JPS6116521A - レジスト膜除去方法 - Google Patents
レジスト膜除去方法Info
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- JPS6116521A JPS6116521A JP13831184A JP13831184A JPS6116521A JP S6116521 A JPS6116521 A JP S6116521A JP 13831184 A JP13831184 A JP 13831184A JP 13831184 A JP13831184 A JP 13831184A JP S6116521 A JPS6116521 A JP S6116521A
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- Japan
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- resist
- substrate
- pattern
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に形成されたレジスト膜パターンの除
去方法に関するものである。
去方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
レジストは半導体や回路パターンを形成するために広く
用いられている。レジストにはネガ形レジストとポジ形
レジストがある。ネガ形レジストは、光または電子ビー
ムによシ照射された部分が残存してパターンとなる。ネ
ガ形電子ビームレジストであるＰ（ｒＭＡは、電子ビー
ムにょシ照射された部分が架橋反応をおこし、有機溶剤
に不溶化する。このレジストパターンを除去するには、
一般に、常温の濃硫酸、有機溶剤では困難であり、また
、熱濃硫酸を用いるのは基板表面の浸食が起り、好まし
くない。そこで０２ プラズマを用いる方法が普及し
ているが、この場合には、高価な真空装置が必要であシ
、また、他の有機物の焼き付きが発生するという問題点
がある。このような理由から、常温で簡便にレジストを
除去する方法が望まれていた。
用いられている。レジストにはネガ形レジストとポジ形
レジストがある。ネガ形レジストは、光または電子ビー
ムによシ照射された部分が残存してパターンとなる。ネ
ガ形電子ビームレジストであるＰ（ｒＭＡは、電子ビー
ムにょシ照射された部分が架橋反応をおこし、有機溶剤
に不溶化する。このレジストパターンを除去するには、
一般に、常温の濃硫酸、有機溶剤では困難であり、また
、熱濃硫酸を用いるのは基板表面の浸食が起り、好まし
くない。そこで０２ プラズマを用いる方法が普及し
ているが、この場合には、高価な真空装置が必要であシ
、また、他の有機物の焼き付きが発生するという問題点
がある。このような理由から、常温で簡便にレジストを
除去する方法が望まれていた。
発明の目的
本発明は上記の問題点を解決し、常温で簡便な方法によ
りレジストを除去することのできるレジ ′スト膜
除去方法を提供することを目的としている。
りレジストを除去することのできるレジ ′スト膜
除去方法を提供することを目的としている。
発明の構成
すなわち、本発明は、露光、現像により形成した、基板
上のネガ形レジスト膜パターンに、３００ｎｍ以下の波
長を含む光を照射した後、基板を酸または有機溶剤に浸
すことによシレジスト膜を除去する方法を提供するもの
であり、これにより、ネガ形レジスト膜パターンの容易
な除去が可能である。
上のネガ形レジスト膜パターンに、３００ｎｍ以下の波
長を含む光を照射した後、基板を酸または有機溶剤に浸
すことによシレジスト膜を除去する方法を提供するもの
であり、これにより、ネガ形レジスト膜パターンの容易
な除去が可能である。
実施例の説明
本発明の実施例を電子ビーム露光を用いて、クロムマス
クを製作する場合について、第１図に基いて説明する。
クを製作する場合について、第１図に基いて説明する。
まず、第１図ａのように、マスク用基板１上にクロム膜
２およびネガ形レジスト（ＰＧＭＡ）３を塗布し、８ｏ
℃、１０分間プリベークする。この後第１図すのように
、電子ビーム４によりＰＧＭＡレジスト３を露光し、つ
づいて、メチルエチルケトン：エタノール−４：１の現
像液を用いて約１分現像を行い、第１図Ｃのように、露
光部分のレジストパターン５を形成する。
２およびネガ形レジスト（ＰＧＭＡ）３を塗布し、８ｏ
℃、１０分間プリベークする。この後第１図すのように
、電子ビーム４によりＰＧＭＡレジスト３を露光し、つ
づいて、メチルエチルケトン：エタノール−４：１の現
像液を用いて約１分現像を行い、第１図Ｃのように、露
光部分のレジストパターン５を形成する。
次に上記レジストパターン６をマスクとして、硝酸第２
セリウムアンモニウム１ｅｓｇ、過ｍ素酸溶液４０ｃｃ
と水１１との混合溶液で１分間エツチングすることによ
り、レジスト直下以外のクロム膜を取り除き第１図ｄの
ように、クロムパターン６を形成する。
セリウムアンモニウム１ｅｓｇ、過ｍ素酸溶液４０ｃｃ
と水１１との混合溶液で１分間エツチングすることによ
り、レジスト直下以外のクロム膜を取り除き第１図ｄの
ように、クロムパターン６を形成する。
次に、第１図ｅのように、中心波長２６０１ｍ。
出力１０ｍＷの遠紫外光を１０分間照射する。この後、
常温で濃硫酸に３分間浸すことにより、第１図ｆのよう
に、レジストの除去がなされ、クロム膜６のパターン化
を完了する。なお、遠紫外光を照射していないＰＧＭＡ
レジスト膜パターンでは常温の硫酸で除去することはで
きなかった。
常温で濃硫酸に３分間浸すことにより、第１図ｆのよう
に、レジストの除去がなされ、クロム膜６のパターン化
を完了する。なお、遠紫外光を照射していないＰＧＭＡ
レジスト膜パターンでは常温の硫酸で除去することはで
きなかった。
第２図に遠紫外光の照射時間に対するＰＧＭＡ除去の可
能性とＰＧＭＡ除去に要する時間との関係を示す。遠紫
外光照射時間が３分未満のときは、常温の硫酸に浸漬す
ることによシ、ＰＧＭＡを除去することはできない。遠
紫外光照射時間が４分以上のとき、硫酸浸漬によシレジ
ストを除去することが可能となり、照射時間が長いほど
レジスト除去に必要な硫酸浸漬時間は短かくてよい。
能性とＰＧＭＡ除去に要する時間との関係を示す。遠紫
外光照射時間が３分未満のときは、常温の硫酸に浸漬す
ることによシ、ＰＧＭＡを除去することはできない。遠
紫外光照射時間が４分以上のとき、硫酸浸漬によシレジ
ストを除去することが可能となり、照射時間が長いほど
レジスト除去に必要な硫酸浸漬時間は短かくてよい。
ここで、遠紫外光照射時に基板温度を上昇させることに
よシ、レジストを除去するために必要な遠紫外光照射時
間を短縮することが可能である。
よシ、レジストを除去するために必要な遠紫外光照射時
間を短縮することが可能である。
第３図に、硫酸浸漬３分でレジストを除去するために必
要な遠紫外光照射時間と基板温度との関係を示す。基板
温度が常温のときは、１ｏ分間の遠紫外光照射が必要で
あるが、２００’ｃでは、照射時間は１分でよい。
要な遠紫外光照射時間と基板温度との関係を示す。基板
温度が常温のときは、１ｏ分間の遠紫外光照射が必要で
あるが、２００’ｃでは、照射時間は１分でよい。
また、以上の説明では、遠紫外光照射後、硫酸に浸漬し
たが、有機溶剤、たとえば、メチルエチルケトンに浸漬
することによりレジストの除去をすることが可能である
。さらに、ここでは、ＰＧＭＡレジストについて説明し
たが、他のレジスト、たとえばソマール工業製５ＥＬ−
Ｎを用いた場合でも、同様にレジストの除去が可能であ
った。
たが、有機溶剤、たとえば、メチルエチルケトンに浸漬
することによりレジストの除去をすることが可能である
。さらに、ここでは、ＰＧＭＡレジストについて説明し
たが、他のレジスト、たとえばソマール工業製５ＥＬ−
Ｎを用いた場合でも、同様にレジストの除去が可能であ
った。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、露光、現像によシ形
成した、基板上のネガ形レジストバターｙ［，３０ｏｎ
ｍ以下の波長を含む光を照射した暮、基板を酸または有
機溶剤に浸すことによりし′スト膜を除去する方法であ
って、本発明を用いることによシ、高価なプラズマアッ
シング装置を用いることなく、容易に常温で、酸または
有機溶剤で、露光後のレジストを除去することができる
。
成した、基板上のネガ形レジストバターｙ［，３０ｏｎ
ｍ以下の波長を含む光を照射した暮、基板を酸または有
機溶剤に浸すことによりし′スト膜を除去する方法であ
って、本発明を用いることによシ、高価なプラズマアッ
シング装置を用いることなく、容易に常温で、酸または
有機溶剤で、露光後のレジストを除去することができる
。
第１図ａ −ｆは本拠明の実施例を説明する工程断面図
、第２図は遠紫外光照射時間とレジスト除去所要時間と
の関係を表わすグラフ、第３図は基板温度と遠紫外光照
射時間との関係を表わす特性図である。 １・・・・・・マスク用基板、２・・・・・・クロム膜
、３・・・・・・ＰＧＭ人レジスト、４・・す・・電子
ビーム、６・・・・・・電子ビーム照射されたＰＣ，Ｍ
Ａレジスト膜パターン、ら・・・・・・クロム膜パター
ン、７・・・・・・遠紫外光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 道双ダ磯照材ｙ４聞（釣
、第２図は遠紫外光照射時間とレジスト除去所要時間と
の関係を表わすグラフ、第３図は基板温度と遠紫外光照
射時間との関係を表わす特性図である。 １・・・・・・マスク用基板、２・・・・・・クロム膜
、３・・・・・・ＰＧＭ人レジスト、４・・す・・電子
ビーム、６・・・・・・電子ビーム照射されたＰＣ，Ｍ
Ａレジスト膜パターン、ら・・・・・・クロム膜パター
ン、７・・・・・・遠紫外光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 道双ダ磯照材ｙ４聞（釣
Claims (3)
- （１）露光、現像により形成した、基板上のネガ形レジ
スト膜パターンに、３００ｎｍ以下の波長を含む光を照
射した後、前記基板を酸または有機溶剤に浸して処理す
るレジスト膜除去方法。 - （２）基板温度が５０℃以上に保持されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜除去方法。 - （３）基板温度上昇が、赤外線照射によりなされること
を特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載
のレジスト膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831184A JPS6116521A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト膜除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831184A JPS6116521A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト膜除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116521A true JPS6116521A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15218916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13831184A Pending JPS6116521A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト膜除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116521A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226153A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスクのレジスト除去方法 |
| US7601482B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-10-13 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Negative photoresist compositions |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13831184A patent/JPS6116521A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226153A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスクのレジスト除去方法 |
| US7601482B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-10-13 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Negative photoresist compositions |
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