JPS6183213A - デイスク基板とその製造方法 - Google Patents
デイスク基板とその製造方法Info
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- JPS6183213A JPS6183213A JP59205120A JP20512084A JPS6183213A JP S6183213 A JPS6183213 A JP S6183213A JP 59205120 A JP59205120 A JP 59205120A JP 20512084 A JP20512084 A JP 20512084A JP S6183213 A JPS6183213 A JP S6183213A
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- Japan
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- weight
- methacrylate
- disk substrate
- acrylate
- methacrylic
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク用基板およびその製造方法に関する
ものである。
ものである。
一般家庭用および業務用の再生専用光学式ビデオディス
ク9基板材料としてメタクリル樹脂が使用され、またデ
ジタルオーディオディスクの基板材料としてポリカーボ
ネート樹脂が使用されているが、近い将来にむけて情報
記録用途としての大容量画像ファイルや大容量コンピュ
ーターメモリー用光ディスクが開発されつつあり、その
基板材料として何が適しているかが業界の最大の関心事
で、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂およびガラ
スが有力視されており、その中でも複屈折率等の光学的
特性、機械的強度、成形加工性からメタクリル樹脂が特
に注目されている。家庭用等の光学式ビデオディスクが
再生専用であり、射出成形法により金型内のスタンパ−
から信号が直接転写され、また二枚のディスク板が接着
剤で貼り合されて製造されているため、吸湿による寸法
□変化、そり等の問題が緩和され、また複屈折率も充分
許容範囲に入る値を有していることから基板材料として
メタクリル樹脂成形材料が用いられている。これに対し
、情報記録用の光ディスクは記録、再生および書き換え
可能であり、より精度の高い信号記録示要求されること
からより低い複屈折率が必要とされ、成形材料中最も低
い複屈折率を有するメタクリル樹脂成形材料からの射出
成形品でも今−歩の感があるとともにディスク用基板へ
の記録薄膜の蒸着、スパッタリング工程あるいは基板の
吸湿防止対策としての低吸湿膜のコーティング工程があ
り、これら工程に先だちディスク基板面上のほこり、ゴ
ミ、油分な有機溶剤で洗浄除去しなければならないこと
、あるいは有機記録材料の塗布溶液の塗布などからディ
スク基板の耐溶剤性の改善が必要とされる。また前述し
たメタクリル樹脂の吸湿性の問題は根本的にポリマーを
構成する単量体の化学構造に起因するものであり、その
意味で吸湿性の少ないポリマーを与える単量体を共重合
することにより改良が試みられており、例を挙げるとメ
タクリル酸メチル−メタクリル酸シクμヘキシル共重合
体(特開昭58−5318号、特開昭58−12775
4号)、メタクリル酸メチル−メタクリル酸ベンジル共
重合体(特開1185B−104939号)があるが、
いずれも低吸湿性膜のコーティング工程を除けるだけの
大巾な改良には致っておらず耐溶剤性の改善が必要とさ
れるとともに、得られた射出成形品の機械的強度が低下
し、複屈折率が増加する傾向にあり、また耐熱性の改良
も残されたままである。
ク9基板材料としてメタクリル樹脂が使用され、またデ
ジタルオーディオディスクの基板材料としてポリカーボ
ネート樹脂が使用されているが、近い将来にむけて情報
記録用途としての大容量画像ファイルや大容量コンピュ
ーターメモリー用光ディスクが開発されつつあり、その
基板材料として何が適しているかが業界の最大の関心事
で、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂およびガラ
スが有力視されており、その中でも複屈折率等の光学的
特性、機械的強度、成形加工性からメタクリル樹脂が特
に注目されている。家庭用等の光学式ビデオディスクが
再生専用であり、射出成形法により金型内のスタンパ−
から信号が直接転写され、また二枚のディスク板が接着
剤で貼り合されて製造されているため、吸湿による寸法
□変化、そり等の問題が緩和され、また複屈折率も充分
許容範囲に入る値を有していることから基板材料として
メタクリル樹脂成形材料が用いられている。これに対し
、情報記録用の光ディスクは記録、再生および書き換え
可能であり、より精度の高い信号記録示要求されること
からより低い複屈折率が必要とされ、成形材料中最も低
い複屈折率を有するメタクリル樹脂成形材料からの射出
成形品でも今−歩の感があるとともにディスク用基板へ
の記録薄膜の蒸着、スパッタリング工程あるいは基板の
吸湿防止対策としての低吸湿膜のコーティング工程があ
り、これら工程に先だちディスク基板面上のほこり、ゴ
ミ、油分な有機溶剤で洗浄除去しなければならないこと
、あるいは有機記録材料の塗布溶液の塗布などからディ
スク基板の耐溶剤性の改善が必要とされる。また前述し
たメタクリル樹脂の吸湿性の問題は根本的にポリマーを
構成する単量体の化学構造に起因するものであり、その
意味で吸湿性の少ないポリマーを与える単量体を共重合
することにより改良が試みられており、例を挙げるとメ
タクリル酸メチル−メタクリル酸シクμヘキシル共重合
体(特開昭58−5318号、特開昭58−12775
4号)、メタクリル酸メチル−メタクリル酸ベンジル共
重合体(特開1185B−104939号)があるが、
いずれも低吸湿性膜のコーティング工程を除けるだけの
大巾な改良には致っておらず耐溶剤性の改善が必要とさ
れるとともに、得られた射出成形品の機械的強度が低下
し、複屈折率が増加する傾向にあり、また耐熱性の改良
も残されたままである。
本発明は前述した従来のメタクリル樹脂の欠点を改善し
、情報記録用としての複屈折率が低(機械的強度を保持
し、かつ耐吸湿、性および耐溶剤性が改善されたメタク
リル系樹脂からなるディスク用基板およびその製造方法
を提供することを目的とする。
、情報記録用としての複屈折率が低(機械的強度を保持
し、かつ耐吸湿、性および耐溶剤性が改善されたメタク
リル系樹脂からなるディスク用基板およびその製造方法
を提供することを目的とする。
これらの目的はメタクリル酸メチル10〜80重量%、
特定のメタクリル酸アルキルエステル(ム)20〜80
重量%、架橋性単量体(B)0.3〜10重量%および
これらと共重合可能なモノエチレン性不飽和単縫体θ〜
10重量%からなり、粘度が5〜200ボイズ(25℃
、B型粘度計)である均一なメタクリル系部分重合物(
I)を硬化させることにより得られることを特徴とする
ディスク用基板により解決される。
特定のメタクリル酸アルキルエステル(ム)20〜80
重量%、架橋性単量体(B)0.3〜10重量%および
これらと共重合可能なモノエチレン性不飽和単縫体θ〜
10重量%からなり、粘度が5〜200ボイズ(25℃
、B型粘度計)である均一なメタクリル系部分重合物(
I)を硬化させることにより得られることを特徴とする
ディスク用基板により解決される。
さらにこれらの目的はメタクリル酸メチルlO〜80f
it%、特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)2
0〜80重量%、架橋性単量体(B)0.3〜10重量
%およびこれらと共重合可能なモノエチレン性不飽和単
量体0〜10重t%からなり、粘度が5〜200ボイズ
(25℃、B型粘度計)である均一なメタクリル系部分
重合物(I)をラジカル重合開始剤の存在下成形金型内
で加圧加熱条件下硬化させることを特徴とするディスク
用基板の製造方法によって解決される。
it%、特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)2
0〜80重量%、架橋性単量体(B)0.3〜10重量
%およびこれらと共重合可能なモノエチレン性不飽和単
量体0〜10重t%からなり、粘度が5〜200ボイズ
(25℃、B型粘度計)である均一なメタクリル系部分
重合物(I)をラジカル重合開始剤の存在下成形金型内
で加圧加熱条件下硬化させることを特徴とするディスク
用基板の製造方法によって解決される。
本発明でのメタクリル酸メチルの使用割合は10〜80
重量%、より好ましくは30〜70重量%であり、10
重量%未溝では最終的に得られるディスク用基板の機械
的強度および熱変形温度が低下し好ましくなく、また8
0重量%を超えると耐吸湿性が低下し好ましくない。
重量%、より好ましくは30〜70重量%であり、10
重量%未溝では最終的に得られるディスク用基板の機械
的強度および熱変形温度が低下し好ましくなく、また8
0重量%を超えると耐吸湿性が低下し好ましくない。
特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)としては、
メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソプロピル、メタ
クリル酸イソブチル、メタクリル酸ターシャリブチルお
よびメタクリル酸イソボロニルのうち少くとも1種であ
り、これらメタクリル酸アルキルエステル(A)の使用
割合は20〜80重量%、より好ましくは30〜70重
量%である。20重量%未満では耐吸湿性が低下し、8
0重量%を超えると機械的強度および熱変形温度が低下
し好ましくない。
メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソプロピル、メタ
クリル酸イソブチル、メタクリル酸ターシャリブチルお
よびメタクリル酸イソボロニルのうち少くとも1種であ
り、これらメタクリル酸アルキルエステル(A)の使用
割合は20〜80重量%、より好ましくは30〜70重
量%である。20重量%未満では耐吸湿性が低下し、8
0重量%を超えると機械的強度および熱変形温度が低下
し好ましくない。
架橋性単量体(B)としてはポリエチレングリコールジ
(メタ)アクリレート(ポリエチレングリコールの分子
量が170〜1020)、ネオペンチルグリコールジ(
メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)ア
クリレートおよびトリメチルールプロパントリ(メタ)
アクリレートのうち少くとも1種を使用することが必要
であり、使用割合としては0.3〜10重蓋%、より好
ましくは1〜7重量%である。架橋性単量体はその種類
により得られるディスク基板の機械的強度や熱変形温度
に大きく影響し、ポリエチレングリコールジメタクリレ
ートにおいてもポリエチレングリコールの分子量が17
0未満になると得られたディスク用基板は割れやす(著
しく機械的強度が低下し、ジビニルベンゼン、アリルメ
タクリレートもこれと同様の傾向を示す。ポリエチレン
グリコールの分子量が1020を超えるとディスク用基
板の耐熱性が低下し基板への記録薄膜の蒸着が困難とな
り好ましくない。またフェニル基を含む架橋性単量体は
複屈折率を高くすることから好ましくな(、前述した架
橋性単量体(B)の使用割合が0.3重量%未満では耐
溶剤性が改善されず、ディスク用基板の有機溶剤による
クラックが生じやすい。また10重量%を超えると耐溶
剤性、耐熱性は良好であるが得られた基板の複屈折率が
高(なり目的とするディスク用基板としては好ましくな
い。
(メタ)アクリレート(ポリエチレングリコールの分子
量が170〜1020)、ネオペンチルグリコールジ(
メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)ア
クリレートおよびトリメチルールプロパントリ(メタ)
アクリレートのうち少くとも1種を使用することが必要
であり、使用割合としては0.3〜10重蓋%、より好
ましくは1〜7重量%である。架橋性単量体はその種類
により得られるディスク基板の機械的強度や熱変形温度
に大きく影響し、ポリエチレングリコールジメタクリレ
ートにおいてもポリエチレングリコールの分子量が17
0未満になると得られたディスク用基板は割れやす(著
しく機械的強度が低下し、ジビニルベンゼン、アリルメ
タクリレートもこれと同様の傾向を示す。ポリエチレン
グリコールの分子量が1020を超えるとディスク用基
板の耐熱性が低下し基板への記録薄膜の蒸着が困難とな
り好ましくない。またフェニル基を含む架橋性単量体は
複屈折率を高くすることから好ましくな(、前述した架
橋性単量体(B)の使用割合が0.3重量%未満では耐
溶剤性が改善されず、ディスク用基板の有機溶剤による
クラックが生じやすい。また10重量%を超えると耐溶
剤性、耐熱性は良好であるが得られた基板の複屈折率が
高(なり目的とするディスク用基板としては好ましくな
い。
また本発明では上述した単量体と共重合可能なモノエチ
レン性不飽和単量体を必要に応じて0〜lO重1ilt
%の割合で使用してもよい。これらのモノエチレン性不
飽和単量体としてはメタクリル酸n−プロピル、メタク
リル酸n −7’チル、メタクリル酸フェニル、メタク
リル酸ベンジル、メタクリル酸シクロヘキシル等のメタ
クリル酸エステル類、アクリル酸メチル、アクリル酸エ
チル、アクリル酸n−プpピル、アクリル酸n−ブチル
、アクリル酸シクロヘキシル等のアクリル酸エステル類
、スチレン、α−メチルスチレン、P−メチルスチレン
等の芳香族ビニル類あるいはアクリーントリル、メタク
リル酸)リル等のシアン化ビニル類が挙げられる。
レン性不飽和単量体を必要に応じて0〜lO重1ilt
%の割合で使用してもよい。これらのモノエチレン性不
飽和単量体としてはメタクリル酸n−プロピル、メタク
リル酸n −7’チル、メタクリル酸フェニル、メタク
リル酸ベンジル、メタクリル酸シクロヘキシル等のメタ
クリル酸エステル類、アクリル酸メチル、アクリル酸エ
チル、アクリル酸n−プpピル、アクリル酸n−ブチル
、アクリル酸シクロヘキシル等のアクリル酸エステル類
、スチレン、α−メチルスチレン、P−メチルスチレン
等の芳香族ビニル類あるいはアクリーントリル、メタク
リル酸)リル等のシアン化ビニル類が挙げられる。
本発明のディスク用基板の製造方法としてはメタクリル
酸メチル、特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)
、架橋性単量体(B)およびこれらと共重合可能なモノ
エチレン性不飽和単量体からなる均一なメタクリル系部
分重合物(I)を一旦製造することであり、この部分重
合物(I)は単量体に可溶なポリマーを架橋性単量体を
含む単量体に溶解した部分重合物、あるいは重合途中で
反応を停止させることにより得られる部分重合物であっ
てもよいが、単量体中にポリマーが均一溶解している部
分重合物に限られる。架橋性単量体が共重合されたポリ
マーが単量体に膨潤した状態で含まれる部分重合物ある
いはポリマーが不均一に溶解した状態の部分重合物によ
り得られたディスク用基板は複屈折が非常に高くなると
ともにヘイズも高く目的とするディスク用基板としては
使用不可能である。メタクリル系部分重合物(I)の粘
度は5〜200ボイズ(25℃、B型粘度計)より好ま
しくは30〜150ボイズである。5ポイズ未満ではデ
ィスク基板用成形金型中で硬化させる際、ヒケ、パリを
生じ一定板厚のものが得られに(かったり、気泡が生じ
やす(好ましくない。
酸メチル、特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)
、架橋性単量体(B)およびこれらと共重合可能なモノ
エチレン性不飽和単量体からなる均一なメタクリル系部
分重合物(I)を一旦製造することであり、この部分重
合物(I)は単量体に可溶なポリマーを架橋性単量体を
含む単量体に溶解した部分重合物、あるいは重合途中で
反応を停止させることにより得られる部分重合物であっ
てもよいが、単量体中にポリマーが均一溶解している部
分重合物に限られる。架橋性単量体が共重合されたポリ
マーが単量体に膨潤した状態で含まれる部分重合物ある
いはポリマーが不均一に溶解した状態の部分重合物によ
り得られたディスク用基板は複屈折が非常に高くなると
ともにヘイズも高く目的とするディスク用基板としては
使用不可能である。メタクリル系部分重合物(I)の粘
度は5〜200ボイズ(25℃、B型粘度計)より好ま
しくは30〜150ボイズである。5ポイズ未満ではデ
ィスク基板用成形金型中で硬化させる際、ヒケ、パリを
生じ一定板厚のものが得られに(かったり、気泡が生じ
やす(好ましくない。
粘度が200ポイズを超えるとラジカル重合開始剤の添
加混合が雌かしくなるばかりか複屈折率が高く・なり好
ましくない。
加混合が雌かしくなるばかりか複屈折率が高く・なり好
ましくない。
また本発明のディスク用基板の製造方法のもう1つの特
徴はメタクリル系部分重合物(I)にラジカル重合開始
剤を添加して均一混合した後、所定量をディスク基板用
成形金型に注入して加圧、加熱条件下短時間で硬化させ
ることにより直接ディスク用基板を得ることであり、注
型板または押出板からの切り出し方法とは明らかに異な
り、切り出し時のゴミ、切粉、傷および切削優等ディス
ク用基板としての欠点から解放される。硬化条件として
は使用するメタクリル系部分重合物およびラジカル重合
開始剤の種類、添加量により異なり、圧力としては硬化
に伴い序々に増加させ最終的に10〜200kl?/7
Gより好ましくは50〜150Iq/dGの圧力条件が
適している。また温度条件としては40〜100℃より
好ましくは50〜90℃が適しており、場合によっては
90〜120℃で後重合してもよ(、硬化時間は5〜3
0分程度である。
徴はメタクリル系部分重合物(I)にラジカル重合開始
剤を添加して均一混合した後、所定量をディスク基板用
成形金型に注入して加圧、加熱条件下短時間で硬化させ
ることにより直接ディスク用基板を得ることであり、注
型板または押出板からの切り出し方法とは明らかに異な
り、切り出し時のゴミ、切粉、傷および切削優等ディス
ク用基板としての欠点から解放される。硬化条件として
は使用するメタクリル系部分重合物およびラジカル重合
開始剤の種類、添加量により異なり、圧力としては硬化
に伴い序々に増加させ最終的に10〜200kl?/7
Gより好ましくは50〜150Iq/dGの圧力条件が
適している。また温度条件としては40〜100℃より
好ましくは50〜90℃が適しており、場合によっては
90〜120℃で後重合してもよ(、硬化時間は5〜3
0分程度である。
本発明で用いられるラジカル重合開始剤としては特に限
定されることはなく、ラウルイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、ターシャルブチルパーオキシビ
バレート、ターシャルブチルパーオキシネオデカノエー
ト、ターシャルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
エート、ターシャルブチルパーオキシイソブチレート、
シイツブρピルバーオキシジカーポネート、ジー2−エ
チルヘキシルパーオキシジカーボネート等の有機過酸化
物系開始剤、2.2′−アゾビスイソブチ−ニトリル、
ジメチル−2,2′−アゾビスイソブチレート、2.2
′−アゾビス(2−メチルブチルニトリル)、2.2′
−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2.
2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレ
ロニトリル)等のアゾ系開始剤およびベンゾイルパーオ
キサイドとN、N−ジ(2−ヒトρキシブpピル)−P
−1ルイジン、N%N−ジメチル−P−)ルイジン、N
1N−ジメチルアンリン等の第三級アミンの併用による
レドックス系開始剤が挙げられる。
定されることはなく、ラウルイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、ターシャルブチルパーオキシビ
バレート、ターシャルブチルパーオキシネオデカノエー
ト、ターシャルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノ
エート、ターシャルブチルパーオキシイソブチレート、
シイツブρピルバーオキシジカーポネート、ジー2−エ
チルヘキシルパーオキシジカーボネート等の有機過酸化
物系開始剤、2.2′−アゾビスイソブチ−ニトリル、
ジメチル−2,2′−アゾビスイソブチレート、2.2
′−アゾビス(2−メチルブチルニトリル)、2.2′
−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2.
2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレ
ロニトリル)等のアゾ系開始剤およびベンゾイルパーオ
キサイドとN、N−ジ(2−ヒトρキシブpピル)−P
−1ルイジン、N%N−ジメチル−P−)ルイジン、N
1N−ジメチルアンリン等の第三級アミンの併用による
レドックス系開始剤が挙げられる。
このようKして得られるディスク用基板は射出成形材料
に比較して分子量が高く、かつ適度に架橋されているた
め耐熱性の点でも優れたものとなり、また本方法ではグ
ループ付スタンパ−を型に取り付けることによるプレグ
ルーブ付ディスク用基板はもちろんのこと、基板上に紫
外線硬化用樹脂を塗布した後グループを付けることも可
能である。
に比較して分子量が高く、かつ適度に架橋されているた
め耐熱性の点でも優れたものとなり、また本方法ではグ
ループ付スタンパ−を型に取り付けることによるプレグ
ルーブ付ディスク用基板はもちろんのこと、基板上に紫
外線硬化用樹脂を塗布した後グループを付けることも可
能である。
なお、本発明のメタクリル系部分重合物(I)には必要
に応じて連鎖移動剤としてのメルカプタン類、染料、紫
外線吸収剤、離型剤等を添加してもよい。
に応じて連鎖移動剤としてのメルカプタン類、染料、紫
外線吸収剤、離型剤等を添加してもよい。
以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例で用いるメタクリル酸アルキルエステル、架橋性
単量体、モノエチレン性不飽和単量体および有機溶剤は
以下の略号で表わされている。
単量体、モノエチレン性不飽和単量体および有機溶剤は
以下の略号で表わされている。
メタクリル酸メチル(MMA)、メタクリル酸エチル(
EMA)、メタクリル酸イソブpビル〔i−PMA ]
、メタクリル酸インブチル(i−HMA〕、メタクリル
酸ターシャリブチル(t−HMA〕、メタクリル酸イソ
ボロニル(i−BoMA)、ポリエチレングリコールジ
メタクリレート(ポリエチレングリコールの分子i)C
PEGDMム(分子ik> )、ネオペンチルグリコー
ルジメタクリレート[:NPGDMA)、トリメチーー
ルプロパントリメタクリレートCTMPTMA)、ジク
ロルメタン(DCM)、テトラクロロジクIffRエタ
ン(TCDFE)、インプロピルアルコール〔IPA:
l。
EMA)、メタクリル酸イソブpビル〔i−PMA ]
、メタクリル酸インブチル(i−HMA〕、メタクリル
酸ターシャリブチル(t−HMA〕、メタクリル酸イソ
ボロニル(i−BoMA)、ポリエチレングリコールジ
メタクリレート(ポリエチレングリコールの分子i)C
PEGDMム(分子ik> )、ネオペンチルグリコー
ルジメタクリレート[:NPGDMA)、トリメチーー
ルプロパントリメタクリレートCTMPTMA)、ジク
ロルメタン(DCM)、テトラクロロジクIffRエタ
ン(TCDFE)、インプロピルアルコール〔IPA:
l。
実施例での複屈折率の評価としては、30cmディスク
用基板の中心から1Ocaの箇所での光路差の値である
。
用基板の中心から1Ocaの箇所での光路差の値である
。
吸水率は得られた板厚1.2uのディスク用基板を2×
3インチに切出した試験片を恒温恒湿槽内で40℃、9
0%RHの条件下、30日間放置後の重量変化の値であ
る。
3インチに切出した試験片を恒温恒湿槽内で40℃、9
0%RHの条件下、30日間放置後の重量変化の値であ
る。
また実施例での耐溶剤性はガラスシャーレの中にディス
ク用基板を入れ、各々の有機溶剤を含洩させたフランネ
ル布で基板を被い、シャーレカバーをして5分間放置後
の外観変化を判定した。
ク用基板を入れ、各々の有機溶剤を含洩させたフランネ
ル布で基板を被い、シャーレカバーをして5分間放置後
の外観変化を判定した。
実施例1〜7、比較例1〜4、
メタクリル酸メチルとメタクリル酸アルキルエステル(
A)の組成を変化させてラジカル重合開始剤および連鎖
移動剤の存在下重合し、重合途中冷却して反応を停止す
ることにより得られたシラツブに架橋性単1体の種類お
よび添加量を変化させて添加混合し均一なメタクリル系
部分重合物とした。この部分重合物100重蓋部に対し
てターシャリブチルパーオキシピバレート0.3重量部
を添加混合し、所定量を80℃に温調した直径3010
円盤型成形金型に注入して加圧下10分間保持して硬化
させ、冷却後板厚1.21mのディスク用基板を得た。
A)の組成を変化させてラジカル重合開始剤および連鎖
移動剤の存在下重合し、重合途中冷却して反応を停止す
ることにより得られたシラツブに架橋性単1体の種類お
よび添加量を変化させて添加混合し均一なメタクリル系
部分重合物とした。この部分重合物100重蓋部に対し
てターシャリブチルパーオキシピバレート0.3重量部
を添加混合し、所定量を80℃に温調した直径3010
円盤型成形金型に注入して加圧下10分間保持して硬化
させ、冷却後板厚1.21mのディスク用基板を得た。
得られたディスク用基板の評価結果を比較例も含めて第
1表に示す。
1表に示す。
比較例5〜6、
メタクリル酸メチル、メタクリル酸アルキルエステル(
ム)および架橋性単量体の組成の異なる単量体混合物を
ラジカル重合開始剤および連鎖移動剤の存在下重合し、
重合途中冷却して反応を停止することにより得られたメ
タクリル系部分重合物100重量部に対してターシャリ
ブチルバーオキシピバレー)0.3重量部を添加混合し
、以下実施例1と同様の方法により直径30w、板厚1
゜2mのディスク用基板を得た。得られたディスク用基
板の評価結果を第1表に示す。
ム)および架橋性単量体の組成の異なる単量体混合物を
ラジカル重合開始剤および連鎖移動剤の存在下重合し、
重合途中冷却して反応を停止することにより得られたメ
タクリル系部分重合物100重量部に対してターシャリ
ブチルバーオキシピバレー)0.3重量部を添加混合し
、以下実施例1と同様の方法により直径30w、板厚1
゜2mのディスク用基板を得た。得られたディスク用基
板の評価結果を第1表に示す。
実施例8〜12、比較例7〜9、
メタクリル酸メチルとメタクリル酸アルキルエステル(
^)の組成を変化させてラジカル重合開始剤および連鎖
移動剤の存在下懸濁重合してポリマービーズを得た。こ
のポリマービーズをメタクリル酸メチル、メタクリル酸
アルキルエステル(A)および架橋性単量体からなる組
成の異なる単量体混合物で完全溶解し均一なメタクリル
系部分重合物とした。この部分重合物100重量部に対
してラウルイルパーオキサイド0.3重量部を添加混合
し、以下実施例1と同様の方法により直径30α、板厚
1.2話のディスク用基板を得た。
^)の組成を変化させてラジカル重合開始剤および連鎖
移動剤の存在下懸濁重合してポリマービーズを得た。こ
のポリマービーズをメタクリル酸メチル、メタクリル酸
アルキルエステル(A)および架橋性単量体からなる組
成の異なる単量体混合物で完全溶解し均一なメタクリル
系部分重合物とした。この部分重合物100重量部に対
してラウルイルパーオキサイド0.3重量部を添加混合
し、以下実施例1と同様の方法により直径30α、板厚
1.2話のディスク用基板を得た。
得られたディスク用基板の評価結果を第2表に示す。
比較例10〜11
バラグラス1.2iuI板(協和ガス化学工業■製、メ
タクリル樹脂注型板)から切り出した直径301のディ
スク用基板およびバラベラ)F−1000(協和ガス化
学工業■製、メタクリル樹脂成形材料)の射出成形によ
る板厚1.2關、直径30(111のディスク用基板の
評価結果をそれぞれ比較例1Oおよび11として第2表
に示す。
タクリル樹脂注型板)から切り出した直径301のディ
スク用基板およびバラベラ)F−1000(協和ガス化
学工業■製、メタクリル樹脂成形材料)の射出成形によ
る板厚1.2關、直径30(111のディスク用基板の
評価結果をそれぞれ比較例1Oおよび11として第2表
に示す。
−17=
Claims (4)
- (1)メタクリル酸メチル10〜80重量%、特定のメ
タクリル酸アルキルエステル(A)20〜80重量%、
架橋性単量体(B)0.3〜10重量%およびこれらと
共重合可能なモノエチレン性不飽和単量体0〜10重量
%からなり、粘度が5〜200ポイズ(25℃)である
均一なメタクリル系部分重合物( I )を硬化させるこ
とにより得られることを特徴とするディスク用基板。 - (2)特定のメタクリル酸アルキルエステル(A)がメ
タクリル酸エチル、メタクリル酸イソプロピル、メタク
リル酸イソブチル、メタクリル酸ターシャリブチルおよ
びメタクリル酸イソボロニルのうち少くとも1種である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のディス
ク用基板。 - (3)架橋性単量体(B)が、ポリエチレングリコール
ジ(メタ)アクリレート(ポリエチレングリコールの分
子量が170〜1020)、ネオペンチルグリコールジ
(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メ
タ)アクリレートおよびトリメチロールプロパントリ(
メタ)アクリレートのうち少くとも1種であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載のディスク用基板
。 - (4)メタクリル酸メチル10〜80重量%、特定のメ
タクリル酸アルキルエステル(A)20〜80重量%、
架橋性単量体(B)0.3〜10重量%およびこれらと
共重合可能なモノエチレン性不飽和単量体0〜10重量
%からなり、粘度が5〜200ポイズ(25℃)である
均一なメタクリル系部分重合物( I )をラジカル重合
開始剤の存在下成形金型内で加圧加熱条件下硬化させる
ことを特徴とするディスク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205120A JPS6183213A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | デイスク基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205120A JPS6183213A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | デイスク基板とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6183213A true JPS6183213A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16501750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59205120A Pending JPS6183213A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | デイスク基板とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6183213A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313145A (ja) * | 1986-03-07 | 1988-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 書込み/消去型光デイスク |
EP0254915A2 (en) * | 1986-07-08 | 1988-02-03 | Lumenyte Corporation | Method and apparatus for the production of a high temperature plastic light conduit |
JPH01163030A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-27 | Tokuyama Soda Co Ltd | 重合方法及び重合装置 |
WO2012161100A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | メタクリル系樹脂組成物及びその成形体 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205120A patent/JPS6183213A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313145A (ja) * | 1986-03-07 | 1988-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 書込み/消去型光デイスク |
EP0254915A2 (en) * | 1986-07-08 | 1988-02-03 | Lumenyte Corporation | Method and apparatus for the production of a high temperature plastic light conduit |
JPH01163030A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-27 | Tokuyama Soda Co Ltd | 重合方法及び重合装置 |
WO2012161100A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | メタクリル系樹脂組成物及びその成形体 |
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