JPS61231716A

JPS61231716A - 成膜装置

Info

Publication number: JPS61231716A
Application number: JP60072682A
Authority: JP
Inventors: Kanji Tsujii; 辻井　完次; Yusuke Yajima; 裕介矢島; Seiichi Murayama; 村山　精一
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1985-04-08
Filing date: 1985-04-08
Publication date: 1986-10-16
Also published as: US4716852A; EP0198361A3; DE3672654D1; EP0198361B1; EP0198361A2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、所望の成膜を行うに際し、基板面に光エネル
ギーを照射する工程を含む半導体や金属などの成膜装置
に関するものである。

〔発明の背景〕

ＬＳＩの製造プロセスが微細化の一途をたどる状況から
、光を照射して気相化学反応や基板表面反応を誘起して
基板面に薄膜を形成する光プロセスが注目されている。

光プロセスに期待が寄せられる最大の理由は、低温プロ
セスの実現および基板へのダメージの低減に加え、光を
照射する基板面だけで膜形成反応が進行するという空間
的な反応の選択性がすぐれている点にあると考えられる
。

光を使った膜形成実験で得られた公知例（日経エレクト
ロニクス、１９８２年、２月１５日号、１２２ページ）
によれば、基板を反応ガスにさらしたのち高真空に排気
し、細く絞ったレーザ光を上記基板面に照射すると、基
板に吸着した分子層が分解して上記基板面に分解生成物
の核ができ、続いて反応性ガスを満した状態でビームを
絞らない上記レーザ光を照射すると、上記核の上で膜成
長が進行するとされている。上記第１の公知例を発展さ
せた第２の公知例として特開昭５９−４０５２５号があ
る。

上記第２の公知例では、第１の光を基板面に照射して成
膜の核となる部分を形成したのち、成膜に適する波長を
有する第２の光を反応容器内に照射して、上記核の上に
選択的な成膜を行っている。

上記両公知例とも、成膜の過程でレーザなどの光エネル
ギーを照射する方法を採用している。このような成膜反
応を誘起する光源としては、紫外域に高輝度を有するＡ
ｒＦなどのエキシマレーザが適しているが、エキシマレ
ーザは高価であると同時に点灯することにより次第に出
方が低下するほか、定期的にレーザガスを交換しなけれ
ばならないという問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は、基板面に核となる部分を形成したのちに実施
する成膜工程において、高価なエキシマレーザなどを使
用することなく、光エネルギーの照射を行って膜成長を
行う装置を得ることを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、光エネルギーを照射して光誘起化学反応によ
り薄膜を形成する成膜装置において、基板を内蔵する反
応室と、該反応室に反応性ガスを導く手段と、上記反応
室を排気する手段と、上記基板面に光エネルギーを照射
する手段と、準安定励起分子を発生する手段と、上記準
安定励起分子を反応室に導く手段とを有し、上記反応室
に反応性ガスを導いて上記基板面に光エネルギーを照射
する工程を経たのち、上記準安定励起分子を反応室に導
くように構成したことにより、上記のような問題を有す
るエキシマレーザを使用することなく、光誘起を利用し
た成膜を行うものである。

〔発明の実施例〕

つぎに本発明の実施例を図面にとともに説明する。第１
図は本発明による成膜装置の第１実施例を示す構成図、
第２図は本発明の第２実施例の装置構成を示す図、第３
図は本発明の第３実施例の説明図、第４図は本発明の第
４実施例を示す図で、（ａ）は反応室内の正面図、（ｂ
）は反応性ガスおよび準安定励起分子の導入装置を示す
上面図、第５図は本発明の第５実施例における反応性ガ
スおよび準安定励起分子の導入装置を示す図、第６図は
本発明の第６実施例の装置構成図、第７図は本発明の第
７実施例における反応室部分を示す図、第８図は本発明
の第８実施例における反応室の構成を示す図である。第
１図において基板１を設置した反応室２には弁３を介し
て反応性ガス源４と。

弁５を介して準安定励起分子発生部６とが接続され、ま
た弁７を介して排気装置８が接続され、上記準安定励起
分子発生部６と排気装Ｗ８とは弁９を介して連結されて
いる。上記反応室２を排気装置８を用いて真空排気した
のち、反応性ガス源４から反応性ガスをリークさせ弁３
を経て上記反応室２に導入する。上記反応室２を反応性
ガスで満した状態、もしくは弁３を閉じ弁７を開いて反
応室２に残留する反応性ガスを排気した状態で、光源１
０から放射される光ビーム１１を光導入窓１２を通して
反応室２内の基板１の表面に照射する。

上記各工程により、基板１の面上の光照射部では光誘起
化学反応が進行し、成膜のための核に相当するものが形
成される。上記の工程を本明細書では核形成の工程とい
う。一方上記核形成の工程の間に、窒素や希ガスなどの
準安定励起分子発生用ガス源１３からリークしたガスが
、弁１４を経て準安定励起分子発生部６で準安定励起分
子に変換され、弁９を経て排気装置８により排気されて
いる。

上記核形成の工程が完了すると、上記反応性ガス源４の
反応ガスを反応室２にリークさせながら、弁５並びに弁
７を開き弁９を閉じることにより、。

準安定励起分子発生部６で生成した準安定励起分子を反
応室２に導く。上記準安定励起分子の発生手段としては
、マイクロ波放電や２電極放電が有効である。例えば準
安定励起分子発生用ガスとして窒素ガスを利用する場合
、準安定励起分子発生部６ではＮ２＊（Ａ’Σｕ＋）の
準安定励起分子に変換される。これは６．１７　ｅＶの
励起エネルギー並びに２．１秒の寿命を有するため、準
安定励起分子発生部６からかなり離れた位置にある反応
室２に入った段階でも励起状態に留っている。その結果
、反応性ガス源４からリークして反応室２に流入してく
る反応性ガスと上記準安定励起分子とが効率よく反応し
て上記反応性ガスを分解し、上記核形成の工程で基板１
に形成された核の上で成膜反応が進行する。上記核形成
の工程以降の工程を本明細書では成膜の工程という。

第２図に示す本発明の第２実施例は、上記第１実施例に
おける核形成の工程が完了して成膜の工程を実施する際
に、準安定励起分子を反応室２に導くとともに、別に光
エネルギーを照射することにより、両者の相乗効果を利
用して成膜反応を促進させることを目的としたものであ
る。本実施例は第２の光導入窓１５を反応室２に設けた
点を除けば、その他の装置構成はすべて第１図に示す第
１実施例と同じであり、第２図に付した各部の番号は第
１図の各番号に対応している。基板１に成膜のための核
を形成する工程までについては、上記第１実施例の手順
を踏襲すればよく、その後、準安定励起分子発生部６で
発生した準安定励起分子を反応室２に導入するとき、第
２の光源（図示せず）から放射される光ビームを第２の
光導入窓１５を通して反応室２に照射すればよい。第２
の光源としては、反応室２に導かれた反応性ガスを光分
解するのに適した波長の光を放射する光源（炭酸ガスレ
ーザ、高圧水銀放電管や各種金属ハロゲン化物を封入し
た高周波点灯の無電極放電管、エキシマレーザ等）が有
効である。本実施例において、導入窓１５を通して第２
の光源の光を反応室２に照射する間、もしくは上記第２
の光源の光を反応室２内に照射する代りに、第１の光源
８からの光１１を光導入窓１２を通して基板１に照射し
てもよい。

その時、光ビーム１１のエネルギー密度を高めるため、
上記ビーム１１を絞ってもよいし、絞らない状態でその
まま照射してもよい。

第３図に示す本発明の第３実施例は、反応室を２個設け
た場合を示し、上記第１および第２実施例が有する一つ
の問題点、すなわち核形成の工程を実施している間は準
安定励起分子が弁９を有するバイパス管を通して無駄に
消費されるという欠点を除去するための装置である。反
応性ガスｇ１６からリークした反応性ガスは、分岐して
弁１７．１８の操作によりそれぞれ第１反応室１９また
は第２反応室２０のいずれかに流入する。準安定励起分
子発生用ガス源２１からリークするガスは準安定励起分
子発生部２２で準安定励起分子に変換され、弁２３およ
び弁２４の開閉操作により第１反応室１９または第２反
応室２０のいずれかに流入する。例えば、第１反応室１
９において上記核形成の工程が実行されている間、準安
定励起分子は弁２４を経て第２反応室２０に設置されて
いる基板に対して成膜の工程を実行することができる。

第２反応室２０の基板上における成膜が完了するととも
に、第１反応室１９における核形成の工程が完了したと
き、弁２３を開き弁２４を閉じることにより上記準安定
励起分子を第１反応室１９に導き、該第１反応室１９内
に設置された核形成の工程が終った基板に対して成膜の
工程を実施する。その間、第２反応室２０では新規の基
板に対して核形成の工程を実施する。なお第３図では光
照射装置および排気装置は省略しである。上記のような
構成によって第１実施例および第２実施例で経験したよ
うな準安定励起分子の無駄な消費を防ぐことができると
ともに、核形成の工程と成膜の工程とを並行して実施で
きるため、成膜のスループットの向上をはかることがで
きる。第３図に示す本実施例では２個の反応室１９．２
０が設けられているが、反応室は所望の数だけ増設する
ことができる。その場合、反応室の適正な数は核形成の
工程で要する時間と成膜の工程で要する時間との比を目
安にして算出することが望ましい。

第４図は第４実施例として準安定励起分子を反応室に導
入する際に、上記準安定励起分子が反応性ガスと均一に
反応するように構成した部分構成図を示し、（ａ）は反
応室内の正面図、（ｂ）は反応ガスおよび準安定励起分
子の導入装置を示す上面図である。第４図（ａ）では第
１実施例と同様に反応室に備えられた光導入窓やガスの
排気装置は省略されている。反応性ガスは導入管２５お
よび分岐管２６．２６′、さらには環状管２７に導入さ
れ、該環状管２７に設けられた噴出口２８．２９．３０
．３１を経て反応室２に注入される。本実施例で前記核
形成の工程を実施する場合は５反応室２に反応性ガスを
満した状態か、もしくは上記反応性ガスを排気装置で排
気後、核形成に適した波長成分を含む光を第４図（ａ）
の入方向から基板１に照射すればよい。つぎに成膜の工
程を実施する場合は、上記環状管２７に設けた噴出口２
８．２９．３０．３１を通して反応性ガスを反応室２に
リークさせながら、準安定励起分子を反応室２に導けば
よい。準安定励起分子発生部（図示せず）により準安定
励起分子に変換されたガスは、管３２および分岐管３３
．３３′、さらには環状管３４に設けられた噴出口３５
．３６．３７．３８から反応室２に導入される。本実施
例では反応性ガスを導く環状管２７から下方に延びた噴
出口２８．２９．３０．３１は、上記環状管２７の下方
に設けられた準安定励起分子を導く環状管３４と同一平
面に設置されている。すなわち反応性ガスの噴出口２８
．２９．３０．３１、および準安定励起分子の噴出口３
５．３６．３７．３８は同一平面で互いに等間隔の位置
に設けられている。その結果第４実施例においては、反
応性ガスの噴出口２８と準安定励起分子の噴出口３５お
よび３６とがなす角度（環状管３４の中１らＣから見た
角度）は４５″になっている。

第５図に示す第５実施例は、複数の基板上に同時に成膜
する際に用いる装置で、図は４枚の基板を同時処理する
場合の構成を部分的に示したものである。本実施例は上
記第４実施例に示す装置を４個並列に組合わせて構成し
ている。反応性ガスは図示していないが別に設けられた
反応性ガス源からリークし、流量調節機構を経由したの
ち、４本の分岐管に分かれて第５図に示す管４０．４１
．４２゜４３に流れる。流入してきた反応性ガスは上記
第４図（ａ）、（ｂ）に示した第４実施例に記した経路
によって反応室内に導入される。一方、準安定励起分子
は管４４から放射状に伸びた分岐管４５．４６．４７、
４８を経たのち、上記第４実施例に記したのと同様の経
路で反応室内に導入される。第５図において、４９．５
０．５１．５２はそれぞれの基板を示している。

第６図に示す第６実施例は、核形成の工程を実行する第
１反応室５３と、成膜の工程を実行する第２反応室５４
とを分離して設けた構成であり、第１反応室５３に基板
５５を搬入後、真空排気袋ｗ８により第１反応室５３内
のガスを弁５６を通して排気し、つぎに弁３を開き反応
性ガス源４から反応性ガスをリークさせ第１反応室５３
に導く。上記反応性ガスを第１反応室５３に満した状態
、もしくは弁３を閉じて弁５６を開き排気装置８により
第１反応室５３に残留する反応性ガスを排気した状態で
、光源１０から放射される光ビーム１１を光導入窓１２
を通して基板５５の表面に照射する。上記手順を経て核
形成の工程が終了したのち、第１反応室５３と第２反応
室５４との間の隔壁５７を開き、基板５５をあらかじめ
真空排気された第２反応室５４に搬送する。この時点で
基板５５は基板５８になる。基板５８を第２反応室５４
に搬送後隔壁５７を閉じ、弁５９を開いて反応性ガスを
管６０を経て第２反応室５４に導く。それと同時にガス
源１３からリークしたガスを準安定励起分子発生部６を
通して準安定励起分子に変換し、弁６１および弁６２を
開くことにより第２反応室５４に導き成膜の工程を進行
させる。その時弊６３は閉じられバイパス管６４への準
安定励起分子の流れは中断される。第２反応室５４にお
いて成膜の工程が進行中、第１反応室５３では新しく搬
入された基板５５に対して核形成の工程が実施される０
本実施例では第１反応室５３で核形成の工程を行いなが
ら第２反応室５４で成膜の工程を並行して実施できるこ
とに加え、上記第１〜第３の実施例において問題となる
光導入窓内面での薄膜形成による光透過率の低下を低減
するのにも有効である。上記第１〜第３実施例における
問題点は、光照射によって基板面に核形成が行われると
同時に、反応性ガスと接する光導入窓１２の内面の光通
過部でも同様の核形成反応が進行し、続いて実施する準
安定励起分子による成膜の工程に際し、上記光導入窓１
２の内面でも成膜反応が進行することによって生じるも
のである。

第６図に示した本実施例では、成膜の工程が第２反応室
５４で実施されるため、上記のような光導入窓１２の内
面における薄膜の形成を大幅に低減することができる。

第７図に示す第７実施例は、上記光導入窓内面に成膜反
応を進行させることなく、従って光導入窓にくもりをほ
とんど生じさせない装置の一例を示すもので、第７図は
反応室部分を示す図である。

前置室６５の内部に基板６６を内蔵し、排気管６７で排
気することにより内部を高真空に保持している。

隣接する第１反応室６８も排気管６９によりあらかじめ
排気し真空下に置かれている０本実施例において基板６
６面へ核形成反応を実行する場合、まず上記前置室６５
と第１反応室６８との間の隔壁７０を開き、基板６６を
第１反応室６８に搬送する。この時点で基板６６は基板
７１の状態になる。つぎに隔壁７０を閉じ、導入管７２
から反応性ガスを第１反応室６８に導き、基板７１の表
面に上記反応性ガスを吸着させる。続いて第１反応室６
８に残留する反応性ガスを排気管６９を通して排気する
。所定の圧力まで到達した段階で第１反応室６８と第２
反応室７３との間の隔壁７４を開き、基板７１を第２反
応室７３内に搬入する。この時点で基板７１は基板７５
の状態になっている。なお搬入に先立ち第２反応室７３
内は排気管７６を通して真空排気しておくことが望まし
い。上記のように基板７５を第２反応室７３内に搬入後
隔壁７４を閉じ、光源１０から放射される光ビーム１１
を導入窓１２を通して基板７５の表面に照射する。上記
のプロセスを経て基板７５の表面に核が形成される。つ
ぎに第２反応室７３と第３反応室７７との間の隔壁７８
を開き、基板７５を第３反応室７７に搬送する。この時
点で基板７５は基板７９の状態になっている。ついで隔
壁７８を閉じ、管８０を通じて第３反応室７７内を排気
しながら管８１から反応性のガスを、また管８２から準
安定励起分子をそれぞれ第３反応室に導き、基板７９の
核形成部に成膜反応を進行させる。

本実施例では第１反応室６８で基板面上に反応性ガスを
吸着させ、第２反応室７３で光エネルギー１１を照射す
るようにしたため、第２反応室７３に設けられた光導入
窓１２の内面に反応性ガスが吸着することがない。従っ
て光源１０から光ビーム１１を照射する場合においても
、上記光導入窓１２の内面に光誘起反応の結果生成する
核が付着することなく、上記光導入窓１２の光透過率は
ほとんど低下しない状態を維持することができる。本実
施例においても例えば第３反応室７７で成膜工程を実施
中、それに先立つ第１反応室６８、第２反応室７３にお
いてそれぞれ反応性ガス吸着の工程並びに光照射の工程
を実施できることはいうまでもない。

第８図に示す第８実施例は、上記第７実施例に記したプ
ロセスの効率をさらに向上させるための装置である。前
置室６５は基板６６を内蔵した状態で排気管６７により
常に排気されている。前置室６５に隣接する第１反応室
５３には隔壁７０を開いて前置室６５から搬入された基
板７１が設置されている。第１反応室６８では導入管７
２を通して反応性ガスが常に導入され、基板７１上に上
記反応性ガスを吸着させる工程を実施している。上記反
応性ガス吸着の工程が完了すると、隔壁８３が開かれ基
板７１は隣室８４に搬送され基板８５の位置に設置され
る。室８４では排気管８６を通して常に排気されている
。そのため、基板８５の搬入が完了し、隔壁８３が閉じ
られると室８４に流入した反応性ガスは系外に排気され
元の真空度に達する。この間、室８４と第２反応室７３
との間の隔壁８７は閉じられているので、隔壁８３を開
いた際、第１反応室６８から室８４に流入した反応性ガ
スが第２反応室７３に流入することはない、室８４が所
定の真空度に達したのち、隔壁８７が開かれ基板８５が
第２反応室７３に搬送される。その際基板８５は基板８
８の状態になる。隔壁８７を閉じたのち光源１０から放
射される光ビーム１１を光導入窓１２を通して上記基板
８８に照射し、該基板８８の面上で該形成反応を進行さ
せる。光照射のプロセスが終了後、隔壁８９が開かれ基
板８８が隣室９０に搬入され、基板９１の状態になる。

隔壁８９を閉じたのち隔壁９２を開き、基板９１を第３
反応室７７に搬送する。第３反応室７７では管９３を通
じて常に排気しながら、管９４から反応性ガスを、また
管９５を通して準安定励起分子を流入させ、第３反応室
７７に搬送されてきた基板９６の核形成部において成膜
反応を進行させる。上記のように隔壁９２を開き基板９
１を第３反応室７７に搬入する際、管９４および管９５
を経由して第３反応室７７に導入する反応性ガスおよび
準安定励起分子が室９０に一部流入するが、隔壁８９が
閉じられているので第２反応室７３まで拡散することは
ない。基板９１が第３反応室７７に搬入後隔壁９２は閉
じられるが、室９０は管９７を通して常に真空排気され
ているので、すぐ元の真空状態に戻る。上記のように第
８実施例では上記第７実施例で記した第１反応室６８と
第２反応室７３との間に、また第２反応室７３と第３反
応室７７との間にそれぞれ真空排気の機能を備えた新た
な部屋８４と９０を設けるとともに、各部屋間の隔壁の
開閉タイミングをコントロールすることにより、第１反
応室６８に導く反応性ガスならびに第３反応室７７に導
く反応性ガスおよび準安定励起分子の流入・停止の操作
過程を設けることなく、両ガスを連続的に流入させなが
ら、さらに光導入窓１２の内面に薄膜が形成されて上記
光導入窓１２の光透過率が低下するという問題を排除し
て、基板上への核形成の工程と成膜の工程とを実施でき
るという効果が得られる。

上記第１図から第８図に至る各実施例においては、光源
１０から放射される光ビーム１１を基板上に照射する実
施形態が示されているが、光照射の段階でパタン情報を
含んだ光を照射してもよい。そうすることにより、基板
面では上記パタン情報を反映した光誘起反応が進行し、
所望のパタンを示す核を基板上に形成することができる
。パタン情報を基板上に反映する手段としては、まず光
源と基板間にマスクを設置する方法があり、上記マスク
の設置法としては、基板面に極く接近した位置に上記基
板に平行な状態で所望のパタン像と等倍のマスクを設置
する方法や、縮小投影光学系を利用する方法を適用する
ことができる。また上記光源にレーザ光を使用して上記
レーザ光の照射部だけに上記の核を形成する方法として
は、（１）レーザビームの空間的位置を固定し、基板台
を基板に対して水平な２次元方向にスキャニングして所
望のパタンを描く方法、（２）基板の位置を固定した状
態でレーザ光源から放射されるレーザビームをスキャニ
ングする方法、（３）レーザ光源がら放射されるレーザ
ビームをハーフミラ−で２光路に分岐したのち、両者の
ビームを干渉させることにより基板面上に微細な干渉縞
パタンを形成する方法なども適用できる。上記（２）の
方法を実現する手段としては、レーザ光源から放射され
るレーザビームを光フアイバケーブルに通じ、マイクロ
レンズを組込んだホトカプラに導き、上記ホトカプラを
移動する方法が有効である。本発明でいうパタン情報を
含む光の照射方法には、上記のマスクを設置する方法や
、上記（１）、（２）、（３）に記したレーザ光を利用
する方法が含まれる。

なお、本発明で基板面に核ならびに膜形成を行う際に使
用する反応ガスとしては、半導体プロセスで常用される
水素化物（Ａ　ｓ　Ｈｓ、　Ｓ　ｉ　Ｈ、すＪ：：　）
、有機金属化合物［Ｃａ（ＣＨ３）１、Ｍ（ＣＨ４）な
ど］、金属カルボニル化合物（Ｗ　（Ｃ○）ｓ　、Ｍｏ
（Ｇ　Ｏ）ｓなど）等が適用できる。本発明のすべての
実施例においては、１種類の反応性ガスが示されている
が、複数種のガスを併用する系にも本発明は有効である
。

また本発明のプロセス工程において、基板もしくは反応
室に加熱手段を備えることが有効であることはいうまで
もない、なお第２図に示す第２実施例で記した光と準安
定励起分子の相剰効果を利用する形態は、すべての実施
例に適用できるものである。

〔発明の効果〕

上記のように本発明による成膜装置は、光エネルギーを
照射して光誘起化学反応により薄膜を形成する成膜装置
において、基板を内蔵する反応室と、該反応室に反応性
ガスを導く手段と、上記反応室を排気する手段と、上記
基板面に光エネルギーを照射する手段と、準安定励起分
子を発生する手段と、上記準安定励起分子を反応室に導
く手段とを有し、上記反応室に反応性ガスを導いて上記
基板面に光エネルギーを照射する工程を経たのち、上記
準安定励起分子を反応室に導くように構成したことによ
り、核に基づいて行う成膜工程において、高価なエキシ
マレーザなどを使用することなく、低温の薄膜形成を行
うことが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による成膜装置の第１実施例を示す構成
図、第２図は本発明の第２実施例の装置構成を示す図、
第３図は本発明の第３実施例の説明図、第４図は本発明
の第４実施例を示す図で。（ａ）は反応室内の正面図、（ｂ）は反応性ガスおよび
準安定励起分子の導入装置を示す上面図、第５図は本発
明の第５実施例における反応性ガスおよび準安定励起分
子の導入装置を示す図、第６図は本発明の第６実施例の
装置構成図、第７図は本発明の第７実施例における反応
室部分を示す図、第８図は本発明の第８実施例における
反応室の構成を示す図である。１．５５．５８．６６．７１．７５．７９．８５．８８
．９１．９６・・・基板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光エネルギーを照射して光誘起化学反応により薄
膜を形成する成膜装置において、基板を内蔵する反応室
と、該反応室に反応性ガスを導く手段と、上記反応室を
排気する手段と、上記基板面に光エネルギーを照射する
手段と、準安定励起分子を発生する手段と、上記準安定
励起分子を反応室に導く手段とを有し、上記反応室に反
応性ガスを導いて上記基板面に光エネルギーを照射する
工程を経たのち、上記準安定励起分子を反応室に導くよ
うに構成したことを特徴とする成膜装置。
（２）上記反応室は、準安定励起分子を導入しながら光
エネルギーを照射する手段を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載した成膜装置。
（３）上記反応室は、複数個の反応室よりなり、反応性
ガスあるいは準安定励起分子の導入および排気が切替え
実施できる手段を有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項に記載した成膜装置。
（４）上記反応性ガスを導く手段および準安定励起分子
を導く手段は、中心に向う複数の開口を有する環状管構
造であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれかに記載した成膜装置。
（５）上記反応室は、反応性ガスを基板に吸着し光エネ
ルギーを照射する第１反応室と、準安定励起分子を作用
させる第２反応室とに分離されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載し
た成膜装置。
（６）上記反応室は、反応性ガスを基板に吸着させる第
１反応室と、上記基板に光エネルギーを照射する第２反
応室と、光エネルギーを照射した基板に準安定励起分子
を作用させる第３反応室とに分離されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
記載した成膜装置。
（７）上記第１反応室と第２反応室との間および第２反
応室と第３反応室との間に、真空排気されている室をそ
れぞれ設けたことを特徴とする特許請求の範囲第６項に
記載した成膜装置。
（８）上記光エネルギーは、マスクを通した光またはレ
ーザビームを用いたパタン情報を含む光エネルギーであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項
のいずれかに記載した成膜装置。