JPS61229314A - タ−ゲツト材料およびその製造方法 - Google Patents
タ−ゲツト材料およびその製造方法Info
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- JPS61229314A JPS61229314A JP7059185A JP7059185A JPS61229314A JP S61229314 A JPS61229314 A JP S61229314A JP 7059185 A JP7059185 A JP 7059185A JP 7059185 A JP7059185 A JP 7059185A JP S61229314 A JPS61229314 A JP S61229314A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はスパッタリング法による磁気記録用薄膜の作f
fK際し、その母材となるターゲット材料とその製造方
法に関するものである。
fK際し、その母材となるターゲット材料とその製造方
法に関するものである。
(従来の技術)
近年、垂直磁化膜に関する研究は盛んに行なわれ多くの
報告がなされている。例えば日本金属学会1984年1
2月発行なる磁性材料(最近の動向)P29においてス
パッタリングによる磁化膜としてqd F e e T
b F e e Dy F e + (1d Co
e T b Co * Dy CoおよびH。
報告がなされている。例えば日本金属学会1984年1
2月発行なる磁性材料(最近の動向)P29においてス
パッタリングによる磁化膜としてqd F e e T
b F e e Dy F e + (1d Co
e T b Co * Dy CoおよびH。
Coをあげている。上記以外の1例としては8rrr−
C。
C。
系があり特開昭60−16409によれば、その垂直磁
化膜の作成方法として、瀬ターゲットおよびCoターゲ
ットを使用し、マグネトロン・スパッタリングにより2
0〜50%8m−鵬oなる垂直磁化膜が得られることを
開示している。
化膜の作成方法として、瀬ターゲットおよびCoターゲ
ットを使用し、マグネトロン・スパッタリングにより2
0〜50%8m−鵬oなる垂直磁化膜が得られることを
開示している。
(発明の解決しようとする問題点)
しかし、これら従来の製造方法によれば上述の如く別々
の原料すなわち訓およびCOをターゲットにしており、
従って最終的に得る磁化膜の組成調整が困難であるなど
の問題点を有していた。
の原料すなわち訓およびCOをターゲットにしており、
従って最終的に得る磁化膜の組成調整が困難であるなど
の問題点を有していた。
本発明は上記問題に対し、容易に所定組成を有する磁化
膜が得られるターゲット材料およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
膜が得られるターゲット材料およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らはRXT(1−X)の組成なるターゲット材
料の製造方法を種々検討した。例えば先ず溶解−鋳造に
よる製造方法を検討したがR−T系においては多くの金
属間化合物(例えばR+Tt −RqTs −&Ty
、RrTs 、およびRa T+ を化合物など)が存
在するとともに凝固過程には包晶および共晶反応が生じ
るため、均一な組成を有するターゲット材料を得ること
が困難でそのためそのようなターゲツト材を用いても所
定組成の垂直磁化膜は得られなかった。そのような検討
を進める過程でRxT(i−x)なる組成を有する材料
が非常に硬く粉末化しやすい性質があることに着目し本
発明を見出すに至ったのである。
料の製造方法を種々検討した。例えば先ず溶解−鋳造に
よる製造方法を検討したがR−T系においては多くの金
属間化合物(例えばR+Tt −RqTs −&Ty
、RrTs 、およびRa T+ を化合物など)が存
在するとともに凝固過程には包晶および共晶反応が生じ
るため、均一な組成を有するターゲット材料を得ること
が困難でそのためそのようなターゲツト材を用いても所
定組成の垂直磁化膜は得られなかった。そのような検討
を進める過程でRxT(i−x)なる組成を有する材料
が非常に硬く粉末化しやすい性質があることに着目し本
発明を見出すに至ったのである。
すhわち、本発明は必須元素としてR(ただし几は希土
類元素の少くとも1種)およびT(TはFe、Co、N
iの内少くとも1種)から成る合金粉末を加圧成形し、
緻密化することを特徴としたターゲツト材およびその製
造方法である。
類元素の少くとも1種)およびT(TはFe、Co、N
iの内少くとも1種)から成る合金粉末を加圧成形し、
緻密化することを特徴としたターゲツト材およびその製
造方法である。
(作用)
以下本発明を詳述すると、所定成分となるよう配合し、
真空中あるいは非酸化性ガス雰囲気中(例えば、不活性
ガスあるいは還元性ガス)で溶解、鋳造し、合金インゴ
ットを得る。次いで得られたインゴットをジ冒−クラッ
シャー、ブラウンミルおよびジェットミルなどの公知の
粉砕手段を用いて、平均粒径1〜100μmに微粉砕す
る。得られた微粉砕粉を成形用原料として常温あるいは
高温にて圧延、押し出し、圧縮プレスなどの加圧成形に
より成形体とし、次いで綴糸化する。なお、平均粒径1
μm未満および100μ調を越えると良好な成形体を得
ることが困難となる。加圧成形および緻密化は真空中あ
るいは非酸化性雰囲気ガス中が良い。これは希土類元素
Rが酸化しやすいことを防止するためである。従って、
Arなどの不活性ガスあるいはになどの還元性ガスが
使用される。緻密化は上記真空中あるいは非酸化性雰囲
気ガス中にて高温度で保持するいわゆる焼結、あるいは
非酸化性ガスを媒体とし、それによる静水加圧下で高温
度で保持する熱間静水圧プレスで行うことが良く望まし
くはそれらを併用することにより一層緻密化が達成され
る。なお、最終ターゲット材料を得るのに前述した如<
iff類の合金粉末を出発点とする前記方法だけでなく
、複数の種類の合金粉末を準備し、それらを混合するこ
とにより最終組成が得られるように配合し、以後前述し
た方法の如く加圧成形し緻密化を行っても艮い。たとえ
ばSmO,20Coα80なるターゲット材料を得るの
に、20原子%Sm80原子チCO合金を溶解、鋳造し
1、合金粉末としてから加圧成形、緻密化しても良くあ
るいは、22.2原子%Sm77.8原子% Coなる
84007合金粉末および16.7原子%8m83.3
原子% C。
真空中あるいは非酸化性ガス雰囲気中(例えば、不活性
ガスあるいは還元性ガス)で溶解、鋳造し、合金インゴ
ットを得る。次いで得られたインゴットをジ冒−クラッ
シャー、ブラウンミルおよびジェットミルなどの公知の
粉砕手段を用いて、平均粒径1〜100μmに微粉砕す
る。得られた微粉砕粉を成形用原料として常温あるいは
高温にて圧延、押し出し、圧縮プレスなどの加圧成形に
より成形体とし、次いで綴糸化する。なお、平均粒径1
μm未満および100μ調を越えると良好な成形体を得
ることが困難となる。加圧成形および緻密化は真空中あ
るいは非酸化性雰囲気ガス中が良い。これは希土類元素
Rが酸化しやすいことを防止するためである。従って、
Arなどの不活性ガスあるいはになどの還元性ガスが
使用される。緻密化は上記真空中あるいは非酸化性雰囲
気ガス中にて高温度で保持するいわゆる焼結、あるいは
非酸化性ガスを媒体とし、それによる静水加圧下で高温
度で保持する熱間静水圧プレスで行うことが良く望まし
くはそれらを併用することにより一層緻密化が達成され
る。なお、最終ターゲット材料を得るのに前述した如<
iff類の合金粉末を出発点とする前記方法だけでなく
、複数の種類の合金粉末を準備し、それらを混合するこ
とにより最終組成が得られるように配合し、以後前述し
た方法の如く加圧成形し緻密化を行っても艮い。たとえ
ばSmO,20Coα80なるターゲット材料を得るの
に、20原子%Sm80原子チCO合金を溶解、鋳造し
1、合金粉末としてから加圧成形、緻密化しても良くあ
るいは、22.2原子%Sm77.8原子% Coなる
84007合金粉末および16.7原子%8m83.3
原子% C。
なるSmIC05合金粉末を別々に準備し、それら2種
類の合金粉末を20原子%&n80原子9b Coとな
るように調整配合し、混合後加圧成形、緻密化しても艮
い。この場合Sm2Co7粉が融点が低いために緻密化
において焼結を促進する役割を果し、一層の緻密化が進
む。合金粉末の成分としては凡の組成が原子比で5〜5
0%の範囲が艮い。5チ未満および50%を越えると磁
気記録特性に必要な飽和磁化や保磁力が得られないため
である。
類の合金粉末を20原子%&n80原子9b Coとな
るように調整配合し、混合後加圧成形、緻密化しても艮
い。この場合Sm2Co7粉が融点が低いために緻密化
において焼結を促進する役割を果し、一層の緻密化が進
む。合金粉末の成分としては凡の組成が原子比で5〜5
0%の範囲が艮い。5チ未満および50%を越えると磁
気記録特性に必要な飽和磁化や保磁力が得られないため
である。
(実施例)
以下!j!施例に基づき本発明を説明する。
実施例1
純度99.7wtts以上のSmおよび純度99.9w
t%の電解Cod使用し、最終ターゲット材料にて8m
0.25 C。
t%の電解Cod使用し、最終ターゲット材料にて8m
0.25 C。
O,75(2障子チSm75原子チCo)合金となるよ
う秤量配合し、 Arガス中にて溶解し、合金インゴッ
トを得た。得られたインゴットをジ嘗−クラッシャー、
ブラウンミルにて粗粉砕後N2ガスによるジェット・ミ
ルで平均粒径4.5μmに微粉砕した。得られた微粉砕
粉を成形用原料とし圧縮プレスにて成形圧5t/dで成
形し底形体とし、引き続いて焼結を行い、50X50X
5−よるターゲット材料を得た。
う秤量配合し、 Arガス中にて溶解し、合金インゴッ
トを得た。得られたインゴットをジ嘗−クラッシャー、
ブラウンミルにて粗粉砕後N2ガスによるジェット・ミ
ルで平均粒径4.5μmに微粉砕した。得られた微粉砕
粉を成形用原料とし圧縮プレスにて成形圧5t/dで成
形し底形体とし、引き続いて焼結を行い、50X50X
5−よるターゲット材料を得た。
焼結は常温から1080℃まで4℃/分で昇温するとと
もに、昇温過程(900℃未満)において真空度を上げ
て脱ガス処理を行ない、1080℃で2時間保持後、2
℃/分の冷却速度で徐冷した。なお雰囲気は常温から9
00℃未満を真空中(1[)”Torr)とし、900
℃以上保持部をH3での還元性ガスとし、保持後から冷
却部をArでの不活性ガスとした。
もに、昇温過程(900℃未満)において真空度を上げ
て脱ガス処理を行ない、1080℃で2時間保持後、2
℃/分の冷却速度で徐冷した。なお雰囲気は常温から9
00℃未満を真空中(1[)”Torr)とし、900
℃以上保持部をH3での還元性ガスとし、保持後から冷
却部をArでの不活性ガスとした。
上記得られたターゲツト材を使用しマグネトロン・スパ
ッタリング法により垂直磁化膜を作成し、その磁気特性
を評価した結果、飽和磁束密度390G、保磁力600
0eを示し、実用上十分なia磁気特性示した。
ッタリング法により垂直磁化膜を作成し、その磁気特性
を評価した結果、飽和磁束密度390G、保磁力600
0eを示し、実用上十分なia磁気特性示した。
実施例2
実施例1で得られた焼結後のターゲット材料をさら[1
000気圧のArガス中にて、1070℃x2Hrの熱
間静水圧プレスを施し得られたターゲット材料を5!施
例1と同様に評価した所、飽和磁束密度450(3、保
磁力6800eと向上することが分った。
000気圧のArガス中にて、1070℃x2Hrの熱
間静水圧プレスを施し得られたターゲット材料を5!施
例1と同様に評価した所、飽和磁束密度450(3、保
磁力6800eと向上することが分った。
(発明の効果)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、必須元素としてR(Rは希土類元素の少くとも1種
)およびT(ただしTはFe、Co、Niの内少くとも
1種)から成る合金粉末を加圧成形し、緻密化すること
を特徴とするターゲット材料の製造方法。 2、前記合金粉末の平均粒度として1〜100μmの合
金粉末を用いることを特徴とした特許請求の範囲第1項
記載の製造方法。 3、加圧成形および緻密化を真空中および不活性ガスあ
るいは還元性ガスなど 酸化性雰囲気ガス中にて行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 4、加圧成形を常温あるいは高温で行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 5、緻密化を焼結、熱間静水圧プレスの内少くとも1種
の方法で行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の製造方法。 6、特許請求の範囲第1項ないし第5項記載の製造方法
から製造されることを特徴とするターゲット材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7059185A JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7059185A JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61229314A true JPS61229314A (ja) | 1986-10-13 |
Family
ID=13435947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7059185A Pending JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61229314A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270550A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材 |
JPH0225565A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材料の製造方法 |
JPH0285362A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-26 | Mitsubishi Metal Corp | スパッタリング用合金ターゲットの製造方法 |
JPH0285363A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
JP2011208265A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP7059185A patent/JPS61229314A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270550A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材 |
JPH0549730B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1993-07-27 | Mitsubishi Materials Corp | |
JPH0225565A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材料の製造方法 |
JPH0285362A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-26 | Mitsubishi Metal Corp | スパッタリング用合金ターゲットの製造方法 |
JPH0285363A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
JP2677304B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1997-11-17 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
JP2011208265A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
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