JPS61108135A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS61108135A JPS61108135A JP59229908A JP22990884A JPS61108135A JP S61108135 A JPS61108135 A JP S61108135A JP 59229908 A JP59229908 A JP 59229908A JP 22990884 A JP22990884 A JP 22990884A JP S61108135 A JPS61108135 A JP S61108135A
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- JP
- Japan
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- resist
- pattern
- irradiated
- ultraviolet rays
- deep ultraviolet
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路あるい
はそれ等の製造に用いるフォトマスクの製造の際のレジ
ストパターン形成法に関し、更に詳しくはポジ型電子線
レジストのレジストパターン形成方法に関する。
はそれ等の製造に用いるフォトマスクの製造の際のレジ
ストパターン形成法に関し、更に詳しくはポジ型電子線
レジストのレジストパターン形成方法に関する。
周知のように、近年、半導体集積回路等の高来の紫外線
を用いたフォトリソグラフィーに代って、電子線、軟Ｘ
線、イオンビーム等を用いるリソグラフィーにより超微
細なパターン加工技術を確立する努力が払われておシ、
フォトマスクの製造では既に電子線リソグラフィーが工
業的に実用されている。
を用いたフォトリソグラフィーに代って、電子線、軟Ｘ
線、イオンビーム等を用いるリソグラフィーにより超微
細なパターン加工技術を確立する努力が払われておシ、
フォトマスクの製造では既に電子線リソグラフィーが工
業的に実用されている。
このような超微細リソグラフィー技術を可能とするため
には使用されるレジスト材料はそれに応える特性を有す
るものでなければならない。
には使用されるレジスト材料はそれに応える特性を有す
るものでなければならない。
又、レジスト製版のプロセスも超微細加工の品質を左右
するもので非常に重要である。
するもので非常に重要である。
一般に、電子線レジストとしては、数多くのものが開発
されている。これらは、電子線の照射によって崩壊反応
を起して照射部が可溶化するポジ型レジストと、電子線
の照射によって架橋反応を起し照射部が不溶化するネガ
型レジストとに分類される。両者のうちポジ型レジスト
は超微細な高解像画像を形成し得る点でネガ型よシも優
れている。
されている。これらは、電子線の照射によって崩壊反応
を起して照射部が可溶化するポジ型レジストと、電子線
の照射によって架橋反応を起し照射部が不溶化するネガ
型レジストとに分類される。両者のうちポジ型レジスト
は超微細な高解像画像を形成し得る点でネガ型よシも優
れている。
しかしながら、ポジ型レジストの中でも、２゜２．２．
−トリクロロエチルメタクリレート重合体、２．２．２
−トリフルオロエチル−α−クロロアクリレート重合体
、ヘキサフルオロブチルメタクリレート重合体などのハ
ロゲン化アルキルメタクリレート重合体を主成分とする
電子線ポジ型レジストは、任意の基板に塗布し、乾燥し
、電子線でパターン描画し、所定の現像液で現像した後
に、基板表面に厚さ１０〜１００１程度のレジスト残渣
がパターン周辺部に残存し、しかもパターン間隔が小さ
くなる程レジスト残渣の残存現像が著しく生じるという
欠点を有する。
−トリクロロエチルメタクリレート重合体、２．２．２
−トリフルオロエチル−α−クロロアクリレート重合体
、ヘキサフルオロブチルメタクリレート重合体などのハ
ロゲン化アルキルメタクリレート重合体を主成分とする
電子線ポジ型レジストは、任意の基板に塗布し、乾燥し
、電子線でパターン描画し、所定の現像液で現像した後
に、基板表面に厚さ１０〜１００１程度のレジスト残渣
がパターン周辺部に残存し、しかもパターン間隔が小さ
くなる程レジスト残渣の残存現像が著しく生じるという
欠点を有する。
而してレジスト残渣はレジストパターンの画質を著しく
損ねたシ、次のエツチング工程で障害となシ、工、チン
グむらやエツチング残シを生じて、最終的に製品を不良
としてしまう。
損ねたシ、次のエツチング工程で障害となシ、工、チン
グむらやエツチング残シを生じて、最終的に製品を不良
としてしまう。
それゆえ、従来ハロゲン化アルキルメタクリレート重合
体を主成分とする電子線レジストは、次にのべるような
方法によってレジストパターンの形成がなされている。
体を主成分とする電子線レジストは、次にのべるような
方法によってレジストパターンの形成がなされている。
先ず、所定の基板上に一定の膜厚で電子線レジストを塗
布し、乾燥させる。次に電子線でパターンを描画し、次
いで所定の現像液で現像して、レジストパターンを得る
。この時パターン周辺部にレジスト残渣が生ずる。次に
ポストベーキングしてレジストを硬化させた後に、ドラ
イエツチング装置内で酸素プラズマガスでレジスト残渣
、いわゆるスカムを除くデスカム工程（又はライトアッ
シング工程）を入れて、レジスト残渣′を除去し所望の
レジストパターンを得ている。そのため、従来デスカム
装置として円筒型又は平行平板型のドライエツチング装
置を必要とし、その操作及び条件設定も複雑で慎重な制
御を必要とするのみならず真空系を使用するためプロセ
スが繁雑であった。
布し、乾燥させる。次に電子線でパターンを描画し、次
いで所定の現像液で現像して、レジストパターンを得る
。この時パターン周辺部にレジスト残渣が生ずる。次に
ポストベーキングしてレジストを硬化させた後に、ドラ
イエツチング装置内で酸素プラズマガスでレジスト残渣
、いわゆるスカムを除くデスカム工程（又はライトアッ
シング工程）を入れて、レジスト残渣′を除去し所望の
レジストパターンを得ている。そのため、従来デスカム
装置として円筒型又は平行平板型のドライエツチング装
置を必要とし、その操作及び条件設定も複雑で慎重な制
御を必要とするのみならず真空系を使用するためプロセ
スが繁雑であった。
そこで本発明が解決しようとする問題点は上記の欠点を
改良した、繁雑な酸素プラズマ等によるドライエツチン
グのデスカム工程なしに高品質のレジストパターンを得
る方法を提供することにある。
改良した、繁雑な酸素プラズマ等によるドライエツチン
グのデスカム工程なしに高品質のレジストパターンを得
る方法を提供することにある。
□〔問題点を解決するための手段〕
本発明者は上記の問題点を解決すべく研究の結果、電子
線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によ
ってもポジ型となるレジスト組成物を用いて、加工を施
こすべき基板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射に
よりバターンを描画し、次いで現像してレジストパター
ンを生成し、次いで遠紫外線を数分間全面照射すること
によりレジスト残渣を除去することができること、及び
遠紫外線の照射を基板を加熱しながら行なうことにより
レジスト残漬の除去効果を更に高めることができること
を見いだし、かかる知見にもとすいて本発明を完成した
ものポジ型となり、且っ遠紫外線の照射によってもポジ
型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こすべき基
板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射によりバター
ンを描画し、次いで現像してレジストパターンを生成し
、次いで遠紫外線を全面照射してパターン周辺部に残存
するレジスト残渣を除去すること、及び遠紫外線照射工
程の前もしくは後においてボストベーキングを行なって
レジストを硬化させることを特徴とするレジストパター
ンの形成方法であシ、第２の発明の要旨は電子線の照射
によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によってポジ
型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こすべき基
板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射によりパター
ンを描画し、次いで現像してレジストパターンを生成し
５次いで基板を加熱しながら遠紫外線を全面照射してパ
ターン周辺部に残存するレジスト残渣を除去すること、
及び遠紫外線照射工程の前もしくは後に、ボストベーキ
ングを行なってレジストを硬化させることを特徴とする
レジストパターンの形成方法である。
線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によ
ってもポジ型となるレジスト組成物を用いて、加工を施
こすべき基板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射に
よりバターンを描画し、次いで現像してレジストパター
ンを生成し、次いで遠紫外線を数分間全面照射すること
によりレジスト残渣を除去することができること、及び
遠紫外線の照射を基板を加熱しながら行なうことにより
レジスト残漬の除去効果を更に高めることができること
を見いだし、かかる知見にもとすいて本発明を完成した
ものポジ型となり、且っ遠紫外線の照射によってもポジ
型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こすべき基
板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射によりバター
ンを描画し、次いで現像してレジストパターンを生成し
、次いで遠紫外線を全面照射してパターン周辺部に残存
するレジスト残渣を除去すること、及び遠紫外線照射工
程の前もしくは後においてボストベーキングを行なって
レジストを硬化させることを特徴とするレジストパター
ンの形成方法であシ、第２の発明の要旨は電子線の照射
によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によってポジ
型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こすべき基
板上にレジスト被膜を形成し、電子線照射によりパター
ンを描画し、次いで現像してレジストパターンを生成し
５次いで基板を加熱しながら遠紫外線を全面照射してパ
ターン周辺部に残存するレジスト残渣を除去すること、
及び遠紫外線照射工程の前もしくは後に、ボストベーキ
ングを行なってレジストを硬化させることを特徴とする
レジストパターンの形成方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図ａに示す如く、シリコンウニへやフォトマスクブ
ランクなどの加工対象とする所定の基板１の上に、スピ
ンナーなどにょシポジ型電子線レジストを回転塗布し、
乾燥させて、厚さ０．２μｒｎ〜２μｍの均一なレジス
ト膜２を得る。レジストの乾燥温度や時間は、レジスト
それぞれのポリマーや溶媒の特性によって異なるが、一
般に７０℃〜１５０℃、３０分が用いられている。
ランクなどの加工対象とする所定の基板１の上に、スピ
ンナーなどにょシポジ型電子線レジストを回転塗布し、
乾燥させて、厚さ０．２μｒｎ〜２μｍの均一なレジス
ト膜２を得る。レジストの乾燥温度や時間は、レジスト
それぞれのポリマーや溶媒の特性によって異なるが、一
般に７０℃〜１５０℃、３０分が用いられている。
本発明において用いられるポジ型レジストとしては、デ
スカム工程を必要とする一般のポジ型レジストが使用さ
れ、その好適な例としてポリ−２，２，３，４，４，４
，−へキサフルオロブチルメタクリレート（商品名 ダ
イキン工業Ｑ Ｆ ＢＭ ） ｖポリ−１，１−ジメチ
ル−２！、λ３，３−テトラフルオロプロピルメタクリ
レート（商品名 ダイギン工業製ＦＰＭ）、ポリ−４２
，’ ２− ）リクロロエチルメタクリレート（商品名
束しＭ ＥＢａ−１）。
スカム工程を必要とする一般のポジ型レジストが使用さ
れ、その好適な例としてポリ−２，２，３，４，４，４
，−へキサフルオロブチルメタクリレート（商品名 ダ
イキン工業Ｑ Ｆ ＢＭ ） ｖポリ−１，１−ジメチ
ル−２！、λ３，３−テトラフルオロプロピルメタクリ
レート（商品名 ダイギン工業製ＦＰＭ）、ポリ−４２
，’ ２− ）リクロロエチルメタクリレート（商品名
束しＭ ＥＢａ−１）。
、ｔ’！Ｊ−２，２，２−）リフルオロエチル−α−ク
ロ・ロアクリレート（商品名 東し製ＦｉＢＲ−９）、
等のポリハロゲン化アルキルメタクリレート系レジスト
があげられる。
ロ・ロアクリレート（商品名 東し製ＦｉＢＲ−９）、
等のポリハロゲン化アルキルメタクリレート系レジスト
があげられる。
次に第１図すの如く、電子線３でパターン描画し、所定
の現像液で現像して、第１図Ｃの如く、レジストパター
ン４を得る。この時本発明に用いられるデスカム工程を
必要とするポジ型レジストは、パターン周辺部にレジス
ト残渣５が生ずる。現像液としては、各々のレジストの
所定の現像液が用いられる。
の現像液で現像して、第１図Ｃの如く、レジストパター
ン４を得る。この時本発明に用いられるデスカム工程を
必要とするポジ型レジストは、パターン周辺部にレジス
ト残渣５が生ずる。現像液としては、各々のレジストの
所定の現像液が用いられる。
次に第１図ｄに示す如く、レジストパターン４を有する
基板１の全面にパターン側よシ波長１８Ｑｎｍ〜３ＱＱ
ｎｍの遠紫外線６を全面照射する。照射時間は使用する
レジスト、照射波長、光源の出力により若干異なるが、
数分〜数１０分が適用し得る。遠紫外線６を照射するこ
とによりンシスト残渣（スカム）５は取υ除かれ、第１
図ｅに示す如く所望の良好なレジスト残渣のないレジス
トパターン７を形成せしめる。第１図ｅの次に通常実施
されているレジスト工程、即ちポストベーク工程、基板
エツチング工程、レジスト剥膜工程が順次行なわれる。
基板１の全面にパターン側よシ波長１８Ｑｎｍ〜３ＱＱ
ｎｍの遠紫外線６を全面照射する。照射時間は使用する
レジスト、照射波長、光源の出力により若干異なるが、
数分〜数１０分が適用し得る。遠紫外線６を照射するこ
とによりンシスト残渣（スカム）５は取υ除かれ、第１
図ｅに示す如く所望の良好なレジスト残渣のないレジス
トパターン７を形成せしめる。第１図ｅの次に通常実施
されているレジスト工程、即ちポストベーク工程、基板
エツチング工程、レジスト剥膜工程が順次行なわれる。
尚、本発明においてポストペーキング工程を遠紫外線照
射工程の前に行なっても良い。
射工程の前に行なっても良い。
本発明において遠紫外線の照射によるレジスト残渣を除
去する工程を酸素雰囲気中で行なうことによりンシスト
残渣の除去をよυ効果的に行なうことができる。
去する工程を酸素雰囲気中で行なうことによりンシスト
残渣の除去をよυ効果的に行なうことができる。
以上は第１の発明の方法についての説明である。
次に第２の発明の方法について説明する。
この第２の発明の方法は遠紫外線の照射を基板を５０〜
１５０℃に加熱しながら行なう点が第１の発明の方法と
異なるのみで、他の構成は第１の発明の構成と同一であ
る。
１５０℃に加熱しながら行なう点が第１の発明の方法と
異なるのみで、他の構成は第１の発明の構成と同一であ
る。
基板の加熱によりンシスト残渣の除去が早められる。こ
の場合加熱温度は使用するレジストの種類によυ異なる
が、レジストパターンの解像性を低下させないためには
、各々のレジストのガラス転移温度以下に抑える必要が
ある。又、照射時間は数分〜１０分が適当である。
の場合加熱温度は使用するレジストの種類によυ異なる
が、レジストパターンの解像性を低下させないためには
、各々のレジストのガラス転移温度以下に抑える必要が
ある。又、照射時間は数分〜１０分が適当である。
遠紫外線６の照射によりレジスト残渣５が除去される。
このレジスト残渣が除去される機構の詳細は明らかでは
ないが、次の様に推定される。ポジ型レジストであるポ
リハロゲン化アルキルメタクリレート系のレジスト残渣
（スカム）は、電子線照射によりレジストが主鎖切断な
どを起こし低分子量化した化合物である。このスカムに
高エネルギー線である遠紫外線が再び照射されることに
より、低分子量化したスカムは更に分解し、気化性の物
質即ち、水素、炭酸ガス、−酸化炭素、メタン、ハロゲ
ンガスなどが生成し、留去されると考えられる。
ないが、次の様に推定される。ポジ型レジストであるポ
リハロゲン化アルキルメタクリレート系のレジスト残渣
（スカム）は、電子線照射によりレジストが主鎖切断な
どを起こし低分子量化した化合物である。このスカムに
高エネルギー線である遠紫外線が再び照射されることに
より、低分子量化したスカムは更に分解し、気化性の物
質即ち、水素、炭酸ガス、−酸化炭素、メタン、ハロゲ
ンガスなどが生成し、留去されると考えられる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
クロムマスクブランク基板上にポリ−２，２，３゜４、
４．４−ヘキサフルオロブチルメタクリレートを主成分
とするレジスト（商品名 ダイキン工業製ＦＢＭ−１２
０） をスピンナー塗布し、１４０℃で３０分間プリ
ベーキングし、膜厚０．５μｍのレジスト膜を得た０次
に電子線露光装置にてパターン描画し専用の現像液（商
品名 ＦＢＭ−１２０Ｄ）で２３℃、６０秒スプレー現
像し、専用のリンス液（商品名、 ｐＢＭ−１２ｏＲ）
で２３℃、３０秒スプレーリンスし、レジストパターン
を得た。このレジストパターンは光学顕微鏡下でレジス
ト残渣（スカム）の存在が認められた。
４．４−ヘキサフルオロブチルメタクリレートを主成分
とするレジスト（商品名 ダイキン工業製ＦＢＭ−１２
０） をスピンナー塗布し、１４０℃で３０分間プリ
ベーキングし、膜厚０．５μｍのレジスト膜を得た０次
に電子線露光装置にてパターン描画し専用の現像液（商
品名 ＦＢＭ−１２０Ｄ）で２３℃、６０秒スプレー現
像し、専用のリンス液（商品名、 ｐＢＭ−１２ｏＲ）
で２３℃、３０秒スプレーリンスし、レジストパターン
を得た。このレジストパターンは光学顕微鏡下でレジス
ト残渣（スカム）の存在が認められた。
次に波長１９ Ｑ ｎｍ−２５Ｑ ｎｍの遠紫外線を出
す５００ＷのＸｅ −Ｈｇランプにより、距離５０ｃＩ
ｎにて常温、大気中でレジストパターンを約３公金面照
射した。
す５００ＷのＸｅ −Ｈｇランプにより、距離５０ｃＩ
ｎにて常温、大気中でレジストパターンを約３公金面照
射した。
この全面照射したレジストパターンを再ヒ光学顕微鏡下
で観察すると、レジスト残渣（スカム）は完全に除去さ
れ、良好なレジストパターンが形成されていることが確
認された。
で観察すると、レジスト残渣（スカム）は完全に除去さ
れ、良好なレジストパターンが形成されていることが確
認された。
次に８０℃ ３０分ポストベーキングし、硝酸第２セリ
ウムアンモニウム水溶液で４０秒間ウェットエツチング
し、レジストパターン通シにクロムがエツチングされた
。次に酸素プラズマでレジストを除去し、パターニング
したクロムフォトマスクを得た。
ウムアンモニウム水溶液で４０秒間ウェットエツチング
し、レジストパターン通シにクロムがエツチングされた
。次に酸素プラズマでレジストを除去し、パターニング
したクロムフォトマスクを得た。
実施例２
表面低反射２層クロムマスクブランク基板上にポリ−２
，２，２−）リフルオロエチル−α−クロロアクリレー
トを主成分とするレジスト（商品名、東し製ＥＢＲ−ｇ
）をスピンナー塗布し、２００℃で３０分間ブリベーキ
ングしレジスト膜を得た。次に電子線でパターン描画し
、専用現像液、リンス液で現像、リンスし、レジストパ
ターンを得た。
，２，２−）リフルオロエチル−α−クロロアクリレー
トを主成分とするレジスト（商品名、東し製ＥＢＲ−ｇ
）をスピンナー塗布し、２００℃で３０分間ブリベーキ
ングしレジスト膜を得た。次に電子線でパターン描画し
、専用現像液、リンス液で現像、リンスし、レジストパ
ターンを得た。
次にホットプレート上で基板を８０℃に加熱しながら４
００Ｗの重水素ランプにより３００ｍの距離から大気中
で約３分間レジストパターンを全面照射し、レジスト残
渣（スカム）の除去されたパターンを形成した。
００Ｗの重水素ランプにより３００ｍの距離から大気中
で約３分間レジストパターンを全面照射し、レジスト残
渣（スカム）の除去されたパターンを形成した。
以上、詳記した通シ、本発明の方法によればドライエツ
チング装置を用いずしてレジスト残渣の除去を簡単に行
なうことができる。
チング装置を用いずしてレジスト残渣の除去を簡単に行
なうことができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の方法の過程を示す模式
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・レジスト膜 ３・・・・・・・・・電子線 ４・・・・・・・・・レジストパターン５・・・・・・
・・・レジスト残渣 ６・・・・・・・・・遠紫外線 特許出願人 大日本印刷株式会社 、代 理 人 弁理士小西淳美 レシスレでゾーン 綜級
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・レジスト膜 ３・・・・・・・・・電子線 ４・・・・・・・・・レジストパターン５・・・・・・
・・・レジスト残渣 ６・・・・・・・・・遠紫外線 特許出願人 大日本印刷株式会社 、代 理 人 弁理士小西淳美 レシスレでゾーン 綜級
Claims (6)
- （１）電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線
の照射によってもポジ型となるレジスト組成物を用いて
、加工を施こすべき基板上にレジスト被膜を形成し、電
子線照射によりパターンを描画し、次いで現像してレジ
ストパターンを生成し、次いで遠紫外線を全面照射して
パターン周辺部に残存するレジスト残渣を除去すること
、及び遠紫外線照射工程の前もしくは後においてポスト
ベーキングを行なってレジストを硬化させることを特徴
とするレジストパターンの形成方法。 - （２）前記レジスト組成物としてポリハロゲン化アルキ
ルメタクリレートからなる群から選ばれた重合体よりな
るレジスト組成物を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のレジストパターンの形成方法。 - （３）遠紫外線の照射を酸素雰囲気中で行なうことを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のレジス
トパターンの形成方法。 - （４）電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線
の照射によってもポジ型となるレジスト組成物を用いて
、加工を施こすべき基板上にレジスト被膜を形成し、電
子線照射によりパターンを描画し、次いで現像してレジ
ストパターンを生成し、次いで基板を加熱しながら遠紫
外線を全面照射してパターン周辺部に残存するレジスト
残渣を除去すること、及び遠紫外線照射工程の前もしく
は後においてポストベーキングを行なってレジストを硬
化させることを特徴とするレジストパターンの形成方法
。 - （５）前記レジスト組成物としてポリハロゲン化アルキ
ルメタクリレートからなる群から選ばれた重合体よりな
るレジスト組成物を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載のレジストパターンの形成方法。 - （６）遠紫外線の照射を酸素雰囲気中で行なうことを特
徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記載のレジス
トパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229908A JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229908A JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108135A true JPS61108135A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0550845B2 JPH0550845B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16899614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59229908A Granted JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108135A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| US20100328809A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Jo Inagaki | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS5833246A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS6177852A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59229908A patent/JPS61108135A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS5833246A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS6177852A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| US20100328809A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Jo Inagaki | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
| US8679732B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550845B2 (ja) | 1993-07-30 |
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