JPS61220435A - シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の形成方法Info
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- JPS61220435A JPS61220435A JP60062523A JP6252385A JPS61220435A JP S61220435 A JPS61220435 A JP S61220435A JP 60062523 A JP60062523 A JP 60062523A JP 6252385 A JP6252385 A JP 6252385A JP S61220435 A JPS61220435 A JP S61220435A
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- oxide film
- silicon oxide
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコン酸化膜の形成方法に関するもので、
より具体的には、半導体装置に使用されるシリコン酸化
膜の形成方法を提供するものである。
より具体的には、半導体装置に使用されるシリコン酸化
膜の形成方法を提供するものである。
従来の技術
従来のシリコン酸化ｌ１ｌｉ！（以下酸化膜）の形成方
法としては、（１）シリコン基板を高温酸化雰囲気中で
酸化する方法（基板の変質による膜形成法）、＠）シラ
ン系ガスと酸化性ガスの混合気体を熱、光。
法としては、（１）シリコン基板を高温酸化雰囲気中で
酸化する方法（基板の変質による膜形成法）、＠）シラ
ン系ガスと酸化性ガスの混合気体を熱、光。
プラズマ等で化学反応をおこさせ膜を形成する方法（基
板への堆積による膜形成）、０）樹脂を塗布し熱処理に
より酸化する方法（変質による膜形成）などが挙げられ
る。
板への堆積による膜形成）、０）樹脂を塗布し熱処理に
より酸化する方法（変質による膜形成）などが挙げられ
る。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、前述の（２）に係わるものである。従来のシ
ラン系ガスと酸化性ガスの混合気体を熱、光。
ラン系ガスと酸化性ガスの混合気体を熱、光。
プラズマ等で化学反応をおこさせ膜を形成させる方法で
製造される酸化膜の膜質は以下の欠点を有している。
製造される酸化膜の膜質は以下の欠点を有している。
（１） 膜質が均一でない。
？） 膜が緻密でない。
（３） シリコンと酸化膜に界面トラップを形成する
。
。
本発明はこの様な欠点を解決し、高品質の膜質を持つ酸
化膜を提供するものである。
化膜を提供するものである。
問題点を解決するための手段
よ記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、シリコ
ン基板を洗浄し、次とえば一般式％式％ （ここで、ムがＣ１！、−０ＣＨ３，−００２Ｈ５）で
示されるシリコン化合物を基板に吸着する工程およびた
とえば光照射するか、化学反応により前記シリコン化合
物の一部を水酸基に変換する工程により酸化膜を形成す
る方法である。
ン基板を洗浄し、次とえば一般式％式％ （ここで、ムがＣ１！、−０ＣＨ３，−００２Ｈ５）で
示されるシリコン化合物を基板に吸着する工程およびた
とえば光照射するか、化学反応により前記シリコン化合
物の一部を水酸基に変換する工程により酸化膜を形成す
る方法である。
作用
一般に、塩化シラン、メトキシシラン、エトキシシラン
などは基板（シリコン）表面の水酸基と反応し、脱塩酸
あるいは脱アルコールし、−〇−の共有結合を生じ、基
板を単分子層でおおう。この様な反応を応用し単分子層
ずつ欠陥部分（−８ｉ−〇Ｈの残部）を少くなくし積層
を進めるために、一般式 ％式％ のシリコン化合物が有効であることを発見し、本発明に
いたったものである。すなわち、前述の反応で基板の表
面に吸着したシリコン化合物は一〇−の共有結合を生成
し基板面に単分子層で固定される。しかる後に、酸化性
雰囲気で光（ビニル基と５ｉの結合を切断するエネルギ
ーを持つ波長）を照射するか、過酸化水素等を作用させ
、 Ｈｏ−５ｉを生成する。その後、前述の一般式で示
されるシリコン化合物を反応せしめる。この様な操作を
繰シ返し、所望の厚みの酸化膜せしめる。
などは基板（シリコン）表面の水酸基と反応し、脱塩酸
あるいは脱アルコールし、−〇−の共有結合を生じ、基
板を単分子層でおおう。この様な反応を応用し単分子層
ずつ欠陥部分（−８ｉ−〇Ｈの残部）を少くなくし積層
を進めるために、一般式 ％式％ のシリコン化合物が有効であることを発見し、本発明に
いたったものである。すなわち、前述の反応で基板の表
面に吸着したシリコン化合物は一〇−の共有結合を生成
し基板面に単分子層で固定される。しかる後に、酸化性
雰囲気で光（ビニル基と５ｉの結合を切断するエネルギ
ーを持つ波長）を照射するか、過酸化水素等を作用させ
、 Ｈｏ−５ｉを生成する。その後、前述の一般式で示
されるシリコン化合物を反応せしめる。この様な操作を
繰シ返し、所望の厚みの酸化膜せしめる。
この結果得られる酸化膜は従来の方法で得られる酸化膜
に比較して、膜質が均一で、緻密なも、のとなる。
に比較して、膜質が均一で、緻密なも、のとなる。
実施例
以下に本発明方法の一実施例を第１図〜第４図にもとづ
いて説明する。
いて説明する。
第１図において、１は基板で酸素中において光２を照射
しこの基板１を洗浄する。その後第２図に示すようにト
リクロルビニルシランを基板１に吸着させる。基板１と
反応後、過酸化水素を反応させ、ビニル基部分を切断し
、第３図に示すように水酸基を導入する。しかる後に、
第４図に示すようにトリクロルビニルシランを再び吸着
・反応させる。これを繰り返し、所定の膜厚の酸化膜を
得る。この様にして得られた酸化膜の耐圧は１０ＭＶ／
ａｘであった。
しこの基板１を洗浄する。その後第２図に示すようにト
リクロルビニルシランを基板１に吸着させる。基板１と
反応後、過酸化水素を反応させ、ビニル基部分を切断し
、第３図に示すように水酸基を導入する。しかる後に、
第４図に示すようにトリクロルビニルシランを再び吸着
・反応させる。これを繰り返し、所定の膜厚の酸化膜を
得る。この様にして得られた酸化膜の耐圧は１０ＭＶ／
ａｘであった。
他の実施例として、トリメトキシビニルシランあるいは
トリエトキシビニルシランを用いた場合も同様の結果を
示し、脱ビニル基工程に光を用いた場合も同様の結果を
示した。
トリエトキシビニルシランを用いた場合も同様の結果を
示し、脱ビニル基工程に光を用いた場合も同様の結果を
示した。
上記トリクロルビニルシラン、トリメトキシビニルシラ
ン、トリエトキシビニルシランハ一般式％式％ で示され、ムがそれぞれＣＩ、−００Ｈｓ、−ＱＣ２Ｈ
５に変わる。
ン、トリエトキシビニルシランハ一般式％式％ で示され、ムがそれぞれＣＩ、−００Ｈｓ、−ＱＣ２Ｈ
５に変わる。
発明の効果
以上のように本発明によれば酸化膜を一層ずつ形成する
ものであるので得られる膜は緻密であり、ステップカバ
レージに優れ機械強度も大で、接着性も良好である。
ものであるので得られる膜は緻密であり、ステップカバ
レージに優れ機械強度も大で、接着性も良好である。
第１図〜第４図は本発明の一実施例におけるシリコン酸
化膜の形成方法を説明するための図である。 １・・・・・・基板、２・川・・光。
化膜の形成方法を説明するための図である。 １・・・・・・基板、２・川・・光。
Claims (4)
- （１）基板を洗浄する工程、シリコン化合物を基板に吸
着する工程および前記シリコン化合物の一部を水酸基に
変換する工程を含むことを特徴とするシリコン酸化膜の
形成方法。 - （２）シリコン化合物が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、ＡがＣｌ、−ＯＣＨ＿３、−ＯＣ＿２Ｈ＿５
）で示されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のシリコン酸化膜の形成方法。 - （３）基板を洗浄する工程に光を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のシリコン酸化膜の形成方
法。 - （４）シリコン化合物の一部を水酸基に変換する工程に
、光あるいは化学反応を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のシリコン酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062523A JPS61220435A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062523A JPS61220435A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220435A true JPS61220435A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13202628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062523A Pending JPS61220435A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610899A3 (en) * | 1993-02-09 | 1996-05-15 | Dow Corning Toray Silicone | Process for producing a silicon oxide film. |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60062523A patent/JPS61220435A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610899A3 (en) * | 1993-02-09 | 1996-05-15 | Dow Corning Toray Silicone | Process for producing a silicon oxide film. |
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