[go: up one dir, main page]

JPS62102533A - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置

Info

Publication number
JPS62102533A
JPS62102533A JP61214238A JP21423886A JPS62102533A JP S62102533 A JPS62102533 A JP S62102533A JP 61214238 A JP61214238 A JP 61214238A JP 21423886 A JP21423886 A JP 21423886A JP S62102533 A JPS62102533 A JP S62102533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
laser
target
photon
glow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61214238A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0666307B2 (ja
Inventor
ジエローム・ジヨン・クオモ
チヤールズ・リチヤード・ガーニエリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS62102533A publication Critical patent/JPS62102533A/ja
Publication of JPH0666307B2 publication Critical patent/JPH0666307B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21B—FUSION REACTORS
    • G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11—Details
    • G21B1/23—Optical systems, e.g. for irradiating targets, for heating plasma or for plasma diagnostics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10—Nuclear fusion reactors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、グロー放電システムおよび方法に関するも
のであり、特に、グローの強さを増大させエツチングま
たは付着工程を改善するため、レーザ光線の使用などの
光子放射によって、グロー放電システムのプラズマ放電
領域における電子の量を増大させることに関するもので
ある。
Ｂ、従来技術 従来技術には、各種の異なる目的のため、レーザ光線等
の放射を、プラズマと組合わせて使用するものである。
１９７３年３月２７日にＬｕｂｉｎに与えられた「小滴
生成手段およびレーザ・プリパルス手段を有するプラズ
マ生成装置（Ｐｌａｓｍａ　ＰｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｐ
ｐａｒａｔｕｓ　Ｉｌａｖｉｎｇ　Ｄｒｏｐｌｅｔ　Ｐ
ｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｍｅａｎｓａｎｄ　Ｌａ５ｅｒ　
Ｐｒｅ−ｐｕｌｓｅ　Ｍｅａｎｓ）Ｊと題する米国特許
第３７２３２４６号明細書には、調整レーザ・パルスに
よるレーザ光線を照射した高密度ターゲットから、自由
に拡がる高温プラズマを生成させる装置および方法が開
示されている。レーザとターゲットの相互作用を導出す
るための調整レーザ光線パルスと、調整ターゲットを形
成する手段が述べられている。
１９７４年７月３０日にＪａｅｇｌｅらに与えられた［
Ｘ線および紫外線スペクトル領域における負の吸収係数
を有する媒体を得る方法および前記の方法の実用のため
のレーザ（Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　Ｏｂｔａｉｎｉｎｇａ
　Ｍｅｄｉｕｍ　Ｈａｖｉｎｇａ　Ｎｅｇａｔｊｖｅ　
ＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｉｎ　
ｔｈｅ　Ｘ−Ｒａｙ　ａｎｄ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ
Ｓｐ３ｃｔｒａｌ　Ｒａｎｇｅ　ａｎｄ　ａ　Ｌａ５ｅ
ｒ　ｆｏｒ　ＰｒａｃｔｉｃａｌＡｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎ　ｏｆ　５ａｉｄ　Ｍｅｔｈｏｄ）　Ｊと題する米国
特許第３８２６９９６号明細書には、プラズマの自由電
子が密集する連続体のエネルギ状態と相互作用する、離
散的準安定エネルギ状態をイオンが有する材料から形成
したプラズマが開示されている。
密度の逆転は、多くのこれらの準安定状態と、それより
低いエネルギ状態との間で行われ、次に、準安定状態と
、前記より低いエネルギ状態とを結合する転移が起こる
場合に、負の吸収が生じる。
プラズマを生成するために、巨大パルスのレーザ光線が
、真空中で、前記の材料から形成された固体ターゲット
と相互作用し、ターゲット内部の光線が通過する表面の
近くに集められる。光線の強さは、材料のイオンが十分
に密な、準安定状態となるようなものである。
１９７９年５月１日にＣｏｎｒａｄに与えられた「連続
波レーザによるプラズマ発生および閉込め（ＰｌａＳ＋
ａａ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ　ｗｉｔｈＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｗａｖｅ　
Ｌａ５ｅｒ）　Ｊと題する米国特許第４１５２６２５号
明細書には、安定なプラズマを発生させ、そのプラズマ
を安定に保つための方法および装置が開示されている。
プラズマを発生させ、維持させるために高出力の連続波
が用いられ。
磁気トラップによりプラズマを拘束する。
１９８０年２月１９日にＢｒａｕらに与えられた「自由
電子と気体レーザとの組合わせ （Ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ　Ｆｒｅｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ　ａｎｄ　Ｇａ５ｅｏｕｓＬａｓｅｒ）　Ｊと題する
米国特許第４１８９６８６号明細書には、１つ以上の気
体レーザ状態と、１つ以上の自由電子状態を有する多重
レーザが開示されている。自由電子レーザ状態はそれぞ
れマイクロ波面線アクセレレータにより連続的に励起さ
れる。
次に、電子線のエネルギ準位を下げて１つ以上の気体レ
ーザを励起するため、１つの実施例では気体レーザを通
し、別の実施例ではマイクロ波アクセレレータを通して
電子線が方向ずけられる。結合レーザは高いパルス繰返
し周波数（１ｋＨｚ以上）、高い出力、高い高率、およ
びコヒーレント光学放射の多重光線を同期発生する際の
同調能力を与える。
Ｐｈ１ｌｉｐ　Ｊ、　）Ｉａｒｇｉｎｓ、　Ｊｒ、およ
びＪａｍｅｓ　Ｍ、　Ｇｅｅが５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ
　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　１９８４年１１月、Ｐ。
１２７〜１３３に発表した［薄膜材料の付着およびエツ
チングのためのレーザとプラズマの相互作用（Ｌａｓｅ
ｒ−Ｐｌａｓｍａ　Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ　ｆｏｒ　
ｔｈｅＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｅｔｃｈｉｎｇ
　ｏｆ　Ｔｈｉｎ−ＦｉｌｌｌＭａｔｅｒｉａｌｓ）　
Ｊには、レーザ・プラズマ化学処理は、付着または、エ
ツチングのために紫外線レーザ放射およびグロー放電の
両方を必要とする新しい材料加工法であると述べている
。この融通性のある材料処理技術は、シリコンの付着お
よび、各種の絶縁材料のエツチングに用いられた。この
方法はまた、単結晶シリコン・ウェーハの上に、エピタ
キシャル・シリコン皮膜を付着させるのにも用いられた
。付着およびエツチングを行った皮膜は、レーザ・ラマ
ン分光光度計、透過型電子顕微鏡。
走査型電子顕微鏡によって特性が決定された。これまで
に得られた結果は、入射紫外線レーザ放射と、基板上に
プラズマ付着させた吸着層との相互作用を伴う機構とし
て解釈されている。
Ｊ、　Ｍ、　Ｇｅｅ、　Ｐ、　Ｊ、　Ｈａｒｇｉｓ　Ｊ
ｒ、　、　Ｍ、　Ｊ、　Ｃａｒｒ。
Ｄ、　Ｒ，Ｔａ１ｌａｎｔおよびＲ，Ｉｔ、　Ｌｉｇｈ
ｔが、ＥｌｓｅｖｉｅｒＳｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｓ
ｈｉｎｇ　Ｃｏ、、　Ｉｎｃ、発行のＭａｔ、　Ｒｅｓ
。
Ｓａｃ、　Ｓｙｍｐ、第２９巻（１９８４年）に発表し
た「プラズマで発生させたレーザによる多結晶および単
結晶皮膜の付着（Ｐｌａｓｍａ−Ｉｎｉｔｉａｔｅｄ　
ＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｐｏ１ｙ
ｃｒｙｓｔａｌｌｆｎｅ　　ａｎｄＭｏｎｏｃｒｙｓｔ
ａｌｌｉｎｅ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ｆｉｌｍｓ）Ｊで、著
者らは。
パルス紫外線エクサイマ・レーザからの放射と。
シラン（ＳｉＨ，）中のグロー放電で発生するプラズマ
種との相互作用を用いてシリコンを付着させる新しい方
法を報告している。付着した皮膜を、レーザ・ラマン分
光光度計および透過型電子顕微鏡で検査すると、０．１
３〜Ｏ，Ｌ７Ｊ／ａｌのレーザの作用による多結晶シリ
コンから０．４〜０゜６Ｊ／ｃｄのレーザの作用による
エピタキシャル・シリコンまでの範囲の形態が存在する
ことが判明した。多結晶シリコンの成長速度は毎分１１
００ｎ、単結晶シリコンの成長速度は毎分３０ｎｍであ
った。
前述のＩｌａｒｇｉｓとＧｅｅの発表、およびＧｅｅら
の発表は、この発明を予期したものではない。これらの
論文はいずれも、光学的に強化した化学蒸着に関する同
一の研究である。これらの研究ではレーザ放射がプラズ
マにより付着した吸収層と、相互作用をすることを示し
ている。これらはまた、レーザ放射がプラズマと相互作
用しないことも示している。これらの報文で論じられた
電子−正孔型プラズマは、付着層のみに存在する。これ
は、化学反応を進める固体の電子分布の変化である。
最近の報文である「−次イオン付着またはエピタキシャ
ルＧｅおよびＳｉ皮膜のためのレーザ誘導プラズマ（Ｌ
ａｓｅｒ−Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｐ１ａｓ＋＋ａｓ　ｆｏｒ
　ＰｒｉｍａｒｙＩｏｎ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と題
する論文（Ｊ、　Ｖａｃ、　Ｓｃｉ。
Ｔｅｃｈｎｏｌ、　Ｂ、、　１９８５年７．８月、Ｐ、
９６８〜９７４）も興味ある論文であるが、この発明を
予期したものではない。Ｌｕｂｂｉｎらは、皮膜を付着
させるために、レーザ放射により切除した材料を使用し
ている。彼らは、レーザ放射と切除された材料との相互
作用によって生じる中性プラズマの発生を論じている。
本発明は、紫外線を用いた光電子の発生によるプラズマ
の強化に関するものである。
Ｇａ１ｌ　Ａ、　ＭａｓｓｅｙがＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎ
ａｌ　ｏｆ　ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｅｓ
、　Ｖｏｌ、　ＱＥ２０．　ＮＯ，２（１９８４年２月
）に発表した［高輝度レーザ光電子源（ＬａｓｅｒＰｈ
ｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｏｕｒｃｅｓ　ｏｆ　Ｈｉ
ｇｈ　ＡｐｐａｒｅｎｔＢｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）　Ｊと
題する論文で、筆者は紫外線レーザ光線を適当な形状の
陰極の小さな点に集束すると、輝度を増した光電子線が
得られると述べている。このような連続電子源は、電子
線リソグラフィその他の応用分野で有用である。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、プロズマ・グロー領域におけるプラ
ズマ密度を増強する方法および構造を提供することにあ
る。
この発明の他の目的は、ターゲットの表面から光電子を
発生させることにより、プラズマ・グロー領域における
プラズマ密度を増強する方法および構造を提供すること
にある。
この発明の他の目的は、光子をターゲットに当てて光電
子を放出させることにより、グローに電子を加えて、プ
ラズマ・グロー領域におけるプラズマ密度を増強する方
法および構造を提供することにある。
この発明の他の目的は、プラズマ・グロー中に電子を放
出させるために、ターゲットの表面に当てる光子エネル
ギを発生させる方法および装置を提供することにある。
さらにこの発明の他の目的は、電子をプラズマ・グロー
中に放出するため、ターゲットにレーザ放射を当てるレ
ーザ装置を提供することにある。
Ｄ０問題点を解決するための手段 この発明によれば、放射線源を使って、システム中のタ
ーゲットの表面から光電子を発生させて、プラズマ・グ
ロー中の光電子の数を増加させることにより、プラズマ
・グロー・システム中のプラズマの増強が行われる。も
つと具体的にいえば、これは、プラズマ密度を高めるた
めに放射された光電子がプラズマに射出されるプラズマ
工程中に紫外レーザ光線をターゲットの表面に充満する
ことによって達成される。
プラズマ増強は、陰極、ターゲット、基板を含む基板プ
ラットフォームおよびポンプを含むチェンバを備えたス
パッタ・エツチング／付着システムで用いられる。紫外
レーザ等の紫外線光源、および、紫外線を、紫外線透過
性のウィンドウを通してターゲット上に集束させる光学
装置も設けられる。チェンバ内のプラズマ領域は、ター
ゲットに当たり、プラズマ密度を高めるためにプラズマ
中に射出される光電子を発生させるレーザからの光子に
よって増強される。
Ｅ、実施例 この発明の特長は、ターゲットの表面にエネルギーを与
える手段を設けることによって、グロー領域に於けるプ
ラズマ密度を高めるための新しい方法が達成されること
である。このように導入されたエネルギは、ターゲット
材料へ移送され、電子を放出してプラズマ・グロー中に
自由に入り。
そこでイオンを発生させる。
グロー放電ダイオード・システムは、その−次電子源を
、ターゲット表面のイオン、光子および電子の衝突によ
る二次電子から得る。これらの電子は、グロー領域に送
られ、ここで加速されてイオンを発生させ、このイオン
がさらに電子の数を増大させる。プラズマ・グロー領域
に電子を加える方法はどれでもグローの強さを増強する
。たとえば、二次電子放出比の大きな表面は、二次電子
放出比の小さな材料よりはるかに高いプラズマ密度を生
成する。プラズマへの電子の射出は、独立した電子源を
形成し、またプラズマ密度を高める（すなわちトライオ
ード・スパッタリング）。
本発明では、プラズマの増強は、衝突する表面の仕事関
数よりそのエネルギーが大きい光子源を使って、ターゲ
ットの表面からの光電子の数を増大させることによって
達成される。電子の数は、光源の強さの関数に比例する
強さの関数である。
したがって、光子の強さが強いほど、表面から多数の電
子が放出される。他の源も適用できるが。
レーザはその強度および指向性のため、理想的な光子源
である。このような理由で、波長が深紫外域にある紫外
レーザが使用される。これは、光誘導電子がプラズマに
射出されるプラズマ工程中に、ターゲットの表面に紫外
線を充満させることによって達成される。これを第１図
に示す。
第１図で、カソード２、ターゲット３、カソード２の絶
縁体４、基板６を含む基板プラットフォーム５．ポンプ
７、ＵＶレーザ等の紫外線光源８゜紫外線透過性ウィン
ドウ１０を通してターゲットの表面に紫外線を集速させ
る光学系、プラズマ領域１１、代表的なスパッタリング
・イオン１２、代表的なイオン誘導二次電子、代表的な
紫外光子、および代表的な光電子を含む、スパッタリン
グ・システム１が示されている。
このスパッタリング・システムは、所定の材料の特性を
得るための周知の通常の方法で操作される。基板のバイ
アスは、材料を考慮して必要な場合用いられる。スパッ
タリング・ガスは、材料を考慮して１例えばＡ　ｒ、ま
たは酸素等の反応性気体、または混合気体（すべての気
体を含む）が必要に応じて用いられる。陰極電源は直流
電源でも高周波電源もよい。絶縁体のターゲットの場合
は、高周波電源でなければならない。プラズマを増強さ
せるため、光源８からの光子のエネルギは、ターゲット
３の材料の仕事関数より大きくなければならない。特定
の例には、下記のものがある。
ターゲット材料　　　　光子エネルギ ＡＱ　　　　　　　　４．４ｅＶ以上 Ｃｕ　　　　　　　　４．９ｅＶ以上 Ｃ：ｕ＜１１０＞　　　５．６ｅＶ以上Ｐｔ　　　　　
　　　　　　　　　　５．　５ｅＶ　以」二Ｔｉ　　　
　　　　　４．５ｅＶ以上 Ｔｉ酸化物　　　３．７ｅＶ以上 Ｚｒ酸化物　　　３．９ｅＶ以上 この発明は、上記の材料およびエネルギに限定されるも
のではない。
予想される′電子は、Ｉｏｎｓのパルス当たり、約１　
ｍ　Ａ　／　ｃｉである。これはプラズマを非常に増強
させる。計算値は、推定効率を６．５ｅＶの入射光子１
個当り、電子ＩＱ−４個とした場合である。
これにより、ターゲットに衝突する、増強されたパルス
・イオン・ビームおよび、基板に付着する材料のパルス
磁束も発生することに注目しなければならない。陰イオ
ンを発生させる材料の場合、強いパルス粒子線も予想さ
れる。このように、ノ（ターンをもつ光子線は、パルス
型のパターン付着またはエツチングを形成する。
尚、計算値をはるかに超えた電子バーストが得られる。
たとえば、約２Ａ／ａ＆の電流密度が実現する。第２図
は、直流ダイオード・スパッタリング・システムにおけ
る、陰極電流の大きさと光子の強さく作用）の関係を示
す。プラズマを用いた場合と用いない場合についての測
定値が示されている。いずれの場合も、電流は飽和（お
そらく空間電荷による）に達するまで、直線的に増大す
る。
実験値と計算値の違いは、推定した光電子効率の誤差、
または、プラズマ増強による増幅効果が支配的であるた
めと考えられる。高強度の連続紫外光源を使用すること
により、増強効果は著しく高められる。第２図の曲線に
おける光電流は、低電圧時には一定となるが、高電圧時
には一定とならないことに注目しなければならない。発
生した光電流を時間とともにプロットすると、最初は光
子線の影響は見られないが、一定時間後に影響が現れる
ことがわかる。この期間における曲線の形状は、プラズ
マ中の光電子の影響を示すので、有用である。
第１図のシステムには、ＵＶレーザ光線が使用されたが
、これは使用できる唯一の実施例ではないことに注目す
るのは重要なことである。たとえば、ターゲット３の表
面上に照射される光子を発生させる手段は、システム１
の外部に配置する必要はない。光子源は、外部光源であ
っても、内部に配置した紫外線源であってもよい。また
、光子源は連続（紫外線等）光源であっても、パルス光
源であってもよい。どの実施例を選択するかは。
システムの適用分野によって異なる。このシステムは、
付着およびエツチングに広く用いることができる。また
、ターゲット３から光電子が放出されると、１０００ｅ
Ｖの電位を有し、したがって、拡散または分散すること
なく、直接アース電位のプラズマ・グローに移動する。
したがって、光子が特定パターンの最大表面３に、たと
えばレーザ・マスクを通して照射され、パターンをもつ
光子線を形成すると、放出された光電子はターゲットの
表面から離れた時と同一形状を有するため、このシステ
ムは、パターン形成にも使用することができるであろう
。
この発明の他の特長は、非直線性の光子効果が得られる
ことである。これは、放射線のエネルギを選定すること
、たとえば、第１図のレーザ８から紫外線を、第１図の
ターゲット３等の照射されたターゲットの仕事関数より
小さく選定することによって達成される。
Ｆ０発明の効果 以上のように、この発明によれば、光子をターゲットに
当てて光電子を放出させて電子をグローに加えることに
より、グロー領域のプラズマ密度を増大させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の原理による構造の実施例の略図、
第２図は、この発明を利用した、プラズマ・グロー内の
光電子電流と、グローの光子強度との関係を示す曲線で
ある。 １・・・・スパッタリング・システム、２・・・・陰極
、３・・・・ターゲット、６・・・・基板、８・・・・
紫外光源。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名） 二　　　　−→　　ニー− 〜 皆 梨

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）プラズマ・グロー放電を含むチエンバを有するタ
    イプのプラズマ装置において、 （ａ）上記チエンバ内に配置され、電子放出の源となる
    性質をもつターゲットと、 （ｂ）上記プラズマ中に電子を注入するように上記ター
    ゲットに光子を照射するための光子源、とを具備するこ
    とを特徴とするプラズマ装置。
  2. （２）前記の光子源が、前記ターゲットに向けて放射さ
    れる電磁輻射であることを特徴とする、特許請求範囲第
    （１）項記載のプラズマ装置。
  3. （３）前記の光子源が紫外線光源であり、連続光源であ
    ることを特徴とする、特許請求範囲第（２）項記載のプ
    ラズマ装置。
  4. （４）前記の光子源が紫外線光源であり、パルス光源で
    あることを特徴とする、特許請求範囲第（２）項記載の
    プラズマ装置。
  5. （５）前記の紫外線光源が、レーザであることを特徴と
    する、特許請求範囲第（３）項記載のプラズマ装置。
JP61214238A 1985-10-28 1986-09-12 プラズマ装置 Expired - Lifetime JPH0666307B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/791,666 US4664769A (en) 1985-10-28 1985-10-28 Photoelectric enhanced plasma glow discharge system and method including radiation means
US791666 1985-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62102533A true JPS62102533A (ja) 1987-05-13
JPH0666307B2 JPH0666307B2 (ja) 1994-08-24

Family

ID=25154418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61214238A Expired - Lifetime JPH0666307B2 (ja) 1985-10-28 1986-09-12 プラズマ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4664769A (ja)
EP (1) EP0220481B1 (ja)
JP (1) JPH0666307B2 (ja)
DE (1) DE3673749D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0568875A (ja) * 1991-09-11 1993-03-23 Ebara Res Co Ltd 光電子放出材
JP2003243200A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Japan Science & Technology Corp レーザー光照射による直流放電発生装置及び環境汚染ガスの処理方法

Families Citing this family (379)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US6113701A (en) * 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US4855596A (en) * 1986-06-04 1989-08-08 Arch Development Corp. Photo ion spectrometer
JPS63270458A (ja) * 1987-04-27 1988-11-08 Mitsubishi Electric Corp 化合物薄膜形成装置
US4846920A (en) * 1987-12-09 1989-07-11 International Business Machine Corporation Plasma amplified photoelectron process endpoint detection apparatus
US4952294A (en) * 1988-03-15 1990-08-28 Collins George J Apparatus and method for in-situ generation of dangerous polyatomic gases, including polyatomic radicals
US4987007A (en) * 1988-04-18 1991-01-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source
US5411797A (en) * 1988-04-18 1995-05-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanophase diamond films
US5017277A (en) * 1988-07-07 1991-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser sputtering apparatus
JPH02163368A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
DE69033286T2 (de) * 1989-02-15 2000-05-25 Hitachi, Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Films
US5059292A (en) * 1989-02-28 1991-10-22 Collins George J Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure
JPH0826451B2 (ja) * 1989-04-13 1996-03-13 松下電器産業株式会社 スパッタリング方法
JPH02272815A (ja) * 1989-04-13 1990-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子の周波数微調整装置
DE4117005C2 (de) * 1990-06-11 2003-07-24 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Anordnung zum Einwirken mit einem Lichtstrahl in einen Entladungsraum
JP3004699B2 (ja) * 1990-09-07 2000-01-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US5334264A (en) * 1992-06-30 1994-08-02 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Titanium plasma nitriding intensified by thermionic emission source
GB2300426B (en) * 1992-11-30 1997-05-28 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming apparatus using laser
JP3255469B2 (ja) * 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
US5418182A (en) * 1993-03-26 1995-05-23 Honeywell Inc. Method of fabricating diode lasers using ion beam deposition
WO1997031391A1 (fr) * 1996-02-23 1997-08-28 Ebara Corporation Dispositif et procede de depot chimique en phase vapeur
US6265033B1 (en) 1998-09-11 2001-07-24 Donald Bennett Hilliard Method for optically coupled vapor deposition
US7424764B2 (en) * 1999-09-01 2008-09-16 Hagleitner Hygiene International Gmbh Brush with locking and detaching structure for disposable head
US6852985B2 (en) * 2002-02-05 2005-02-08 Thomas E. Cowan Method and apparatus for nanometer-scale focusing and patterning of ultra-low emittance, multi-MeV proton and ion beams from a laser ion diode
US7931787B2 (en) * 2002-02-26 2011-04-26 Donald Bennett Hilliard Electron-assisted deposition process and apparatus
US7148613B2 (en) 2004-04-13 2006-12-12 Valence Corporation Source for energetic electrons
US8635971B2 (en) * 2006-03-31 2014-01-28 Lam Research Corporation Tunable uniformity in a plasma processing system
US7656236B2 (en) 2007-05-15 2010-02-02 Teledyne Wireless, Llc Noise canceling technique for frequency synthesizer
US8179045B2 (en) 2008-04-22 2012-05-15 Teledyne Wireless, Llc Slow wave structure having offset projections comprised of a metal-dielectric composite stack
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR20120085254A (ko) * 2009-09-05 2012-07-31 제너럴 플라즈마, 인크. 플라스마 증강 화학적 기상 증착 장치
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9919959B2 (en) * 2012-05-31 2018-03-20 Guardian Glass, LLC Window with UV-treated low-E coating and method of making same
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9202660B2 (en) 2013-03-13 2015-12-01 Teledyne Wireless, Llc Asymmetrical slow wave structures to eliminate backward wave oscillations in wideband traveling wave tubes
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10806016B2 (en) * 2017-07-25 2020-10-13 Kla Corporation High power broadband illumination source
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US11274360B2 (en) * 2017-12-13 2022-03-15 Plasmionique Inc. Thin film coating and method of fabrication thereof
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US10822270B2 (en) 2018-08-01 2020-11-03 Guardian Glass, LLC Coated article including ultra-fast laser treated silver-inclusive layer in low-emissivity thin film coating, and/or method of making the same
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11348784B2 (en) 2019-08-12 2022-05-31 Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
KR102667792B1 (ko) 2020-02-03 2024-05-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 또는 인듐 층을 포함하는 구조체를 형성하는 방법
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202200505A (zh) 2020-04-24 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI862836B (zh) 2020-05-21 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括多個碳層的結構以及形成和使用其的方法
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3464907A (en) * 1967-02-23 1969-09-02 Victory Eng Corp Triode sputtering apparatus and method using synchronized pulsating current
US3625848A (en) * 1968-12-26 1971-12-07 Alvin A Snaper Arc deposition process and apparatus
US3723246A (en) * 1971-05-27 1973-03-27 Atomic Energy Commission Plasma production apparatus having droplet production means and laserpre-pulse means
FR2139635B1 (ja) * 1971-05-28 1973-05-25 Anvar
US3898496A (en) * 1974-08-12 1975-08-05 Us Energy Means for obtaining a metal ion beam from a heavy-ion cyclotron source
US4189686A (en) * 1977-09-27 1980-02-19 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Combination free electron and gaseous laser
DE2819711C2 (de) * 1978-05-05 1984-02-16 Gesellschaft für Strahlen- und Umweltforschung mbH, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Analyse einer Probe mit Hilfe gepulster Laserstrahlung
US4152625A (en) * 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
US4250009A (en) * 1979-05-18 1981-02-10 International Business Machines Corporation Energetic particle beam deposition system
US4442354A (en) * 1982-01-22 1984-04-10 Atom Sciences, Inc. Sputter initiated resonance ionization spectrometry
US4419203A (en) * 1982-03-05 1983-12-06 International Business Machines Corporation Apparatus and method for neutralizing ion beams
JPS6037733A (ja) * 1983-08-11 1985-02-27 Toshiba Corp ドライエツチング装置
US4490229A (en) * 1984-07-09 1984-12-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Deposition of diamondlike carbon films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0568875A (ja) * 1991-09-11 1993-03-23 Ebara Res Co Ltd 光電子放出材
JP2003243200A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Japan Science & Technology Corp レーザー光照射による直流放電発生装置及び環境汚染ガスの処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0220481B1 (en) 1990-08-29
EP0220481A2 (en) 1987-05-06
JPH0666307B2 (ja) 1994-08-24
EP0220481A3 (en) 1988-09-28
DE3673749D1 (de) 1990-10-04
US4664769A (en) 1987-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62102533A (ja) プラズマ装置
US8487285B2 (en) Deep-ultraviolet light source capable of stopping leakage of harmful X-rays
US5818040A (en) Neutral particle beam irradiation apparatus
FR2581244A1 (fr) Source d'ions du type triode a une seule chambre d'ionisation a excitation haute frequence et a confinement magnetique du type multipolaire
JPS6173332A (ja) 光処理装置
US5271800A (en) Method for anisotropic etching in the manufacture of semiconductor devices
Bollanti et al. Development and characterisation of an XeCl excimer laser-generated soft-X-ray plasma source and its applications
KR100979192B1 (ko) 기판의 표면처리방법
US5024724A (en) Dry-etching method
Hill et al. Patterning of octadecylsiloxane self-assembled monolayers on Si (100) using Ar (3 P 0, 2) atoms
US5089289A (en) Method of forming thin films
JPS62222633A (ja) 半導体素子の製造方法
Turcu et al. 100-Hz KrF laser plasma x-ray source
TWI708857B (zh) 離子產生複合靶材以及使用其之雷射驅動離子加速裝置
EP1187171A2 (en) Processor and method for processing
US20080169064A1 (en) Surface-treating apparatus
JPS60198827A (ja) レ−ザ−ビ−ムエツチング法
JP2615070B2 (ja) エツチング方法
JPS59163741A (ja) Ｘ線発生装置
Cultrera Cathodes for photoemission guns
Kühne et al. Soft x-ray emission from a laser-produced carbon plasma
Dickinson et al. Synergistic effects of exposure of surfaces of ionic crystals to radiation and water
JP2544236B2 (ja) 多価イオン発生法
JPS62243315A (ja) 光反応方法および装置
Van Loy et al. Measurements of barium photocathode quantum yields at four excimer laser wavelengths