JPS6170723A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS6170723A JPS6170723A JP59192872A JP19287284A JPS6170723A JP S6170723 A JPS6170723 A JP S6170723A JP 59192872 A JP59192872 A JP 59192872A JP 19287284 A JP19287284 A JP 19287284A JP S6170723 A JPS6170723 A JP S6170723A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパター７形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体のリングラフィ工程では、有機高分子薄膜に光や
荷電ビームを照射し、照射部と未照射部の溶解速度の差
を利用してパターンを形成する。
荷電ビームを照射し、照射部と未照射部の溶解速度の差
を利用してパターンを形成する。
このとき、照射部のレジストが残存するものをネガ形レ
ジスト、照射部のレジストが除去されるものをポジ形レ
ジストとよぶ・。
ジスト、照射部のレジストが除去されるものをポジ形レ
ジストとよぶ・。
これらのポジ形およびネガ形レジストは、一般に、両方
のレジストを使用できれば便利なことが多い。とくに、
ベクター走査型電子ビーム露光装置を用いる場合は、描
画パターンにより１、ネガ形。
のレジストを使用できれば便利なことが多い。とくに、
ベクター走査型電子ビーム露光装置を用いる場合は、描
画パターンにより１、ネガ形。
ポジ形両方のレジストパターンが必要である。しかし、
一方では２種類のレジストを使うことはプロセスが複雑
になるので望ましいことではない。
一方では２種類のレジストを使うことはプロセスが複雑
になるので望ましいことではない。
このような理由から、一種類のレジストを用いて、その
レジストの反転パターンを形成する方法が求められてい
た。
レジストの反転パターンを形成する方法が求められてい
た。
発明の目的
本発明は、この問題を解決するものであシ、所定レジス
トパターンの反転レジストパターンヲ形成することであ
る。
トパターンの反転レジストパターンヲ形成することであ
る。
発明の構成
すなわち、基板上に形成した第１のレジストパターン上
に、波長２６０１ｍにおける吸光度がＯ，Ｓ以上の第２
のレジストを塗布し、波長３００ｎｌｌ以下の遠紫外光
を照射し、熱処理後、前記第１のレジストパターン上の
前記第２のレジストを除去し、その後、前記第１のレジ
ストパターンを除去することを特徴とするパターン形成
方法であり、これにより、高精度の反転レジストパター
ンが得られる。
に、波長２６０１ｍにおける吸光度がＯ，Ｓ以上の第２
のレジストを塗布し、波長３００ｎｌｌ以下の遠紫外光
を照射し、熱処理後、前記第１のレジストパターン上の
前記第２のレジストを除去し、その後、前記第１のレジ
ストパターンを除去することを特徴とするパターン形成
方法であり、これにより、高精度の反転レジストパター
ンが得られる。
１ 実施例の説明
以下に第１図へ〜ｅの工程順断面図に基いて本発明の実
施例について説明する。まず、第１図ａのように、シリ
コンウェハ１上にポジ形電子線レジストであるポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭ人）２を１μｍ塗布し、１７
０’Ｃ，３０分プリベークを行う。ついで、電子ビーム
を用いて露光量６４μＯＡｔ＆でパターンを露光し、メ
チルイソブチルケトン現像液で１分現像し、イングロビ
ルアルコールで１分間、リンスすることで、第１図すの
ように、パターン３を形成する。次に、第１図Ｃのよう
に、この上にポリスチレン系ネガ形レジスト、例えば、
東洋ソーダ（社）製の商品名：ＣＭＳ−ｘｘ（クロロメ
チル化ポリスチレ／）４を１．５μｍ塗布し、１３０’
Ｃ，２０分プリベークを行う。この後、酸素アッシング
により、２００！、７分アッシングを行うことで、第１
図ｄのように、ＰＭＭ人レジしトパターン上のクロロメ
チル化ポリスチレン（ＣＭＳ）レジストを除去する。次
に遠紫外光を３０秒照射した後、２００°Ｃ１３０分ベ
ークを行い、第１図６のように、ＰＭＭＡレジストの現
像液メチルイソブチルケトンに２分間浸漬して、ＰＭＭ
ムレシストを除去する。これによって・ＰＭＭムレシス
トの反転形状がネガ形レジストＣＭＳによって形成され
る。また０ＭＳレジストのパターン解像度は、ポジ形し
ジス）ＰＭＭ人の解像度で決まり、一般のネガ形レジス
トパターンより高い解像度を得る。
施例について説明する。まず、第１図ａのように、シリ
コンウェハ１上にポジ形電子線レジストであるポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭ人）２を１μｍ塗布し、１７
０’Ｃ，３０分プリベークを行う。ついで、電子ビーム
を用いて露光量６４μＯＡｔ＆でパターンを露光し、メ
チルイソブチルケトン現像液で１分現像し、イングロビ
ルアルコールで１分間、リンスすることで、第１図すの
ように、パターン３を形成する。次に、第１図Ｃのよう
に、この上にポリスチレン系ネガ形レジスト、例えば、
東洋ソーダ（社）製の商品名：ＣＭＳ−ｘｘ（クロロメ
チル化ポリスチレ／）４を１．５μｍ塗布し、１３０’
Ｃ，２０分プリベークを行う。この後、酸素アッシング
により、２００！、７分アッシングを行うことで、第１
図ｄのように、ＰＭＭ人レジしトパターン上のクロロメ
チル化ポリスチレン（ＣＭＳ）レジストを除去する。次
に遠紫外光を３０秒照射した後、２００°Ｃ１３０分ベ
ークを行い、第１図６のように、ＰＭＭＡレジストの現
像液メチルイソブチルケトンに２分間浸漬して、ＰＭＭ
ムレシストを除去する。これによって・ＰＭＭムレシス
トの反転形状がネガ形レジストＣＭＳによって形成され
る。また０ＭＳレジストのパターン解像度は、ポジ形し
ジス）ＰＭＭ人の解像度で決まり、一般のネガ形レジス
トパターンより高い解像度を得る。
ここでは、ＰＭＭムレシストが遠紫外光照射により露光
されるため、ＰＭＭムレシストの除去力容易となる。こ
のような電子線および遠紫外光に対してポジ形であるレ
ジストをＰＭＭムのかわりに使うことができる。例えば
フルオロアルキルメタクリレート、レジスト、例えば、
ダイキン社製の商品名ＦＢＭ−１２０，あるいは、ポリ
ブテンスルホン（ＰＢＳ〉レジストがあり、これらは感
度がＰＭＭムより高いため、スループットを上げること
ができる。
されるため、ＰＭＭムレシストの除去力容易となる。こ
のような電子線および遠紫外光に対してポジ形であるレ
ジストをＰＭＭムのかわりに使うことができる。例えば
フルオロアルキルメタクリレート、レジスト、例えば、
ダイキン社製の商品名ＦＢＭ−１２０，あるいは、ポリ
ブテンスルホン（ＰＢＳ〉レジストがあり、これらは感
度がＰＭＭムより高いため、スループットを上げること
ができる。
また、ここでは反転パターンに０ＭＳレジストを用いて
いるが、ポリスチレン系レジストでハ遠紫外光照射後、
熱処理することで有機溶剤に不溶となることから、他の
ポリスチレン系レジストを用いることができる。また、
遠紫外光照射後、熱処理することで有機溶剤に不溶とな
るレジストとして、ノボラック樹脂系レジストを用いる
ことができる。例えば、東京応化（社）製の商品名０Ｆ
ＰＲ−８００、同０ＦＰＲ−１０００シツプレー（社）
製の商品名ムＺ −１３５０Ｊ、 日立化成（社）製
の商品名ＲＩＣ−ｓｏｏｏｐなどである。ここで、ポリ
スチレン系レジストでは、出力１７ｍＷＯ遠紫外光をＢ
ｏ秒程度照射するが、ノボラック樹脂系では３分以上照
射する必要がある。
いるが、ポリスチレン系レジストでハ遠紫外光照射後、
熱処理することで有機溶剤に不溶となることから、他の
ポリスチレン系レジストを用いることができる。また、
遠紫外光照射後、熱処理することで有機溶剤に不溶とな
るレジストとして、ノボラック樹脂系レジストを用いる
ことができる。例えば、東京応化（社）製の商品名０Ｆ
ＰＲ−８００、同０ＦＰＲ−１０００シツプレー（社）
製の商品名ムＺ −１３５０Ｊ、 日立化成（社）製
の商品名ＲＩＣ−ｓｏｏｏｐなどである。ここで、ポリ
スチレン系レジストでは、出力１７ｍＷＯ遠紫外光をＢ
ｏ秒程度照射するが、ノボラック樹脂系では３分以上照
射する必要がある。
第２図＆％ｅの工程順断面図により、ネガ形電子線レジ
スト、例えば、ポリグリシジルメタクリレ−）（ＰＣＭ
人）６を用いた場合の実施例について説明する。
スト、例えば、ポリグリシジルメタクリレ−）（ＰＣＭ
人）６を用いた場合の実施例について説明する。
まず、第２図ａのように、シリコンウエノ・θ上にＰＧ
Ｍ人レジスト６を１ｐｍ塗布し、８０’Ｃ。
Ｍ人レジスト６を１ｐｍ塗布し、８０’Ｃ。
２０分プリベークする。この後、電子ビームを用いて露
光量１μＯ／’Ｊでパターンを露光し、ＰＧＭ人専用液
で３０秒現像して第２図すのように、パターン７を形成
する。次に、第２図Ｃのようにこの上にノボラック樹脂
系レジスト０ＦＰＲ−Ｂｏ。
光量１μＯ／’Ｊでパターンを露光し、ＰＧＭ人専用液
で３０秒現像して第２図すのように、パターン７を形成
する。次に、第２図Ｃのようにこの上にノボラック樹脂
系レジスト０ＦＰＲ−Ｂｏ。
８を１１−６ｐ塗布し、８６°Ｃ，２０分ベークする。
この後、現像液に約５分間浸漬し、第２図ｄのように、
２０Ｍムレシストパターン上の０ＦＰＦｔ−８００レジ
ストを除去する。次に、第２図ｅのように、遠紫外光を
３分照射し、２００°Ｃ９３０分ベークし、ＰＧＭム専
用現像液に１分浸し、ＰＧＭ人レジストを除去する。こ
れによってＰＧＭ人レジストパターンの反転バター７
カＯＦ Ｐ Ｒ−８００レジストによって形成される。
２０Ｍムレシストパターン上の０ＦＰＦｔ−８００レジ
ストを除去する。次に、第２図ｅのように、遠紫外光を
３分照射し、２００°Ｃ９３０分ベークし、ＰＧＭム専
用現像液に１分浸し、ＰＧＭ人レジストを除去する。こ
れによってＰＧＭ人レジストパターンの反転バター７
カＯＦ Ｐ Ｒ−８００レジストによって形成される。
ここで、２３Ｍムレシストは電子ビームに対しては、ネ
ガ形レジストになり、遠紫外光に対しては、ポジ形レジ
ストになるため、遠紫外光照射後熱処理を行っても、有
機溶剤に溶ける。
ガ形レジストになり、遠紫外光に対しては、ポジ形レジ
ストになるため、遠紫外光照射後熱処理を行っても、有
機溶剤に溶ける。
第３図に２３Ｍムレシストを露光量１μＯＡＪで露光し
たサンプルについて、遠紫外光照射時間に対するレジス
ト除去時間の関係を示す。ここでは、レジスト除去にＰ
ＧＭム専用現像液を用いている。
たサンプルについて、遠紫外光照射時間に対するレジス
ト除去時間の関係を示す。ここでは、レジスト除去にＰ
ＧＭム専用現像液を用いている。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、基板上に形成した第
１のレジストパターン上に、波長２５０ｎｍにおける吸
光度が０．５以上の第２のレジストを塗布し、波長ｓｏ
ｏｎｍ以下の遠紫外光を照射し、熱処理後、第１のレジ
ストパターン上の第２のレジストを除去し、その後、第
１のレジストパターンを除去することを特徴とするパタ
ーン形成方法であって、本発明を用いることによって、
１種類のレジストで簡単に、高解像度の反転パターンを
形成することができる。
１のレジストパターン上に、波長２５０ｎｍにおける吸
光度が０．５以上の第２のレジストを塗布し、波長ｓｏ
ｏｎｍ以下の遠紫外光を照射し、熱処理後、第１のレジ
ストパターン上の第２のレジストを除去し、その後、第
１のレジストパターンを除去することを特徴とするパタ
ーン形成方法であって、本発明を用いることによって、
１種類のレジストで簡単に、高解像度の反転パターンを
形成することができる。
第１図ａ〜ｅｆｔ第ルジストにＰＭＭムを用いた場合の
本発明の詳細な説明するための断面図、第２図ａ〜ｅは
第ルジストにＰＧＭムを用いた場合の本発明の詳細な説
明するための断面図、第３図は２３Ｍムレシストを露光
量１μＣ＋／、４で露光したパターン除去について、遠
紫外光照射時間゛に対するレジスト除去時間の関係を示
すグ２７である。 １・・・・・・シリコンウェハ、２・・・・・・ＰＭＭ
ムレシスト、３・・・・・・ＰＭＭムレシストパターン
、４・・・川ＯＭＢレジスト、６・・・・・・２３Ｍム
レシスト、６・・・・・・シリコンウェハ、７・・・・
・・ＰＧＭＡレジストパターン、８・・・・・・０ＦＰ
Ｒ−８００レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１ｃ３ ｗ ＜） ｚ
Ｃ１
本発明の詳細な説明するための断面図、第２図ａ〜ｅは
第ルジストにＰＧＭムを用いた場合の本発明の詳細な説
明するための断面図、第３図は２３Ｍムレシストを露光
量１μＣ＋／、４で露光したパターン除去について、遠
紫外光照射時間゛に対するレジスト除去時間の関係を示
すグ２７である。 １・・・・・・シリコンウェハ、２・・・・・・ＰＭＭ
ムレシスト、３・・・・・・ＰＭＭムレシストパターン
、４・・・川ＯＭＢレジスト、６・・・・・・２３Ｍム
レシスト、６・・・・・・シリコンウェハ、７・・・・
・・ＰＧＭＡレジストパターン、８・・・・・・０ＦＰ
Ｒ−８００レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１ｃ３ ｗ ＜） ｚ
Ｃ１
Claims (5)
- （１）基板上に形成した第１のレジストパターン上に、
波長２５０ｎｍにおける吸光度が０．５以上の第２のレ
ジストを塗布し、波長３００ｎｍ以下の遠紫外光を照射
し、熱処理後、前記第１のレジストパターン上の前記第
２のレジストを除去し、その後前記第１のレジストパタ
ーンを除去する工程をそなえたパターン形成方法。 - （２）第２のレジストがノボラック樹脂系ポジ形ホトレ
ジストでなる特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。 - （３）第２のレジストがポリスチレン系ネガ形レジスト
でなる特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法
。 - （４）第１のレジスト除去工程が遠紫外照射後、有機溶
剤に浸漬することにより行なわれる特許請求の範囲第１
項に記載のパターン形成方法。 - （５）第１のレジストがＰＧＭＡレジストでなる特許請
求の範囲第４項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192872A JPS6170723A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192872A JPS6170723A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170723A true JPS6170723A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16298374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192872A Pending JPS6170723A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670106B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Formation method of pattern |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59192872A patent/JPS6170723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670106B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Formation method of pattern |
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