JPS61231740A - ハーメチックシールカバーの製造方法 - Google Patents
ハーメチックシールカバーの製造方法Info
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- JPS61231740A JPS61231740A JP7316685A JP7316685A JPS61231740A JP S61231740 A JPS61231740 A JP S61231740A JP 7316685 A JP7316685 A JP 7316685A JP 7316685 A JP7316685 A JP 7316685A JP S61231740 A JPS61231740 A JP S61231740A
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- Japan
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- seal
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に半導体装置のハーメチックシールに好適の
シールカバーに関するものである。
シールカバーに関するものである。
半導体素子のパッケージングの一種に第３図に示すよう
なセラミックパッケージがある。第３図においてセラミ
ック基板／は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ
層企有する下層板と、’Ｊ −ドパターンが形成され且
つ中央部に開口を有する中間板と、リードパターンの内
側先端が露出するような更に大きい開口を有する上層板
、の３層が一体化された構造であり、長辺側部には上記
リードパターンの外側先端と導通するように複数の金属
リードコが接合され、上記上層板の開口周囲にはカバー
取付用のメタライズ層３が形成されている。メタライズ
層及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペース
トで形成され、これらとリードコには金メッキが施され
ている。このような基板ｌを用いるパッケージングは、
先ず半導体素子グを基板／の中央窪みに接合し、該素子
グ上の電極とリードパターンの内側先端を細いコネクタ
ー線（図示せず）で結合した後、メタライズ層３の上に
第３図に示すようなシールリンゲタと金属製カバー６を
載せ、シールリングＳの融点以上に加熱し、後冷却して
カバー乙を取付ける諸工程からなる。このカバー６の取
付け工程を一般に７）−メチツクシールと称し、シール
リング３には、半導体素子弘の接合に用いるＡｕ−３ｇ
合金ろうより低い融点を有するＡｕ−Ｓｎ合金ろう、Ｐ
ｂ−Ｓｎ合金ろう等が用いられ、金属製（通常コバール
製）カバー乙の少なくともシールリンゲタが当接する周
縁部にはろう付け性の良好な金、ニッケル等のメッキか
らなる被膜が施されているのが通常である。
なセラミックパッケージがある。第３図においてセラミ
ック基板／は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ
層企有する下層板と、’Ｊ −ドパターンが形成され且
つ中央部に開口を有する中間板と、リードパターンの内
側先端が露出するような更に大きい開口を有する上層板
、の３層が一体化された構造であり、長辺側部には上記
リードパターンの外側先端と導通するように複数の金属
リードコが接合され、上記上層板の開口周囲にはカバー
取付用のメタライズ層３が形成されている。メタライズ
層及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペース
トで形成され、これらとリードコには金メッキが施され
ている。このような基板ｌを用いるパッケージングは、
先ず半導体素子グを基板／の中央窪みに接合し、該素子
グ上の電極とリードパターンの内側先端を細いコネクタ
ー線（図示せず）で結合した後、メタライズ層３の上に
第３図に示すようなシールリンゲタと金属製カバー６を
載せ、シールリングＳの融点以上に加熱し、後冷却して
カバー乙を取付ける諸工程からなる。このカバー６の取
付け工程を一般に７）−メチツクシールと称し、シール
リング３には、半導体素子弘の接合に用いるＡｕ−３ｇ
合金ろうより低い融点を有するＡｕ−Ｓｎ合金ろう、Ｐ
ｂ−Ｓｎ合金ろう等が用いられ、金属製（通常コバール
製）カバー乙の少なくともシールリンゲタが当接する周
縁部にはろう付け性の良好な金、ニッケル等のメッキか
らなる被膜が施されているのが通常である。
このハーメチックシール工程において、シールリンゲタ
とカバー６をメタライズ層３の上にそれぞれの周縁がほ
ぼ一致するように重ね合わせる必要があるが、シールリ
ング５が５０μｍ程度の厚さで極めて扱いにくい上、わ
ずかの振動で位置ズレを生じるため、重ね合わせの作業
が難かしく、ハーメチックシール後においてカバー乙が
位置ズレを生じている欠陥も時々起る。このような欠点
は第１図に示すようにシールリング、５−Ｂカバー乙に
予め取付けておくことができれば解消し得ることであり
、このような観点からシールリンゲタをカバー乙に複数
個所のスポット溶接により仮付けする方法が提案されて
いる（例えば特公昭５４−３６３７７号公報）。しかし
ながらこの方法によるハーメチックシールカバーにはい
くつかの欠点がなお存在する。即ち、シールリンゲタは
カバー６に局部的に熔接されているのであるが、この熔
接個所において合金ろうが一旦熔融されるのでカバー６
の被膜７の金属が混入して組成が変わり、その部分の融
点が高くなることである。これはハーメチックシール工
程においてシールリングＳの均一な融解を妨げる。又、
上記熔接個所においてシールリング５にスポット溶接の
電極跡が窪みとして残り、この窪みがハーメチックシー
ルの際ボイドの原因になり易い。
とカバー６をメタライズ層３の上にそれぞれの周縁がほ
ぼ一致するように重ね合わせる必要があるが、シールリ
ング５が５０μｍ程度の厚さで極めて扱いにくい上、わ
ずかの振動で位置ズレを生じるため、重ね合わせの作業
が難かしく、ハーメチックシール後においてカバー乙が
位置ズレを生じている欠陥も時々起る。このような欠点
は第１図に示すようにシールリング、５−Ｂカバー乙に
予め取付けておくことができれば解消し得ることであり
、このような観点からシールリンゲタをカバー乙に複数
個所のスポット溶接により仮付けする方法が提案されて
いる（例えば特公昭５４−３６３７７号公報）。しかし
ながらこの方法によるハーメチックシールカバーにはい
くつかの欠点がなお存在する。即ち、シールリンゲタは
カバー６に局部的に熔接されているのであるが、この熔
接個所において合金ろうが一旦熔融されるのでカバー６
の被膜７の金属が混入して組成が変わり、その部分の融
点が高くなることである。これはハーメチックシール工
程においてシールリングＳの均一な融解を妨げる。又、
上記熔接個所においてシールリング５にスポット溶接の
電極跡が窪みとして残り、この窪みがハーメチックシー
ルの際ボイドの原因になり易い。
本発明の目的は上記従来の欠点を解消し）より信頼性の
高いハーメチックシールカバーを得ることにある。
高いハーメチックシールカバーを得ることにある。
この目的を達成するためには熔接の手段に依らないでシ
ールリングを仮付けすることが必要であり、これを実現
する手段として本発明者は、シールリング５が軟質の低
融点合金ろう材であれば加圧によって接合可能ではない
かと考え、種々実験の結果これを確認して本発明に到達
した。
ールリングを仮付けすることが必要であり、これを実現
する手段として本発明者は、シールリング５が軟質の低
融点合金ろう材であれば加圧によって接合可能ではない
かと考え、種々実験の結果これを確認して本発明に到達
した。
即ち、本発明のハーメチックシールカバーは、少なくと
もシールリングが当接する周縁部にろう付性の良好な被
膜を有する金属製カバーの該周縁部に、鉛、錫、インジ
ウム等を主成分とする低融点合金ろう材製のシールリン
グが全周に亘って接合されている点に特徴があり、この
カバーとシールリングとの接合は、カバーとシールリン
グとを非酸化性雰囲気中で該シールリングの融点よりも
低い温度に加熱すると共に上記周縁部全周に亘って加圧
して接合することにある。
もシールリングが当接する周縁部にろう付性の良好な被
膜を有する金属製カバーの該周縁部に、鉛、錫、インジ
ウム等を主成分とする低融点合金ろう材製のシールリン
グが全周に亘って接合されている点に特徴があり、この
カバーとシールリングとの接合は、カバーとシールリン
グとを非酸化性雰囲気中で該シールリングの融点よりも
低い温度に加熱すると共に上記周縁部全周に亘って加圧
して接合することにある。
第１図は本発明のハーメチックシールカバーの一例を断
面図で示しである。第１図においてカバー６は全面にニ
ッケルメッキからなる被膜７が施されており、シールリ
ング５は該カバー乙に周縁をほぼ一致させて接合されて
いる。カバー６へ被膜７企施すのはろう付性を良好なら
しめるためであるから、この被膜は少なくともシールリ
ンゲタが当接する周縁部に施されていれば良く、カバー
乙の素地と良く密着し、且つろう材との濡れが良く、シ
かもろう材中に溶解してろう材の信頼性を低下させない
ものであれば何れの金属、合金であっても差支えない。
面図で示しである。第１図においてカバー６は全面にニ
ッケルメッキからなる被膜７が施されており、シールリ
ング５は該カバー乙に周縁をほぼ一致させて接合されて
いる。カバー６へ被膜７企施すのはろう付性を良好なら
しめるためであるから、この被膜は少なくともシールリ
ンゲタが当接する周縁部に施されていれば良く、カバー
乙の素地と良く密着し、且つろう材との濡れが良く、シ
かもろう材中に溶解してろう材の信頼性を低下させない
ものであれば何れの金属、合金であっても差支えない。
シールリンゲタの材質は、例えばＰｂ ／ １０Ｓｎ
（１０重量％のＳｎと残部Ｐｂの合金、以下同様） Ｐ
ｂ１５Ｓｎ／ｕ、５Ａｇ、 ｐｂ１５工ｎ／ ２．５
Ａｇ 。
（１０重量％のＳｎと残部Ｐｂの合金、以下同様） Ｐ
ｂ１５Ｓｎ／ｕ、５Ａｇ、 ｐｂ１５工ｎ／ ２．５
Ａｇ 。
Ｓｎ／ ３ｇ、 ／ Ｐｂ 、 Ｓｎ／ １０Ａｇ 、
Ｓｎ／ ３．ｊＡｇ、工ｎ ／ ’Ｉｇ Ｓ ｎ ％
工ｎ／３０Ｓｎ等、鉛、錫、インジウム等を主成分とす
る低融点合金ろう材であればすべて適用できる。
Ｓｎ／ ３．ｊＡｇ、工ｎ ／ ’Ｉｇ Ｓ ｎ ％
工ｎ／３０Ｓｎ等、鉛、錫、インジウム等を主成分とす
る低融点合金ろう材であればすべて適用できる。
このシールリングＳのカバー６への接合は、非酸化性雰
囲気中で該シールリンゲタの融点より低い温度に加熱す
ると共にシールリンゲタとカバー乙の周縁部を全周に亘
って均一に加圧することで達成される。この接合時の雰
囲気を非酸化性とするのは、鉛、錫、インジウム等は酸
化し易く、表面に酸化被膜が生成するとカバーと接合し
ないからである。この接合に必要な加圧力及び温度は合
金の種類によって変わるので一概に決められず、実験に
よって求める必要がある。この接合の機構はまだ充分解
明されていないが、加圧によってシールリングＳのカバ
ー６との当接面の温度が上昇し、局部的に半熔融の状態
になるからであろうと推測される。例えば状態図におけ
る固相線近くまで加熱された状態を考えれば加圧によっ
て容易に固液相領域に到達して接合可能となることが理
解されよう。共晶合金の場合は局部的に熔融状態になる
と考えられる。加圧力が増せばより低い温度で接合でき
、又、加圧力に超音波振動を併用すれば更に低い温度で
接合できる。
囲気中で該シールリンゲタの融点より低い温度に加熱す
ると共にシールリンゲタとカバー乙の周縁部を全周に亘
って均一に加圧することで達成される。この接合時の雰
囲気を非酸化性とするのは、鉛、錫、インジウム等は酸
化し易く、表面に酸化被膜が生成するとカバーと接合し
ないからである。この接合に必要な加圧力及び温度は合
金の種類によって変わるので一概に決められず、実験に
よって求める必要がある。この接合の機構はまだ充分解
明されていないが、加圧によってシールリングＳのカバ
ー６との当接面の温度が上昇し、局部的に半熔融の状態
になるからであろうと推測される。例えば状態図におけ
る固相線近くまで加熱された状態を考えれば加圧によっ
て容易に固液相領域に到達して接合可能となることが理
解されよう。共晶合金の場合は局部的に熔融状態になる
と考えられる。加圧力が増せばより低い温度で接合でき
、又、加圧力に超音波振動を併用すれば更に低い温度で
接合できる。
このような接合は例えば第２図に示すような装置ででき
る。
る。
第２図の装置はヒーターｇ企内蔵したヒートブロック９
と加圧部材ＩＯから成り、該ヒートブロックワにはカバ
ー６を挿入できる窪みと該窪みに中性又は還元性ガスを
導入する通気孔／／が設けられている。ヒートブロック
ワを所定の温度とし、非酸化性のガスを流しながら、該
窪みにカバー６を置き、カバー６の上にシールリンゲタ
を周縁がほぼ一致するように重ね、シールリンゲタの上
にステンレススチール、セラミックス、テフロンのよう
なろう材が付着しにくい材質の押え板／２を載せ、前記
加圧部材１０によって所定時間加圧すればシールリンゲ
タはカバー６に接合される。この加圧時間も実験により
求めることができる。
と加圧部材ＩＯから成り、該ヒートブロックワにはカバ
ー６を挿入できる窪みと該窪みに中性又は還元性ガスを
導入する通気孔／／が設けられている。ヒートブロック
ワを所定の温度とし、非酸化性のガスを流しながら、該
窪みにカバー６を置き、カバー６の上にシールリンゲタ
を周縁がほぼ一致するように重ね、シールリンゲタの上
にステンレススチール、セラミックス、テフロンのよう
なろう材が付着しにくい材質の押え板／２を載せ、前記
加圧部材１０によって所定時間加圧すればシールリンゲ
タはカバー６に接合される。この加圧時間も実験により
求めることができる。
押え板／コはコバール、ニッケル等の圧延材であればろ
う材とのなじみが悪いので使用できる。
う材とのなじみが悪いので使用できる。
本発明においてカバー６の素地材質は何ら特定されず、
形状も平板状に限定されるものではない。
形状も平板状に限定されるものではない。
又、本発明のハーメチックシールカバーは半導体装置以
外の種々の物品にも適用し得るものである。
外の種々の物品にも適用し得るものである。
実施例／
／３鴎角、厚さｏ、 ２ｓ ｍｓのコバール板の全面に
厚さ２μｍのニッケルメッキの被膜を施したカバーと１
／／謔角の開口を有するｉ３ｍ角のＰｂ ／ １０５ｎ
（Ｓｎ１０重量％、残部Ｐｂ ）製シールリングを接合
し・剥離試験に供した。接合には、第２図に示すような
装置分用いた。該装置は通気孔／／から水素１０容量％
含有窒素ガスを流入すると共にヒートブロック９をコク
ＯＣに昇温しである。このヒートブロック上に上記カバ
ーを置き、該カバー上に上記シールリングを層線がほぼ
一致するように重ね、該リングの上にステンレススチー
ル板を押え板として置き、該押え板にＪ、５ｋｇの荷重
を２０秒間加えた。
厚さ２μｍのニッケルメッキの被膜を施したカバーと１
／／謔角の開口を有するｉ３ｍ角のＰｂ ／ １０５ｎ
（Ｓｎ１０重量％、残部Ｐｂ ）製シールリングを接合
し・剥離試験に供した。接合には、第２図に示すような
装置分用いた。該装置は通気孔／／から水素１０容量％
含有窒素ガスを流入すると共にヒートブロック９をコク
ＯＣに昇温しである。このヒートブロック上に上記カバ
ーを置き、該カバー上に上記シールリングを層線がほぼ
一致するように重ね、該リングの上にステンレススチー
ル板を押え板として置き、該押え板にＪ、５ｋｇの荷重
を２０秒間加えた。
剥離試験は、接合されたシールリングに粘着テープを貼
り付け、該テープを垂直上方へ引張るピーリングテスト
で行なった。テストの結果、シールリングは全周に亘っ
てカバーと充分接合していることが確かめられた。
り付け、該テープを垂直上方へ引張るピーリングテスト
で行なった。テストの結果、シールリングは全周に亘っ
てカバーと充分接合していることが確かめられた。
実施例λ
／３龍角、厚さ０．２！；ｆｌＴＪｎのコバール板の全
面に゛厚さ２μｍの金メッキの被膜を施したカバーと、
／／喘角の開口を有する／３謁角の工ｎ／何Ｓｒｘ（Ｓ
ｎＩＩｇ重量％、残部Ｉｎ）製シールリングを実施例／
と同様にして接合した。但し、ヒートブロックの温度は
１００ Ｃとした。
面に゛厚さ２μｍの金メッキの被膜を施したカバーと、
／／喘角の開口を有する／３謁角の工ｎ／何Ｓｒｘ（Ｓ
ｎＩＩｇ重量％、残部Ｉｎ）製シールリングを実施例／
と同様にして接合した。但し、ヒートブロックの温度は
１００ Ｃとした。
剥離試験の結果も良好で共晶合金製シールリングでも接
合できることが確かめられた。
合できることが確かめられた。
本発明のハーメチックシールカバーは、シールリングが
カバーの周縁部に全周に亘って接合されているが、シー
ルリング自体は大部分未溶融のままであるから、ハーメ
チックシールに際してリングの熔融が全周に亘って均等
に起こり、ボイドも生成せず、シールの信頼性を向上す
ることができる０
カバーの周縁部に全周に亘って接合されているが、シー
ルリング自体は大部分未溶融のままであるから、ハーメ
チックシールに際してリングの熔融が全周に亘って均等
に起こり、ボイドも生成せず、シールの信頼性を向上す
ることができる０
第１図は本発明によるハーメチックシールカバーの断面
図、第、２図は本発明方法を実施するに用いる加圧加熱
装置の一例の断面図、第３図は一般の半導体素子のセラ
ミックパッケージングの分解斜視図である。 ／・・セラミック基板、コ・・金属リード、３・・メタ
ライズ層、グ・・半導体素子、左・・シールリング、６
・・金ＦＲ製ｈバー、７・・Ｍ膜、ｇ・・ヒーター、ワ
・・ヒートブロック、１０・加圧部材、／／・・通気孔
、／コ・・押え板。 代理人 弁理土中村勝成“′ｊ１．′慇’、、’ｖ−一
；？
図、第、２図は本発明方法を実施するに用いる加圧加熱
装置の一例の断面図、第３図は一般の半導体素子のセラ
ミックパッケージングの分解斜視図である。 ／・・セラミック基板、コ・・金属リード、３・・メタ
ライズ層、グ・・半導体素子、左・・シールリング、６
・・金ＦＲ製ｈバー、７・・Ｍ膜、ｇ・・ヒーター、ワ
・・ヒートブロック、１０・加圧部材、／／・・通気孔
、／コ・・押え板。 代理人 弁理土中村勝成“′ｊ１．′慇’、、’ｖ−一
；？
Claims (2)
- （１）少なくともシールリングが当接する周縁部にろう
付け性の良好な被膜を有する金属製カバーの該周縁部に
、鉛、錫、インジウム等を主成分とする低融点合金ろう
材製のシールリングが全周に亘つて接合されていること
を特徴とするハーメチックシールカバー。 - （２）少なくともシールリングが当接する周縁部にろう
付け性の良好な被膜を有する金属製カバーに、鉛、錫、
インジウム、カドミウム等を主成分とする低融点合金ろ
う材製のシールリングを、周縁がほぼ一致するように重
ね合わせ、非酸化性雰囲気中で該シールリングの融点よ
りも低い温度に加熱すると共に上記周縁部全周に亘つて
加圧してカバーとシールリングを接合することを特徴と
するハーメチックシールカバーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316685A JPS61231740A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ハーメチックシールカバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316685A JPS61231740A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ハーメチックシールカバーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231740A true JPS61231740A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH0380349B2 JPH0380349B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=13510300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7316685A Granted JPS61231740A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ハーメチックシールカバーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231740A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184356A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
| US6078084A (en) * | 1994-06-28 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7316685A patent/JPS61231740A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184356A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
| US6078084A (en) * | 1994-06-28 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380349B2 (ja) | 1991-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |