JPS6175371A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPS6175371A JPS6175371A JP19792084A JP19792084A JPS6175371A JP S6175371 A JPS6175371 A JP S6175371A JP 19792084 A JP19792084 A JP 19792084A JP 19792084 A JP19792084 A JP 19792084A JP S6175371 A JPS6175371 A JP S6175371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- light source
- lead sulfide
- coherent light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は６００ ｎｍ以上の波長の可干渉性光を用いて
、画像露光を行ない、静電潜像を形成する方式の電子写
真装置に関する。
、画像露光を行ない、静電潜像を形成する方式の電子写
真装置に関する。
電子写真装置のなかには、Ｈｅ 、 Ｎｏレーデ−１半
導体レーザー等、可干渉性光を光源に用いる物がある。
導体レーザー等、可干渉性光を光源に用いる物がある。
レーザーは、波束が広がりにくいという特徴があり、走
査による画像露光が比較的簡単な光学系にて可能である
。従ってコンピー−ターの出力等、時系列の電気的信号
をもとに画像を出す装置への応用にも適している。この
時、従来のインパクトプリンター等に比較して音が小さ
い、高速であるなどの長所があシ、インパクトプリンタ
ーにとってかわシつつある。
査による画像露光が比較的簡単な光学系にて可能である
。従ってコンピー−ターの出力等、時系列の電気的信号
をもとに画像を出す装置への応用にも適している。この
時、従来のインパクトプリンター等に比較して音が小さ
い、高速であるなどの長所があシ、インパクトプリンタ
ーにとってかわシつつある。
ところで、レーザーは一般に短波長の光を出すものほど
装置は大きくなり、可視域の光を発するレーザーではＨ
ｅ、Ｎ・レーデ−が最も長波長（６３３ｎｍ）で装置も
小型である。これを光源とした場合、使用できる感光体
は、Ｓｓ 、 ＴｏあるいはＡ３等の合金、非晶質シリ
コンなどに限られる。さらに最近では装置の小型化の為
に半導体レーザーを用いることが試みられており、長波
長感度の高い感光体に対する興味が高まっている。
装置は大きくなり、可視域の光を発するレーザーではＨ
ｅ、Ｎ・レーデ−が最も長波長（６３３ｎｍ）で装置も
小型である。これを光源とした場合、使用できる感光体
は、Ｓｓ 、 ＴｏあるいはＡ３等の合金、非晶質シリ
コンなどに限られる。さらに最近では装置の小型化の為
に半導体レーザーを用いることが試みられており、長波
長感度の高い感光体に対する興味が高まっている。
現在、半導体レーデ−の発光波長は約７８０ｎｍ程度で
、これに感度をもち、電子写真感光体として使用できる
材料は少ない。その１つに非晶質シリコンがあるが、７
８０ｎｍの光に対する感度は必ずしも高くはなく、Ｇｏ
等を混合させることで長波長増感が試みられている。し
かし２０〜４ Ｑ ｅｒｇ／σ２・ａｅｃの強度をもつ
レーザーを全て吸収するのく必要な膜厚は３０ｎｍ以上
とかなり厚くなければならない。しかしこのように厚く
した場合、非晶質シリコンの光生成キャリアの可動性が
小さいことに起因する画像のぼけが生じ、膜厚には限界
がある。従って長波長の光源を用いる、場合、膜を透過
し、基板から反射してくる光が存在し、入射光と干渉し
あう。このために画像上に縞ができてしまうという不具
合点が生じている。
、これに感度をもち、電子写真感光体として使用できる
材料は少ない。その１つに非晶質シリコンがあるが、７
８０ｎｍの光に対する感度は必ずしも高くはなく、Ｇｏ
等を混合させることで長波長増感が試みられている。し
かし２０〜４ Ｑ ｅｒｇ／σ２・ａｅｃの強度をもつ
レーザーを全て吸収するのく必要な膜厚は３０ｎｍ以上
とかなり厚くなければならない。しかしこのように厚く
した場合、非晶質シリコンの光生成キャリアの可動性が
小さいことに起因する画像のぼけが生じ、膜厚には限界
がある。従って長波長の光源を用いる、場合、膜を透過
し、基板から反射してくる光が存在し、入射光と干渉し
あう。このために画像上に縞ができてしまうという不具
合点が生じている。
また、Ｓｓ 、 Ａｓ 、 Ｔａ等の合金からなる感光
体を半導体レーザーを光源に用いるプリンターに使用す
る場合もあるが、これらの合金はシリコン以上に吸光係
数が高い物ではなく、やはシ同様の問題が起こっている
。Ｈｓ 、 Ｎｏレーデ−を光源にした場合でもＳｓの
みから成る感光体では吸収しきれずＡｓ 、 Ｔｏ等に
よる増感が必要になる。このような感光体は光疲労が大
きいという別の問題も生じている。これを防ぐ方法とし
て感光体を構成する基体表面を粗らし乱反射させること
などもあるが、この場合膜との接着性に問題がある。そ
の他で＋ｇ赤外吸収材として良く知られている硫化鉛を
ポリマー中に分散させ、これを塗布することで基体まで
到達させない方法もあるが、この時にはポリマー等の感
光層におよぼす電気的特性上の影響、あるいは接着性等
にも問題がある。さらには感光層に非晶質シリコンのよ
うに成膜時に基体を加熱する必要のある材料を用いる場
合には、基体表面に塗布するポリマーは熱に強いもので
なくてはならないという不具合点が生じている。
体を半導体レーザーを光源に用いるプリンターに使用す
る場合もあるが、これらの合金はシリコン以上に吸光係
数が高い物ではなく、やはシ同様の問題が起こっている
。Ｈｓ 、 Ｎｏレーデ−を光源にした場合でもＳｓの
みから成る感光体では吸収しきれずＡｓ 、 Ｔｏ等に
よる増感が必要になる。このような感光体は光疲労が大
きいという別の問題も生じている。これを防ぐ方法とし
て感光体を構成する基体表面を粗らし乱反射させること
などもあるが、この場合膜との接着性に問題がある。そ
の他で＋ｇ赤外吸収材として良く知られている硫化鉛を
ポリマー中に分散させ、これを塗布することで基体まで
到達させない方法もあるが、この時にはポリマー等の感
光層におよぼす電気的特性上の影響、あるいは接着性等
にも問題がある。さらには感光層に非晶質シリコンのよ
うに成膜時に基体を加熱する必要のある材料を用いる場
合には、基体表面に塗布するポリマーは熱に強いもので
なくてはならないという不具合点が生じている。
本発明は、上記事情にもとづきなされたもので、その目
的とするところは、可干渉性光を画像露光用光源に用い
た場合に基板からの反射光と入射光の干渉に起因する画
像上の縞をなくすことができる電子写真装置を提供しよ
うとするものである。
的とするところは、可干渉性光を画像露光用光源に用い
た場合に基板からの反射光と入射光の干渉に起因する画
像上の縞をなくすことができる電子写真装置を提供しよ
うとするものである。
本発明は、かかる目的を達成するために、用いられる感
光体が表面に真空蒸着あるいは化学蒸着により硫化鉛を
積層した導電性基体から成っており、光導電性層を透過
した可干渉性光は、硫化鉛に吸収させることで基体から
の反射を防ぎ、光源に可干渉性光を用いても入射光との
干渉は起こらず、画像には、縞が出ることがないような
構成としたものである。
光体が表面に真空蒸着あるいは化学蒸着により硫化鉛を
積層した導電性基体から成っており、光導電性層を透過
した可干渉性光は、硫化鉛に吸収させることで基体から
の反射を防ぎ、光源に可干渉性光を用いても入射光との
干渉は起こらず、画像には、縞が出ることがないような
構成としたものである。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
。第１図は本発明に適する電子写真装置の説明図である
。ドラム状感光体１は回転可動に設けられ矢印方向に図
示しない駆動手段によシ回転される。この感光体１は帯
電チャージャー２によシ帯電される。次に回転多面体鏡
３によシ反射後、レンズ４により集光された７ ８０
ｎｍの波長をもつ半導体レーデ−９を感光体ドラムＩＫ
照射する。これにより静電潜像が形成され、現像器５に
より現像される。ここで現像された像は転写チャージャ
ー６によって紙上に転写される。その後ドラムＩの感光
体面は次の画像形成のために、りＩＪ−ニング部７でク
リーニングされタングステンラングなどの除電ランプ８
により全面露光され除電される。これまでは通常のプリ
ンターのプロセスである。本発明に用いられ本感光体１
は表面に硫化鉛１１を積層した導電性基体１０から成る
。その硫化鉛１１の積層方法を以下に記述する。
。第１図は本発明に適する電子写真装置の説明図である
。ドラム状感光体１は回転可動に設けられ矢印方向に図
示しない駆動手段によシ回転される。この感光体１は帯
電チャージャー２によシ帯電される。次に回転多面体鏡
３によシ反射後、レンズ４により集光された７ ８０
ｎｍの波長をもつ半導体レーデ−９を感光体ドラムＩＫ
照射する。これにより静電潜像が形成され、現像器５に
より現像される。ここで現像された像は転写チャージャ
ー６によって紙上に転写される。その後ドラムＩの感光
体面は次の画像形成のために、りＩＪ−ニング部７でク
リーニングされタングステンラングなどの除電ランプ８
により全面露光され除電される。これまでは通常のプリ
ンターのプロセスである。本発明に用いられ本感光体１
は表面に硫化鉛１１を積層した導電性基体１０から成る
。その硫化鉛１１の積層方法を以下に記述する。
まず、公知の真空蒸着機のペルジャー内に、加熱蒸着用
テートと平行に相対し、導電性基体としてのＡｔ基体を
取りつける。また、この基体１０は蒸着時に回転しつる
ようになっている。
テートと平行に相対し、導電性基体としてのＡｔ基体を
取りつける。また、この基体１０は蒸着時に回転しつる
ようになっている。
次にペルジャー内を５Ｘ１０Ｔｏｒｒ以上の真空にした
後この基体１０を５０℃から３００℃好ましくは１００
℃から２５０℃程度に加熱して、加熱蒸着により硫化鉛
１１を積層する。また、この時酸素を導入し、真空度１
×１０ からｌＸ１０Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気中で蒸
着すると酸化鉛を少量含み、Ｐ型半導体となり、Ａｔ基
板ＩＯとの接合によってショットキーバリアーを生じる
。従って基体１０から感光層への電 “子の注入を防ぐ
ことができ反射防止及び電荷注入防止の両機能を果たす
ことができる。
後この基体１０を５０℃から３００℃好ましくは１００
℃から２５０℃程度に加熱して、加熱蒸着により硫化鉛
１１を積層する。また、この時酸素を導入し、真空度１
×１０ からｌＸ１０Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気中で蒸
着すると酸化鉛を少量含み、Ｐ型半導体となり、Ａｔ基
板ＩＯとの接合によってショットキーバリアーを生じる
。従って基体１０から感光層への電 “子の注入を防ぐ
ことができ反射防止及び電荷注入防止の両機能を果たす
ことができる。
次に化学蒸着による実施例を示す。０．５７モルのＮａ
ＯＨ１，２ｉｔに０．１７５モルのＰｂ（ＮＯ３）２．
０．４１を加える。次にこの溶液を脱イオン水５１で稀
釈し、あらかじめ洗浄しておいた基体をこの溶液中につ
ける。最後に攪拌しながら１．０モルの（ＮＨ２）２Ｃ
８０，４１を加え室温で３０分間放置する。このように
して得られた層はＰ型半導体である。従りて上記と同様
°にショットキーバリアーを作る。これらの方法によシ
硫化鉛１１を（５００Ａ 〜５ μｍ好ましくは１００
０Ａ〜３μｍ程度）表面に積層した導電性基体１０上に
Ｓ ｉＨ４ガスのプラズマＣＶＤにより非晶質シリコン
光導電性層１２を１０〜３０μｍ積層した。またこの時
Ｂをドーピングすると、より良い特性の感光体Ｉとなる
。さらに非晶質シリコン光導電性層１２上に、非晶質Ｓ
ｉＣ、ＳｉＯ、ＭｇＦ等の高抵抗層からなる表面被覆層
１３を設けると、化学的により安定した感光体１となる
。この感光体１と７８０ ｎｒｒ＋の波長の半導体レー
ザーを用いてプリンターにより画像を出したところ干渉
縞のない良好な画像が得られた。
ＯＨ１，２ｉｔに０．１７５モルのＰｂ（ＮＯ３）２．
０．４１を加える。次にこの溶液を脱イオン水５１で稀
釈し、あらかじめ洗浄しておいた基体をこの溶液中につ
ける。最後に攪拌しながら１．０モルの（ＮＨ２）２Ｃ
８０，４１を加え室温で３０分間放置する。このように
して得られた層はＰ型半導体である。従りて上記と同様
°にショットキーバリアーを作る。これらの方法によシ
硫化鉛１１を（５００Ａ 〜５ μｍ好ましくは１００
０Ａ〜３μｍ程度）表面に積層した導電性基体１０上に
Ｓ ｉＨ４ガスのプラズマＣＶＤにより非晶質シリコン
光導電性層１２を１０〜３０μｍ積層した。またこの時
Ｂをドーピングすると、より良い特性の感光体Ｉとなる
。さらに非晶質シリコン光導電性層１２上に、非晶質Ｓ
ｉＣ、ＳｉＯ、ＭｇＦ等の高抵抗層からなる表面被覆層
１３を設けると、化学的により安定した感光体１となる
。この感光体１と７８０ ｎｒｒ＋の波長の半導体レー
ザーを用いてプリンターにより画像を出したところ干渉
縞のない良好な画像が得られた。
なお、本発明は上記実施例に限るものでない。
すなわち、次に光導電性層（感光ｆｊ５）ｒｚとしてＳ
ｓを真空蒸着した感光体１とＨｅ 、 Ｎｅレーザーを
用いて同様の試絵を行なったところ、やはり同様の効果
が得られ、さらにＳｓ 、 Ｔｅ合金を用いた感光体１
と半導体レーザーについても同様の効果が確認された。
ｓを真空蒸着した感光体１とＨｅ 、 Ｎｅレーザーを
用いて同様の試絵を行なったところ、やはり同様の効果
が得られ、さらにＳｓ 、 Ｔｅ合金を用いた感光体１
と半導体レーザーについても同様の効果が確認された。
その他、本発明は本発明の要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
形実施可能なことは勿論である。
以上説明したように、本発明によれば感光体として表面
に硫化鉛を積層した導電性基体上に光導電性層を積層し
たものを用いるとともに光源として６００ ｎｍ以上の
可干渉性光を用いる構成としたから、光導電性層を透過
した可干渉性光は硫化鉛に吸収させることで基体からの
反射を防ぐことができ、光源に可干渉性光を用いても入
射光との干渉は起こらず画像には縞が出ることなく鮮明
な画像形成が行なえるといった効果を奏する。
に硫化鉛を積層した導電性基体上に光導電性層を積層し
たものを用いるとともに光源として６００ ｎｍ以上の
可干渉性光を用いる構成としたから、光導電性層を透過
した可干渉性光は硫化鉛に吸収させることで基体からの
反射を防ぐことができ、光源に可干渉性光を用いても入
射光との干渉は起こらず画像には縞が出ることなく鮮明
な画像形成が行なえるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は電子写
真装置の構成説明図、第２図は要部である感光体の構成
説面図である。 Ｉ・・・感光体ドラム、２・・・帯電用チャージャー、
３・・・Ｉリボンミラー、４・・・集光レンズ、５・・
・現像器、６・・・転写用チャーツヤ−１７・・・クリ
ーニングブレード、８・・・除電ランプ、９・・・レー
ザーダイオード（半導体レーザー）、１０・・・導電性
基体、ＩＩ・・・反射防止層（硫化鉛）、Ｉ２・・・光
導電性層（感光層）、１３・・・表面被覆層。
真装置の構成説明図、第２図は要部である感光体の構成
説面図である。 Ｉ・・・感光体ドラム、２・・・帯電用チャージャー、
３・・・Ｉリボンミラー、４・・・集光レンズ、５・・
・現像器、６・・・転写用チャーツヤ−１７・・・クリ
ーニングブレード、８・・・除電ランプ、９・・・レー
ザーダイオード（半導体レーザー）、１０・・・導電性
基体、ＩＩ・・・反射防止層（硫化鉛）、Ｉ２・・・光
導電性層（感光層）、１３・・・表面被覆層。
Claims (3)
- （１）感光体を像露光して像を形成し、この像露光に用
いる光源が可干渉性である電子写真装置において、感光
体として表面に硫化鉛を積層した導電性基体上に光導電
性層を積層したものを用いるとともに光源として６００
ｎｍ以上の可干渉性光を用いる構成としたことを特徴と
する電子写真装置。 - （２）硫化鉛層を真空蒸着あるいは化学蒸着により積層
した感光体を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子写真装置。 - （３）感光体に非晶質シリコンが含まれていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の電子
写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792084A JPS6175371A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792084A JPS6175371A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175371A true JPS6175371A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16382471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19792084A Pending JPS6175371A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509066B1 (en) * | 2000-05-02 | 2003-01-21 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Sensitized photoconductive infrared detectors |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP19792084A patent/JPS6175371A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509066B1 (en) * | 2000-05-02 | 2003-01-21 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Sensitized photoconductive infrared detectors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6356974B2 (ja) | ||
| JPS6175371A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS6129851A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS5958437A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH07120953A (ja) | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 | |
| JPS5882249A (ja) | レ−ザ−プリンタ用電子写真感光体 | |
| EP0987576B1 (en) | Electrophotographic apparatus and electrophotographic method | |
| JPS6146967A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS6175360A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4592643A (en) | Copying machine having reduced image memory | |
| JPS6146966A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPH0478880A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS61110152A (ja) | 感光体 | |
| JPS6129850A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3004114B2 (ja) | 画像形成方法 | |
| JPS59109057A (ja) | 電子写真感光体 | |
| Nakayama et al. | Stability of amorphous silicon photoreceptor for diode laser printer application | |
| JPS60147757A (ja) | 感光体に画像露光する装置 | |
| JPS60195567A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS6135453A (ja) | 感光体 | |
| JPH04324464A (ja) | 画像形成方法 | |
| JPH10239883A (ja) | 電子写真有機感光体 | |
| JPH087449B2 (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
| JPS61105557A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59109058A (ja) | 電子写真感光体 |