過特性の
良好なるガラスでよい。
反射鏡を備えた赤外線ランプ５が処理槽の外に設置され
、輻射線透過窓４を通して処理槽内の基板７の裏面より
赤外線を照射する。
、輻射線透過窓４を通して処理槽内の基板７の裏面より
赤外線を照射する。
加熱温度は赤外線ランプの電源コントローラ６により制
御される。
御される。
オゾン発生器よりオゾン数％を含む酸素ガスが５〜１０
ｊ’ ／ｗｉｎの流量で導入孔２より処理槽に導入さ
れる。
ｊ’ ／ｗｉｎの流量で導入孔２より処理槽に導入さ
れる。
必要に応じて、上記ガスを基板面上のポジ型レジスト膜
９に均一に噴出させるためガス整流板８が設けられる。
９に均一に噴出させるためガス整流板８が設けられる。
オゾンを含む雰囲気に基板を曝しつつ、赤外線ランプの
照射により基板を加熱すると、基板温度が約３７０℃よ
りレジスト膜９の除去が始まり、実用的には４００℃で
約１μｍ／ｗｉｎの処理速度が得られる。
照射により基板を加熱すると、基板温度が約３７０℃よ
りレジスト膜９の除去が始まり、実用的には４００℃で
約１μｍ／ｗｉｎの処理速度が得られる。
本発明のレジスト膜の除去方法は、基板上でオゾンを含
むガスに直接曝された領域のみレジスト膜の除去作用が
進むので、この特性を利用して、上記ガス整流板の噴出
孔を選択的に設けることによりレジスト膜の選択的除去
も可能となる。
むガスに直接曝された領域のみレジスト膜の除去作用が
進むので、この特性を利用して、上記ガス整流板の噴出
孔を選択的に設けることによりレジスト膜の選択的除去
も可能となる。
以上に説明せるごと（本発明のレジスト膜の除去方法と
その装置により、従来のドライ・アッシング法における
基板上に直接荷電粒子の衝突の問題がなく、半導体素子
機能に損傷を起こさせる欠陥の発生の心配もなくなる。
その装置により、従来のドライ・アッシング法における
基板上に直接荷電粒子の衝突の問題がなく、半導体素子
機能に損傷を起こさせる欠陥の発生の心配もなくなる。
図面は本発明にかかわるポジ型レジスト膜除去装置の構
造を模式的に断面図で示す。 図面において、 １は処理槽、 ２はオゾンを含む酸素ガスの導入孔、 ３はガス排出孔、 ４は輻射線透過窓１． ５は赤外線ランプ、 ６は電源コントローラ、 ７は基板、 ８はガス整流板、 ９はポジ型レジスト膜、 をそれぞれ示す。
造を模式的に断面図で示す。 図面において、 １は処理槽、 ２はオゾンを含む酸素ガスの導入孔、 ３はガス排出孔、 ４は輻射線透過窓１． ５は赤外線ランプ、 ６は電源コントローラ、 ７は基板、 ８はガス整流板、 ９はポジ型レジスト膜、 をそれぞれ示す。
Claims (2)
- （１）リソグラフィの最終工程としてのポジ型レジスト
膜（９）の除去方法として、 オゾンを含む酸素ガス雰囲気中に該レジスト膜を曝しつ
つ、基板（７）を３７０℃以上に加熱することを特徴と
するポジ型レジスト膜の除去方法。 - （２）オゾンを含む酸素ガス導入孔（２）と排出孔（３
）を備えた真空槽（１）、該真空槽の壁面には輻射線透
過窓（４）、該輻射線透過窓を通して前記真空槽内に保
持された基板（７）に輻射線を照射する機構（５）、（
６）を含むことを特徴とするポジ型レジスト膜の除去装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8927886A JPS62245634A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8927886A JPS62245634A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245634A true JPS62245634A (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=13966255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8927886A Pending JPS62245634A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245634A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110432U (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | ||
| JPH023921A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| WO2005043603A3 (en) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Wafermasters Inc | Integrated ashing and implant annealing method |
| JP2009124134A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-06-04 | Applied Materials Inc | フォトレジストテンプレートマスクを用いて頻度を倍にする方法 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8927886A patent/JPS62245634A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110432U (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | ||
| JPH023921A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| WO2005043603A3 (en) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Wafermasters Inc | Integrated ashing and implant annealing method |
| US7141513B2 (en) | 2003-10-20 | 2006-11-28 | Wafermasters, Inc. | Integrated ashing and implant annealing method using ozone |
| JP2009124134A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-06-04 | Applied Materials Inc | フォトレジストテンプレートマスクを用いて頻度を倍にする方法 |
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