JPS6152003A - 誘電体フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は誘電体フィルタに関し、特にたとえば１つの
誘電体ブロック中に、複数の共振素子が形成された一体
形の誘電体フィルタに関する。

（従来技術） 従来のこの種の誘電体フィルタがたとえば特許出願公表
昭和５９年第５００１９８号公報に示されている。この
誘電体フィルタは、第２３図でその等価回路図を示すよ
うに、各共振素子Ｒの開放端側の電極によって形成され
たギャップ容量Ｃの作用で各共振素子Ｒの結合を得るも
のである。

（発明が解決しようとする問題点） 引用した従来技術では、誘電体ブロックに各共振素子を
結合させるための結合用の穴ないしスリットを形成する
必要がないので、誘電体ブロックの製造が容易である。

しかしながら、この従来技術では、開放端面に各共振素
子の結合のためのギャップ容量をつくるために電極を形
成する必要がある。開放端面に電極を形成するためには
、外導体や内導体の形成工程とは異なるエツチングやパ
ターニングなどの余分な工程が必要となり、その製造工
程が煩雑である。

それゆえに、この発明の主たる目的は、従来技術と異な
る結合原理を利用して、より筒車に製造できる誘電体フ
ィルタを提供することである。

（問題点を解決するための手段） この発明は、１つの誘電体ブロック内に形成された共振
素子の隣Ｉ妾する少なくとも一方の共振素子の長さ方向
の一部のインピーダンスを、偶モードおよび奇モードの
少なくとも一方のモードにおいて、他の部分のインピー
ダンスと異なるようにした、誘電体フィルタである。

（作用） 隣接する２つの共振素子の偶モードおよび奇モードにお
ける全体のインピーダンスが異なるので、画素子の偶モ
ードにおける共振周波数と奇モードにおける共振周波数
がそれぞれ異なり、結合条件が満たされ、それによって
隣接する共振素子相互間が結合され、誘電体フィルタと
して構成される。

（発明の効果） この発明によれば、ギャップ容量のための電極を形成す
る必要がないので、引用した従来技術に比べて、製造工
程が節単になる。すなわぢ、この発明では開放端面に電
極を形成する必要がないので、たとえば誘電体ブロック
の外表面全体をめっきし、その後開放端面全面のめっき
部分を除去するだけでよいので、従来技術のような３ｍ
かいパターニングが不要となりその工程が簡単になる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行なう以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。

（発明の原理） 先に説明したように、引用した従来技術では、結合条件
（（ＩＪ　ｅｖｅｎ≠ωｏｄｄ：ただし、ωｅｖｅｎは
偶モードにおける共振周波数、ωｏｄｄは奇モートにお
ける共振周波数）を充足するために、開放端面に形成さ
れた電極によってギャップ容量を形成した。

これに対して、この発明では、偶モード（ｅｖｅｎ）ま
たは奇モード（ｏｄｄ　）において、共振素子の長さ方
向の一部のインピーダンスを他の部分のインピーダンス
と異ならせあるいは不連続にすることによって、結合条
件（ωｅｖｅｎ≠ωｏｄｄ　）を満足させて隣接する共
振素子を結合するようにした。

以下にこの発明の結合の原理について式を用いて、説明
する。

第１図はこの発明の詳細な説明するための等価回路図で
ある。この回路例では、共振素子Ｒはその長さ方向に分
割された２つの部分を含み、１つの部分のインピーダン
スおよび電気角がそれぞれＺｌおよびθ１で表され、他
の部分のインピーダンスおよび電気角がそれぞれＺ２お
よびθ２で表されている。この場合、共振素子Ｒ全体の
インピーダンスＺは次式（１）で表される。

このとき、共振条件は、インピーダンスＺが無限大とな
ることである。したがって、（１）式の分母を０にすれ
ばよく、その共振条件は次式（２％式％ ここで、偶モードにおけるそれぞれのインピーダンスＺ
１およびＺ２をＺｌｅｖｅｎおよびＺ２ｅｖｅｎとし、
（２）式を変形すると、偶モードにおける共振条件とし
て次式（３）が得られる。

Ｚ１ｅｖｅｎ＝Ｚ２ｅｖｅｎ　　ｔａｎθＩＬａｎθ２
　　　　・・−（３）奇モードにおけるそれぞれのイン
ピーダンスＺ１およびＺ２をＺｌｏｄｄおよびＺ２ｏｄ
ｄとし、（２）式を変形すると、奇モードにおける共振
条件として次式（４）が得られる。

Ｚｌｏｄｄ　−Ｚ２ｏｄｄ　ｔａｎ　θ１ｔａｎθ２　
　　・−−＜４＞ここで、簡単のために、それぞれの電
気角θ１およびθ２を同じ電気角θ０　（θ１＝θ２＝
θ、０）と仮定して変形すれば、（３）式および（４）
式はそれぞれ次式（５）および次式（６）となる。

ｔａｎ　２Ｂ　Ｏ＝Ｚ１ｅｖｅｎ／Ｚ２ｅｖｅｎ　　−
・・（５）ｔａｎ　２　θ０　＝Ｚ１ｏｄｄ　／Ｚ２ｏ
ｄｄ　　　−・・（６）ここで、インピーダンスＺ１お
よびＺ２の少なくとも一方のインピーダンスを偶モード
および奇モードの少な（とも一方のモードで異ならせる
ように、次式（７）で示す条件を与える。

一方、電気角θは、媒質の誘電率をεとし、インビーダ
ンスに関与する物理長を２とすると、一般に（８）式で
与えられる。

θ＝６−１ω／光速　　　　　・・・　（８）前（７）
式の条件を満足させるためには、電気角θ１およびθ２
が偶モードおよび奇モードの少なくとも一方において異
なるものでなければならない。そのためには（８）式に
おける定数（ε。

βおよび光速）は偶モードまたは奇モードに拘わらず一
定であるので、（７）式を満足するためには、結局次式
（９）の条件を満足しなければならない。

ωｅｖｅｎ≠ωＯｄｄ・・・（９） この（９）式は、先に説明した結合条件に他ならず、し
たがって、隣接共振素子間で結合を得るためには、隣接
の少なくとも一方の共振素子の長さ方向の一部のインピ
ーダンスを、（馬モードおよび奇モードの少なくとも一
方のモードにおいて、他の部分のインピーダンスと異な
らせ、すなわち（７）式を満足させればよいことが理解
されよう。

この発明は、この（７）式の条件を構造的に実現して誘
電体フィルタを構成したものである。

（実施例） 第２図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。誘電
体フィルタ１０は、１つの立方体形状の誘電体ブロック
１２を含む。誘電体ブロック１２には、その１面１２ａ
から対向端面にまで延びる穴１４ａ、１４ｂ、１４ｃお
よび１４ｄが、相互に平行にかつ１列に配列されて形成
される。そして、これらの穴１４ａ〜１４ｄの内周面に
は内導体１６ａ、１６ｂ、１６Ｃおよび１６ｄがそれぞ
れ形成され、誘電体ブロック１２の外周面には外導体１
８が形成される。誘電体ブロック１２の開放端面１２ａ
に対向する端面ば外導体１８によって被覆され、したが
って、この実施例では、複数のＴＥＭ誘電体同軸共振素
子がλ／４のものとして形成される。

そして、この実施例では、特徴的に、各共振素子ずなわ
ち内導体１６ａ〜１６ｄ間には共振素子の長さ方向の上
部において、誘電体ブロック１２の一方側面から他方側
面に抜ける２１２０ａ、２０ｂおよび２０ｃがそれぞれ
形成される。すなわち、この実施例は、この溝２０２〜
２０ｃによって前（７）式を実現したものである。

第３図は第２図実施例を説明するために内導体と外導体
との間に形成される静電容量を示す図である。ここで、
この第３図を参照して、第２図実施例において（７）式
が実現されることを説明する。

たとえば内導体１６ａと外導体１８とで形成される共振
素子のインピーダンスＺは次式（１０）で表されるよう
に、各静電容量の和に比例する。

Ｚ５１：１／ΣＣ・・・　（１０） まず、奇モードにおけるインピーダンスをＺｏｄｄとし
、それぞれの静電容ＩＣ１，Ｃ２およびＣ３を考慮する
と、次式（１１）で与えられる。

ＺＯＣ□ （２Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）　　　・・・　（１１）また、
偶モードにおけるインピーダンスをＺｅｖｅｎとすると
、偶モードにおいては内導体１６ａと内導体１６ｂとが
等電位となるのでこれらの間に形成されるべき静電容量
Ｃ２が形成されないので、次式（１２）で与えられる。

−ｃｍ （２Ｃ１＋Ｃ３）　　　　　・・・　（１２）ところが
奇モードに着目すると、（１１）式における静電容ｆｆ
ｔ　Ｃ２は、溝の有無によってそれに作用する媒質の実
効誘電率が変わり、溝のある上部の静電容量Ｃ２が小さ
くなる。したがって、溝２０ａ　（第２図）を形成した
共振素子の上部のインピーダンスをＺｌｏｄｄとし、謂
を形成していない下部のインピーダンスをＺ２ｏｄｄと
すると、インピーダンスＺｌｏｄｄがインピーダンスＺ
２ｏｄｄより大きくなる。すなわち奇モードにおいてイ
ンピーダンスＺ１およびＺ２が異なることになる。

これに対して偶モードでは、溝の有無に拘わらずインピ
ーダンスＺｌおよびＺ２は同じである。したがって、こ
の第２図実施例では、奇モートにおいて２１≠２２とな
り、（９）式すなわぢ（７）式の結合条件を実現できる
。

第４図は第２図実施例の変形例を示す要部断面図である
。この実施例は、上述の溝の表面に外導体１８と電気的
に接続された電極が形成された点で第２図実施例と異な
る。なお、この第４図では、溝２０ａの表面に形成され
た電極２２ａのみが図示されているが他の溝２０ｂおよ
び２０Ｃ（第２図）についても同様に電極が形成されて
いる。

この実施例では、もし溝２０ａの間隔がほとんど無いも
のとすれば、上部のインピーダンスＺ１は、偶モードの
インピーダンスＺ　ｌ　ｅｖｅｎが奇モードのインピー
ダンスＺｌｏｄｄと同じになる。しかしながら、実際に
は、溝の間隔はゼロではないので、偶モードのインピー
ダンスＺｌｅｖｅｎは奇モードのインピーダンスＺｌｏ
ｄｄより小さくなる。また、下部のインピーダンスＺ２
についてみれば、第２図実施例と同様に、奇モードのイ
ンピーダンスＺ２ｏｄｄと偶モードのインピーダンスＺ
　２　ｅｖｅｎとは異なる。したがって、この第４図実
施例では、偶モードおよび奇モードの両方において７１
≠２２となる。

第５図は第４図実施例の変形例を示す斜視図である。こ
の例は、中央で隣接する共振素子間に溝が形成されてい
ない点で、第４図実施例と５’＋′、なる。

この実施例では、内導体１６ｂおよび１６Ｃで形成され
る２つの共振素子についてみれは、Ｚ１＝７２であるが
、内導体１６ａおよび１６ｄで形成される共振素子との
間では、偶、奇両モードで７１≠２２となる。したがっ
て、すべての隣１Ｂ：共１辰素子間に溝が形成される必
要はないのである。

第６図は第４図実施例の変形例を示す要部断面図である
。この実施ＩＮでは、溝２０ａが誘電体ブロック１２の
開放端面１２ａに対向する端面すな′わち短絡端面側に
形成されている。第６図でも溝２０ａのみが図示されて
いるが他の溝についても同様に誘電体ブロック１２の下
部に形成されている。この実施例では、各共振素子の上
部のインピーダンスダンスＺ１と下部のインピーダンス
Ｚｌは、第４図実施例と同様に、偶モードおよび奇モー
ドの両方で７１≠２２となる。

第７図はこの発明の他の実施例を示す♀・１視図である
。この実施例は、各共振素子を結合させるために、誘電
体ブロック１２の両側面の内部導体１６ａ、１６．ｂ、
１６’ｃおよび１６ｄのそれぞれの間に、共振素子の長
さ方向の上部に切欠部２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ
、２４ｅ、および２４ｆを形成している。これら切欠部
２４ａ〜２４ｆの表面は、外導体１８によって覆われて
いる。このような切欠部２４ａ〜２４ｆによっても、つ
ぎに説明するように、（７）式の結合条件を実現できる
。

第８図は第７図実施例を説明するための内導体と外導体
との間に形成された静電容量を示す図である。

たとえば、内導体１６ａと外導体１８とで構成された共
振素子のインピーダンスＺは前（１０）式のように各静
電容量の和に比例し、奇モードにおけるインピーダンス
Ｚｏｄｄは、それぞれ静電容ｉｃ　１　、　Ｃ２（第３
図）、Ｃ２’、Ｃ２″およびＣ３を各層：すれば次式（
１３）で与えられる。

（以下余白） （２Ｃ１＋２Ｃ２＋Ｃ３） ・　・　・　（１３） さらに、偶モードにおけるインピーダンスＺｅｖｅｎは
、内導体１６ａと内導体１６ｂとが等電位となり、これ
らの間に形成されるべき静電容ｆＡ　Ｃ２′が形成され
ないので、次式（１４）で表される。

・・・　（１４） （１４）式における静電容（Ｊ２Ｃ２″は、容量Ｃ２が
分散されてその一部が容ｌｃ１に組込こまれた残りのも
のであるため、本来の静電容量Ｃ２に比べて小さい。

ところが奇モードに着目すると、（１３）式における静
電容量Ｃ２は、切欠部の有無によってそれに作用する媒
質の実効誘電率が変わり、切欠ＤＩ＋のある上部の静電
容量Ｃ２が小さくなる。したがって、切欠部２４ａ　（
第７図）を形成した共振素子の上部のインピーダンスを
Ｚｌｏｄｄとし切欠部を形成していない下部のインピー
ダンスをＺ２ｏｄｄとすると、インピーダンスＺｌｏｄ
ｄがインピーダンスＺ２ｏｄｄより大きくなる。すなわ
ち奇モートにおいてＺ１≠Ｚ２となる。これに対して偶
モードでは、切欠部の有無に拘わらすＺ１＝２２である
。したがって、この第７図実施例では、奇モードにおい
て２１≠２２となり、（９）式すなわち（７）式の結合
条件を実現できるのである。

第９図は第４図実施例の変形例を示す斜視図である。こ
の実施例は、その誘電体ブロック１２に切欠部２４ａ〜
２４ｆが形成された点で第４図実施例と異なる。これら
切欠部２４ａ〜２４ｆは、誘電体ブロックＩ２の高さ方
向上部に形成されている。この実施例では、各共振素子
間の結合は溝２０ａ〜２０ｃによって達成され、この切
欠部２４ａ〜２４「によって、各共振素子の特性インピ
ーダンスを調整することができる。

第１０図は第９図実施例の変形例を示す斜視図である。

この実施例は、共振素子の特性インピーダンス調整用の
切欠部２４ａ〜２４ｆが、誘電体ブロック１２の開放端
面１２ａから対向する端面にまで（誘電体ブロックの高
さ方向全長）にわたって形成された点で、第９図実施例
と異なる。

第１１図は第１０図実施例の変形例を示す要部斜視図で
ある。この実施例では、誘電体ブロック１２の共振素子
の配列方向両端にも高さ方向全長にわたって切欠部が形
成されている。

第１２図はこの発明のさらに他の実施例を示す斜視図で
ある。第１３図は第１２図の線ｘｍ−ｘ■における断面
図である。この実施例は、（７）式の結合条件を満足さ
せるために、溝やり大部の代わりに、穴１４ａ　〜１４
ｄに段差２４　ａ　〜２４ｄを形成した。このように、
穴１４２〜１４ｄに段差２４ａ〜２４ｄをそれぞれ形成
すると、各共振素子の上部および下部で内導体１６ａ〜
１６ｄと外導体１８との間の媒！Ｊｇ、（ｉｉＡ電体）
の厚みが変えられる。そのため、上部と下部とて形成さ
れる静電容量が変わり、隅モードおよび奇モードの両方
で７１≠２２となる。

第１４図は第１２図実施例の変形例を示す斜視図である
。この実施例は、穴１４ａおよび１４ｄにのみ段差２４
ａおよび２４ｄが形成された点で第１２図実施例と異な
る。この実施例では、内導体１６ｂおよび１６ｃで形成
される２つの共振素子についてみれば、Ｚ１＝２２であ
るが、内導体１６ａおよび１６ｄで形成される共１辰素
子との間では、上述の段差２４ａおよび２４ｄのために
、隅、奇両モードで７１≠７２となる。このように、す
べての穴に段差が形成される必要はないのである。

第１５図ば第１２図実施例の変形例を示す要部斜視図で
ある。この実施例は、段差２４ａを有する穴１４ａと段
差２４ｂを有する穴１４ｂとの間の誘電体ブロック１２
に形成された結合調整用の溝２０ａを含む。

第１６図は第４図実施例の変形例を示す斜視図である。

この実施例では、誘電体ブロック１２の開放端面１２ａ
に内導体１６ａ、１６ｂおよび１６Ｃと電気的に接続さ
れた電極２８ａ、２８ｂおよび２８ｃが形成されている
。これらの電極２日ａ〜２８ｃと外導体１８とで形成さ
れたギャップ容量によって、各共振素子相互間の結合状
態を調整することができる。

第１７図は第６図実施例の変形例を示す斜視図である。

第１８図は第１７図実施例の等価回路図である。この実
施例では、誘電体プロ、ツク１２の開放端面１２ａに内
導体１６ａ、１６ｂおよび１６ｃと電気的に接続されて
電極２８ａ、２８ｂおよび２８ｃが形成され、これらの
電＋１２８ａ〜２８ｃと外導体１８とでギャップ容ｉｃ
が形成され、さらに、電極２８ａと電極２８ｂとの間お
よび電極２８ｂと電極２８Ｃとの間にギヤ・７プ容量Ｃ
が形成される。これらの電極２８ａ〜２８ｃによって、
各共振素子相互間の結合を調整することができる。

第１９図はこの発明のさらに他の実施例を示す斜視図で
ある。この実施例は、内導体１６ａ〜１６ｆと外導体１
８とによって構成される６段の共振素子を含む。そして
、入力側の共振素子を構成する内導体たとえば内導体１
６ａには人カケーフル３０ａが直接接続され、出力側の
共振素子を構成する内導体たとえば内導体１６ｆには出
カケープル３０ｂが直接接続される。

第２０図は第１９図実施例の変形例を示す斜視図である
。第２１図は第２０図実施例の等価回路図である。この
実施例では、入カケープル３０ａが左端から２番目の共
振素子を構成する内導体１６ｂと電気的に接続されてい
る。この実施例によれば、第２１図で示すように、内導
体１６ａと外導体１８とで構成された左端の共振素子を
トラップ用素子として用いることができる。

第２２図は第１９図実施例の変形例を示す斜視図である
。この実施例は、内導体１６ａと入カケープル３０ａと
の間および内導体１６ｄと出カケープル３０ｂとの間に
、それぞれ、リアクタンス素子たとえば板状コンデンサ
３２ａおよび３２ｂが介挿され接続される。

なお、上述の各実施例では、（７）式を充足するために
、誘電体ブロックに溝、切欠部あるいは段差を形成した
が、たとえば誘電体ブロックの誘電率を不均一にするな
どして、共振素子の匡さ方向の一部の固有静電容量を他
の部分の固有静電容量と異なるようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の詳細な説明するための等価回路図で
ある。 第２図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。 第３図は第２図実施例を説明するために内導体と外導体
との間に形成される静電容量を示す図である。 第４図は第２図実施例の変形例を示す要部断面図である
。 第５図は第４図実施例の変形例を示す斜視図である。 第６図は第４図実施例の他の変形例を示す要部断面図で
ある。 第７図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。 第８図は第７図実施例を説明するために内導体と外導体
との間に形成される静電容量を示す図である。 第９図は第４図実施例のさらに他の変形例を示す斜視図
である。 第１０図は第９図実施例の変形例を示す斜視図である。 第１１図は第１０図実施例の変形例を示す要部斜視図で
ある。 第１２図はこの発明のさらに他の実施例を示す斜視図で
ある。 第１３図は第１２図の線ｘｍ−ｘｍにおける断面図であ
る。 第１４図は第１２図実施例の変形例を示す斜視図である
。 第１５図は第１２図実施例のその他の変形例を示す斜視
図である。 第１６図は第４図実施例のその他の変形例を示す斜視図
である。 第１７図は第６図実施例の変形例を示す斜視図である。 第１８図は第１７図実施例の等価回路図である。 第１９図はこの発明のその他の実施例を示す斜視図であ
る。 第２０図は第１９図実施例の変形例を示す斜視図である
。 第２１図は第２０図実施例の等価回路図である。 第２２図は第１９図実施例のその他の変形例を示す斜視
図である。 第２３図は従来技術を説明するための等価回路図である
。 図において、１０は誘電体フィルタ、１２は誘電体ブロ
ック、１４ａ　〜１４ｇは穴、１６ａ＝１６ｇは内導体
、１８は外導体、２０ａ〜２０ｆは溝、２２　ａ　〜２
２　ｆは電極、２４ａ〜２４ｈば切欠部、３０ａは入カ
ケープル、３０ｂは出カケープル、３２ａ、３２ｂはコ
ンデンサを示す。 特、許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　弁理士　岡　１）　全　啓 （ほか１名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　１つの立方体形状の誘電体ブロック内にそれぞれが
   偶モードと奇モードとで共振する複数のＴＥＭ同軸共振
   素子が形成された一体形の誘電体フィルタであって、 前記誘電体ブロックの外周面に形成された外導体、 前記誘電体ブロックに形成された複数の穴、前記複数の
   穴のそれぞれの内周面に形成されかつそれぞれが前記外
   導体と協働して共振素子を構成する複数の内導体、およ
   び 隣接する少なくとも一方の前記共振素子の長さ方向の一
   部のインピーダンスを、前記偶モードおよび前記奇モー
   ドの少なくとも一方のモードにおいて、他の部分のイン
   ピーダンスと異なるようにするためのインピーダンス変
   化手段を備えた、誘電体フィルタ。 ２　前記インピーダンス変化手段は前記隣接する少なく
   とも一方の共振素子において、前記内導体を取り囲む前
   記誘電体ブロックの厚みを前記共振素子の長さ方向の一
   部と他の部分とで違える手段を含む、特許請求の範囲第
   １項記載の誘電体フィルタ。 ３　前記厚みを違える手段は、前記隣接する共振素子間
   の前記誘電体ブロックの前記共振素子の長さ方向一部に
   おいて前記誘電体ブロックの一方側面から他方側面に抜
   けるように形成された溝を含む、特許請求の範囲第２項
   記載の誘電体フィルタ。 ４　前記溝の表面に形成され前記外導体と電気的に接続
   された電極を備える、特許請求の範囲第３項記載の誘電
   体フィルタ。 ５　前記隣接する共振素子間の結合状態を調整するため
   の結合調整手段を備える、特許請求の範囲第３項または
   第４項記載の誘電体フィルタ。 ６　前記結合調整手段は、前記隣接する共振素子間の前
   記誘電体ブロックの一方側端面および他方側端面の少な
   くとも一方に前記共振素子の長さ方向の全部にわたって
   形成された切欠部を含む、特許請求の範囲第５項記載の
   誘電体フィルタ。 ７　前記結合調整手段は、前記隣接する共振素子間の前
   記誘電体ブロックの一方側端面および他方側端面の少な
   くとも一方に、前記共振素子の長さ方向の一部に形成さ
   れた切欠部を備える、特許請求の範囲第５項記載の誘電
   体フィルタ。 ８　前記切欠部は前記溝によって形成された前記誘電体
   ブロックの角部に形成される、特許請求の範囲第６項ま
   たは第７項記載の誘電体フィルタ。 ９　前記厚みを違える手段は、前記隣接する共振素子間
   の前記誘電体ブロックの側面に前記共振素子の長さ方向
   の一部または全部に形成された切欠部を含む、特許請求
   の範囲第２項記載の誘電体フィルタ。 １０　前記厚みを違える手段は、前記隣接する少なくと
   も一方の共振素子の前記穴に形成された段差を含む、特
   許請求の範囲第２項記載の誘電体フィルタ。 １１　前記隣接する共振素子間の結合状態を調整するた
   めの結合調整手段を備える、特許請求の範囲第１０項記
   載の誘電体フィルタ。 １２　前記結合調整手段は、前記隣接する共振素子間の
   前記誘電体ブロックの前記共振素子の長さ方向の一部に
   おいて前記誘電体ブロックの一方側面から他方側面に抜
   けるように形成された溝を備える、特許請求の範囲第１
   １項記載の誘電体フィルタ。 １３　前記複数の共振素子のうち入力側の共振素子の前
   記内導体に電気的に接続された入力引出部、および 前記複数の共振素子のうち出力側の共振素子の前記内導
   体に電気的に接続された出力引出部を備える、特許請求
   の範囲第１項記載の誘電体フィルタ。 １４　前記複数の共振素子のうち少なくとも１つがトラ
   ップ素子として形成された、特許請求の範囲第１３項記
   載の誘電体フィルタ。 １５　前記入力引出部および前記出力引出部と前記入力
   側および出力側の共振素子との間に介在されたリアクタ
   ンス素子を備える、特許請求の範囲第１３項または第１
   ４項記載の誘電体フィルタ。 １６　前記インピーダンス変化手段は、前記隣接する少
   なくとも一方の共振素子の長さ方向の一部の固有静電容
   量を、前記偶モードおよび前記奇モードの少なくとも一
   方のモードにおいて、他の部分の固有静電容量と異なら
   せるための手段を含む、特許請求の範囲第１項記載の誘
   電体フィルタ。 １７　前記インピーダンス変化手段は、前記隣接する少
   なくとも一方の共振素子の長さ方向の一部の電気長を、
   前記偶モードおよび前記奇モードの少なくとも一方のモ
   ードにおいて、他の部分の電気長と異ならせるための手
   段を含む、特許請求の範囲第１項記載の誘電体フィルタ
   。