JPS6211301A - 伝送回路素子 - Google Patents
伝送回路素子Info
- Publication number
- JPS6211301A JPS6211301A JP60150796A JP15079685A JPS6211301A JP S6211301 A JPS6211301 A JP S6211301A JP 60150796 A JP60150796 A JP 60150796A JP 15079685 A JP15079685 A JP 15079685A JP S6211301 A JPS6211301 A JP S6211301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- circuit element
- transmission circuit
- layer
- film pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 39
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の送信機、受信器、計測器等に用
いることができる伝送回路素子に関するものである。
いることができる伝送回路素子に関するものである。
従来の技術
近年、情報化社会の進展に伴い、大量のデータを送受信
できる、より高い周波数を扱う装置の開発が活発である
。能動素子と受動素子が同一基板上に作られているモノ
リシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の中で、フィ
ルターとして動作するものとして、半波長側結合フィル
ターが多く用いられている０（例えば、倉石源三部「マ
イクロ波回路Ｊ（１９８３年）東京電機大学出版局。
できる、より高い周波数を扱う装置の開発が活発である
。能動素子と受動素子が同一基板上に作られているモノ
リシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の中で、フィ
ルターとして動作するものとして、半波長側結合フィル
ターが多く用いられている０（例えば、倉石源三部「マ
イクロ波回路Ｊ（１９８３年）東京電機大学出版局。
Ｐ２Ｏ３）
以下図面を説明しながら上述したような従来の伝送回路
素子について説明する。
素子について説明する。
第４図は従来の伝送回路素子の半波長側結合フィルター
の概略図を示すものである。第４図において、１１は誘
電体基板、１２は金属薄膜片である。金属薄膜片１２は
波長が使用周波数の棒波長の長さで、互いに％波長づつ
個結合しておシ、両端の金属薄膜片を電極とする帯域通
過フィルターとして働く。
の概略図を示すものである。第４図において、１１は誘
電体基板、１２は金属薄膜片である。金属薄膜片１２は
波長が使用周波数の棒波長の長さで、互いに％波長づつ
個結合しておシ、両端の金属薄膜片を電極とする帯域通
過フィルターとして働く。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述のような構成では、ＭＭＩＣｊに利
用しようとすると半導体基板上で能動毒子に比べてはる
かに大きくなってしまうという欠点を有していた。
用しようとすると半導体基板上で能動毒子に比べてはる
かに大きくなってしまうという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、フィルター面積を小さくする
ことのできる伝送回路素子を提供するものである。
ことのできる伝送回路素子を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の伝送回路素子は、
金属薄膜片と絶縁体薄膜片が交互に層状に形成された構
成になっている。
金属薄膜片と絶縁体薄膜片が交互に層状に形成された構
成になっている。
作用
この構成によって、金属薄膜片の横方向への広がりをな
くすことができ、面積の小さなフィルターを作ることが
できる。
くすことができ、面積の小さなフィルターを作ることが
できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の第１の実施例における伝送回
路素子の平面図ａと断面図すを示すものである。第１図
において、１は誘電体基板、２は金属薄膜片、３は絶縁
体薄膜片である。各金属薄膜片の長さは、使用周波数で
の波長の係波長の長さに、また重なりの長さは死波長の
長さになっている。
明する。第１図は本発明の第１の実施例における伝送回
路素子の平面図ａと断面図すを示すものである。第１図
において、１は誘電体基板、２は金属薄膜片、３は絶縁
体薄膜片である。各金属薄膜片の長さは、使用周波数で
の波長の係波長の長さに、また重なりの長さは死波長の
長さになっている。
以上のように構成された伝送回路素子は、最上層と最下
層の金属薄膜片を２端子とする帯域通過フィルターとし
て動作する。以上のように本実施例によれば、金属薄膜
片を側結合せずに、多層の構造にすることによシ、横方
向に広げることなくフィルターを製作することができる
。
層の金属薄膜片を２端子とする帯域通過フィルターとし
て動作する。以上のように本実施例によれば、金属薄膜
片を側結合せずに、多層の構造にすることによシ、横方
向に広げることなくフィルターを製作することができる
。
以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第２図は本発明の第２の実施例における伝送回路素子の
平面図ａと断面図すを示すものである。
平面図ａと断面図すを示すものである。
同図において、２１は半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板、２２は
厚さ６ｏｏｏム、幅６０μｍで長さが２ｍｍのムｎの蒸
着薄膜、２３はｃｖｎにより形成した厚さ６μｍのＳｉ
３絶縁体薄膜であるＮ４ である。ムｎの薄膜は重さな
りが１１ｎｍずつ逆方向にずれている第１層目と第４層
目のムｎの薄膜片は同一基板上で他の回路素子に接続す
る。以上のように構成された伝送回路素子は、中心周波
数１２ＧＨｚの帯域通過フィルターとして動作する。以
上のように本実施例によれば、金属薄膜間の結合を通常
のように横方向の側結合ではなく、垂直方向に、きわめ
て近接してとることにより、損失の少ない、小面積のフ
ィルターを実現できる。
厚さ６ｏｏｏム、幅６０μｍで長さが２ｍｍのムｎの蒸
着薄膜、２３はｃｖｎにより形成した厚さ６μｍのＳｉ
３絶縁体薄膜であるＮ４ である。ムｎの薄膜は重さな
りが１１ｎｍずつ逆方向にずれている第１層目と第４層
目のムｎの薄膜片は同一基板上で他の回路素子に接続す
る。以上のように構成された伝送回路素子は、中心周波
数１２ＧＨｚの帯域通過フィルターとして動作する。以
上のように本実施例によれば、金属薄膜間の結合を通常
のように横方向の側結合ではなく、垂直方向に、きわめ
て近接してとることにより、損失の少ない、小面積のフ
ィルターを実現できる。
第３図は本発明の第３の実施例における伝送回路素子の
金属薄膜の配置の概略図を示すものである。同図におい
て、３１は金属薄膜である。この金属薄膜は絶縁体薄膜
を介して形成されている０動作は第２の実施例と同じで
ある。本実施例によれば、金属薄膜を曲げることにより
、より小さな面積の中に収めることができる。
金属薄膜の配置の概略図を示すものである。同図におい
て、３１は金属薄膜である。この金属薄膜は絶縁体薄膜
を介して形成されている０動作は第２の実施例と同じで
ある。本実施例によれば、金属薄膜を曲げることにより
、より小さな面積の中に収めることができる。
なお、第１の実施例では、金属薄膜片は４個としたが何
個でもよい。また誘電体基板、絶縁体薄膜片も、電気的
に導通のないものであれば何でもよい。第２の実施例の
基板は半絶縁性Ｇａ ＡｓとしたがＳｉでも他の化合物
半導体でもよい。蒸着薄膜はメッキでもよいし、５ｉＳ
Ｎ４は５１０２でもよいことは言うまでもない。
個でもよい。また誘電体基板、絶縁体薄膜片も、電気的
に導通のないものであれば何でもよい。第２の実施例の
基板は半絶縁性Ｇａ ＡｓとしたがＳｉでも他の化合物
半導体でもよい。蒸着薄膜はメッキでもよいし、５ｉＳ
Ｎ４は５１０２でもよいことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、金属薄膜片と絶縁体薄膜片を層
状に形成することにより、これらが占める面積を小さく
し、また損失を少なくすることができ、その実用的効果
は大なるものがある。
状に形成することにより、これらが占める面積を小さく
し、また損失を少なくすることができ、その実用的効果
は大なるものがある。
は本発明の第３の実施例における伝送回路素子の金属薄
膜の配置の概略図、第４図は従来の伝送回路素子の平面
図を参静蕎器ｉである。
膜の配置の概略図、第４図は従来の伝送回路素子の平面
図を参静蕎器ｉである。
１・・・・・・誘電体基板、２・・・・・・金属薄膜片
、３・・・・・・絶縁体薄膜片。
、３・・・・・・絶縁体薄膜片。
Claims (2)
- （１）誘電体基板上に伝送される波長の２分１の長さの
金属薄膜片と、絶縁体薄膜片が交互にそれぞれ３層以上
、２層以上形成され、前記絶縁体薄膜片を介して対向す
る前記金属薄膜片がお互いに２分の１の長さずつずれて
いることを特徴とする伝送回路素子。 - （２）半絶縁性ＧａＡｓ誘電体基板上に、長辺が伝送さ
れる波長の２分の１の長さである長方形の金属薄膜片が
４層、絶縁体薄膜片が３層、それぞれ交互に形成されて
おり、金属薄膜片の第３層は第１層の上方にあり、第２
層と第４層は第１層、第３層に対して、長方形の長辺方
向にその長さの１／２ずれていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の伝送回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150796A JPS6211301A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 伝送回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150796A JPS6211301A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 伝送回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211301A true JPS6211301A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15504618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150796A Pending JPS6211301A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 伝送回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128801A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 濾波器 |
| JPH09148802A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バンドパスフィルタ |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60150796A patent/JPS6211301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128801A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 濾波器 |
| JPH09148802A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バンドパスフィルタ |
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