JPS6211575A - 単分子膜形成方法 - Google Patents
単分子膜形成方法Info
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- JPS6211575A JPS6211575A JP14819485A JP14819485A JPS6211575A JP S6211575 A JPS6211575 A JP S6211575A JP 14819485 A JP14819485 A JP 14819485A JP 14819485 A JP14819485 A JP 14819485A JP S6211575 A JPS6211575 A JP S6211575A
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- JP
- Japan
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- monomolecular film
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- roll
- layer
- film
- Prior art date
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェブ状基体上又はウェブ状基体に設けられた
層上に両親媒性分子の単分子膜を連続的に形成する方法
に関する。
層上に両親媒性分子の単分子膜を連続的に形成する方法
に関する。
従来、ガラス、金属材料、金属蒸着膜、等の基体上に有
機化合物の薄膜を形成することが種々性われておシ、そ
の１つとして両親媒性分子の単分子層を設ける方法が例
えばラングミュア等（Ｌａｏｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅ
ｔｔ、 ”Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｕｉｅｗ”、 ５１
゜６６４（１９３７）によって提案されている。この方
法は１両親媒性分子である飽和脂肪酸ヲハンゼン等の揮
発性溶媒に溶解した溶液を水面上に静から滴下すると、
溶媒が揮発したあとに単分子膜が残される。このように
して形成された単分子層を圧縮して所定の表面圧にした
後に、ガラス基板を水中に浸°漬して引上げるとガラス
表面に単分子膜が形成される。この場合ガラス基板を引
き上げると第４図に示すように単分子膜の水に面してい
る親水層が基板側に付き、疎水基（又は親油基）が表、
面に並ぶ単分子膜構成となるＣ人形膜と称する）。
機化合物の薄膜を形成することが種々性われておシ、そ
の１つとして両親媒性分子の単分子層を設ける方法が例
えばラングミュア等（Ｌａｏｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅ
ｔｔ、 ”Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｕｉｅｗ”、 ５１
゜６６４（１９３７）によって提案されている。この方
法は１両親媒性分子である飽和脂肪酸ヲハンゼン等の揮
発性溶媒に溶解した溶液を水面上に静から滴下すると、
溶媒が揮発したあとに単分子膜が残される。このように
して形成された単分子層を圧縮して所定の表面圧にした
後に、ガラス基板を水中に浸°漬して引上げるとガラス
表面に単分子膜が形成される。この場合ガラス基板を引
き上げると第４図に示すように単分子膜の水に面してい
る親水層が基板側に付き、疎水基（又は親油基）が表、
面に並ぶ単分子膜構成となるＣ人形膜と称する）。
またガラス基板を浸漬すると第５図のように疎水基（又
は親油基）が基板側に付き親水基が表面に並ぶ単分子膜
構成となるＣＢ形膜と称する）。
は親油基）が基板側に付き親水基が表面に並ぶ単分子膜
構成となるＣＢ形膜と称する）。
（「薄膜ハンドブックＪ、２６８〜２６９頁１日本学術
振興会編、昭和５８年１２月、■オーム社発行）。
振興会編、昭和５８年１２月、■オーム社発行）。
このような方法による単分子層が最近エレクトロニクス
等の分野において絶縁層等に利用されるようになシ、種
々の改良が提案されている（例えば、特開昭５２−９８
０３８号公報）。
等の分野において絶縁層等に利用されるようになシ、種
々の改良が提案されている（例えば、特開昭５２−９８
０３８号公報）。
また、本出願人は、先に蒸着又は電解メッキ等によって
支持体上に強磁性合金薄膜を形成した磁気記録媒体にこ
の方法を利用して飽和脂肪酸またはその金属塩の単分子
層を保護層として設けることを提案した（特公昭５６−
３０６０９号公報）。
支持体上に強磁性合金薄膜を形成した磁気記録媒体にこ
の方法を利用して飽和脂肪酸またはその金属塩の単分子
層を保護層として設けることを提案した（特公昭５６−
３０６０９号公報）。
これらの改良方法においては、例えば第３図に示すよう
に、タンク１の下層液（水層）２の表面にベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶解したステアリン酸、パ
ルミチン酸の如き飽和脂肪酸の溶液を滴下して水面上に
飽和脂肪酸の単分子層を形成させ、水面下に一部が浸漬
しているシリンダー５等の適当な圧縮手段によって単分
子層４を圧縮して固体状単分子膜（凝集膜）６となし。
に、タンク１の下層液（水層）２の表面にベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶解したステアリン酸、パ
ルミチン酸の如き飽和脂肪酸の溶液を滴下して水面上に
飽和脂肪酸の単分子層を形成させ、水面下に一部が浸漬
しているシリンダー５等の適当な圧縮手段によって単分
子層４を圧縮して固体状単分子膜（凝集膜）６となし。
水中に設けられたガイｒローラ７によって案内される基
体８の表面に単分子膜９が形成される。この場合、基体
の引き上げ時に単分子膜全形成すればＡ形膜引き込れ時
にはＢ形膜が形成される。基体に付着してはこび出され
る分の単分子層は、ノズルから脂肪酸溶液を供給するこ
とによって補結される。
体８の表面に単分子膜９が形成される。この場合、基体
の引き上げ時に単分子膜全形成すればＡ形膜引き込れ時
にはＢ形膜が形成される。基体に付着してはこび出され
る分の単分子層は、ノズルから脂肪酸溶液を供給するこ
とによって補結される。
前記技術は下層液（水相）上への固体膜の形成を連続的
に行うという点から、従来のパッチ式に比べて大きな進
歩であるが、工業的生産という観点からみると、例えば
人形膜を作る場合、基体上への単分子膜の転写過程にお
いて、基体の移動速度を非常におそくしなければならな
いと云う欠点がある。すなわち、人形膜を作る場合、基
体の引き上げ速度を速くすると、下層液をも一緒に引き
上げ、これが単分子膜の下に入シこんでしまい、この蒸
発が単分子層に阻害されて非常におそいと共に、完全に
蒸発した後も形成される単分子膜のち密度に欠陥を生じ
させるからである。
に行うという点から、従来のパッチ式に比べて大きな進
歩であるが、工業的生産という観点からみると、例えば
人形膜を作る場合、基体上への単分子膜の転写過程にお
いて、基体の移動速度を非常におそくしなければならな
いと云う欠点がある。すなわち、人形膜を作る場合、基
体の引き上げ速度を速くすると、下層液をも一緒に引き
上げ、これが単分子膜の下に入シこんでしまい、この蒸
発が単分子層に阻害されて非常におそいと共に、完全に
蒸発した後も形成される単分子膜のち密度に欠陥を生じ
させるからである。
さらにまた、これらの従来方式においては、基体を−た
ん下層液に引き入れなければならないので、基体全体が
下層液、例えば水で濡らされることになシ、基体の種類
によっては好ましくなり、、また、乾燥に手間がかかる
等の問題がある。
ん下層液に引き入れなければならないので、基体全体が
下層液、例えば水で濡らされることになシ、基体の種類
によっては好ましくなり、、また、乾燥に手間がかかる
等の問題がある。
また、場合によっては基体のバック面にも単分子層が付
着したり１例えば引き上げ法によって人形膜を形成する
場合、基体を水中に引き入れる時にＢ形膜が形成される
可能性があるので、これらが生じないよう単分子層の移
行可能な範囲を制限するために特別な手段全槽する必要
がある。
着したり１例えば引き上げ法によって人形膜を形成する
場合、基体を水中に引き入れる時にＢ形膜が形成される
可能性があるので、これらが生じないよう単分子層の移
行可能な範囲を制限するために特別な手段全槽する必要
がある。
従って本発明の目的は上記の如き問題音生ずることなく
、高速で単分子膜を基体に形成させる方法を提供するこ
とに６る。
、高速で単分子膜を基体に形成させる方法を提供するこ
とに６る。
本発明の他の目的は、基体を水中に浸漬することなく基
体に単分子膜を形成させる方法を提供することにある。
体に単分子膜を形成させる方法を提供することにある。
本発明者らは種々検討を重ねた結果、上記目的は「２本
ロール」方式を利用することによって達成できることを
見出し本発明を得ることができた。
ロール」方式を利用することによって達成できることを
見出し本発明を得ることができた。
すなわち、本発明は、両親媒性分子の単分子膜をウェブ
状基体上に形成する方法において、下層液上に展開され
た固体状単分子膜ｆ、、回転軸が水平に設定され、その
一部が上記液中に浸漬された第１の回転ロールにより適
量の下層液と共に引き上げ、前記第１のロールの上方に
近接して適当な小間隙を保って配置された第２の回転ロ
ールに密着しながら移動するウェブとの間に液だまｂｔ
影形成ながら該ウェブ上に前記単分子膜を転写すること
を特徴とする単分子膜形成方法である。
状基体上に形成する方法において、下層液上に展開され
た固体状単分子膜ｆ、、回転軸が水平に設定され、その
一部が上記液中に浸漬された第１の回転ロールにより適
量の下層液と共に引き上げ、前記第１のロールの上方に
近接して適当な小間隙を保って配置された第２の回転ロ
ールに密着しながら移動するウェブとの間に液だまｂｔ
影形成ながら該ウェブ上に前記単分子膜を転写すること
を特徴とする単分子膜形成方法である。
以下、本発明を蒸着型磁気記録媒体に保護層を設ける場
合について説明するが、本発明は、これのみに限られず
、エレクトロニクスその他の分野における単分子膜の形
成に応用できることは勿論である。
合について説明するが、本発明は、これのみに限られず
、エレクトロニクスその他の分野における単分子膜の形
成に応用できることは勿論である。
第１図は本発明の１例を示す説明であってタンク１内の
下層液（水層）２にノズル３から両親媒性分子を揮発性
溶媒に溶解した溶液を適下Ｋ、下層液面上に両親媒性分
子の単分子層４′ｔ−形成させる。
下層液（水層）２にノズル３から両親媒性分子を揮発性
溶媒に溶解した溶液を適下Ｋ、下層液面上に両親媒性分
子の単分子層４′ｔ−形成させる。
揮発性溶媒としては、ヘキサン、クロロホルム。
ジクロロメタン（ンゼン等が用いられ、両親媒性分子と
しては、保護層として用いる場合は、トリデカン酸、ミ
リスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリ
ン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸等の炭
素数１３〜２１の直鎖型脂肪酸又はこれらのＬｉ、Ｎａ
、に、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の塩が用いられる。下層液と
しては一般に純水または無機塩等の水溶液が用いられる
。好ましい下層液はＣａ 、Ｃｄ 、Ｂａ 、Ｍ
ｇ 等の二価の金属イオンを含み、炭酸、炭酸水素
す） リウムを加えてｐＨ？調整したものである。
しては、保護層として用いる場合は、トリデカン酸、ミ
リスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリ
ン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸等の炭
素数１３〜２１の直鎖型脂肪酸又はこれらのＬｉ、Ｎａ
、に、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の塩が用いられる。下層液と
しては一般に純水または無機塩等の水溶液が用いられる
。好ましい下層液はＣａ 、Ｃｄ 、Ｂａ 、Ｍ
ｇ 等の二価の金属イオンを含み、炭酸、炭酸水素
す） リウムを加えてｐＨ？調整したものである。
次に、水面上く形成された単分子層を圧縮して塗布域に
導く。このためＫは、例えばテフロンやポリエチレンの
如き疎水性材料か、ノぞイレックスガラスやアルミニウ
ム合金の如き材料よシなるシリンダ５を水中に一部浸漬
し、矢印方向に回転させて表面の単分子層４だけを塗布
域に送って圧縮し、固体状単分子膜層６ｙ＆−形成させ
る。
導く。このためＫは、例えばテフロンやポリエチレンの
如き疎水性材料か、ノぞイレックスガラスやアルミニウ
ム合金の如き材料よシなるシリンダ５を水中に一部浸漬
し、矢印方向に回転させて表面の単分子層４だけを塗布
域に送って圧縮し、固体状単分子膜層６ｙ＆−形成させ
る。
塗布域には第１の回転ロール１０が回転軸を水平に設定
し、その一部が液中に浸漬するように設けられておシ、
またその上方に近接して適当な小間隙を保って第２の回
転ロール１）が回転ロール１０と平行に設けられ、ウェ
ブ状基体８ｔ−矢印方向に連続的に走行させる。第１回
転ロール１０は下層液と親和性のあるステンレス鋼等よ
シなシ、矢印方向に回転させることにより適量の下層液
と共に下層液水面よシ、第１回転ロール上液面及び前記
液溜まシ表面を介して、固体状単分子膜６のみが基体８
に転写され、基体上に単分子膜９αを形成する。その際
第１回転ロールの表面速度ｖ０はロール表面の液膜及び
前記液溜まシを維持できる範囲で低速に保つことが望ま
しい、ｔた条件によっては、一旦液溜ｔシが形成された
あとは、第１回転ロールの回転を停止しても、ロール表
面の液膜と液溜まシを維持できる場合もある。以上述べ
た本発明の固体単分子膜の転写プロセスを第３図に示す
従来方式と比較すると、従来方式では固体単分子膜の転
写が下層液面上で行われると共Ｋ。
し、その一部が液中に浸漬するように設けられておシ、
またその上方に近接して適当な小間隙を保って第２の回
転ロール１）が回転ロール１０と平行に設けられ、ウェ
ブ状基体８ｔ−矢印方向に連続的に走行させる。第１回
転ロール１０は下層液と親和性のあるステンレス鋼等よ
シなシ、矢印方向に回転させることにより適量の下層液
と共に下層液水面よシ、第１回転ロール上液面及び前記
液溜まシ表面を介して、固体状単分子膜６のみが基体８
に転写され、基体上に単分子膜９αを形成する。その際
第１回転ロールの表面速度ｖ０はロール表面の液膜及び
前記液溜まシを維持できる範囲で低速に保つことが望ま
しい、ｔた条件によっては、一旦液溜ｔシが形成された
あとは、第１回転ロールの回転を停止しても、ロール表
面の液膜と液溜まシを維持できる場合もある。以上述べ
た本発明の固体単分子膜の転写プロセスを第３図に示す
従来方式と比較すると、従来方式では固体単分子膜の転
写が下層液面上で行われると共Ｋ。
転写部における液溜ｔｂのサイズは十分に大きｂのに対
し、本発明では固体単分子膜の転写が第１回転ロール上
方の液溜まシで行われるため、液溜′！！シ内部に重力
により負圧が作用するほか、液溜１シのサイズも小さい
ため、液溜ｉシよシ下層液が基体に引き上げられる傾向
が抑制されることになシ、これによって高速度での単分
子膜転写が可能になっているものと考えられる。またそ
の場合第１回転ロールの速度が低いほど上記抑制効果が
大きくなることが理解できる。
し、本発明では固体単分子膜の転写が第１回転ロール上
方の液溜まシで行われるため、液溜′！！シ内部に重力
により負圧が作用するほか、液溜１シのサイズも小さい
ため、液溜ｉシよシ下層液が基体に引き上げられる傾向
が抑制されることになシ、これによって高速度での単分
子膜転写が可能になっているものと考えられる。またそ
の場合第１回転ロールの速度が低いほど上記抑制効果が
大きくなることが理解できる。
第１図に例示する態様において第１回転ロール１０の径
は、５ｍ＋＋＋〜５０箇程度が好ましい。５ｍ以下では
高速での転写が困難になＦ）、５０ｔｍ以上ではロール
表面の液膜及び液溜まシの安定な維持が困難になる。こ
のように比較的細い径のロールを用いるため、基体の幅
が広くなシ、ロール全体もそれに応じて長くなると、ａ
−ルがたわみ支障を引き起こす場合があるので、その場
合はロールの下にテフロンなど滑りやすい素材でバック
アップを用いることが望ましい、一方策２同転ロール１
）の径は第１回転ロールの径と略同等でよいが。
は、５ｍ＋＋＋〜５０箇程度が好ましい。５ｍ以下では
高速での転写が困難になＦ）、５０ｔｍ以上ではロール
表面の液膜及び液溜まシの安定な維持が困難になる。こ
のように比較的細い径のロールを用いるため、基体の幅
が広くなシ、ロール全体もそれに応じて長くなると、ａ
−ルがたわみ支障を引き起こす場合があるので、その場
合はロールの下にテフロンなど滑りやすい素材でバック
アップを用いることが望ましい、一方策２同転ロール１
）の径は第１回転ロールの径と略同等でよいが。
たわみを防止する意味で１０ｗ〜１００ｍ程度が好まし
い。
い。
基体８としては、蒸着テープの場合は、例えばホリエチ
レンテレフタレートフィルムｆＣＣｏ−Ｎｉ 系合金を
蒸着した強磁性簿膜を有する蒸着型磁気記録媒体等が用
いられ、上記の操作により強磁性薄膜上の飽和脂肪酸の
単分子膜よりなる保護層が形成される。
レンテレフタレートフィルムｆＣＣｏ−Ｎｉ 系合金を
蒸着した強磁性簿膜を有する蒸着型磁気記録媒体等が用
いられ、上記の操作により強磁性薄膜上の飽和脂肪酸の
単分子膜よりなる保護層が形成される。
本発明で用いられる基本としては、上記のものに限定さ
れず、他のタイプの強磁性薄膜、例えば、電解メッキ、
又は無電解メッキ等によって形成された薄膜を有する磁
気記録媒体であってもよく、さらに磁気記録媒体のみな
らず、他の材料であってもよい。また、必要力らば、上
記操作をくシ返すことＫよシ所望数の単分子層からなる
重ｔｔｔ’ｅ形成させることができる。
れず、他のタイプの強磁性薄膜、例えば、電解メッキ、
又は無電解メッキ等によって形成された薄膜を有する磁
気記録媒体であってもよく、さらに磁気記録媒体のみな
らず、他の材料であってもよい。また、必要力らば、上
記操作をくシ返すことＫよシ所望数の単分子層からなる
重ｔｔｔ’ｅ形成させることができる。
上記、第１図の場合は、基体に付着する単分子膜の極基
基が人形膜（第４図）の場合であったが、第２図のよう
に第２回転ロール１）の回転を逆にし、基体８の走行方
向を矢印方向にすると、Ｂ形膜（第５図）を形成させる
ことができる。
基が人形膜（第４図）の場合であったが、第２図のよう
に第２回転ロール１）の回転を逆にし、基体８の走行方
向を矢印方向にすると、Ｂ形膜（第５図）を形成させる
ことができる。
この場合は液だまシから基体の離れる部分において、基
体と第１回転ロールが同一方向に進むため、第１図の場
合と事情が大いに異ってくる。即ち、第２図において基
体８への下層液の転写を抑制するために、第１回転ロー
ルの表面速度Ｕ□は同ロール上の液膜が乱れない限シ高
速くすることが望ましい。−万両ロールの径についても
第１図の場合と異る。第１回転ロールは高い表面速度を
安定に得るために５０瓢〜２００ｍ程度の比較的大径が
、第２回転ロールも第１回転ロールと同等に５０ｍ〜２
００ｍ＋程度が望ましい。
体と第１回転ロールが同一方向に進むため、第１図の場
合と事情が大いに異ってくる。即ち、第２図において基
体８への下層液の転写を抑制するために、第１回転ロー
ルの表面速度Ｕ□は同ロール上の液膜が乱れない限シ高
速くすることが望ましい。−万両ロールの径についても
第１図の場合と異る。第１回転ロールは高い表面速度を
安定に得るために５０瓢〜２００ｍ程度の比較的大径が
、第２回転ロールも第１回転ロールと同等に５０ｍ〜２
００ｍ＋程度が望ましい。
次に本発明を蒸着磁気テープに保護層を設ける場合に適
用した実施例について説明する。
用した実施例について説明する。
真空蒸着装置中に２５μｍ厚５０ｃｌＩ＠巾のポリエチ
レンテレフタレートフィルムを設置し、 Ｃｏ７５重量
％、Ｎ１２５重量％の組成のもの全蒸発源フィラメント
より真空度５．０ ＋ １０ Ｔｏｒｒ中で該フィル
ム上に０．３μｍの厚さとなるように蒸着せしめた。
レンテレフタレートフィルムを設置し、 Ｃｏ７５重量
％、Ｎ１２５重量％の組成のもの全蒸発源フィラメント
より真空度５．０ ＋ １０ Ｔｏｒｒ中で該フィル
ム上に０．３μｍの厚さとなるように蒸着せしめた。
第１図に示すような装置のタンク１の水面上に（ンゼン
ｘｏｏｃｃあたυＯ，ＯＯ５、！ｉ’の）ξルミテン酸
を溶解した溶液を滴下し単分子層全形成させ。
ｘｏｏｃｃあたυＯ，ＯＯ５、！ｉ’の）ξルミテン酸
を溶解した溶液を滴下し単分子層全形成させ。
テフロン製のシリンダ５により圧縮して固体単分子層と
した。
した。
第１の回転ロール１０は通約２０態のステンレススチー
ル製ロール、第２の回転ロール１）は同径のステンレス
スチール製ロールを用い、上記蒸着フィルム全第２回転
ロール１）に密着させて走行し、両者間に液だまシ（ビ
ード）？作って単分子膜を水面からフィルム面に転写さ
せてノルミチン酸の単分子膜からなる保護層を連続的に
形成させた。この場合、第１回転ロールの回転数ｖ１は
１０ ｒ、ｐ、ｍ、第２回転ロールの回転数■２は１０
０ｒ、ｐ、ｍ、でテープの走行速度は６．３ ｍ ／
ｍｉｎで良好な保護層を形成させることができる。
ル製ロール、第２の回転ロール１）は同径のステンレス
スチール製ロールを用い、上記蒸着フィルム全第２回転
ロール１）に密着させて走行し、両者間に液だまシ（ビ
ード）？作って単分子膜を水面からフィルム面に転写さ
せてノルミチン酸の単分子膜からなる保護層を連続的に
形成させた。この場合、第１回転ロールの回転数ｖ１は
１０ ｒ、ｐ、ｍ、第２回転ロールの回転数■２は１０
０ｒ、ｐ、ｍ、でテープの走行速度は６．３ ｍ ／
ｍｉｎで良好な保護層を形成させることができる。
本発明によるときは、ラングミュア法を利用して下層液
を随伴することなく、高速で基体に単分子膜全形成させ
ることができ、また単分子膜の形成を基体全水中に引き
入れることなく行うので。
を随伴することなく、高速で基体に単分子膜全形成させ
ることができ、また単分子膜の形成を基体全水中に引き
入れることなく行うので。
基体が水に濡れたり、基体のバック層に単分子層が付着
する等の現象を生ずることなく所望の単分子膜全形成す
ることができる。
する等の現象を生ずることなく所望の単分子膜全形成す
ることができる。
第１図は本発明（反対方向回転）の一実施例の説明図。
第２図は本発明（同一方向回転）の他の一実施例の説明
図。 第３図は従来技術の一実施例の説明図 第４図は人形膜の原理図 第５図はＢ形膜の原理図である。 １・・・タンク、 ２・・・下層液（水層）
３・・・ノズル、 ４・・・単分子管第
１）１ １）３ 図
図。 第３図は従来技術の一実施例の説明図 第４図は人形膜の原理図 第５図はＢ形膜の原理図である。 １・・・タンク、 ２・・・下層液（水層）
３・・・ノズル、 ４・・・単分子管第
１）１ １）３ 図
Claims (3)
- （１）両親媒性分子の単分子膜をウェブ状基体上に形成
する方法において、下層液上に展開された固体状単分子
膜を、回転軸が水平に設定され、その一部が上記液中に
浸漬された第１の回転ロールにより適量の下層液と共に
引き上げ、前記第１のロールの上方に近接して適当な小
間隙を保つて配置された第２の回転ロールに密着しなが
ら移動するウェブとの間に液だまりを形成しながら該ウ
ェブ上に前記単分子膜を転写することを特徴とする単分
子膜形成方法。 - （２）第１のロール表面と移動ウェブが液だまりの形成
される部分において反対方向に進行する特許請求の範囲
第（１）項に記載の単分子膜形成方法。 - （３）第１のロール表面と移動ウェブが液だまりの形成
される部分において同一方向に進行する特許請求の範囲
第（１）項に記載の単分子膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14819485A JPS6211575A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 単分子膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14819485A JPS6211575A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 単分子膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211575A true JPS6211575A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0563232B2 JPH0563232B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=15447357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14819485A Granted JPS6211575A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 単分子膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312259A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-21 | Nippon Laser Denshi Kk | 単分子膜の累積装置 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14819485A patent/JPS6211575A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312259A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-21 | Nippon Laser Denshi Kk | 単分子膜の累積装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563232B2 (ja) | 1993-09-10 |
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