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JPS61224344A - 高周波集積デバイス用パツケ−ジ - Google Patents

高周波集積デバイス用パツケ−ジ

Info

Publication number
JPS61224344A
JPS61224344A JP60064672A JP6467285A JPS61224344A JP S61224344 A JPS61224344 A JP S61224344A JP 60064672 A JP60064672 A JP 60064672A JP 6467285 A JP6467285 A JP 6467285A JP S61224344 A JPS61224344 A JP S61224344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
circuit board
main part
integrated device
frequency integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60064672A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimitsu Yamazoe
山添　良光
Shinichi Iguchi
井口　信一
Akira Otsuka
昭 大塚
Mitsuaki Nishie
光昭 西江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP60064672A priority Critical patent/JPS61224344A/ja
Publication of JPS61224344A publication Critical patent/JPS61224344A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高周波集積デバイス用パッケージに関し、より
特別にはＩｎＰ、ＧａＡｓ等化合物半導体を用いた高周
波集積デバイス用のパッケージの改良に関する。
（従来の技術） 従来、高周波集積デバイス用のパッケージとして、第３
図（ａ）　、　（ｄに示すように、）ξツケージ主要部
（ステム）１上に、アルミナ、ベリリア等のセラミック
やエポキシグラス等の高周波用の絶縁性基板の上に回路
網を形成した回路基板３を貼り付け、これをパッケージ
主要部１上に一体形成したステー：）５上に装着したＩ
ｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体よりなる素子７，９お
よびガラス１１封止したリード線１３にワイヤ１５接続
し、該ノツケージ主要部上をキャップ（図示せず）にて
カバーしてなる構造のパッケージは公知である。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記従来のパッケージ構造では、回路基
板３が単にパッケージ主要部１上面に貼り付ける構造と
なっているため、回路基板の装着に際しては該回路基板
３とステージ５との間の精密な位置合わせを行うべく特
別な位置合わせ治具を用いた作業を必要とし、組立てが
面倒であった。
すなわち、組立中に接合用の樹脂やロウ剤が溶解した時
点で回路基板が移動したり、該移動に伴って接合剤が回
路基板の側面や上面へ回り込むなどして位置ずれや短絡
不良を引き起し易い欠点がある。高同波回路において位
置ずれが生じた場合には、余分な寄生容量や寄生インダ
クタンス等の発生を伴うため、設計された回路の整合条
件がくずれてしまう。このため、高周波信号の反射損や
半導体素子の効率低下を引き起し、はなはだしい場合に
はこれらの損失電力により半導体素子が破壊されること
Ｋもなる。
（゛問題点を解決するための手段） 本発明は上記従来の欠点を除去すべくなされ、たもので
あって、このため本発明はパッケージ主要部上に絶縁性
回路基板を装着してなる高周波集積デバイス用のパッケ
ージにおいて、パッケージ主要部の上面に予め回路基板
を埋設するための凹部を形成しておき、該凹部内に回路
基板を嵌込み接合することにより回路基板を装着するこ
とを特徴とする。
（作　用） パッケージ主要部には予め凹部が形成されてい、るため
、所定寸法の回路基板を嵌込めばそのまま位置合わせが
完了する。また、パッケージ主要部に形成された凹部は
回路基板を全周囲より固定するため組立治具としての機
能を果す。従って組立時の精密な位置調整が不要となる
。しかも凹部の側壁部分により接合剤の流れが押えられ
るため接合材料、例えば樹脂やロウ剤が回路基板の表面
へ回り込むことも防とできる。　　　　。
（実施例） 以下、本発明の好適な実施例を添附図に沿って説明する
。第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の一実施例を示す。
該実施例では、まずパッケージ主要部１を銅−タングス
テン合金により作製した。該合金材料はタングステンに
銅を重量比で１８％の割合で含有させ、溶浸法によって
形成した。この合金の線膨張率は６．８　Ｘｌ０−’６
ｃ＋ｎ／ｃｒＩＬ’ｃとＧａＡ、、の線膨張率とほぼ一
致させてあり、また熱伝導率は０．６５　ｃａ３；Ｐａ
ｄｅｇと従来一般使用のコバールと比較して約１０倍で
あった。次いで、この合金母材を研削加工により第１図
のパッケージ主要部１の形状に形成した。
すなわち、半導体素子７，９を装着するステージ５と、
回路基板３を埋設する凹部ｌＯと、リード線１３を挿通
する穴とを設けた。該主要部に鉄ニツケルメッキを約２
μｍはどこした後、融着用ガラス１１を介して鉄ニツケ
ル合金からなるリード線１３を融着した。さらに金メッ
キを約１μｍはどこし、これで主要部１を完成した〇 次に、アルミナセラミックの回路基板３の裏面全体をメ
タライズし、表面には増幅回路のパターン４をスクリー
ン印刷法により形成した。このように形成した回路基板
３を主要部１の凹部１０にロウ付けによって接合した。
回路基板３の位置合わせは予め、Ｒツケージ主要部１に
形成された凹部ｌＯに嵌込むだけであるので非常に簡単
であった。また、回路基板３の位置ずれや接合剤の回り
込みなどの現象は見られなかった。
この後、ＧａＡｓからなる高周波増幅用のＦＥＴチップ
７．９をステージ５上に装着し、金のワイヤ１５を用い
で回路基板３上の所定の接合ノツｒとの結線および！７
−　）’［１３との接続を行った。このとき、回路基板
３とパッケージ主要部１との位置合わせの精度が高いた
め、ワイヤ１５の長さの設計値との差は関μｍ以内であ
り、寄生容量および寄生インダクタンスを減少させるこ
とができた。次に、回路基板３上にチップ抵抗、チップ
容量を乗せてはんだ付けすることにより回路網を完成し
た。
最後に、パッケージ主要部１上にキャップ（図示せず）
を取付けることにより、高周波集積ジノζイスの一つで
ある高周波増幅器を完成した。
このようにして作製された増幅器は、部品配置並に配線
の精度が改良されたことにより容量やインダクタンスの
寄生成分が減少した結果、設計通りのインピーダンス整
合を容易に実現することができた。このため、従来必要
であったデバイス作製後のトリミング作業を大巾に短縮
することができ、また回路効率および雑音特性を改善す
ることもできた。
また、ノッケージ主要部ＩＫ銅−タングステン合金を用
いることＫよって、Ｇ？！ＬＡｓ等の半導体素子７，９
とステージ５との線膨張率差による応力の発生を阻止す
ることができ、また放熱特性を改善することができるた
め、電力容量を増大することができる。本発明の一実施
例によれば、従来半導体チップ当りの消費電力の上限が
１００ｍｗ程であったものが１５０ｍｖｒ程度まで耐え
られるようになった。また、素子寿命は加速劣化試験デ
ータを用いて推定したところ、従来の１０倍以上の寿命
が得られることがわかった。なお、パッケージ主要部１
の材料としては、上記材料の他にタングステン、モリブ
デンまたはタングステン・モリブデン合金に均一に銅を
含有させた合金であって、４、ＯＸｌ０−　Ｌｌａｎ／
ｃＩｒＬ２℃乃至７．ＯＸｌ０−　’ｃｍ／ｃｗｔ　’
Ｃの線膨張率をもつ合金を使用することによっても同様
な効果を得ることができる。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、該★施例の
ものは先の実施例のように回路基板３をパッケージ主要
部１内に完全に埋設させず、回路基板３０表面がＧａＡ
ｓ等からなるＦＥＴチップ７゜９の表面とほぼ同一高さ
となるように、回路基板３をパッケージ主要部１内に部
分的に埋設したものである。本実施例のものは先の実施
例のものと同様の効果が得られるばかりではなく、結線
用ワイヤ１５の長さを第１図の場合よりさらに短縮する
ことができるため、容量、インダクタンスの寄生成分を
いっそう減少させることができる。
（発明の効果） 以上のように、本発明によれば高周波集積デバイス用パ
ッケージにおいて、回路基板の高精度り位置合わせを容
易に行うことができ、このためデバイスの設計および組
立作業の能率を向上させることができ、しかも出来上っ
たデバイスの効率や回路性能を改善することができる。
それ故、高周波を扱う通信機器や測定機器等において装
置の高性能化、小型化、低価格化を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す上面図および中央断面図、第２図は本発明の他の
実施例を示す中央断面図、第３図（ａ）および（１：）
はそれぞれ従来の高周波集積デバイス用ノッヶージの構
造を示す上面図および中央断面図である。 １・・・パッケージ主要部、３・・・回路基板７．９・
・・半導体素子、　　１０・・・凹部第１図 第２図 １　：パッケージ主要部 ３　；旧跨纂」艮 ７９：半導体米子 曾 １０：凹卸

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）パッケージ主要部上に絶縁性回路基板を装着して
    なる高周波集積デバイス用のパッケージにおいて、パッ
    ケージ主要部の上面に予め回路基板を埋設するための凹
    部を形成しておき、該凹部内に回路基板を嵌込み接合す
    ることにより回路基板を装着することを特徴とする高周
    波集積デバイス用パッケージ。
  2. （２）前記回路基板はパッケージ主要部に完全に埋設さ
    れてなる特許請求の範囲第１項の高周波集積デバイス用
    パッケージ。
  3. （３）前記回路基板はパッケージ主要部に部分的に埋設
    されてなる特許請求の範囲第１項の高周波集積デバイス
    用パッケージ。
  4. （４）前記パッケージ主要部が導電性材料よりなる特許
    請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかによる高周波集
    積デバイス用パッケージ。
  5. （５）前記導電性材料がタングステン、モリブデンまた
    はタングステン・モリブデン合金に均一に銅を含有させ
    た合金であつて、かつ４．０×１０＾−＾６ｃｍ／ｃｍ
    ℃乃至７．０×１０＾−＾６ｃｍ／ｃｍ℃の線膨張率を
    もつ合金よりなる特許請求の範囲第４項の高周波集積デ
    バイス用パッケージ。
JP60064672A 1985-03-28 1985-03-28 高周波集積デバイス用パツケ−ジ Pending JPS61224344A (ja)

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JP60064672A JPS61224344A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 高周波集積デバイス用パツケ−ジ

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JP60064672A JPS61224344A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 高周波集積デバイス用パツケ−ジ

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JP60064672A Pending JPS61224344A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 高周波集積デバイス用パツケ−ジ

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